專利名稱：：分光測光用樹脂制池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及實施了表面改性的樹脂成型制品及其制造方法。特別涉及利用生物化學(xué)分析反應(yīng)、免疫反應(yīng)等的醫(yī)療診斷用的自動分析裝置中所使用的分光測光分析用的反應(yīng)池、該反應(yīng)池的內(nèi)側(cè)表面的部分的改性方法以及搭載有該反應(yīng)池的自動分析裝置。
背景技術(shù)：
：在臨床檢查中，對血液或尿液等生物體樣品中的蛋白質(zhì)、糖、脂質(zhì)、酶、激素、無機離子、疾病指標(biāo)等進行生物化學(xué)分析或免疫學(xué)分析。在臨床檢查中，需要對多個檢查項目進行可信度高且快速的處理，因此，其大部分都是用自動分析裝置來進行的。以往，作為自動分析裝置，已知例如有將在血清等生物體樣品中混合所希望的試劑而使其反應(yīng)的反應(yīng)液作為分析對象，測定其吸光度，來進行生物化學(xué)分析的生物化學(xué)自動分析裝置。這種生物化學(xué)自動分析裝置具備收納樣品和試劑的容器、注入樣品和試劑的反應(yīng)池，還具備將樣品和試劑自動注入反應(yīng)池的機構(gòu)、將反應(yīng)池內(nèi)的樣品和試劑進行混合的自動攪拌裝置、對反應(yīng)中或反應(yīng)結(jié)束后的樣品的吸光度進行分光計測的機構(gòu)、將分光計測結(jié)束后的反應(yīng)溶液吸取排出并洗滌反應(yīng)池的自動洗滌機構(gòu)等而構(gòu)成。在自動分析裝置的領(lǐng)域中，樣品和試劑的微量化一直是重大的技術(shù)課題。即，伴隨著分析項目數(shù)的增大，可分配于單項目的樣品量微量化，有時因樣品自身貴重而不能大量準(zhǔn)備，以往日常進行著作為高度的分析的微量樣品的分析。另外，隨著分析內(nèi)容的進步，通常試劑昂貴，從成本考慮也需要試劑的微量化。這樣的樣品和試劑的微量化也是推動反應(yīng)池小型化的強大動力。另夕卜，就反應(yīng)池的小型化、必要的樣品和試劑的微量化來說，具有與分析吞吐量提高和低廢液化相關(guān)的優(yōu)點。這里，通常的自動分析裝置中使用的反應(yīng)池(也被稱作反應(yīng)容器)一般是由玻璃或合成樹脂等來形成的。例如，根據(jù)專利文獻l記載，作為反應(yīng)池的材質(zhì)，選自吸水率低、透濕度低、全光線透過率高、折射率低、成型收縮率低的樹脂材料。具體來講，優(yōu)選例示出選自聚環(huán)烯烴樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂中的一種。另外，專利文獻l,作為涉及合成樹脂制反應(yīng)池的課題，舉出了降低初期的檢測障礙的課題，所述的初期的檢測障礙是生物體樣品和試劑流入池內(nèi)時生成的氣泡附著于內(nèi)側(cè)表面而不能測定所導(dǎo)致的。此時，作為氣泡附著的原因，可舉出池內(nèi)側(cè)表面的潤濕性低。作為提高通常的合成樹脂(也稱作塑料、高分子樹脂、聚合物)表面的潤濕性，也就是使表面親水化的有效手段，已知有氧等離子體處理、臭氧處理、臭氧水處理、電暈放電處理、UV處理等。另外，根據(jù)非專利文獻l可知，將作為高分子樹脂之一的聚乙烯表面通過電暈放電處理進行氧化，從而在表面導(dǎo)入過氧化物(peroxide)后，形成接枝聚合物，由此來實現(xiàn)表面改性。另外，專利文獻2報告了通過臭氧處理來進行塑料容器的氧化、親水化。另夕卜，專利文獻3報告了如下內(nèi)容，在大氣等含氧的氛圍中進行電暈處理，限定在與厭惡氣泡附著的分光測光面的池閉口部相近的區(qū)域?qū)嵤┏貎?nèi)側(cè)表面的親水化處理，而將池內(nèi)側(cè)表面的比其上部的開口部側(cè)的區(qū)域保持在疏水狀態(tài)。電暈放電處理在大氣等含有氧的氛圍中進行，因此，樹脂表面上導(dǎo)入氧原子。氧原子以羥基、醚基、羰基、羧基、酯基這樣的形態(tài)被導(dǎo)入樹脂表面，這些官能團中除酯基以外都是親水性的官能團，因此，原本疏水性高的樹脂表面的親水性提高。有人報道了樹脂表面的親水性通過水的接觸角的降低來測定，通過上述方法進行電暈放電的池內(nèi)側(cè)表面的接觸角降低，親水性提高。另外，有人報道了氧原子的導(dǎo)入狀態(tài)可以由X射線光電分光光度法(以下稱為XPS)的測定結(jié)果來確認(rèn)。池開口部區(qū)域的疏水性可防止試劑、樣品的向上浸潤，因此，可防止反應(yīng)池間的樣品的相互污染，提高數(shù)據(jù)的可靠性。這些效果有助于樣品試劑的微量化，對自動分析裝置的運行成本的降低也有貢獻。另外，專利文獻5報告了如下內(nèi)容，將伴隨著等離子體處理的樹脂的低分子量化作為課題來指出，作為在大氣壓等離子體中使用的氣體，優(yōu)選惰性氣體(氬氣，氦氣)。另外，在非專利文獻2中啟示了這樣的可能性，即，由于氮原子具有三個價電子，因此放電后氮原子可能將碳原子彼此之間進行交聯(lián)。就對于如上所述改性的表面的組成、鍵狀態(tài)進行分析來說，XPS是有效的，尤其是對于分析表面的鍵狀態(tài)的細(xì)節(jié)來講，有利用非專利文獻3、非專利文獻4中的化學(xué)修飾的方法。通過該方法，可以對不能用通常的XPS定量的羥基、羧基、伯氮(氨基)的量進行定量。專利文獻l:曰本特開2005-30763號公報專利文獻2:日本特開2000-346765號公報專利文獻3:日本特開2007-183240號公報專利文獻4:日本特開2001-332238號公報非專利文獻1:JournalofPolymerScience:PartA:PolymerChemistry,Vol.26，3309-3322,1998^卩專矛J文獻2:DieAngewandteMakromolekulareChemie:Vo1.120，177-191,1984非專利文獻3:Polymer,1985,26，1162-1166非專利文獻4:JournalofPolymerScience:PartA:PolymerChemistry,Vol.26，559-572，1998
