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電阻式光點(diǎn)位置傳感器的制作方法

文檔序號(hào):6155128閱讀:269來源:國知局
專利名稱:電阻式光點(diǎn)位置傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及傳感器,特別是用于測量激光位置的傳感器。
背景技術(shù)
位移測量儀器,一般采用電容式傳感器、渦流傳感器、差動(dòng)變壓器、霍爾傳感器,以及激光位移傳感器。除激光位移傳感器外,其它傳感器都需要在被測物體上加裝一些部件,這樣就增加了其質(zhì)量,對(duì)其機(jī)械運(yùn)動(dòng)造成影響,因而不適用于微小質(zhì)量的物體的微小位移或形變測量。而激光位移傳感器不需要在被測物體上加裝部件,也不會(huì)在被測物體上加力,因而比較適合應(yīng)用。 但現(xiàn)有的激光位移傳感器采用CCD作為光點(diǎn)位置傳感器,激光光點(diǎn)在CCD上成像,通過掃描感知光點(diǎn)的位置。采用CCD芯片加掃描電路成本高,由于電路精密,易受到電磁干擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、低成本的高精度光點(diǎn)位置傳感器,以方便使用。 本發(fā)明的方案是電阻式光點(diǎn)位置傳感器,其特征是在條狀陶瓷基片上均勻涂覆并燒結(jié)有硫化鎘光敏材料層,光敏材料層的上面通過真空磁控飛濺工藝制有兩條線性電阻電阻片,電阻片縱向左右分布,中間留有一均勻的透光縫隙,硫化鎘光敏材料采用低電阻
率,電阻片采用高電阻率,電阻率之比大于ioo倍以上,每條電阻片的端頭設(shè)有引腳,兩個(gè)
引腳位于同一端,傳感器的表面涂有透明環(huán)氧樹脂保護(hù)層。 本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是激光光點(diǎn)照射到兩條電阻片之間的縫隙時(shí),照射處的硫化鎘光敏材料導(dǎo)通,將兩條電阻片在該處連通,根據(jù)光點(diǎn)的位置上下不同,導(dǎo)通處的位置發(fā)生相應(yīng)變化,從而輸出不同的電阻值,反應(yīng)出光點(diǎn)的位置信息。本發(fā)明線性好、精確度高,具有簡單可靠的優(yōu)點(diǎn)。


下面根據(jù)附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
附圖是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖中標(biāo)記說明1引腳壓接頭,2電阻片,3光敏材料層,4陶瓷基片,5引腳。
具體實(shí)施例方式參見附圖,實(shí)施例的結(jié)構(gòu)是在條狀陶瓷基片4有硫化鎘光敏材料層3,光敏材料層3的上面有兩條電阻片2,電阻片2縱向左右分布,中間留有一均勻的透光縫隙,每條電阻片的端頭設(shè)有引腳5,兩個(gè)引腳5位于同一端,傳感器的表面涂有透明環(huán)氧樹脂保護(hù)層。
光敏材料層均勻涂覆在陶瓷基片上并燒結(jié)而成,厚度以及制造工藝與現(xiàn)有的光敏
3電阻相同。 電阻片通過真空磁控飛濺工藝制成,工藝和現(xiàn)有的電位器中的電阻片相同。電阻片為線性電阻。 硫化鎘光敏材料采用低電阻率,電阻片采用高電阻率,電阻率之比大于100倍以上,以消除因光照強(qiáng)度不同時(shí)硫化鎘光敏材料本身的電阻影響。比如實(shí)施例的傳感器在導(dǎo)通點(diǎn)的電阻為IOQ,而電阻片的電阻為10KQ/mm。這樣,假如光照點(diǎn)到引腳處構(gòu)成的有效電阻為100KQ,則總電阻為100.010KQ,當(dāng)光照強(qiáng)度受到其它因素影響變?nèi)?,?dǎo)通點(diǎn)的電阻為12 Q時(shí)總電阻為100.012KQ,基本沒有影響。 由于硫化鎘光敏材料、電阻片的材料為均勻的微小粉末,因而具有較高的分辨率,經(jīng)實(shí)驗(yàn),實(shí)施例的傳感器可以鑒別直徑2mm激光點(diǎn)位移0. Olmm。
權(quán)利要求
電阻式光點(diǎn)位置傳感器,其特征是在條狀陶瓷基片(4)上均勻涂覆并燒結(jié)有硫化鎘光敏材料層(3),光敏材料層(3)的上面通過真空磁控飛濺工藝制有兩條線性電阻電阻片(2),電阻片(2)縱向左右分布,中間留有一均勻的透光縫隙,硫化鎘光敏材料采用低電阻率,電阻片采用高電阻率,電阻率之比大于100倍以上,每條電阻片的端頭設(shè)有引腳(5),兩個(gè)引腳位于同一端,傳感器的表面涂有透明環(huán)氧樹脂保護(hù)層。
全文摘要
本發(fā)明是電阻式光點(diǎn)位置傳感器,是在條狀陶瓷基片上均勻涂覆并燒結(jié)有硫化鎘光敏材料層,光敏材料層的上面通過真空磁控飛濺工藝制有兩條線性電阻電阻片,電阻片縱向左右分布,中間留有一均勻的透光縫隙,硫化鎘光敏材料采用低電阻率,電阻片采用高電阻率,電阻率之比大于100倍以上,每條電阻片的端頭設(shè)有引腳,兩個(gè)引腳位于同一端,傳感器的表面涂有透明環(huán)氧樹脂保護(hù)層。激光光點(diǎn)照射到兩條電阻片之間的縫隙時(shí),照射處的硫化鎘光敏材料導(dǎo)通,將兩條電阻片在該處連通,根據(jù)光點(diǎn)的位置上下不同,輸出相應(yīng)的電阻值,從而反應(yīng)出光點(diǎn)的位置信息。
文檔編號(hào)G01B11/02GK101706258SQ20091015467
公開日2010年5月12日 申請(qǐng)日期2009年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月23日
發(fā)明者盧能曉 申請(qǐng)人:盧能曉
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