專利名稱：一種改良的非接觸式位移傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及測(cè)量位移的高精度位移傳感器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種改良 的非接觸式位移傳感器。
(二)
背景技術(shù)：
現(xiàn)有測(cè)量位移的高精度位移傳感器，主要有三種容柵、光柵和磁柵型位 移傳感器，其各自都存在一定的缺陷容柵型位移傳感器不能在潮濕的工作環(huán) 境中使用，限制了它的應(yīng)用范圍；光柵型位移傳感器容易受到粉塵和環(huán)境污染 的影響，其應(yīng)用范圍受到限制；磁柵型傳感器由于采用的磁柵尺很容易受到外 界磁場(chǎng)的干擾，而且一旦被外界磁場(chǎng)磁化后便無法復(fù)原，導(dǎo)致產(chǎn)品的永久性損 壞，且上述三種傳感器都采用模擬式測(cè)量方法，這使得其在工作中易受到環(huán)境 噪音的干擾，且其在需要提高測(cè)量精度的情況下，其制造成本會(huì)大幅度提高。
(三) 發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問題，本實(shí)用新型提供了一種改良的非接觸式位移傳感器，其在 工作過程中抗干擾性強(qiáng)，且其測(cè)量精度高。 其技術(shù)方案是這樣的，
其包括基板、外圍電路，其特征在于所述基板上安裝有均勻排布的巨磁 電阻元件陣列，所述軌道結(jié)陣列上方安裝有與巨磁電阻元件陣列平行的軌道， 所述軌道上安裝有激光光源，所述基板連接外圍電路，所述巨磁電阻元件通過 基板連接所述外圍線路。
其進(jìn)一步特征在于所述巨磁電阻元件具體為隧道結(jié)，所述軌道上安裝有 滑塊，所述激光光源安裝于所述滑塊上，所述激光光源具體為波長較短的光源。
本實(shí)用新型的上述結(jié)構(gòu)中，由于所述激光照射于所述巨磁電阻元件，進(jìn)而 通過巨磁電阻元件會(huì)在此種條件下發(fā)生電阻變化的特性，進(jìn)而準(zhǔn)確得到改變電 阻的巨磁電阻元件的位置信息，從而得到待測(cè)對(duì)象的位移或長度，此在工作過 程中，采用數(shù)字式原理，故其抗干擾能力強(qiáng)；其精度和分辨率取決于相鄰巨磁 電阻元件的大小和相互之間的距離，由于巨磁電阻元件精密度高，可達(dá)到納米級(jí)，故其其測(cè)量精度高。


圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
見圖1，本實(shí)用新型包括基板1、外圍電路(圖中沒有表達(dá)，其連接關(guān)系屬
現(xiàn)有技術(shù))，基板1上安裝有均勻排布的巨磁電阻元件2陣列，巨磁電阻元件2 具體為隧道結(jié)，隧道結(jié)2陣列上方安裝有與巨磁電阻元件陣列平行的軌道3，軌 道3上安裝滑塊4，基板l連接外圍電路，隧道結(jié)2通過基板1連接外圍線路。 軌道3上安裝有滑塊4，激光5的光源安裝于滑塊4上，激光光源具體為波長較 短的光源。
巨磁電阻元件2內(nèi)通過脈沖電流，脈沖電流小于巨磁電阻元件2自由層翻 轉(zhuǎn)的臨界值，激光5的光源發(fā)出激光光束，激光光束照射巨磁電阻元件2，通脈 沖電流的巨磁電阻元件2受到激光光束照射其電阻發(fā)生變化，電阻的變化通過 巨磁電阻元件2外圍的電路顯示出來，從而確定發(fā)生電阻變化的巨磁電阻元件2 的位置信息，從而得出與激光光源位置相對(duì)應(yīng)的所測(cè)對(duì)象的位移或長度。工作 時(shí)，激光光源的光斑覆蓋或部分覆蓋一個(gè)巨磁電阻元件結(jié)時(shí)，不會(huì)同時(shí)覆蓋到 另一個(gè)巨磁電阻元件。6為待測(cè)位移。
權(quán)利要求1、一種改良的非接觸式位移傳感器，其包括基板、外圍電路，其特征在于所述基板上安裝有均勻排布的巨磁電阻元件陣列，所述軌道結(jié)陣列上方安裝有與巨磁電阻元件陣列平行的軌道，所述軌道上安裝有激光光源，所述基板連接外圍電路，所述巨磁電阻元件通過基板連接所述外圍線路。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述一種改良的非接觸式位移傳感器，其特征在于所 述巨磁電阻元件具體為隧道結(jié)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述一種改良的非接觸式位移傳感器，其特征在于所 述軌道上安裝有滑塊，所述激光光源安裝于所述滑塊。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的使用非接觸式位移測(cè)量方法的非接觸式位移傳感 器，其特征在于所述激光光源具體為波長較短的光源。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種改良的非接觸式位移傳感器，其在工作過程中抗干擾性強(qiáng)，且其測(cè)量精度高。其包括基板、外圍電路，其特征在于所述基板上安裝有均勻排布的巨磁電阻元件陣列，所述軌道結(jié)陣列上方安裝有與巨磁電阻元件陣列平行的軌道，所述軌道上安裝有激光光源，所述基板連接外圍電路，所述巨磁電阻元件通過基板連接所述外圍線路。
文檔編號(hào)G01B11/02GK201397126SQ200920041808
公開日2010年2月3日 申請(qǐng)日期2009年3月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月24日
發(fā)明者磊 王 申請(qǐng)人:無錫市納微電子有限公司