專利名稱：探測方法以及探測用程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)被檢査體上形成的多個(gè)芯片的電特性進(jìn)行檢査 的探測方法，具體而言，本發(fā)明涉及一種能夠同時(shí)檢査多個(gè)芯片的探 測方法以及探測用程序。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的檢查裝置的探測裝置，例如如圖12所示，具有相互鄰 接的裝載室1和探測室2。裝載室1具有盒收納部，其用于以盒為單 位收納多枚晶片W;晶片搬送機(jī)構(gòu)，其用于將晶片W—片一片地由盒 搬出或搬入；預(yù)定位機(jī)構(gòu)，其用于在使用晶片搬送機(jī)構(gòu)搬送晶片W的 期間施行預(yù)定位。探測室2具有載置臺(tái)3,其具有保持晶片W、能
夠沿著x、 y、 z和e方向移動(dòng)的結(jié)構(gòu)；探針卡4，其具有與在該載置
臺(tái)3上載置的晶片W上形成的芯片的電極墊接觸的多個(gè)探針4A;固 定機(jī)構(gòu)5,其利用探針卡支架(未圖示)固定該探針卡4;連接環(huán)6，其 電連接該探針卡4和測試頭T。并且，該探測室2如下所述地構(gòu)成在 控制裝置的控制下，通過測試頭T、連接環(huán)6和探針卡4，電連接未圖 示的探測儀和芯片而施行電特性檢査。再者，就圖12而言，7是用于 通過與載置臺(tái)3協(xié)同動(dòng)作而施行晶片W與探針卡4的定位的定位機(jī)構(gòu), 7A是上攝像機(jī)，7B是下攝像機(jī)，8是安裝有探針卡4的固定機(jī)構(gòu)5的 頂板。
就芯片而言，近年，伴隨配線結(jié)構(gòu)急劇地微細(xì)化而高密度化，在 —片晶片W上形成的芯片的數(shù)量迅速增多。因此，例如在專利文獻(xiàn)1、 2中，記載有使用能夠同時(shí)檢查多個(gè)芯片的探針卡從而提高檢查效率的
技術(shù)o
在專利文獻(xiàn)1中，記載有使多個(gè)探針沿著相對(duì)于在晶片上形成的 多個(gè)芯片而言傾斜的方向與其接觸而施行檢査的探測方法。就該探測 方法而言，為了避免多個(gè)探針的端部從晶片的端部越出，將探針卡縮在晶片內(nèi)施行檢査，從而防止因多個(gè)探針的一部分從晶片越出而造成 的損傷。
另外，在專利文獻(xiàn)2中，記載有縮短晶片的移動(dòng)距離而縮短檢查 時(shí)間的探測方法。就該探測方法而言，探針與同一芯片不會(huì)多次接觸, 每當(dāng)改換芯片的排列的行時(shí)，確定下一次的檢查開始位置，因此，能 夠縮短晶片的移動(dòng)距離。
專利文獻(xiàn)1:(日本)特開平10-098082號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:(日本)特開平05-299485號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，在使用如專利文獻(xiàn)1所述的探測方法的情況下，多個(gè)探針 中一部分與晶片內(nèi)的同一芯片多次接觸，因此，為了避免多次檢査同 —芯片，需要限制信號(hào)的發(fā)送和接收，另外，還存在因探針與芯片的 接觸次數(shù)增多而使晶片的移動(dòng)距離變長的問題。另外，在使用如專利 文獻(xiàn)2所述的探測方法的情況下，將晶片上多行多列地形成的多個(gè)芯 片按各行每次移動(dòng)同時(shí)檢查數(shù)的數(shù)量的晶片，進(jìn)而使晶片按照行數(shù)往 復(fù)移動(dòng)，因此，存在晶片的移動(dòng)距離變長的問題。并且，在使用如專 利文獻(xiàn)2所述的探測方法的情況下，產(chǎn)生兩端部的探針的使用頻率存 在很大偏倚的問題。
本發(fā)明，是為解決上述問題而做出的，其目的在于提供一種能 夠在縮短晶片等的被檢査體的移動(dòng)距離而縮短檢查時(shí)間的同時(shí)盡量使 兩端部的探針的使用頻率均等從而提高探針卡的耐久性的探測方法以 及探測用程序。
本發(fā)明第一方面的探測方法，是在控制裝置的控制下，使載置有 晶片的載置臺(tái)移動(dòng)，并使探針卡的多個(gè)探針與所述晶片的在傾斜方向 排列的多個(gè)芯片電接觸，對(duì)所述全部的芯片每次多個(gè)同時(shí)地施行電特 性檢查的方法，其特征在于該探測方法，具有，第一工序，在該工 序中，分別求得含有位于所述晶片的中心的中央芯片且在傾斜方向上 排列的第一基準(zhǔn)傾斜芯片列以及在該第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的上側(cè)的第 一區(qū)域內(nèi)平行地排列的多個(gè)傾斜芯片列，由所述第一區(qū)域的最下端的 所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列至最上端的傾斜芯片列，以各f頃斜芯片列的
6下端的芯片為始點(diǎn)，在所述各傾斜芯片列上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探
針，分別設(shè)定所述多個(gè)探針與所述各傾斜芯片列的接觸位置；第二工 序，在該工序中，在所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的下側(cè)的第二區(qū)域，分 別求得與所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列鄰接的第二基準(zhǔn)傾斜芯片列以及與 該第二基準(zhǔn)傾斜芯片列平行地排列的多個(gè)傾斜芯片列，由所述第二區(qū) 域的最上端的所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列至最下端的傾斜芯片列，以各 傾斜芯片列的上端的芯片為始點(diǎn)，在所述各傾斜芯片列上以整數(shù)倍配 置所述多個(gè)探針，分別設(shè)定所述多個(gè)探針與所述各傾斜芯片列的接觸 位置；第三工序，在該工序中，根據(jù)所述接觸位置的設(shè)定將所述晶片 的左右的任意一方的端部的上下方向的多個(gè)接觸位置設(shè)定為所述多個(gè) 探針的同一索引群，對(duì)剩余的接觸位置也沿著上下方向依次設(shè)定同一 索引群，然后，由所述晶片的左右的任意一方的端部的所述同一索引 群向另一方的端部的所述索引群，對(duì)各接觸位置沿著上下方向曲折地 設(shè)定索引遞進(jìn)的順序。
本發(fā)明第二方面的探測方法如第一方面所述的探測方法，其特征 在于所述第一工序，具有，檢測位于所述中央芯片的左右的任意一 方的端部的芯片的工序；檢測在所述任意一方的端部的芯片的上下的 任意一方的方向上且距第一基準(zhǔn)傾斜芯片列最遠(yuǎn)的傾斜芯片列的工 序；將所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的任意一方的端部的芯片與所述多個(gè) 探針的端部的探針對(duì)準(zhǔn)，使同一芯片不重復(fù)地以整數(shù)倍配置所述多個(gè) 探針而設(shè)定接觸位置的工序；對(duì)其它的傾斜芯片列也使用與對(duì)所述第 一基準(zhǔn)傾斜芯片列設(shè)定接觸位置時(shí)使用的方法相同的方法設(shè)定接觸位 置的工序。
本發(fā)明第三方面的探測方法如第一方面或第二方面所述的探測方 法，其特征在于所述第二工序，具有，檢測位于所述中央芯片的左 右的任意另一方的端部的芯片的工序；檢測在所述左右的任意另一方 的端部的芯片的所述上下方向的任意另一方的方向上且距所述第二基 準(zhǔn)傾斜芯片列最遠(yuǎn)的傾斜芯片列的工序；將所述第二基準(zhǔn)傾斜芯片列 的上端的芯片與所述多個(gè)探針的上端部的探針對(duì)準(zhǔn)，使同一的芯片不 重復(fù)地且以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針而設(shè)定接觸位置的工序；對(duì)其它 的傾斜芯片列也使用與對(duì)所述第二基準(zhǔn)傾斜芯片列設(shè)定接觸位置時(shí)使
7用的方法相同的方法設(shè)定接觸位置的工序。
本發(fā)明第四方面的探測方法如第一 三方面中任意方面所述的探 測方法，其特征在于所述第三工序，具有，根據(jù)在所述第一、第二 工序中施行的接觸位置的設(shè)定相對(duì)于所述多個(gè)探針對(duì)所述晶片的左右 的任意一方的端部的接觸位置檢索的工序；沿著位于所述左右的任意 —方的端部的接觸位置的上下方向檢索，判定檢索出來的接觸位置的 外端芯片與前一接觸位置的外端芯片是否位于規(guī)定的距離內(nèi)的工序； 將在所述規(guī)定距離內(nèi)的接觸位置設(shè)定為同一索引群的工序；對(duì)剩余的 接觸位置也使用與在所述左右的任意一方的端部的接觸位置設(shè)定同一 索引群吋使用的方法相同的方法分別設(shè)定同一索引群的工序。