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問題在自動分析裝置的領(lǐng)域中，存在樣品和試劑的微量化進一步發(fā)展的趨勢，而且另一方面，對裝置的小型化的要求也在提高。為此，作為以往并未視作課題的新課題，出現(xiàn)了以下兩個問題。以往的反應(yīng)池的尺寸大，測光區(qū)域的面積比氣泡大很多，因此，即使氣泡在光軸上，在實用的范圍內(nèi)吸光度也很少偏差，極少會成為問題。但是，伴隨著反應(yīng)池容量的微小化，發(fā)現(xiàn)氣泡的影響越發(fā)顯著。該第一個問題的原因是用于反應(yīng)池的素材的透明樹脂的疏水性。因此，嘗試讓反應(yīng)池的內(nèi)側(cè)表面親水化，結(jié)果確認(rèn)到不會引起氣泡附著。但是，如果全面地實行反應(yīng)池的親水處理，則出現(xiàn)第2問題。如果使反應(yīng)池的內(nèi)側(cè)表面從底部至最上方的開口部實現(xiàn)親水化，則檢查液因毛細(xì)管現(xiàn)象而到達反應(yīng)池的邊緣，容易與相鄰的反應(yīng)池的試劑相互混合而產(chǎn)生相互污染。另外，是與前述相似的現(xiàn)象，使用了一次的反應(yīng)池在洗滌結(jié)束后被反復(fù)使用，但有時候殘留于反應(yīng)池內(nèi)面的反應(yīng)液的成分混入4妄下來的分析中，對測定數(shù)據(jù)有不良影響。該現(xiàn)象被稱作遺留(carryover)。在反應(yīng)液成分中可能殘留于反應(yīng)池的內(nèi)面的物質(zhì)，除了脂質(zhì)之外還有蛋白質(zhì)、無機離子等親水性物質(zhì)。由于反應(yīng)池的小型化而具有相互污染和遺留的影響增大的傾向，可以預(yù)想到將來會成為更大的問題。為了對應(yīng)自動分析裝置的小型化、樣品'試劑的少量化這樣恒定的趨勢，而需要解決上述問題。為了解決上述問題，專利文獻4中公開了將在內(nèi)側(cè)表面部分地進行了親水化的反應(yīng)池"l答載于自動分析裝置來使用是有效的。這里，具有分析結(jié)束后用洗滌液進行洗滌的工序。就洗滌液來講，通常使用酸或堿以及向它們之中添加表面活性劑來調(diào)整的液體。因而，對于將內(nèi)側(cè)表面進行改性而部分親水化的反應(yīng)池來講，用洗滌液反復(fù)洗滌后也保持親水性并且光學(xué)特性等必要的物性不劣化就成為重要的條件。作為將反應(yīng)池部分地表面改性，提高親水性的方法，有在大氣中的電暈放電處理。電暈放電處理后，在樹脂表面導(dǎo)入氧原子，詳細(xì)來講，以羥基、醚基、羰基、羧基、酯基等形態(tài)被導(dǎo)入，表面的親水性提高。就大氣中的電暈放電處理來講，大氣中的氧分子(02)分解，生成氧自由基(O)，其與樹脂表面發(fā)生各種反應(yīng)，上述的多種官能團被導(dǎo)入構(gòu)成樹脂的高分子中。此時，作為不希望的反應(yīng)，樹脂表面的碳-碳鍵的斷裂也同時進行。另外，在電暈放電處理中，也產(chǎn)生高能粒子對樹脂表面的沖撞，這也促進了碳-碳鍵的斷裂。結(jié)果，構(gòu)成樹脂表面的高分子發(fā)生低分子量化。在專利文獻5中，指出了伴隨著樹脂表面的等離子體處理的樹脂的低分子量化，作為用于大氣壓等離子體的氣體，優(yōu)選惰性氣體(氬氣、氦氣)，但是對電暈放電處理表面的物性的影響尚不十分清楚。這次，我們對將樹脂表面的大氣中電暈放電處理的問題點明確化的實驗研究進一步深入。即，首先，用專利文獻4記載的方法，將反應(yīng)池在大氣中進行電暈放電處理而部分改性，結(jié)果確認(rèn)出，可在池表面導(dǎo)入氧，可^是高親水性。此時，雖然大氣中存在大約80%的氮氣，但是即使對電暈放電處理后的表面用XPS進行分析，也沒有檢測出氮。將這樣制作的樹脂表面改性后的反應(yīng)池用在自動分析裝置中使用的通常的堿洗滌液進行洗滌，結(jié)果，由XPS確認(rèn)出表面氧濃度的減少，與此同時，由對水的接觸角上升確認(rèn)出親水性的降低。但是，就上述反應(yīng)池而言，伴隨著石咸洗滌的表面氧濃度的減少和親水性的降低是極少的，堿洗滌后仍具備作為自動分析用反應(yīng)池的足夠的性能。另外，接下來的第2次洗滌以后，并不引起表面氧濃度的減少和親水性的降低。但是，改性表面具有氧濃度的減少、親水性的降低等潛在的可能性，為了確保反應(yīng)池的實用壽命、保存壽命從而確保充分的可靠性，并不優(yōu)選改性表面。這些情況都是為了長期穩(wěn)定使用而想克服的課題。因此，本發(fā)明的目的在于應(yīng)對以上全部的要求。特別是具有即使用酸、堿等藥液反復(fù)處理也不會引起表面氧濃度的降低和親水性降低的穩(wěn)定的改性表面的樹脂制分光測光用池和其制造方法的確立，是本發(fā)明的目的。另外，本發(fā)明不止局限于樹脂制池的表面改性，還廣泛涉及到表面改性樹脂部件及其制造方法。解決問題的手段為了同時解決這些問題，首先，第一，需要在將反應(yīng)池(以下，稱作"池")的內(nèi)側(cè)表面進行親水化時抑制樹脂的低分子量化，詳細(xì)來講，需要抑制碳-碳鍵的斷裂。第二，就在由自動分光測光裝置進行測定中所使用的池、特別是連接多個池的多聯(lián)池而言，需要從池的底部至分光分析所必要的高度為止限定池內(nèi)側(cè)表面的親水化區(qū)域。發(fā)明人等應(yīng)用了在兩片電極板之間夾持樹脂板進行放電處理的電暈放電法。就該方法而言，釆用的方法是在從外側(cè)包圍由樹脂構(gòu)成的池組的外部電極和插入一個一個單個池的棒狀的內(nèi)部電極之間產(chǎn)生電暈放電。此時，池的分光測光面的外側(cè)表里，接近外部電極面，因此在與相對的棒狀電極之間進行放電，在分光測光面的內(nèi)側(cè)表面兩面實施電暈放電處理。另夕卜，通過將外部電極設(shè)置在單個池的空隙或底面，也能對非測光面、底面實施電暈放電處理。這次，將池的測光面和底面作為電暈放電處理的對象。另外，僅在內(nèi)外電極相對的區(qū)域產(chǎn)生放電，因此可以限定處理面積。實際上，確認(rèn)出親水化區(qū)域可以僅限定于電極相對的區(qū)域即產(chǎn)生電暈放電的區(qū)域。即，通過電暈放電，可僅對從由透明樹脂構(gòu)成的池的底至規(guī)定的高度為止的內(nèi)側(cè)表面進行親水化處理。電暈放電處理在大氣等包含氧的氛圍中進行，因此可在樹脂表面導(dǎo)入含氧官能團。