專利名稱：光二極管陣列結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)于一種光二極管陣列結(jié)構(gòu)，特別是指一種包括可測(cè)得正確的光電流并改善相鄰二極管間互相干擾的問(wèn)題的光二極管陣列結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：
目前，光二極管陣列元件(Photodiode Array)廣泛運(yùn)用到電子產(chǎn)品中。如圖5所示，為現(xiàn)有的光二極管元件結(jié)構(gòu)示意圖。該光二極管陣列元件結(jié)構(gòu)200包括陰極210及多個(gè)陽(yáng)極220，各該陽(yáng)極220以陣列排列設(shè)置于該陰極210上。然而，由于在量測(cè)單一光二極管元件的光電流時(shí)，將受陣列上鄰近光二極管元件的光電流影響，而導(dǎo)致光二極管元件所產(chǎn)生的光電流升高，進(jìn)而影響其準(zhǔn)確性。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型人乃潛心研思、設(shè)計(jì)組制，期能提供一種測(cè)得正確的光電流的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，用以降低成本、提高生產(chǎn)效益，為本實(shí)用新型所欲研創(chuàng)的創(chuàng)作動(dòng)機(jī)。
本實(shí)用新型的主要目的，在于提供一種光二極管陣列結(jié)構(gòu)，可測(cè)得正確的光電流，并改善相鄰二極管間互相干擾的問(wèn)題。
為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)包括光二極管陣列結(jié)構(gòu)，包括一第一電極；多個(gè)第二電極，其間隔且陣列排列設(shè)置于該第一電極上；以及多個(gè)阻斷部，其設(shè)于各該第二電極間，用以阻隔光擴(kuò)散電流流通。
本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)阻隔光擴(kuò)散電流流通，由此，使其可測(cè)得正確的光電流，進(jìn)而改善相鄰二極管間互相干擾的問(wèn)題，以有效壓抑噪聲干擾，S/N比低落的現(xiàn)象，進(jìn)而增加元件精確度、功能穩(wěn)定度，并降低產(chǎn)品不良率。

圖1為本實(shí)用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)的俯面示意圖。
圖3為本實(shí)用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖4為本實(shí)用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的光二極管陣列的光電流曲線比較示意圖，其中，L1代表比較例1，L2代表實(shí)施例1，L3代表實(shí)施例2，L4實(shí)施例3。
圖5為現(xiàn)有的光二極管陣列元件結(jié)構(gòu)示意圖。
主要元件號(hào)說(shuō)明
100光二極管陣列結(jié)構(gòu) 110第一電極 120第二電極 130阻斷部 200光二極管陣列 210陰極 220陽(yáng)極 具體實(shí)施方式
為了能夠更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征、特點(diǎn)和技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本實(shí)用新型的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，但所附圖式僅提供參考與說(shuō)明用，非用以限制本實(shí)用新型。
請(qǐng)參閱圖1至3所示，為本實(shí)用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)的立體結(jié)構(gòu)、俯面示意圖以及其剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該光二極管陣列結(jié)構(gòu)100包括一第一電極110、多個(gè)第二電極120及多個(gè)阻斷部130，以供進(jìn)行光電流測(cè)試時(shí)，可測(cè)得正確的光電流。
各該第二電極120間隔且以陣列排列設(shè)置于該第一電極110上，其中，該第一電極110為陰極時(shí)，該第二電極120則為陽(yáng)極；若該第一電極110為陽(yáng)極，而該第二電極120則為陰極，于本實(shí)施例中，該第一電極110為陰極。
各該阻斷部130設(shè)于各間隔排列的第二電極120間，使該光二極管陣列結(jié)構(gòu)100進(jìn)行光電流測(cè)試時(shí)，其所產(chǎn)生的光擴(kuò)散電流可由該阻斷部130所形成的斷層而阻隔，以供可測(cè)得正確的光電流，進(jìn)而改善相鄰二極管間互相干擾(cross-talk)的問(wèn)題，且該阻斷部130的深度大于該第二電極的深度，其范圍可為5至550微米。
另請(qǐng)參閱圖4及5所示，為光二極管陣列結(jié)構(gòu)的光電流曲線示意圖，是依表1所示的比例，取相同工藝且具有光二極管陣列結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行芯片半切。
表1 分別將上述所芯片半切成的具有光二極管陣列結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行光電流(Light current)測(cè)試，其結(jié)果如表2至5所示，并依照表2至5的數(shù)據(jù)繪制比較示意圖(如圖4所示，其中，L1代表比較例1，L2代表實(shí)施例1，L3代表實(shí)施例2，L4實(shí)施例3)。
表2