本發(fā)明第五方面的探測用程序，是通過驅(qū)使計(jì)算機(jī)工作、使載置 有晶片的載置臺(tái)移動(dòng)、并使所述探針卡的多個(gè)枚探針與所述晶片的全 部芯片中、沿著傾斜的方向排列的多個(gè)個(gè)芯片電氣接觸、對(duì)所述全部 的芯片每多個(gè)個(gè)同時(shí)施行電氣特性檢査的探測用程序，其特征在于 驅(qū)使計(jì)算機(jī)工作，施行第一工序，在該工序中，分別求得含有位于所 述晶片的中心的中央芯片且在傾斜的方向上排列的第一基準(zhǔn)傾斜芯片 列以及在該第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的上側(cè)的第一區(qū)域內(nèi)平行地排列的多 個(gè)列傾斜芯片列，由所述第一區(qū)域的最下端的所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片 列至最上端的傾斜芯片列，以各傾斜芯片列的下端的芯片為始點(diǎn)，在 所述各傾斜芯片列上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)枚探針，分別設(shè)定所述多 個(gè)枚探針與所述各傾斜芯片列的接觸位置；第二工序，在該工序中， 在所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的下側(cè)的第二區(qū)域，分別求得與所述第一 基準(zhǔn)傾斜芯片列鄰接的第二基準(zhǔn)傾斜芯片列以及與該第二基準(zhǔn)傾斜芯 片列平行地排列的多個(gè)列傾斜芯片列，由所述第二區(qū)域的最上端的所
述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列至最下端的傾斜芯片列，以各ii斜芯片列的上
端的芯片為始點(diǎn)，在所述各傾斜芯片列上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)枚探 針，分別設(shè)定所述多個(gè)枚探針與所述各傾斜芯片列的接觸位置；第三 工序，在該工序中，根據(jù)所述接觸位置的設(shè)定對(duì)相對(duì)于所述多個(gè)枚探 針而言位于所述晶片的左右的任意一方的端部的上下方向的多個(gè)個(gè)接 觸位置設(shè)定同一的索引群，對(duì)剩余的接觸位置也沿著上下方向依次設(shè) 定同一的索引群，然后，由所述晶片的左右的任意一方的端部的所述
8同一的索引群向另一方的端部，對(duì)各接觸位置沿著上下方向設(shè)定索引 遞進(jìn)的順序。
本發(fā)明第六方面的探測用程序如第五方面的探測用程序，其特征
在于所述第一工序，具有檢測位于所述中央芯片的左右的任意一方
的端部的芯片的工序；檢測在所述任意一方的端部的芯片的上下的任
意一方的方向上且距第一基準(zhǔn)傾斜芯片列最遠(yuǎn)的傾斜芯片列的工序；
對(duì)準(zhǔn)與所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的任意一方的端部的芯片對(duì)應(yīng)的所述
多個(gè)枚探針的端部的探針的位置、使同一的芯片不重復(fù)地且以整數(shù)倍
配置所述多個(gè)枚探針而設(shè)定接觸位置的工序；對(duì)其它的傾斜芯片列也 使用與對(duì)所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列設(shè)定接觸位置時(shí)使用的方法相同的
方法設(shè)定接觸位置的工序。
本發(fā)明第七方面的探測用程序如第五或六方面的探測用程序，其 特征在于所述第二工序，具有檢測位于所述中央芯片的左右的任意 另一方的端部的芯片的工序；檢測在所述左右的任意另一方的端部的 芯片的所述上下方向的任意另一方的方向上且距所述第二基準(zhǔn)傾斜芯 片列最遠(yuǎn)的傾斜芯片列的工序；對(duì)準(zhǔn)與所述第二基準(zhǔn)傾斜芯片列的任 意一方的端部的芯片對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)枚探針的端部的探針的位置、使 同一的芯片不重復(fù)地且以整數(shù)倍配置所述多個(gè)枚探針而設(shè)定接觸位置 的工序；對(duì)其它的傾斜芯片列也使用與對(duì)所述第二基準(zhǔn)傾斜芯片列設(shè) 定接觸位置時(shí)使用的方法相同的方法設(shè)定接觸位置的工序。
本發(fā)明第八方面的探測用程序如第五~七方面任意一方面的探測 用程序，其特征在于所述第三工序，具有根據(jù)在所述第一、第二工 序中施行的接觸位置的設(shè)定對(duì)相對(duì)于所述多個(gè)枚探針而言位于所述晶 片的左右的任意一方的端部的接觸位置檢索的工序；沿著位于所述左 右的任意一方的端部的接觸位置的上下方向檢索、判定檢索出來的接 觸位置的外端芯片與前一接觸位置的外端芯片是否位于所定的距離內(nèi) 的工序；定位于所述所定的距離內(nèi)的接觸位置設(shè)定同一的索引群的工 序；對(duì)剩余的接觸位置也使用與定位于所述左右的任意一方的端部的 接觸位置設(shè)定同一的索引群時(shí)使用的方法相同的方法分別設(shè)定同一的 索引群的工序。
本發(fā)明第九方面的探測方法，是在控制裝置的控制下，使載置有
9晶片的載置臺(tái)移動(dòng)，并使探針卡的多個(gè)探針與沿著所述晶片的橫向排 列的多個(gè)芯片電接觸，從而對(duì)所述全部的芯片每次多個(gè)同時(shí)地施行電 特性檢查的方法，其特征在于該探測方法，具有，第一工序，在該 工序中，求得含有位于上述晶片的中心的中央芯片且沿著橫向的方向 排列的基準(zhǔn)芯片行的左右的任意一方的端部，以該端部的芯片為始點(diǎn)， 在所述基準(zhǔn)芯片行上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針，分別設(shè)定所述多個(gè) 探針與所述基準(zhǔn)芯片行的接觸位置；第二工序，在該工序中，以與位 于所述基準(zhǔn)芯片行的上側(cè)的第一區(qū)域且在平行于所述基準(zhǔn)芯片列的各 芯片行的各所述端部相同一側(cè)的端部的芯片為始點(diǎn)，在所述各芯片行 上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針，分別設(shè)定所述多個(gè)探針與所述各芯片 行的接觸位置；第三工序，在該工序中，以與位于所述基準(zhǔn)芯片行的 下側(cè)的第二區(qū)域且在各芯片行的各所述端部相反一側(cè)的端部的芯片為 始點(diǎn)，在所述各芯片行上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針，分別設(shè)定所述 多個(gè)探針與所述各芯片行的接觸位置；第四工序，在該工序中，根據(jù) 所述接觸位置的設(shè)定將所述端部側(cè)的上下方向的多個(gè)接觸位置設(shè)定為 所述多個(gè)探針的同一索引群，對(duì)剩余的接觸位置也沿著上下方向依次 設(shè)定同一索引群，直至與所述端部相反一側(cè)的端部，然后，由所述端 部的所述同一的索引群向另一方的端部的所述同一的索引群，對(duì)各接 觸位置沿著上下方向曲折地設(shè)定索引遞進(jìn)的順序。
本發(fā)明第十方面的探測用程序，是通過驅(qū)使計(jì)算機(jī)工作、使載置 有晶片的載置臺(tái)移動(dòng)、并使所述探針卡的多個(gè)枚探針與所述晶片的全 部芯片中、沿著傾斜的方向排列的多個(gè)個(gè)芯片電氣接觸、對(duì)所述全部 的芯片每多個(gè)個(gè)同時(shí)施行電氣特性檢査的探測用程序，其特征在于 驅(qū)使計(jì)算機(jī)工作，施行第一工序，在該工序中，求得含有位于上述晶 片的中心的中央芯片且沿著橫向的方向排列的基準(zhǔn)芯片行的左右的任 意一方的端部，以該端部的芯片為始點(diǎn)，在所述基準(zhǔn)芯片行上以整數(shù) 倍配置所述多個(gè)枚探針，分別設(shè)定所述多個(gè)枚探針與所述基準(zhǔn)芯片行 的接觸位置；第二工序，在該工序中，以位于所述基準(zhǔn)芯片行的上側(cè) 的第一區(qū)域且在與平行于所述基準(zhǔn)芯片列的各芯片行的各所述端部相 同一側(cè)的端部的芯片為始點(diǎn)，在所述各芯片行上以整數(shù)倍配置所述多 個(gè)枚探針，分別設(shè)定所述多個(gè)枚探針與所述各芯片行的接觸位置；第三工序，在該工序中，以位于所述基準(zhǔn)芯片行的下側(cè)的第二區(qū)域且在 與各芯片行的各所述端部相對(duì)一側(cè)的端部的芯片為始點(diǎn)，在所述各芯 片行上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)枚探針，分別設(shè)定所述多個(gè)枚探針與所 述各芯片行的接觸位置；第四工序，在該工序中，根據(jù)所述接觸位置 的設(shè)定對(duì)相對(duì)于所述多個(gè)枚探針而言位于所述端部側(cè)的上下方向的多 個(gè)個(gè)接觸位置設(shè)定同一的索引群，對(duì)剩余的接觸位置也沿著上下方向 依次設(shè)定同一的索引群，直至與所述端部相對(duì)一側(cè)的端部，然后，由 所述端部的所述同一的索引群向另一方的端部的所述同一的索引群， 對(duì)各接觸位置沿著上下方向設(shè)定索引遞進(jìn)的順序群遞進(jìn)的索引號(hào)。