氧以羥基、醚基、羰基、羧基、酯基這樣的形態(tài)導(dǎo)入樹脂表面，它們之中除了酯基以外都是親水性的官能團，因此原本疏水性高的樹脂表面的親水性提高。樹脂表面的親水性通過水的接觸角的降低來進行測定，判斷出由上述方法進行電暈放電的池組的內(nèi)側(cè)表面的水的接觸角降低，親水性提高。另外，由XPS的測定結(jié)果確認(rèn)出氧原子的導(dǎo)入狀態(tài)。通常，電暈放電處理在大氣壓下在空氣這樣含有氧的氛圍中進行，因此生成氧自由基(OO。認(rèn)為該氧自由基作為主因，在進行電暈放電處理的改性部分的樹脂表面，在構(gòu)成樹脂的高分子主鏈上產(chǎn)生碳-碳鍵的斷裂，進行低分子量化。在低分子量化的成分中導(dǎo)入含氧官能團從而親水性高，因此，溶解于在為改性表面的親水性降低。另外，雖然大氣含有大約80%的氮，但是即使在大氣中進行電暈放電處理，也不導(dǎo)入氮。這顯示出氧自由基等來源于氧的活性分子種的反應(yīng)性壓倒性地高于來源于氮的活性分子種，放電處理后容易導(dǎo)入表面。因此，發(fā)明人等認(rèn)為，如果可以確立抑制低分子量化來保持原來的樹脂的分子量的同時可以表面改性的電暈放電處理條件，則可以提供洗滌液耐性高且部分地實施了表面改性的池。另外，在抑制低分子量化的同時進行了改性的表面，由于維持著高分子量，因此也可以防止通常所報告的改性表面的親水性的經(jīng)時劣化。如上所述，進行電暈放電處理時，如果存在氧分子，則以其為原料而生成氧自由基，其切斷碳-碳間的鍵。因此，在使氧濃度比空氣大幅降低、使氮濃度增加的氛圍下進行電暈放電處理，使表面生成即使在氮氛圍下也能存在的活性種的碳自由基之后，將電暈放電處理過的表面曝露于空氣或氧中進行表面改性。已知碳自由基可與氧分子快速地反應(yīng)。采用上述方法，首先，通過在氮氛圍下的電暈放電處理，在樹脂表面生成碳自由基，接著，使該樹脂表面與空氣或氧的氛圍接觸，使碳自由基和氧分子進行反應(yīng)，從而，可同時在表面導(dǎo)入含氮官能團和含氧官能團，可提高親水性。這里使用的氮氛圍的放電中，排除了生成切斷碳-碳鍵的氧自由基的產(chǎn)生，代之生成氮自由基，因此通過氮自由基和樹脂表面的反應(yīng)，在樹脂表面生成碳自由基，同時氮原子也結(jié)合于樹脂表面。在該反應(yīng)體系中，可以排除因氧自由基導(dǎo)致的高分子的分解反應(yīng)，因此，存在可以抑制樹脂表面的高分子的分子量降低的可能性。另外，由于導(dǎo)入了能夠以一個原子形成3個鍵的氮原子，因此，氮原子將高分子鏈彼此進行交聯(lián)，存在反而提高分子量的可能性。因而，在氮氛圍下的電暈放電，與專利文獻5所示的在氬氣等惰性氛圍下的電暈放電處理在反應(yīng)機理上有區(qū)別，期待其有用性。這是因為氬原子的任一個原子都不具有形成穩(wěn)定的鍵的能力。本發(fā)明實際上是基于上述想法而進行開發(fā)的，大幅度地抑制伴隨表面改性的分子量降低的同時，可導(dǎo)入含氧官能團和含氮官能團，可實現(xiàn)親水性的提高。用本發(fā)明的方法制造的樹脂表面對含有堿或酸的洗滌液或藥液的耐性優(yōu)異。另外，不發(fā)生親水性的經(jīng)時變化，該親水性的經(jīng)時變化通常在通過表面改性處理而親水化的表面上產(chǎn)生。用本發(fā)明的方法進行了表面改性的池，與改性前的狀態(tài)相比，在外觀上完全沒有變化，分光分4斤所必要的300nm800nm的波長區(qū)域的透明性也充分，光學(xué)特性也沒有任何不良影響。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可對自動分析裝置用反應(yīng)池的內(nèi)側(cè)表面限定區(qū)域來實行穩(wěn)定的表面改性和親水化處理，因此可用于實施臨床化學(xué)檢查的自動分析裝置。另外，由于對于洗滌液和藥液的耐性高，因此可以反復(fù)使用酸、堿、表面活性劑等藥液。此外，由于親水性不經(jīng)時劣化，因此也可以長期保存。本發(fā)明的池不產(chǎn)生攪拌下的氣泡附著的問題，也可以解決池間的相互污染的問題，可提供實現(xiàn)可靠性高的臨床化學(xué)檢查的自動分析裝置。即，本發(fā)明具備以下特征。(I)一種分光測光用樹脂制池，其特征在于，該池的表面的至少一部分的區(qū)域由具有含氧官能團和、含仲氮官能團或含叔氮官能團的高分子鏈構(gòu)成。(II)一種分光測光用樹脂制池，其特征在于，該池的表面的至少一部分的區(qū)域由具有含氧官能團且交聯(lián)了的高分子鏈構(gòu)成。此時，交聯(lián)可以形成于高分子化合物的主鏈和主鏈、主鏈和側(cè)鏈、側(cè)鏈和側(cè)鏈之間的任一種。(m)根據(jù)(ii)所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述高分子鏈通過含有仲氮或叔氮的交聯(lián)基團來交聯(lián)。(iv)根據(jù)(i)~(m)中的任一項所述的分光測光用辨脂制池，其特征在于，在由所述高分子鏈所構(gòu)成的區(qū)域中，通過x射線光電分光光度法(XPS)測定所求得的氧/石友的原子數(shù)比和氮/碳的原子數(shù)比這兩個值都是0.01以上。(V)根據(jù)(I)~(IV)中的任一項所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，由所述高分子鏈構(gòu)成的區(qū)域包括所述池的內(nèi)側(cè)表面的分析光透過區(qū)域，并且，在該分析光透過區(qū)域中，通過X射線光電分光光度法(XPS)的測定所求得的氧/碳的原子數(shù)比和氮/碳的原子數(shù)比這兩個值，各自是比所述池的表面的分析光不透過的區(qū)域的值大0.01以上的值。不僅是池的內(nèi)側(cè)表面，外側(cè)表面的分析光透過區(qū)域也由所述高分子鏈構(gòu)成o(VI)根據(jù)(I)~(V)中的任一項所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述含氧官能團包括從由羥基、醚基、羰基、羧基以及酯基組成的組中選擇的至少一種。(VII)根據(jù)(I)~(VI)中的任一項所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述高分子鏈進一步具有含伯氮官能團。