表3
表4
表5

由表2至5及圖4的測(cè)試結(jié)果可知，本實(shí)用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)所測(cè)得的光電流相較于未設(shè)有阻斷部的光二極管陣列結(jié)構(gòu)所測(cè)得的光電流的標(biāo)準(zhǔn)差數(shù)值較低，并可測(cè)得較正確的光電流，且具有較深深度的阻斷部的光二極管陣列結(jié)構(gòu)所測(cè)得的光電流又相較于具有較淺深度的阻斷部的光二極管陣列結(jié)構(gòu)所測(cè)得的光電流的標(biāo)準(zhǔn)差數(shù)值為低，亦即，可由該光二極管陣列結(jié)構(gòu)的第二電極做為受光區(qū)，而設(shè)于兩相鄰第二電極間的阻斷部做為光遮斷道，使該光二極管陣列結(jié)構(gòu)受光時(shí)，其所產(chǎn)生的光擴(kuò)散電流可由該阻斷部所形成的斷層而阻隔，而使該光二極管陣列結(jié)構(gòu)可獲得較穩(wěn)定的電流判斷。
綜上所述，本實(shí)用新型的光二極管陣列結(jié)構(gòu)主要是于第一電極上設(shè)有多個(gè)以間隔且陣列排列的第二電極，并將多個(gè)阻斷部分別設(shè)于該些間隔排列的第二電極之間，使其進(jìn)行光電流測(cè)試時(shí)，可測(cè)得正確的光電流，進(jìn)而改善相鄰二極管間互相干擾的問(wèn)題，以有效壓抑噪聲干擾，S/N比低落的現(xiàn)象，進(jìn)而增加元件精確度、功能穩(wěn)定度，并降低產(chǎn)品不良率，且無(wú)需考慮與光源匹配的機(jī)率問(wèn)題，以省略測(cè)試手續(xù)及其成本。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳可行實(shí)施例，非因此即局限本實(shí)用新型的專利范圍，凡是運(yùn)用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所為的等效結(jié)構(gòu)變化，均理同包含于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括
一第一電極；
多個(gè)第二電極，其間隔且陣列排列設(shè)置于該第一電極上；以及
多個(gè)阻斷部，其設(shè)于各該第二電極間，用以阻隔光擴(kuò)散電流流通。
2.如權(quán)利要求1所述的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極為陽(yáng)極，該第二電極為陰極。
3.如權(quán)利要求1所述的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極為陰極，該第二電極為陽(yáng)極。
4.如權(quán)利要求1所述的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，該阻斷部的深度大于該第二電極的深度。
5.如權(quán)利要求1所述的光二極管陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，該阻斷部的深度為5至550微米。
專利摘要本實(shí)用新型是一種光二極管陣列結(jié)構(gòu)，主要是第一電極上設(shè)有多個(gè)以間隔且陣列排列的第二電極，并將多個(gè)阻斷部分別設(shè)于該些間隔排列的第二電極之間，使其進(jìn)行光電流測(cè)試時(shí)，可測(cè)得正確的光電流，進(jìn)而改善相鄰二極管間互相干擾的問(wèn)題，以有效壓抑噪聲干擾，S/N比低落的現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G01R19/00GK201490193SQ20092016837
公開(kāi)日2010年5月26日 申請(qǐng)日期2009年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月14日
發(fā)明者周文隆, 朱倪廷, 王瓊徵 申請(qǐng)人:鼎元光電科技股份有限公司