如果實(shí)施本發(fā)明，則能夠提供一種能夠在縮短晶片等的被檢査體 的移動(dòng)距離而縮短檢查時(shí)間的同時(shí)盡量使兩端部的探針的使用頻率均 等從而提高探針卡的耐久性的探測方法以及探測用程序。


圖1是表示用于實(shí)施本發(fā)明的探測方法的探測裝置的一例的結(jié)構(gòu)
圖2是表示在本發(fā)明的探測方法的一種實(shí)施方式中設(shè)定探針卡的 接觸位置的方法的流程圖。
圖3是表示緊接如圖2所示的流程圖而被施行的設(shè)定探針卡的接 觸位置的方法的流程圖。
圖4 (a)、 (b)分別是用于說明使用如圖2所示的探測方法設(shè)定多個(gè) 探針的接觸位置的過程的附圖，圖4 (a)是表示探針卡的探針的排列和 與其對(duì)應(yīng)的芯片的排列的平面圖，圖4 (b)是表示晶片上已被檢測的芯 片列的晶片的坐標(biāo)圖。
圖5是表示按照如圖2、 3所示的流程圖在晶片上設(shè)定的探針卡的 接觸位置的排列的坐標(biāo)圖。
圖6是表示根據(jù)按照如圖2、 3所示的流程圖設(shè)定的接觸位置設(shè)定 索引群的方法的流程圖。
圖7是表示在如圖5所示的晶片的探針卡的接觸位置的索引遞進(jìn)的順序的晶片的坐標(biāo)圖。
圖8 (a)、 (b)分別是用于說明使用本發(fā)明的其它實(shí)施方式的探測方 法設(shè)定多個(gè)探針的接觸位置的過程的附圖，圖8 (a)是表示探針卡的探 針的排列和與其對(duì)應(yīng)的芯片的排列的平面圖，圖8 (b)是表示晶片上已 被檢測的芯片列的晶片的坐標(biāo)圖。
圖9是實(shí)施本發(fā)明的探測方法的其它實(shí)施方式的場合的類似于圖 2的流程圖。
圖10是表示緊接如圖9所示的流程圖而被施行的設(shè)定探針卡的接 觸位置的方法的流程圖。
圖11是表示在如圖8所示的晶片上的探針卡的接觸位置的索引遞 進(jìn)的順序的晶片的坐標(biāo)圖。
圖12是將現(xiàn)有的探測裝置的一例的一部分剖斷而表示的正面圖。 附圖標(biāo)記說明
10 探測裝置
11 載置臺(tái)
12 探針卡 12A 探針 W 晶片
C 芯片 Cc 中央芯片
具體實(shí)施例方式
以下，根據(jù)如圖1 圖6所示的實(shí)施方式，說明本發(fā)明。而且，各 圖中，圖1是表示用于實(shí)施本發(fā)明的探測方法的探測裝置的一例的結(jié) 構(gòu)圖；圖2是表示在本發(fā)明的探測方法的一種實(shí)施方式中設(shè)定探針卡 的接觸位置的方法的流程圖；圖3是表示緊接如圖2所示的流程圖而 被施行的設(shè)定探針卡的接觸位置的方法的流程圖；圖4(a)、 (b)分別是 用于說明使用如圖2所示的探測方法設(shè)定多個(gè)探針的接觸位置的過程 的附圖，圖4 (a)是表示探針卡的探針的排列和與其對(duì)應(yīng)的芯片的排列 的平面圖，圖4 (b)是表示晶片上己被檢測的芯片列的晶片的坐標(biāo)圖； 圖5，是表示按照如圖2、 3所示的流程圖在晶片上設(shè)定的探針卡的接
12觸位置的排列的坐標(biāo)圖；圖6是表示根據(jù)按照如圖2、 3所示的流程圖 設(shè)定的接觸位置設(shè)定索引群的方法的流程圖；圖7是表示在如圖5所 示的晶片上探針卡的接觸位置的索引遞進(jìn)的順序的晶片的坐標(biāo)圖；圖8 (a)、 (b)分別是用于說明使用本發(fā)明的其它實(shí)施方式的探測方法設(shè)定多 個(gè)探針的接觸位置的過程的附圖，圖8 (a)是表示探針卡的探針的排列 和與其對(duì)應(yīng)的芯片的排列的平面配置圖，圖8 (b)是表示晶片上已被檢 測的芯片列的晶片的坐標(biāo)圖；圖9是實(shí)施本發(fā)明的探測方法的其它實(shí) 施方式的場合的類似于圖2的流程圖；圖10是表示緊接如圖9所示的 流程圖而被施行的設(shè)定探針卡的接觸位置的方法的流程圖；圖11是表 示在如圖8所示的晶片上探針卡的接觸位置的索引遞進(jìn)的順序的晶片 的坐標(biāo)圖。 第一實(shí)施方式
參照?qǐng)D1，說明用于實(shí)施本實(shí)施方式的探測方法的探測裝置。該探 測裝置1,例如，如圖1所示，具有載置臺(tái)11，其能夠在探測室內(nèi) 沿著X、 Y、Z和e方向移動(dòng)；探針卡12,其設(shè)置在載置臺(tái)11的上方; 定位機(jī)構(gòu)13，其用于施行載置臺(tái)11上的晶片W與探針卡12的定位。 并且，該探測裝置l,如下所述地構(gòu)成在控制裝置14的控制下，載
置臺(tái)11與定位機(jī)構(gòu)13協(xié)同動(dòng)作，施行晶片W的芯片的多個(gè)電極墊與 探針卡12的多個(gè)探針12A的定位；然后，載置臺(tái)11按照索引號(hào)移動(dòng)， 施行晶片W的各芯片的電特性檢查。
載置臺(tái)ll,如圖l所示，具有由X方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、Y方向驅(qū)動(dòng)機(jī) 構(gòu)和Z方向驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)11A。因此，載置臺(tái)ll，如下所 述地構(gòu)成在控制裝置M的控制下，通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)IIA，載置臺(tái)11
能夠沿著X、 Y、 z和e方向移動(dòng)。
探針卡12,如圖1所示，具有多個(gè)探針12A，通過卡支架15,被 固定在頂板16上。多個(gè)探針12A,例如，如圖4(a)所示，如下所述地 構(gòu)成多個(gè)探針12A與由沿著相對(duì)于在晶片W上呈矩陣狀地形成的多 個(gè)芯片C而言傾斜的方向相連的4個(gè)芯片C構(gòu)成的芯片列接觸，同時(shí) 檢査4個(gè)芯片C。因此，以下，將同時(shí)檢查多個(gè)(就本發(fā)明而言，其為 4個(gè))芯片的探針卡12作為復(fù)合卡12說明，將同時(shí)檢查的芯片數(shù)作為 復(fù)合數(shù)說明。如果復(fù)合數(shù)為4，則意指能夠同時(shí)檢查的芯片的個(gè)數(shù)為4。就圖4 (a)而言，CH表示探針卡12的通道；Cl表示由4個(gè)芯片構(gòu)成的 芯片列中下端的芯片；C2，表示由4個(gè)芯片構(gòu)成的芯片列中上端的芯 片。
定位機(jī)構(gòu)13，如圖1所示，具有第一攝像機(jī)13A,其能夠在載 置臺(tái)1與探針卡12之間移動(dòng)；第二攝像機(jī)13B,其附設(shè)在載置臺(tái)11 的側(cè)方;定位用跨梁13C，其固定有第一攝像機(jī)13A。第一攝像機(jī)13A， 通過定位用跨梁13C，能夠在探測室的深處部和探測中心(位于探針卡 的中心的延長線上)之間移動(dòng)，在探測中心，拍攝沿著X、 Y方向移動(dòng) 的載置臺(tái)11上的晶片。第二攝像機(jī)BB，通過載置臺(tái)11,能夠向探針 卡12的探針12A的正下方移動(dòng)，在此位置，拍攝探針12A。
控制裝置14具有存儲(chǔ)部14A,其存儲(chǔ)含有本發(fā)明的探測用程序 的各種程序以及各種數(shù)據(jù)；圖像處理部14B,其用于根據(jù)來自第一、 第二攝像機(jī)13A、13B的拍攝信號(hào)施行圖像處理；中央運(yùn)算處理部14C， 其用于在存儲(chǔ)部14A與圖像處理部14B之間發(fā)送和接收各種數(shù)據(jù)而施 行規(guī)定的運(yùn)算處理。并且，該控制裝置14，以計(jì)算機(jī)為主體而構(gòu)成。 中央運(yùn)算處理部14C,如下所述地構(gòu)成由存儲(chǔ)部14A讀出探測用程 序等，在未圖示的顯示裝置的屏幕上顯示晶片圖像等的各種圖像，設(shè) 定探針卡12的多個(gè)探針12A的接觸位置，并且，設(shè)定下述索引群等。
接著，參照?qǐng)D2 圖6，說明使用本發(fā)明的探測用程序的探測方法 的一種實(shí)施方式。