(vin)根據(jù)(i)~(vn)中的任一項所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述池的母材是聚環(huán)烯烴。(ix)根據(jù)(i)(viii)中的任一項所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，由所述高分子鏈構(gòu)成的區(qū)域相對于水的接觸角為85度以下。(X)根據(jù)(I)(IX)中的任一項所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，其為具備底壁和從該底壁的周邊向上方豎立設(shè)置的側(cè)壁，且上端具有開口的分光測光用樹脂制池，并且，該側(cè)壁的相對向的至少一對內(nèi)側(cè)表面的從底壁側(cè)端至上端側(cè)的途中的區(qū)域和該底壁的內(nèi)側(cè)表面由所述高分子鏈構(gòu)成。這里，"該側(cè)壁的相對的至少一對內(nèi)側(cè)表面"優(yōu)選為形成透過分析光的一對測光面的側(cè)壁的內(nèi)側(cè)表面。底壁為四方形，側(cè)壁由覆蓋四面的4片的部分構(gòu)成時，"該側(cè)壁的相對的至少一對內(nèi)側(cè)表面"是指形成測光面的相對的2片部分的內(nèi)側(cè)表面。"底壁側(cè)端至上端側(cè)的途中的區(qū)域"優(yōu)選是該側(cè)壁內(nèi)側(cè)表面中從與底壁周邊接觸的下端至分光分析所必要的高度位置為止的區(qū)域。(XI)根據(jù)(X)所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，其是在利用自動分光測光裝置的測定中使用的池。(XII)根據(jù)(X)所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，在由所述高分子鏈所構(gòu)成的區(qū)域中，通過X射線光電分光光度法(XPS)測定所求得的氧/碳的原子數(shù)比和氮/石友的原子數(shù)比這兩個值都是0.01以上。(xm)根據(jù)(x)所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述高分子鏈中的含氧官能團包括從由羥基、醚基、羰基、羧基以及酯基組成的組中選擇的至少一種。(xiv)根據(jù)(x)所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，由所述高分子鏈構(gòu)成的側(cè)壁內(nèi)側(cè)表面的區(qū)域是分析光透過區(qū)域，并且，在該分析光透過區(qū)域中，通過X射線光電分光光度法(XPS)的測定所求得的氧/碳的原子彩:比和氮/碳的原子數(shù)比這兩個值，各自是比所述側(cè)壁的表面的分析光不透過的區(qū)域的值大o.oi以上的值。(XV)根據(jù)(X)所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，由所述高分子鏈構(gòu)成的區(qū)域相對于水的接觸角為85度以下。(XVI)根據(jù)(X)所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述池的母材是聚環(huán)烯烴。(XVII)—種多聯(lián)分光測光用樹脂制池，其特征在于，多個(X)~(XVI)中的任一項所述的分光測光用樹脂制池被連接。(xvni)—種分光測光用樹脂制池的制造方法，其為表面的至少一部分的區(qū)域被改性的分光測光用樹脂制池的制造方法，其具備(1)分別在分光測光用樹脂制池的內(nèi)部配置陽極，在外部配置陰極，使得該陽極和該陰極相對的工序；(2)用氮氣置換所述池的內(nèi)部，使所述陽極和所述陰極之間產(chǎn)生電暈放電的工序；(3)所述電暈放電結(jié)束后，對所述池的內(nèi)部供給含氧氣體，將所述池的內(nèi)部暴露于含氧氣體的氛圍的工序。通過該工序(2)的用氮氣進行置換，使池內(nèi)部的氮濃度高于大氣，從而，在氮能作為電暈放電反應(yīng)活性種的主要角色來反應(yīng)的條件下進行放電處理。(xix)根據(jù)(xvin)所述的方法，其特征在于，所述池是具備底壁和從該底壁的周邊向上方豎立設(shè)置的側(cè)壁，且上端具有開口的分光測光用樹脂制池，并且5所述工序(l)是如下工序從該開口向該池的內(nèi)部的位置插入所述陽極進行配置，同時，在介由該側(cè)壁的相對的至少一對的部分中的^^人底壁側(cè)端至上端側(cè)的途中的部分以及該底壁而與所述陽極相對的、所述池的外部的位置上配置所述陰極。本發(fā)明的分光測光用樹脂制池優(yōu)選通過(xvni)或(xix)的方法來制造。就本發(fā)明的分光測光用樹脂制池而言，由通過本發(fā)明的電暈放電處理所生成的改性的高分子鏈所構(gòu)成的區(qū)域以外的其他的池表面區(qū)域，優(yōu)選由實施本發(fā)明的電暈放電處理前的母材的高分子鏈(為疏水性)來構(gòu)成。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，提供一種對含有堿或酸的洗滌液或藥液的耐性優(yōu)異的分光測光用樹脂制池，所述分光測光用樹脂制池具有不產(chǎn)生親水性的經(jīng)時變化的表本發(fā)明的池具有如下優(yōu)點由于耐藥液性優(yōu)異而不產(chǎn)生因洗滌液所引起的親水夠?qū)⑵浔４妗４送?，按照限定在近于池分光測光面的閉口部(底)的區(qū)域來實施內(nèi)側(cè)表面的親水化處理，將比池內(nèi)側(cè)表面上部的開口部側(cè)的區(qū)域保持在疏水性狀態(tài)的方式來進行本發(fā)明的親水化處理，通過這樣的實施方式，對分光測光面的氣泡吸附所引起的光透過率的變化得到抑制，測定數(shù)據(jù)的精度提高。另外，池開口部區(qū)域的疏水性防止試劑或樣品的向上浸潤，因此可防止池間的樣品的相互污染，提高數(shù)據(jù)的可靠性。另外，這些效果也有助于樣品'試劑的微量化，對于自動分析裝置的運行成本的降低也有貢獻。