作為控制裝置14的主體的計(jì)算機(jī)通過本實(shí)施方式的探測用程序驅(qū) 動(dòng)后，中央運(yùn)算處理部14C就由存儲(chǔ)部14A讀出探測用程序而施行本 實(shí)施方式的探測方法。就本實(shí)施方式的探測方法而言，首先，在按照 如圖2、圖3所示的流程設(shè)定復(fù)合卡12接觸晶片W的接觸位置后，根 據(jù)接觸位置設(shè)定用于晶片W的索引遞進(jìn)的多個(gè)索引群和接觸位置的索 引順序。然后，在施行晶片W與復(fù)合卡12的定位后，按照各索引群 的索引順序施行晶片W的電特性檢査。
復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的相對(duì)于晶片W而言的接觸位置，如 下所述地設(shè)定，如圖4所示地預(yù)先設(shè)定含有如圖4所示地位于晶片W 的中央的坐標(biāo)值(Xc， Yc)的中央芯片Cc的傾斜的方向的芯片列(以下， 稱為"第一基準(zhǔn)傾斜芯片列")(l),以第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)為界，將
14晶片W劃分為第一區(qū)域，其是含有第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)的左上側(cè) 的區(qū)域；第二區(qū)域，其是不含有第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)而含有與第一 基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)的右側(cè)鄰接的傾斜芯片列(以下，稱為"第二基準(zhǔn)傾 斜芯片列")(3)的右下側(cè)的區(qū)域，從而設(shè)定復(fù)合卡12的接觸位置。
按照如圖2所示的流程圖，施行下述步驟的操作。首先，利用載 置臺(tái)ll取入來自裝載室的晶片W，如圖2所示的流程圖所示，在載置 臺(tái)11向在探測中心待機(jī)的第一攝像機(jī)13A的正下方移動(dòng)的期間，將位 于晶片W的中心的芯片C決定為中央芯片Cc (步驟S1)。接著，將具 有與中央芯片Cc相同的Y坐標(biāo)且位于最左端的芯片作為芯片A檢測 (步驟S2)，以該芯片A為基點(diǎn)，檢測在晶片W的第一區(qū)域內(nèi)的復(fù)合卡 12的接觸位置。而且，設(shè)芯片A的坐標(biāo)值為(Xcl,Yc)。
為了在晶片W的第一區(qū)域設(shè)定接觸位置，由最左端的芯片A起， 將Y坐標(biāo)值每次遞減1,檢測在最左端列的各芯片C的右上方向的各 芯片C傾斜方向上的芯片列(以下，稱為"傾斜芯片列")，判定該傾斜 芯片列是否為距第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)最遠(yuǎn)的傾斜芯片列(步驟S4), 如果不是最遠(yuǎn)的傾斜芯片列，則返回步驟S3。反復(fù)施行上述處理，直 至檢測距第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(1)最遠(yuǎn)的傾斜芯片列(2)。在步驟S3中， 一旦檢測距第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(1)最遠(yuǎn)的傾斜芯片列(2),就轉(zhuǎn)移到步 驟S5，在晶片W的第一區(qū)域設(shè)定復(fù)合卡12的接觸位置。
在步驟S5中，為了在晶片W的第一區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)定接觸位 置，如圖4 (a)所示，將復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的左下的通道CH1 和第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)的最左下的芯片Cl的位置對(duì)準(zhǔn),將對(duì)準(zhǔn)的位 置作為接觸位置設(shè)定。更進(jìn)一步地，如圖4(b)所示，作為接觸位置依 次設(shè)定復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的整數(shù)倍(以下，稱為"復(fù)合數(shù)倍") 的各位置，直至在第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)的右上方向上不存在芯片C。 該處理，如下所述地施行，由第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(1)至傾斜芯片列(2)， 在各傾斜芯片列上以復(fù)合數(shù)倍配置復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A，在第一 區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)定接觸位置(步驟S5)，結(jié)束在第一區(qū)域的接觸位置 的設(shè)定(步驟S6)。因?yàn)楫?dāng)如此設(shè)定接觸位置時(shí)以位于第一區(qū)域的左端 的芯片A為基準(zhǔn)，所以存在下述情況，即在探針卡12中，復(fù)合數(shù)倍的 右上方的端部的接觸位置不與第一區(qū)域內(nèi)的芯片C接觸，產(chǎn)生從晶片
15W的端部越出的探針12A。
接著，在晶片W的第二區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)定接觸位置。首先，如 圖3所示，將具有與中央芯片Cc的Y坐標(biāo)相同的Y坐標(biāo)且位于最右 端的芯片C作為芯片B檢測(步驟S7)，以該芯片B為基點(diǎn)，檢測在晶 片W的第二區(qū)域內(nèi)的復(fù)合卡12的接觸位置。在第二區(qū)域，沿著與在 第一區(qū)域設(shè)定接觸位置時(shí)沿著的方向相反的方向設(shè)定接觸位置。而且， 設(shè)芯片B的坐標(biāo)值為(Xcr， Yc)。
艮P，如圖4(b)所示，由最右端的芯片B起，將Y坐標(biāo)值每次遞增 1，檢測最右端列的各芯片C的左下方向的傾斜芯片列(步驟S8),判定 該傾斜芯片列是否為距第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)最遠(yuǎn)的傾斜芯片列(步 驟S9)，如果不是最遠(yuǎn)的傾斜芯片列，則返回步驟S8。反復(fù)施行上述 處理，直至檢測距第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)最遠(yuǎn)的傾斜芯片列(4)。在步 驟S8中， 一旦檢測距第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)最遠(yuǎn)的傾斜芯片列(4)， 就轉(zhuǎn)移到步驟S10,設(shè)定在晶片W的第二區(qū)域內(nèi)的復(fù)合卡12的接觸位 置。
在步驟S10中，為了在晶片W的第二區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)定接觸位 置，如圖4 (a)所示，將復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的右上的通道CH2 和第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)的最右上的芯片C2的位置對(duì)準(zhǔn)，已將定位的 位置作為接觸位置設(shè)定。更進(jìn)一步地，如圖4(b)所示，作為接觸位置 依次設(shè)定復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的復(fù)合數(shù)倍的各位置，直至在第二 基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)的左下方向上不存在芯片C。該處理，如下所述地 施行，由第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)至傾斜芯片列(4),在各傾斜芯片列上 以復(fù)合數(shù)倍配置復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A,在第二區(qū)域的整個(gè)區(qū)域上 設(shè)定接觸位置，結(jié)束在第二區(qū)域的接觸位置的設(shè)定(步驟Sll)，結(jié)束在 晶片W的整個(gè)區(qū)域的接觸位置的設(shè)定(步驟S12)。因?yàn)楫?dāng)如此設(shè)定接 觸位置時(shí)以位于第二區(qū)域的右端的芯片C為基準(zhǔn)，所以存在下述情況, 在復(fù)合數(shù)倍的左下方的端部的接觸位置，復(fù)合卡12的探針12A不與第 二區(qū)域內(nèi)的芯片C接觸而從晶片W的端部越出。
如圖5所示，存在下述情況，在晶片W的第一區(qū)域，復(fù)合卡12 的右上部分的探針12A與芯片C呈非接觸狀態(tài);而在晶片W的第二區(qū) 域，復(fù)合卡12的左下部分的探針12A與芯片C呈非接觸狀態(tài)。因此，復(fù)合卡12的與芯片C呈非接觸狀態(tài)的部分，如圖5所示，呈大致點(diǎn)對(duì) 稱，復(fù)合卡12的兩端部的探針12A的使用頻率大致均等，不會(huì)增加任 意一個(gè)端部的探針12A的損傷，因而能夠延長復(fù)合卡12的使用壽命。 再者，在圖5中，網(wǎng)點(diǎn)濃度的濃淡表示各傾斜芯片列的復(fù)合數(shù)倍的各 接觸位置。
在施行如上所述的操作而在晶片W的整個(gè)區(qū)域求得復(fù)合卡12的 接觸位置后，按照如圖6所示的流程圖，設(shè)定相對(duì)于復(fù)合卡12而言通 過載置臺(tái)實(shí)現(xiàn)的晶片W的索引遞進(jìn)方向。
首先，例如，如圖7所示，將晶片W的最左端的芯片A向左方的 X坐標(biāo)值為Xcl-(復(fù)合數(shù)-l)的位置作為開始點(diǎn)而檢索索引群(步驟 S101)。而且，就本實(shí)施方式而言，復(fù)合數(shù)為4，因此，開始點(diǎn)的X坐 標(biāo)值為Xcl-(4-l)-Xcl-3。在確定開始點(diǎn)后，使用以下的方法檢索已被登 記的接觸位置，直至在晶片W上檢測最初的接觸位置(步驟S102)。開 始點(diǎn)位于如圖7所示的虛線[l]上。在步驟S102中，施行處理(l)和處 理(2),在處理(l)中，保持虛線[l]上的芯片A的X坐標(biāo)值(Xcl-3)不變, 如圖7的箭頭所示，沿著士方向(上下方向)每次改變Y坐標(biāo)值1，艮卩， 將Y坐標(biāo)值每次遞減1或遞增1，對(duì)改變的位置施行檢索，看其是否 作為接觸位置已被登記；在處理(2)中，如果通過處理(l)未檢索出來已 被登記的接觸位置，則將開始點(diǎn)的X坐標(biāo)值加1而使其向右方向移動(dòng)， 保持該X坐標(biāo)值不變，施行處理(l)。如果通過反復(fù)施行處理(l)和處理 (2)檢索出來已被登記的接觸位置，則設(shè)該接觸位置為用于設(shè)定同一索 引群的基準(zhǔn)芯片Cs。在圖7中，當(dāng)?shù)竭_(dá)虛線[2]時(shí)，檢索出來已被登記 的接觸位置。
一旦在虛線[2]上檢索出來含有基準(zhǔn)芯片Cs的接觸位置,就對(duì)該虛 線[2]上屬于同一索引群的接觸位置設(shè)定(步驟S103)。參照在步驟S102 中檢測的接觸位置的傾斜芯片列的左下的基準(zhǔn)芯片Cs的坐標(biāo)(Xs， Ys), 通過步驟S103中的處理(1)和處理(2)，施行同一索引群的設(shè)定。即， 在處理(l)中，由基準(zhǔn)芯片Cs沿著Y軸的負(fù)方向(上方向)改變Y坐標(biāo)值， 即，將Y坐標(biāo)值每次遞減l,依次檢索己被登記的接觸位置，對(duì)檢索 出來的接觸位置的左下芯片的X坐標(biāo)值Xn滿足條件1的接觸位置設(shè) 定為同一索引群。所謂條件1，意指之前剛被索引群設(shè)定的接觸位置的坐標(biāo)值Xm減 去檢索出來的接觸位置坐標(biāo)值Xn所得的差值的絕對(duì)值小于X軸復(fù)合 數(shù)的1/2。使用此條件，其目的在于將索引遞進(jìn)時(shí)的復(fù)合卡12的X方 向的移動(dòng)量設(shè)定為最小量。當(dāng)上述絕對(duì)值超過上述條件時(shí)，則放入下 一個(gè)索引群。
如果處理(1)中Y軸的負(fù)方向的接觸位置已不存在，則施行處理(2)。 在處理(2)中，由基準(zhǔn)芯片Cs沿著Y軸的正方向(下方向)改變Y坐標(biāo)值， 即，將Y坐標(biāo)值每次遞增1,依次檢索已被登記的接觸位置，對(duì)檢索 出來的接觸位置的左下芯片的X坐標(biāo)值Xn滿足條件1的接觸位置設(shè) 定為同一索引群。如果Y軸的正方向的接觸位置己不存在，則結(jié)束處 理(2),結(jié)束同一Y方向的最初的索引群的設(shè)定。
一旦結(jié)束同一的Y方向的最初的索引群的設(shè)定，轉(zhuǎn)至步驟S104， 施行下一步同一索引群的設(shè)定。在步驟S104中，對(duì)最初的索引群以外 的剩余的接觸位置設(shè)定第二個(gè)索引群。設(shè)定第二個(gè)索引群時(shí)也使用與 設(shè)定最初的索引群時(shí)使用的方法相同的方法，B卩，施行步驟S102和步 驟S103的處理，設(shè)定同一索引群。在步驟S104中，對(duì)全部的接觸位 置反復(fù)施行步驟S102和步驟S103的處理，直至同一索引群的設(shè)定結(jié) 束。 一旦在晶片W的整個(gè)區(qū)域完成同一索引群的設(shè)定，就結(jié)束同一索 引群的設(shè)定(步驟S105)。就本實(shí)施方式而言，如圖7所示，設(shè)定3組 同一索引群。在圖7中，為了方便，利用網(wǎng)點(diǎn)的濃淡識(shí)別3組同一索 引群。
在結(jié)束同一索引群的設(shè)定后，對(duì)各接觸位置由晶片W的左端上向 下方地設(shè)定檢查的順序，即，對(duì)最初的即第1組同一索引群以遞增順 序設(shè)定索引號(hào)。接著，對(duì)剩余的各接觸位置，換言之，對(duì)下一組即第2 組同一索引群，由下方至上方且以遞增順序設(shè)定索引號(hào)。如此操作， 如圖7所示，對(duì)全部的接觸位置，換言之，對(duì)各組的同一索引群，沿 著上下方向且以遞增順序設(shè)定索引號(hào)，直至最后的即第3組同一索引 群。
一旦結(jié)束如圖7所示的索引號(hào)的設(shè)定，就開始晶片W的電特性檢 査。首先，沿著X方向和Y方向移動(dòng)載置臺(tái)11，使如圖7所示的傾斜 芯片列的索引號(hào)為1的接觸位置位于復(fù)合卡12的正下方。在該位置，片W，使該接觸位置的4個(gè)芯片C的多個(gè)電極 墊與多個(gè)探針12A接觸，繼續(xù)升高晶片W，使4個(gè)芯片C的電極墊與 多個(gè)探計(jì)12A電接觸，施行所定的電特性檢查。
然后，在降低載置臺(tái)ll后，移動(dòng)該載置臺(tái)ll，使晶片W向Y方 向的下方每次移動(dòng)1個(gè)芯片的Y向長度的距離，并使用與在傾斜芯片 列的索引號(hào)為1的接觸位置施行電特性檢查時(shí)使用的方法相同的方法， 依次同吋檢査晶片W的各傾斜芯片列上的4個(gè)芯片C，直至傾斜芯片 列的索引號(hào)為17的位置。由此，結(jié)束屬于最初的即第1組同一索引群 的芯片C的檢查。
一旦結(jié)束屬于最初的即第1組同一索引群的芯片C的檢査，就通 過載置臺(tái)使晶片W由傾斜芯片列的索引號(hào)為17的接觸位置向X方向 的右方移動(dòng)4個(gè)芯片的X向長度的距離，到達(dá)傾斜芯片列的索引號(hào)為 18的接觸位置。 一旦結(jié)束接觸位置的傾斜芯片列的芯片C的檢查，就 使晶片W向Y方向的上方每次移動(dòng)1個(gè)芯片的Y向長度的距離，由 傾斜芯片列的索引號(hào)為18的接觸位置移至傾斜芯片列的索引號(hào)為38 的接觸位置，依次同時(shí)檢査晶片W的各傾斜芯片列上的4個(gè)芯片C。 由此，結(jié)束屬于第2組同一索引群的芯片C的檢査。
一且結(jié)束屬于第2組同一索引群的芯片C的檢査，就通過載置臺(tái) 使晶片W由傾斜芯片列的索引號(hào)為38的接觸位置向X方向的右方移 動(dòng)4個(gè)芯片的X向長度的距離，到達(dá)傾斜芯片列的索引號(hào)為39的接觸 位置。—旦結(jié)束接觸位置的傾斜芯片列的芯片C的檢査，就使晶片W 向Y方向的下方每次移動(dòng)1個(gè)芯片的Y向長度的距離，由傾斜芯片列 的索引號(hào)為39的接觸位置移至傾斜芯片列的索引號(hào)為55的接觸位置， 依次同時(shí)檢查晶片W的各傾斜芯片列上的4個(gè)芯片C。由此，結(jié)束屬 于第3組同一索引群的芯片C的檢査。
如果根據(jù)以上的說明實(shí)施本實(shí)施方式，則其具有下述三個(gè)工序， 即第一工序，在該工序中，分別求得含有晶片W的中央芯片Cc且 在傾斜的方向上排列的第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)以及在該第一基準(zhǔn)傾斜 芯片列(l)的左上側(cè)的第一區(qū)域內(nèi)平行地排列的多個(gè)傾斜芯片列，在這 些傾斜芯片列上以整數(shù)倍配置復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A，分別設(shè)定該 多個(gè)探針12A與各傾斜芯片列的接觸位置；第二工序，在該工序中，