圖l是池的斜視外觀圖2是本發(fā)明的池的截面的斜視外觀圖3是池組的斜視外觀圖4是電暈放電部分處理的模式圖；圖5是表面改性工序；圖6是電極外觀圖7是本發(fā)明的池的截面的斜視外觀圖8是截面模式圖9表面截面變化圖IO是表面截面變化圖ll是碳窄幅掃描(narrowscan)的波譜；圖12是^f岌窄幅掃描的波譜；圖13是^f友窄幅掃描的波譜；圖14是氮窄幅掃描的波譜；圖15是測光面的模式圖16是電極外觀圖17是電極外觀圖18是自動分析裝置的外觀圖19是分光光度計的外觀圖20是分光光度計的外觀圖。符號說明1:樣品收納部；2:樣品供給用分注機構(gòu)；3:反應(yīng)盤；4:池；5:試劑盤機構(gòu)；6:試劑容器；7:試劑供給用分注機構(gòu)；8:攪拌機構(gòu)；9:恒溫槽；10:分光光度計；11:池洗滌機構(gòu)；12:吸取嘴；13:洗滌劑容器；15:樣品吸移管管理器；16:洗滌水泵；17:試劑用吸移管管理器；18:Log轉(zhuǎn)換器和A/D轉(zhuǎn)換器；19:電腦；20:打印機；21:CRT;22:軟盤或硬盤；23:接口；24:操作面板；25:樣品容器；26:帶有集光過濾器的光源；27:樣品嘴；28:試劑嘴；29:攪拌棒；30:驅(qū)動部；31:驅(qū)動部；32:驅(qū)動部；33:光的寬幅；34:集光透鏡；35:光的寬幅；36:測光區(qū)域；37:親水區(qū)域；38:箭頭；39:光源；40:池；41:池組；45:測光面；46:測光面；46:測光面；47:測光區(qū)域；48:狹縫；49:狹縫窗；63:底面電極；80:中空型電極；卯棒狀電極；91:掩模；92:掩模；93:池；94:相對電極；95:底面用電極；111:非測光面外側(cè)表面；112:非測光面內(nèi)側(cè)表面；113:測光面外側(cè)表面；114:測光面內(nèi)側(cè)表面；115:底面；116:長度；117:長度；118:高度；119:邊界線；120:部分；150:壁厚；130:閉口部；140:開口部；210:室；211:電暈放電源；212:配線；213:底面用電極；214:棒狀電極；216:配線；217:大地；218:陰極板；219:視點；220:氣體導(dǎo)入口；221:氣體排出口；222:配線導(dǎo)入口；223:配線導(dǎo)入口；224:箭頭；225:箭頭；300:角落；310:箭頭；311:箭頭；312:箭頭；313:箭頭；320:箭頭；321:箭頭；322:箭頭；323:箭頭；330:箭頭；331:箭頭；332:箭頭；333:箭頭；340:箭頭；341:箭頭；342:箭頭；401:測光面；402:非測光面；403:箭頭；601:區(qū)域；602:區(qū)域；603:前端；61:相對電極；62:相對電才及；631:距離；632:距離；633:距離；610:池寬；251:測光面；252:測光面；613:距離；614:3巨離；611:i巨離；612:i巨離；634:距離；621:3巨離；622:3巨離；612:-巨離；701:內(nèi)側(cè)表面；702:改性部分；703:非改性部分；704:厚度；705:寬；706:寬；707:厚度；710:表面截面；711:表面截面；712:表面截面；713:主鏈；714:最表面；715:池內(nèi)部；716:碳自由基；717:伯氮；718:仲氮；719:叔氮；721:表面截面；801:氣體導(dǎo)入口；802:流路；803:箭頭；804:部分；805:部分；806:排出口；900:中空型棒狀電極；901:氣體導(dǎo)入口；902:膜；903:箭頭；904:箭頭；911:膜表面；912:改性部分；913:非改性部分；914:厚度；916:長度；917:厚度具體實施例方式接著，通過實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限于下述實施例。實施例1樹脂制池的部分表面改性(1)以聚環(huán)烯烴為素材通過注塑成型來制作自動分析裝置用池(以下，稱為"池")。作為池素材，只要是從聚環(huán)烯烴樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚苯乙烯樹脂中選擇的1種即可。從低吸水率、低透濕度、高的全光線透過率、低折射率、低成型收縮率的觀點出發(fā)，優(yōu)選選擇聚環(huán)烯烴樹脂。聚環(huán)烯烴是高分子，分子的主鏈和側(cè)鏈分別由碳-碳鍵和碳-氬鍵構(gòu)成,.一部分主鏈中存在環(huán)狀的飽和烴。就自動分析裝置而言，在各個單池中使檢測樣品與試劑反應(yīng)，通過多個特定波長的光透過率的變化來計測色素的發(fā)色或膠乳的凝聚現(xiàn)象。各個單池典型地具備樹脂制的底壁和從該底壁周邊向上方豎立設(shè)置的側(cè)壁，是上端具有開口的長條的容器。底壁可以是長方形或正方形，此時，構(gòu)成側(cè)壁的4個部分中，相對的一對的(2個)部分形成有計測用的光透過的測光面，另外的相對的一對的(2個)部分形成有計測用的光不透過的非測光面。圖1表示池的斜視外觀圖。池40具有測光面401和非測光面402。測定光從箭頭403的方向入射進測光面401。圖2表示用線A-A，分割池40的截面圖。池由非測光面外側(cè)表面111、非測光面內(nèi)側(cè)表面112、測光面外側(cè)表面113、測光面內(nèi)側(cè)表面114、底壁內(nèi)側(cè)表面(底面)115構(gòu)成。池的內(nèi)壁部的尺寸如下，非測光面的一半長度116為3mm,測光面的長度117為4mm,高度118為30mm，池壁厚150為lmm,并具備由底壁形成的閉口部130、開口部140。如圖3所示，也可以將多個池40以各池的開口朝向同一方向的方式排成一列并一體成型得到池組41,使用該池組41對各個池進4于表面改性。在池40內(nèi)注入約0.5mL的乙醇，放置24小時，除去乙醇后，放入真空干燥器進行干燥，從而使池內(nèi)側(cè)表面清潔。此外還確認(rèn)了，即使不進行該利用乙醇的洗滌，進行以下電暈放電處理，實用上也沒有問題。在本實施例中，例示了對每一個池單獨地進行電暈放電處理的例子，也可以使用作為多個池一體成型得到的多聯(lián)式的池組而成型得到的池組。另外，也可以同時對多個池進行電暈放電處理。圖4表示電暈放電部分處理的模式圖。成型樹脂后，用陰極板218夾住洗滌干燥后的池40的測光面。陰極板通過配線216接地217。