19就第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)的右下側(cè)的第二區(qū)域而言，分別求得與第一
基準(zhǔn)傾斜芯片列(1)平行鄰接的第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)以及與該第二基 準(zhǔn)傾斜芯片列(3)平行地排列的多個(gè)列傾斜芯片列，在所述各傾斜芯片 列上以整數(shù)倍配置復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A,分別設(shè)定該多個(gè)探針 12A與各傾斜芯片列的接觸位置；第三工序，在該工序中，根據(jù)在第 —、第二工序中施行的接觸位置的設(shè)定，相對(duì)于多個(gè)探針12A,將晶 片W的左端部的上下方向的多個(gè)接觸位置設(shè)定同一索引群，對(duì)剩余的 接觸位置也沿著上下方向依次設(shè)定同一索引群，然后，對(duì)各接觸位置 沿著上下方向曲折地設(shè)定檢査的順序，即，設(shè)定能夠由晶片W的左端 部的同一索引群向右端部的同一索引群遞進(jìn)的索引號(hào)。因此，只要在 同一索引群內(nèi)按照索引號(hào)的順序每次移動(dòng)相當(dāng)于1個(gè)芯片的長度的距 離，就能夠遞進(jìn)索引號(hào)，對(duì)傾斜芯片列的芯片每4個(gè)同時(shí)施行電性能 檢查；并且，只要每次移動(dòng)相當(dāng)于4個(gè)芯片的距離，就能夠向鄰接的 其他組的同一索引群遞進(jìn)索引號(hào)。由此，能夠施行晶片W的全部的芯 片的電特性檢査，與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠縮短索引號(hào)遞進(jìn)的曲折距離 而縮短檢査時(shí)間，從長遠(yuǎn)觀點(diǎn)來看，能夠提高探測儀的運(yùn)轉(zhuǎn)效率。另 外，因?yàn)樵诰琖的第一區(qū)域和第二區(qū)域各沿著互為相反的方向設(shè)定 接觸位置，所以從晶片W的端部越出的探針12A的探針數(shù)在復(fù)合卡 12的兩端均等，能夠減輕探針12A的損傷，從而能夠延長復(fù)合卡12 的使用壽命。
另外，如果實(shí)施本實(shí)施方式，則第一工序具有檢測位于所述中 央芯片Cc的左方的端部的芯片A的工序；檢測在芯片A的上方向上 且距第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(1)最遠(yuǎn)的傾斜芯片列(2)的工序；將第一基準(zhǔn) 傾斜芯片列(l)的下方的端部的芯片對(duì)應(yīng)的多個(gè)探針12A的位置對(duì)準(zhǔn)、 使同一芯片不重復(fù)地且以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針12A而設(shè)定接觸位 置的工序；對(duì)其它的傾斜芯片列也使用與對(duì)第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l)設(shè) 定接觸位置時(shí)使用的方法相同的方法設(shè)定接觸位置的工序；再者，第 二工序具有檢測位于中央芯片Cc的右方的端部的芯片B的工序；檢 測在芯片B的下方向上且距所述第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)最遠(yuǎn)的傾斜芯 片列(4)的工序；將第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)的上方的端部的芯片對(duì)應(yīng)的 多個(gè)探針12A的位置對(duì)準(zhǔn)、使同一的芯片不重復(fù)地且以整數(shù)倍配置多
20個(gè)探針12A而設(shè)定接觸位置的工序；對(duì)其它的傾斜芯片列也使用與對(duì) 第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)設(shè)定接觸位置時(shí)使用的方法相同的方法設(shè)定接 觸位置的工序。因此，能夠在晶片W的整個(gè)區(qū)域高效率地設(shè)定接觸位 置，并且，不會(huì)重復(fù)地檢査同一芯片，從而能夠提高檢查效率。
另外，如果實(shí)施本實(shí)施方式，則第三工序具有根據(jù)在所述第一、 第二工序中施行的接觸位置的設(shè)定對(duì)相對(duì)于多個(gè)探針12A而言位于晶 片W的左方的端部的接觸位置檢索的工序；沿著位于左方的端部的接 觸位置的上下方向檢索、判定檢索出來的接觸位置的左下芯片與前一 接觸位置的左下芯片之間的X方向的距離是否小于復(fù)合數(shù)(就本實(shí)施方 式而言，其為4)的1/2的工序；將該距離內(nèi)的接觸位置設(shè)定為同一索 引群的工序；對(duì)剩余的接觸位置也使用與將晶片W的左方的端部的接 觸位置設(shè)定同一索引群時(shí)使用的方法相同的方法分別設(shè)定同一索引群 的工序。因此，能夠在短時(shí)間內(nèi)高效率地設(shè)定多個(gè)索引群。 第二實(shí)施方式
在第一實(shí)施方式中，使用具有與沿著傾斜的方向排列的4個(gè)芯片 接觸的多個(gè)探針12A的復(fù)合卡12,而在本實(shí)施方式中，使用具有與沿 著水平方向排列的4個(gè)芯片接觸的多個(gè)探針12A的復(fù)合卡12。在這方 面與第一實(shí)施方式不同。除此之外，基于第一實(shí)施方式構(gòu)成本實(shí)施方 式。因此，在本實(shí)施方式中，對(duì)與第一實(shí)施方式相同的部分或與其相 當(dāng)?shù)牟糠郑瑯?biāo)注與在第一實(shí)施方式中對(duì)其標(biāo)注的附圖標(biāo)記相同的附圖 標(biāo)記，以具有特征的部分為中心進(jìn)行說明。
探針卡12的多個(gè)探針12A,例如，如圖8(a)所示，如下所述地構(gòu) 成多個(gè)探針12A與由沿著相對(duì)于在晶片W上呈矩陣狀地形成的多個(gè) 芯片C而言水平的方向成列的4個(gè)芯片C構(gòu)成的芯片列接觸，同時(shí)檢 査4個(gè)芯片C。除此之外，基于第一實(shí)施方式的探針卡12構(gòu)成本實(shí)施 方式的探針卡12。
就本實(shí)施方式的探測方法而言，首先，在按照如圖9、圖10所示 的流程圖設(shè)定復(fù)合卡12接觸的晶片W的接觸位置后，根據(jù)接觸位置 設(shè)定晶片W的用于索引遞進(jìn)的多個(gè)同一索引群和接觸位置的索引順 序。
復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的相對(duì)于晶片W而言的接觸位置，如
21下所述地設(shè)定，如圖8所示地預(yù)先設(shè)定含有如圖8所示地位于晶片W 的中央的坐標(biāo)值(Xc， Yc)的中央芯片Cc且在水平的方向上排列的芯片
列(以下，稱為"第一基準(zhǔn)芯片列")(l)，以第一基準(zhǔn)芯片列(l)為界， 將晶片W劃分為第一區(qū)域，其是含有第一基準(zhǔn)芯片列(l)的上側(cè)的區(qū) 域；第二區(qū)域，其是不含有第一基準(zhǔn)芯片列(l)而含有與第一基準(zhǔn)芯片 列(l)的下側(cè)鄰接的芯片列(以下，稱為"第二基準(zhǔn)芯片列")(3)的下側(cè) 的區(qū)域，設(shè)定復(fù)合卡12的接觸位置。
為了設(shè)定復(fù)合卡12的接觸位置，按照如圖9所示的流程圖，施行 下述步驟的操作。首先，Cc將位于晶片W的中心的芯片C確定為中 央芯片(步驟S21)。接著，將具有與中央芯片Cc的Y坐標(biāo)相同且位于 最左端的芯片作為芯片A檢測(步驟S22),以該芯片A為基點(diǎn)，檢測 在晶片W的第一區(qū)域內(nèi)的復(fù)合卡12的接觸位置。
為了在晶片W的第一區(qū)域設(shè)定接觸位置，由最左端的芯片A起， 將Y坐標(biāo)值每次遞減1，檢測含有最左端列的各芯片C且在其右方的 水平的方向上排列的芯片列,判定該芯片列是否為距第一基準(zhǔn)芯片列(l) 最遠(yuǎn)的芯片列(步驟S24)，如果不是最遠(yuǎn)的芯片列，則返回步驟S23。 反復(fù)施行上述處理，直至檢測距第一基準(zhǔn)芯片列(1)最遠(yuǎn)的芯片列(2)。 在步驟S23中， 一旦檢測距第一基準(zhǔn)芯片列(1)最遠(yuǎn)的芯片列(2)，就轉(zhuǎn) 換實(shí)行步驟S25，在晶片W的第一區(qū)域設(shè)定復(fù)合卡12的接觸位置。