通過調(diào)整陰極板的上部邊緣的高度，從而可以限定池內(nèi)壁的電暈放電處理面的高度。本實施例中，確定了從池的底面至14mm的高度的內(nèi)壁進行處理這樣的插入深度。然后，在池40內(nèi)部插入電暈放電陽極的棒狀電極214,使其面向池的底面中心且距離底面的高度為lmm。棒狀電極214的下端的直徑為2mm，長度為50mm，通過配線212接于電暈放電源211。配線212通過室的配線導(dǎo)入口222接于電暈放電源。作為電暈放電電源，優(yōu)選能計數(shù)放電脈沖數(shù)的脈沖方式的放電源，也可以是高頻率方式的放電電源。在本實施例中使用了脈沖方式的電暈放電電源。接著，向包圍的室210中從氣體導(dǎo)入口220以箭頭224的方向以每分鐘5L的流速導(dǎo)入超高純度氮氣(純度99.99995%)，從氣體排出口221以箭頭225的方向趕出原來存在于室內(nèi)的大氣。在該氛圍下，施加25kV電壓，在到與陰極板接觸的高度相當(dāng)?shù)某貎?nèi)側(cè)表面的高度為止進行電暈放電處理。也可以存在多個氣體導(dǎo)入口或氣體排出口。脈沖周期為每一秒鐘300脈，處理時間為1秒鐘，即實施300脈的處理。在該條件下進行電暈放電處理時，通過示波器確認(rèn)出由產(chǎn)生的電壓和電流值產(chǎn)生5焦耳的能量。至于氛圍室210的大小，作為一個例子，例示出高度200mm、寬250mm、進深150mm,為了加快氮氣置換空氣的速度，當(dāng)然優(yōu)選容量盡量小些。室的素材使用丙烯酸樹脂，通過熔敷來成型，可以導(dǎo)入氮氣、空氣、氧氣等各種氣體，可以提高氮、氧的濃度。另外，導(dǎo)入口223(直徑10mm)。另外，確認(rèn)出氮氣的流速為每分鐘0.1L^分鐘10L就具有充分的效果，本實施例中例示了每分鐘5L的流速的情況。在電暈放電處理后向室內(nèi)流入空氣或氧氣，使得池內(nèi)曝露于空氣或氧氣中。此時的空氣或氧氣的流速為每分鐘5L。流速只要是每分鐘0.1L^分鐘IOL就具有足夠的效果。也可以將在氮氣氛圍下進行電暈放電處理的池從室內(nèi)取出，使得處理表面曝露于大氣或氧氣。這里，將以上的表面改性的工序總結(jié)于圖5中。工序l:分別在分光測光用樹脂制的內(nèi)部配置陽極，在外部配置陰極，使得該陽極和該陰極相對的工序；工序2:用氮氣置換所述池的內(nèi)部，在提高了池內(nèi)的氮濃度的狀態(tài)下使所述陽極和所述陰極之間產(chǎn)生電暈放電的工序；工序3:所述電暈放電結(jié)束后，向所述池的內(nèi)部供給含氧氣體，使所述池的內(nèi)部曝露于含氧氣體的氛圍的工序，通過該3個連續(xù)的工序來對樹脂制池進行表面改性。這里，圖6表示從圖4的視點219觀察的模式圖的一個例子。在池40內(nèi)插入棒狀電極214。棒狀電極為金屬制，可以是棱柱狀，也可以是圓柱狀。本實施例中例示了使用不銹鋼制的圓柱狀電極的例子。棒狀電極214由電極直徑大的區(qū)域601和電極直徑小的區(qū)域602來構(gòu)成。調(diào)整相對電極61和62的高度，使得區(qū)域601和區(qū)域602的邊界線為相同高度。使從池底至相對電極上端的距離632與從池底至電極邊界線的距離(=距離631+距離633)相等，僅對池內(nèi)側(cè)表面的想實施電暈放電處理的區(qū)域進行處理。在本實施例中，使距離631和距離633的合計為14mm。在本實施例中使用的電極的區(qū)域601的電極直徑為2mm,區(qū)域602的電極直徑為lmm，區(qū)域601不超過池寬度610。可以對區(qū)域601的電4及邊緣實施R0.5mm左右的倒角。這樣做可以防止邊緣部的異常放電。這里，利用了電極間距離越近，電暈放電能量越高的法則。即，電極直徑大的區(qū)域比電極直徑小的區(qū)域接近于相對電極，因此，容易產(chǎn)生電暈放電，放電能量集中。因而，從與相對電極的距離近的區(qū)域601向著相對電極優(yōu)先地產(chǎn)生電暈放電。因此，通過制成上述的電極形狀，使放電在所希望的區(qū)域均勻地發(fā)生，并且抑制不完全處理的區(qū)域，可以在池內(nèi)側(cè)表面明確地區(qū)別進行電暈放電處理的區(qū)域和未處理的區(qū)域。配置棒狀電極使其成為池底面的中心，使棒狀電極和池測光面251、測光面252的距離613、距離614相等，這對于確保存在于一個池中的兩個測光面的處理的均勻性和再現(xiàn)性來說是重要的。另外，在本實施例中也決定處理底面115,因此設(shè)置了底面電極63。當(dāng)然，相向電極、底面用電極也都共同地接地。另外，將相對電極和底面用電極一體化對于放電的均勻性提高來說是有用的，因此，在本實施例中使用通過鋁素材來一體化的方式來制作的電極。另夕卜，-使池測光面251和相對電才及61的距離611與池測光面252和相對電極62的距離612都相等，對于有兩個測光面的均勻處理來講是重要的條件。另夕卜，使棒狀電極的前端底面603和池底面115的距離633與距離613和距離614相等是很重要的。池的壁厚全是lmm。另外，當(dāng)然，池底面和測光面相交的角落300成為與電極前端最遠(yuǎn)的點，但也確認(rèn)出在本實施例的放電條件下對角落也可進行與測光面同等的放電處理。將前端區(qū)域601制成圓柱狀，對于均勻地處理池底和測光面相交的角落來說也是有效的，因此這樣做也是可以的。在本實施例中，使距離611和距離612與池的底面和底部電極的距離634相等，為0.3mm。使區(qū)域602和池的距離621、距離622相等。只要距離611和612的差為lmm以內(nèi)，則對于具有2面的測光面的均勻處理來說是沒有妨礙的。另外，還確認(rèn)了只要距離613和614與距離633三者彼此的最大差為lmm以內(nèi)，則對于具有2面的測光面的均勻處理來i兌是沒有妨礙的。如果相對電極和棒狀電極的距離過遠(yuǎn)，則不產(chǎn)生電暈放電。因而，距離614和距離612的合計優(yōu)選為10mm以內(nèi)。但是，通過增大施加于電極間的電壓，即使距離的合計為10mm以上，也能夠進行電暈放電處理，因此，根據(jù)用途，距離可以為10mm以上。另外，池的壁厚比本實施例厚時，通過減小電極間的距離，可達成同樣的放電條件。此時，如果在池的非測光面的外側(cè)表面設(shè)置陰極板，則也可以對池的非測光面實施電暈放電處理。