在步驟S25中，為了在晶片W的第一區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)定接觸位 置，如圖8 (a)所示，將復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的左端的通道CH1 和第一基準(zhǔn)芯片列(l)的左端的芯片Cl的位置對(duì)準(zhǔn),將對(duì)準(zhǔn)的位置作為 接觸位置設(shè)定。更迸一步地，如圖8(b)所示，作為接觸位置依次設(shè)定 復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的復(fù)合數(shù)倍的各位置，直至在第一基準(zhǔn)芯片 列(l)的右方的水平的方向上不存在芯片C。該處理，如下所述地施行， 由第一基準(zhǔn)芯片列(1)至最遠(yuǎn)芯片列(2),在各芯片列上以復(fù)合數(shù)倍配置 復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A,在第一區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)定接觸位置(步驟 S25),結(jié)束在第一區(qū)域的接觸位置的設(shè)定(步驟S26)。因?yàn)楫?dāng)如此設(shè)定 接觸位置時(shí)以位于第一區(qū)域的左端的芯片A為基準(zhǔn)，所以存在下述情 況，在復(fù)合數(shù)倍的右上方的端部的接觸位置，復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A 未與第一區(qū)域內(nèi)的芯片C接觸而從晶片W的端部越出。接著，在晶片w的第二區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)定接觸位置。首先，如
圖10所示，將具有與中央芯片Cc的Y坐標(biāo)相同的Y坐標(biāo)且位于最右 端的芯片作為芯片B檢測(步驟S27),以該芯片B為基點(diǎn)，檢測在晶片 W的第二區(qū)域內(nèi)的復(fù)合卡12的接觸位置。在第二區(qū)域，沿著與在第一 區(qū)域設(shè)定接觸位置時(shí)沿著的方向相反的方向設(shè)定接觸位置。
艮P,如圖8(b)所示，由最右端的芯片B起，將Y坐標(biāo)值每次遞增 1,檢測含有最右端列的各芯片C且在其左方的水平的方向上排列的芯 片列(步驟S28),判定該芯片列是否為距第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)最遠(yuǎn)的 傾斜芯片列(步驟S29)，如果不是最遠(yuǎn)的芯片列，則返回步驟S28。反 復(fù)施行上述處理，直至檢測距第二基準(zhǔn)芯片列(3)最遠(yuǎn)的芯片列(4)。在 步驟S28中， 一旦檢測距第二基準(zhǔn)芯片列(3)最遠(yuǎn)的芯片列(4)，就轉(zhuǎn)換 實(shí)行步驟S30，設(shè)定在晶片W的第二區(qū)域內(nèi)的復(fù)合卡12的接觸位置。
在步驟S30中，為了在晶片W的第二區(qū)域的整個(gè)區(qū)域設(shè)定接觸位 置，如圖8 (a)所示，將復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的右端的通道CH2 和第二基準(zhǔn)芯片列(3)的右端的芯片C2的位置對(duì)準(zhǔn)，將對(duì)準(zhǔn)的位置作為 接觸位置設(shè)定。更進(jìn)一步地，如圖8 (b)所示，作為接觸位置依次設(shè)定 為復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A的復(fù)合數(shù)倍的各位置，直至在第二基準(zhǔn)芯 片列(3)的左方的水平的方向上不存在芯片C。該處理，如下所述地施 行，由第二基準(zhǔn)芯片列(3)至芯片列(4)，在各芯片列上以復(fù)合數(shù)倍配置 復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A，在第二區(qū)域設(shè)定接觸位置，結(jié)束在第二區(qū) 域的接觸位置的設(shè)定(步驟S31)，結(jié)束在晶片W的整個(gè)區(qū)域的接觸位 置的設(shè)定(步驟S32)。因?yàn)楫?dāng)如此設(shè)定接觸位置時(shí)以位于第二區(qū)域的右 端的芯片C為基準(zhǔn)，所以存在下述情況，在復(fù)合數(shù)倍的左下方的端部 的接觸位置，復(fù)合卡12的多個(gè)探針12A未與第二區(qū)域內(nèi)的芯片C接 觸而從晶片W的端部越出。
如圖ll所示，存在下述情況，在晶片W的第一區(qū)域，復(fù)合卡12 的右端部分的探針12A與芯片C呈非接觸狀態(tài);而在晶片W的第二區(qū) 域，復(fù)合卡12的左端部分的探針12A與芯片C呈非接觸狀態(tài)。因此, 復(fù)合卡12的與芯片C呈非接觸狀態(tài)的部分，如圖11所示，為點(diǎn)對(duì)稱， 復(fù)合卡12的兩端部的探針12A的使用頻率大致均等，不會(huì)增加任意一 個(gè)端部的損傷，因而能夠延長復(fù)合卡12的使用壽命。再者，在圖11
23中，網(wǎng)點(diǎn)濃度的濃淡表示各芯片列的復(fù)合數(shù)倍的各接觸位置。相同的 網(wǎng)點(diǎn)濃度的連續(xù)區(qū)域表示同一索引群。
在施行如上所述的操作而在晶片W的整個(gè)區(qū)域求得復(fù)合卡12的 接觸位置后，按照如圖6所示的流程圖，設(shè)定相對(duì)于復(fù)合卡12而言通 過載置臺(tái)實(shí)現(xiàn)的晶片W的索引遞進(jìn)方向。然后，如圖ll所示，對(duì)各 接觸位置由晶片W的左端上向下方地設(shè)定檢查的順序，即，對(duì)最初的 即第1組同一索引群以遞增順序設(shè)定索引號(hào)。接著，對(duì)剩余的各接觸 位置，換言之，對(duì)下一組即第2組同一索引群，由下方至上方且以遞 增順序設(shè)定索引號(hào)。如此操作，如圖11所示，對(duì)全部的接觸位置，換 言之，對(duì)各組的同一索引群，沿著上下方向且以遞增順序設(shè)定索引號(hào)， 直至最后的即第4組同一索引群。
一旦結(jié)束如圖11所示的索引號(hào)的設(shè)定，就開始晶片W的電特性 檢査。首先，沿著X方向和Y方向移動(dòng)載置臺(tái)11,使如圖ll所示的 芯片列的索引號(hào)為1的接觸位置位于復(fù)合卡12的正下方。在該位置， 通過載置臺(tái)ll，升高晶片W，使該接觸位置的4個(gè)芯片C的多個(gè)電極 墊與多個(gè)探針12A接觸，繼續(xù)升高晶片W，使4個(gè)芯片C的電極墊與 多個(gè)探針12A電接觸，施行規(guī)定的電特性檢查。
然后，在降低載置臺(tái)ll后，移動(dòng)該載置臺(tái)ll，使晶片W向Y方 向的下方每次移動(dòng)1個(gè)芯片長度的距離，并使用與在芯片列的索引號(hào) 為1的接觸位置施行電特性檢査時(shí)使用的方法相同的方法，依次同時(shí) 檢查晶片W的各芯片列上的4個(gè)芯片C,直至芯片列的索引號(hào)為12 的位置。由此，結(jié)束屬于最初的同一索引群的芯片C的檢査。
一且結(jié)束屬于最初的同一索引群的芯片C的檢查，就通過載置臺(tái) 使晶片W由芯片列的索引號(hào)為12的接觸位置向X方向右方移動(dòng)4個(gè) 芯片的長度的距離，到達(dá)芯片列的索引號(hào)為13的接觸位置。 一旦結(jié)束 接觸位置的芯片列的芯片C的檢査，就使晶片W向Y方向上方每次移 動(dòng)1個(gè)芯片的距離，由芯片列的索引號(hào)為13的接觸位置移至芯片列的 索引號(hào)為26的接觸位置，依次同時(shí)檢查晶片W的各芯片列上的4個(gè) 芯片C。由此，結(jié)束屬于第2組同一索引群的芯片C的檢查。然后， 使用相同的方法，結(jié)束剩余的屬于其它組的同一索引群的芯片C的檢 査，結(jié)束晶片W的全部的芯片C的檢查。如以上的說明所述，就本實(shí)施方式而言，也能夠期待獲得與在第 一實(shí)施方式中獲得的作用及效果相同的作用及效果。
而且，本發(fā)明并不僅限于所述實(shí)施方式，能夠根據(jù)需要適當(dāng)?shù)卦O(shè)
計(jì)和變更。例如，在第一實(shí)施方式中，由晶片w的第一基準(zhǔn)傾斜芯片
列(l)的左上側(cè)設(shè)定接觸位置，由晶片w的左端至右端設(shè)定同一索引群。
然而，所述的接觸位置的設(shè)定和同一索引群的設(shè)定中任意一種設(shè)定， 均可以沿著相反的方向設(shè)定。另外，能夠同樣地檢查跨多個(gè)行排列的 傾斜芯片列的芯片。再者，在第一實(shí)施方式中，第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(l) 沿著右上方向傾斜。然而，對(duì)與其相反而沿著左上方向傾斜的芯片列， 也能夠使用與在第一實(shí)施方式中使用的方法相同的方法施行檢查。另