即，通過設(shè)置陰極板的位置，可以限定電暈放電處理位置。另外，在本實施例中對底面進行了放電處理，但即使不對底面進行放電處理，作為自動分析裝置用池也可以充分地抑制氣泡附著。另外，也可以將池的一部分掩模而不進刊"改電處理。在本實施例中，例示了將測光面和底面均勻地親水化的例子。圖7表示用上述方法進行表面改性的池的截面斜視外觀圖。能夠?qū)Τ?0的測光面的內(nèi)側(cè)表面114中的區(qū)域120進行電暈放電處理，該區(qū)域120是從底面115側(cè)的端部(下端)至向上端側(cè)的途中所在的邊界線119的區(qū)域。。此時，以邊界線119為分際，閉口部130側(cè)為親水性，開口部140側(cè)為疏水性，在親水性上賦予明確的差別。池底面115也與區(qū)域120同樣地進行均勻的電暈放電處理。此時，圖所示的測光面的相對面的內(nèi)側(cè)表面也同樣地進行電暈放電部分處理。包括本實施例，以下的實施例2~3中例示了對測光面和底面進行電暈放電處理的池的例子。測光面中只要至少分析光的透過區(qū)域(測光部)不產(chǎn)生氣泡附著，則能夠沒有分析障礙。關(guān)于池內(nèi)的測光面內(nèi)側(cè)表面120，將與距池底的距離對應(yīng)的水的接觸角示于表l中。接觸角的測定，使用協(xié)和界面科學(xué)制造的DropMaster500。利用注射器對改性表面滴加0.5^純水，用e/2法測定著滴3秒后的靜態(tài)接觸角。就測定來講，準(zhǔn)備3個實施了處理的樣品進行測定，求其平均值。測定值的偏差為l度以下。結(jié)果，表面改性前的池表面、非改性部分的接觸角為卯度，與此相對，通過表面改性使得接觸角降低至75度。距池底的距離為lmm、3mm、5mm、7mm、9mm、llmm、13mm，接觸角為約75度，偏差為l度以下。另外，距池底的3巨離為15mm、17mm、19mm、21mm、23mm、25mm、27mm,4姿觸角為約90度，偏差為l度以下。由以上條件，確認(rèn)出區(qū)域選擇性地實施表面改性。以上，表示了測光面內(nèi)側(cè)表面的接觸角測定結(jié)果，確認(rèn)出對于池底面，接觸角為約75度。表1接觸角測定結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>圖8表示在本實施例1中進行了表面改性的樹脂制池測光面的截面模式圖。圖的上方是內(nèi)側(cè)表面，圖的下方是外側(cè)表面。對內(nèi)側(cè)表面701的一部分進行改性。圖的下方相當(dāng)于外側(cè)表面，沒有進行改性。也可以通過調(diào)整相對電極的位置和形狀，來改性處理外側(cè)表面?？梢愿鶕?jù)放電條件來改變改性區(qū)域702的大小。在本實施例的條件下，通過透射電子顯微鏡(TEM)來確認(rèn)改性厚度704。用透射電子顯微鏡(TEM)對由本實施例的方法改性的池的利用四氧化鋨所染色后的截面圖像進行確認(rèn)，相當(dāng)于改性層的厚度平均為約50nm。已知四氧化鋨與幾基選4奪性地反應(yīng)，鋨被固定在存在羥基的區(qū)域，因此，僅在存在羥基的表面改性層上固定鋨。因而，就改性層來說，得到與不存在鞋基的非改性部分不同的透射電子圖像。另夕卜，從親水性提高的觀點來看，改性層的厚度厚些為好，但就用于光學(xué)分析的本發(fā)明的池來說，為了抑制光折射率變化和光學(xué)吸收，改性層的厚度盡量薄些好。上述的改性厚度為lnm50nm時作為分析用的池是合適的厚度，對于利用光透過的吸光度測定來說完全沒有不良影響。親水層的厚度大于lnm的話，親水性充分地纟是高。改性區(qū)域的面積和長度可通過上述所示的電暈i文電處理中所用的電極長度、電極間距離來調(diào)節(jié)。改性寬度705在本實施例中相當(dāng)于14mm。非改性部分703的寬度706相當(dāng)于池的高度，因此為30mm,非改性區(qū)域的厚度707相當(dāng)于池的壁厚，因此為lmm。改性區(qū)域702是池表面的一部分，是將樹脂的一部分改性而形成的。將本實施例1的伴隨著表面改性的樹脂表面的分子結(jié)構(gòu)變化作為樹脂的最表面截面圖來表示于圖9中。母材是高分子樹脂，不能用一個分子結(jié)構(gòu)表示，因此將代表母材的高分子主鏈的結(jié)構(gòu)通過曲線來概念地表示。在改性前的最表面截面710上存在原本的高分子。將構(gòu)成樹脂的高分子的主鏈作為713積無念地表示。如上所述，樹脂的主鏈由碳(C)和氫(H)構(gòu)成，進一步改性后的狀態(tài)使用元素記號C、H、0、N來表示。將圖的上方作為最表面714來表示，將下方作為樹脂內(nèi)部715來表示。在改性前，在母材的最表面僅存在碳-碳鍵和碳-氫鍵。這里，將構(gòu)成母材的高分子主鏈的平均的碳原子數(shù)設(shè)為X。因為分子量超過l萬，樹脂為環(huán)烯烴系，所以估計平均的^友原子數(shù)X為數(shù)百至數(shù)千左右。最表面截面710在上述工序1和工序2之后，改變?yōu)榻孛?11,經(jīng)過工序3，成為截面712。說明截面711的具體情況。通過作為氮氛圍下的電暈放電處理的工序2，切斷碳-氫鍵或碳-碳鍵，產(chǎn)生碳自由基716(C)。已知碳自由基為活性的，特別容易與氧反應(yīng)，但在工序2期間，池表面存在于氮氛圍，因此，碳自由基能穩(wěn)定地存在。另外，作為在氧少、氮豐富的條件下進行電暈放電的效果，可以導(dǎo)入含有氮的官能團。例如，可以將作為伯氮717的氨基(NH2)、仲氮718(C-NH-C)、叔氮719(C-N(C)-C)導(dǎo)入表面。氮有3個鍵臂，仲氮(C-NH-C)和叔氮(C-N(C)-C)是將碳和碳交聯(lián)的結(jié)構(gòu)。因而，仲氮和叔氮能夠作為分子間的交聯(lián)點發(fā)揮功能。這兩者越多，則分子的交聯(lián)性越高，具有可抑制由放電所引起的分子量的降低的可能。即，即使由放電所引起的能量照射而暫時切斷碳-碳間鍵(C-C鍵)，由于氮交聯(lián)，也不會產(chǎn)生最終的分子量的降低。這是氧所不具有而氮所特有的效果。另外，雖然不如含氧官能團的親水性效果，但含氮官能團也有助于親水性的提高。之后，在工序3中，通過碳自由基與氧的反應(yīng)，可導(dǎo)入以羥基(C-OH)為代表的含氧官能團，制成改性表面712。