外，在第二實(shí)施方式中，同時(shí)檢查一列并排4個(gè)芯片的芯片列。然而， 也能夠同時(shí)檢査排列為具有多個(gè)行和多個(gè)列的矩陣形狀的芯片列。
當(dāng)施行晶片等被檢查體的電特性檢查時(shí)，能夠優(yōu)選地利用本發(fā)明。
2權(quán)利要求
1.一種探測方法，是在控制裝置的控制下，使載置有晶片的載置臺(tái)移動(dòng)，并使探針卡的多個(gè)探針與所述晶片的在傾斜方向排列的多個(gè)芯片電接觸，對(duì)所述全部的芯片每次多個(gè)同時(shí)地施行電特性檢查的方法，其特征在于該探測方法，具有，第一工序，在該工序中，分別求得含有位于所述晶片的中心的中央芯片且在傾斜方向上排列的第一基準(zhǔn)傾斜芯片列以及在該第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的上側(cè)的第一區(qū)域內(nèi)平行地排列的多個(gè)傾斜芯片列，由所述第一區(qū)域的最下端的所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列至最上端的傾斜芯片列，以各傾斜芯片列的下端的芯片為始點(diǎn)，在所述各傾斜芯片列上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針，分別設(shè)定所述多個(gè)探針與所述各傾斜芯片列的接觸位置；第二工序，在該工序中，在所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的下側(cè)的第二區(qū)域，分別求得與所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列鄰接的第二基準(zhǔn)傾斜芯片列以及與該第二基準(zhǔn)傾斜芯片列平行地排列的多個(gè)傾斜芯片列，由所述第二區(qū)域的最上端的所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列至最下端的傾斜芯片列，以各傾斜芯片列的上端的芯片為始點(diǎn)，在所述各傾斜芯片列上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針，分別設(shè)定所述多個(gè)探針與所述各傾斜芯片列的接觸位置；第三工序，在該工序中，根據(jù)所述接觸位置的設(shè)定將所述晶片的左右的任意一方的端部的上下方向的多個(gè)接觸位置設(shè)定為所述多個(gè)探針的同一索引群，對(duì)剩余的接觸位置也沿著上下方向依次設(shè)定同一索引群，然后，由所述晶片的左右的任意一方的端部的所述同一索引群向另一方的端部的所述索引群，對(duì)各接觸位置沿著上下方向曲折地設(shè)定索引遞進(jìn)的順序。
2.如權(quán)利要求1所述的探測方法，其特征在于 所述第一工序，具有，檢測位于所述中央芯片的左右的任意一方的端部的芯片的工序；檢測在所述任意一方的端部的芯片的上下的任意一方的方向上且距第一基準(zhǔn)傾斜芯片列最遠(yuǎn)的傾斜芯片列的工序；將所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的任意一方的端部的芯片與所述多個(gè) 探針的端部的探針對(duì)準(zhǔn)，使同一芯片不重復(fù)地以整數(shù)倍配置所述多個(gè) 探針而設(shè)定接觸位置的工序；對(duì)其它的傾斜芯片列也使用與對(duì)所述第一基準(zhǔn)傾斜芯片列設(shè)定接 觸位置吋使用的方法相同的方法設(shè)定接觸位置的工序。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的探測方法，其特征在于 所述第二工序，具有，檢測位于所述中央芯片的左右的任意另一方的端部的芯片的工序；檢測在所述左右的任意另一方的端部的芯片的所述上下方向的任 意另一方的方向上且距所述第二基準(zhǔn)傾斜芯片列最遠(yuǎn)的傾斜芯片列的 工序；將所述第二基準(zhǔn)傾斜芯片列的上端的芯片與所述多個(gè)探針的上端 部的探針對(duì)準(zhǔn)，使同一的芯片不重復(fù)地且以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針 而設(shè)定接觸位置的工序；對(duì)其它的傾斜芯片列也使用與對(duì)所述第二基準(zhǔn)傾斜芯片列設(shè)定接 觸位置時(shí)使用的方法相同的方法設(shè)定接觸位置的工序。
4. 如權(quán)利要求1 3中任意一項(xiàng)所述的探測方法，其特征在于 所述第三工序，具有，根據(jù)在所述第一、第二工序中施行的接觸位置的設(shè)定相對(duì)于所述 多個(gè)探針進(jìn)行所述晶片的左右的任意一方的端部的接觸位置檢索的工 序；沿著位于所述左右的任意一方的端部的接觸位置的上下方向檢 索，判定檢索出來的接觸位置的外端芯片與前一接觸位置的外端芯片 是否位于規(guī)定的距離內(nèi)的工序；將在所述規(guī)定距離內(nèi)的接觸位置設(shè)定為同一索引群的工序； 對(duì)剩余的接觸位置也使用與在所述左右的任意一方的端部的接觸位置設(shè)定同一索引群時(shí)使用的方法相同的方法分別設(shè)定同一索引群的 工序。
5. —種探測方法，是在控制裝置的控制下，使載置有晶片的載置 臺(tái)移動(dòng)，并使探針卡的多個(gè)探針與沿著所述晶片的橫向排列的多個(gè)芯 片電接觸，從而對(duì)所述全部的芯片每次多個(gè)同時(shí)地施行電特性檢查的 方法，其特征在于該探測方法，具有，第一工序，在該工序中，求得含有位于上述晶片的中心的中央芯 片且沿著橫向的方向排列的基準(zhǔn)芯片行的左右的任意一方的端部，以 該端部的芯片為始點(diǎn)，在所述基準(zhǔn)芯片行上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探 針，分別設(shè)定所述多個(gè)探針與所述基準(zhǔn)芯片行的接觸位置；第二工序，在該工序中，以與位于所述基準(zhǔn)芯片行的上側(cè)的第一 區(qū)域且在平行于所述基準(zhǔn)芯片列的各芯片行的各所述端部相同一側(cè)的 端部的芯片為始點(diǎn)，在所述各芯片行上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針， 分別設(shè)定所述多個(gè)探針與所述各芯片行的接觸位置；第三工序，在該工序中，以與位于所述基準(zhǔn)芯片行的下側(cè)的第二 區(qū)域且在各芯片行的各所述端部相反一側(cè)的端部的芯片為始點(diǎn)，在所 述各芯片行上以整數(shù)倍配置所述多個(gè)探針，分別設(shè)定所述多個(gè)探針與 所述各芯片行的接觸位置；第四工序，在該工序中，根據(jù)所述接觸位置的設(shè)定將所述端部側(cè) 的上下方向的多個(gè)接觸位置設(shè)定為所述多個(gè)探針的同一索引群，對(duì)剩 余的接觸位置也沿著上下方向依次設(shè)定同一索引群，直至與所述端部 相反一側(cè)的端部，然后，由所述端部的所述同一的索引群向另一方的 端部的所述同一的索引群，對(duì)各接觸位置沿著上下方向曲折地設(shè)定索 引遞進(jìn)的順序。
全文摘要
本發(fā)明的探測方法，使多個(gè)探針(12A)與晶片(W)的沿著傾斜的方向排列的4個(gè)芯片電接觸而對(duì)芯片每4個(gè)同時(shí)施行電特性檢查，其具有分別求得含有晶片的中央芯片(Cc)的第一基準(zhǔn)傾斜芯片列(1)以及在其左上側(cè)且平行地排列的多個(gè)傾斜芯片列，在各傾斜芯片列上以整數(shù)倍配置多個(gè)探針，分別設(shè)定各傾斜芯片列的接觸位置的工序；在第一基準(zhǔn)傾斜芯片列的右下側(cè)，對(duì)第二基準(zhǔn)傾斜芯片列(3)及與該第二基準(zhǔn)傾斜芯片列平行地排列的多個(gè)列傾斜芯片列，沿著與在第一工序中設(shè)定接觸位置時(shí)沿著的方向相反的方向設(shè)定接觸位置的工序；根據(jù)接觸位置的設(shè)定來設(shè)定多個(gè)同一索引群和檢查順序的工序。
文檔編號(hào)G01M99/00GK101644732SQ200910159259
公開日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2009年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月8日
發(fā)明者深澤幸彥, 田中秀明 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社