作為含氮官能團，還可以考慮以酰胺基、硝基為代表的氮氧化物等，圖中為了簡化，例示了幾個豐富地制成的C-N鍵。作為含氧官能團，還有醚基(C-O-C)、羰基(OO)、羧基(COOH)、酯基(O-C-OR)、過氧化物(0=C-0-0)等。圖中為了簡化，僅例示了豐富地導(dǎo)入的羥基。將構(gòu)成存在于得到的改性表面712的高分子鏈的碳的平均數(shù)設(shè)為Y,認(rèn)為Y不小于X。換言之，不降低母材的分子量，改性表面712是導(dǎo)入了含有氮的官能團、含有氧的官能團的狀態(tài)。這樣的改性表面不溶解于藥液。另外，表面不因加熱而變化。這是因為，通過導(dǎo)入仲氮和叔氮而形成高分子的3維網(wǎng)絡(luò)，在抑制低分子量的同時，也抑制分子運動，難以產(chǎn)生與藥液的反應(yīng)和分子擴散。構(gòu)成改性表面的高分子的主鏈的一部分結(jié)合有從以伯氮、仲氮、叔氮為代表的含氮官能團、含氧官能團中選擇的任一個或多個官能團。另一方面，將(比較例1)的伴隨著表面改性的變化作為樹脂的最表面截面圖示于圖10中。將圖的上方作為最表面714來表示，將下方作為樹脂內(nèi)部715來表示。改性前的最表面710與圖9是共同的。在大氣中進行電暈放電處理，結(jié)果，在放電中產(chǎn)生氧自由基(O.),其不僅容易地切斷表面的碳-氫鍵，還容易地切斷碳-碳鍵。另外，用由放電所引起的能量照射，不僅容易地切斷表面的碳-氫鍵，還容易地切斷碳-碳鍵。因而，得到的表面如表面截面721這樣概念地表示。在改性表面生成碳原子數(shù)小于X的分子。例如像碳原子數(shù)Zl、碳原子數(shù)Z2、碳原子數(shù)Z3、碳原子數(shù)Z4、碳原子數(shù)Z5這樣，分解成碳原子數(shù)小于X的分子。另外，也有在放電的過程中小分子化而蒸發(fā)、氣化的情況。認(rèn)為具有這樣的小于X的分子量的改性表面容易蒸發(fā)、氣化，而且溶解于藥液中。作為含氧官能團，有以羥基為代表的基團，還有醚基(C-O-C)、羰基(CO)、羧基(COOH)、酯基(OC-OR)、過氧化物(OC-O-O)等，圖中為了簡化僅例示了其一部分。改性表面的主鏈的一部分中，結(jié)合有從含氧官能團中選擇的任一種或多個官能團。如上所述，在大氣中進行電暈放電處理的表面上，導(dǎo)入親水性的官能團的同時分子量也降低，因此在堿洗滌中發(fā)生改性表面的溶出，在石威洗滌前后，表面親水性發(fā)生變化。在表面改性過的池的堿洗滌前后的接觸角測定結(jié)果示于表2中。確認(rèn)了無論任何表面用酸洗滌或水洗都幾乎沒有接觸角的變化。記述的結(jié)果是距池底的距離為3mm的位置的接觸角。該位置是搭載于自動分析裝置時分析光實際上透過的區(qū)域，因此作為代表例表示。在本實施例中，在實施表面改性前的池表面，接觸角為90度，即使對其進行堿洗滌處理，接觸角也不變。另外，在表面改性后，非改性區(qū)域的接觸角為90度的狀態(tài)，即使對其進行堿洗滌處理，接觸角也不變。本實施例的在氮下進行電暈放電處理的表面，在改性后即刻的接觸角為約75度，用酸或水洗滌后的接觸角也為75度。另夕卜，(比較例l)的在大氣下進行電暈放電處理的表面，在改性后即刻的接觸角為59度，用酸或水洗滌后的接觸角也為59度。作為比較例，例示了在大氣中進行電暈放電處理的情況(比較例1)以及使用作為惰性氣體的氬氣來代替本實施例1的方法中使用的氮氣的情況(比較例2)。該結(jié)果，由(實施例1)制造的改性表面的接觸角，在堿洗滌前為75度，在堿洗滌后也為75度，并未因堿洗滌而變化。這顯示出，實施例l的改性表面在改性處理時，沒有引起分子量降低，保持著與改性前同等的分子量，同時親水性提高。另一方面，(比較例1)的在大氣中的電暈放電處理過的表面，在堿洗滌前接觸角為59度，但在堿洗滌后接觸角上升至78度。即，由于堿洗滌而產(chǎn)生親水性劣化。認(rèn)為這是因為，通過在大氣中的電暈放電處理，伴隨著樹脂表面的分子量的降低，同時導(dǎo)入親水性的官能團。另外，(比較例2)的在氬氣中改性的表面的接觸角，在堿洗滌前為59度，在堿洗滌后為68度，^接觸角由于4^洗滌而上升。即，由于4^洗滌而產(chǎn)生親水性劣化。這顯示出，通過在氬氣中的電暈放電處理使得樹脂表面的分子量降低，同時導(dǎo)入親水性的官能團，從堿洗滌液耐性的觀點出發(fā)，與在專利文獻5中敘述的惰性氣體(氬氣)為無效的結(jié)果是一致的。綜上，在堿洗滌前后接觸角沒有變化的，僅是以放電時的氛圍氣體為氮氣來用工序13的方法來改性的表面。表面組成的細(xì)節(jié)以表8以后的數(shù)據(jù)來說明。表24妻觸角測定結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>對在池中注入150pL水時有無氣泡附著進行調(diào)查的結(jié)果示于表3中。其結(jié)果，(實施例1)的情況，在石威處理前、堿處理后，附著有氣泡的池的數(shù)量為0。改性前的池在堿洗滌前后都產(chǎn)生氣泡附著，附著有氣泡的池的數(shù)量為，在30個測試中有2個池。另一方面，(比較例1)的將大氣作為氛圍氣來放電的情況，在堿處理前、堿處理后，氣泡附著都為0。(比較例2)的將氬氣作為氛圍氣來放電的情況，在堿處理前、堿處理后，氣泡附著都為0。因而，將上述3種池的任一種搭載于自動分析裝置，都不會產(chǎn)生氣泡附著，如果考慮到長時間的重復(fù)使用，優(yōu)選親水性在堿洗滌前后沒有變化。因而，認(rèn)為以氮氣為氛圍氣體進行放電處理的方法是很有前景的池的制造方法，因而，對該池的特性進行更詳細(xì)的調(diào)查。將(比較例1)和(比較例2)對比來進行說明。(比較例1)的池在堿洗滌后進行長時間加熱處理(75度，240小時)后，得到的池內(nèi)側(cè)表面的測光面對于水的接觸角為85度，該池也能抑制氣泡附著。因而，如果接觸角為85度以下，則具有充分的親水性，對氣泡附著具有充分的抑制能力。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>表4表示的是以氮氣作為氛圍氣體進行放電來表面改性后的池的接觸角在室溫下的經(jīng)日變化。這里，在堿洗滌前后比較結(jié)果。其結(jié)果，在經(jīng)過50天、100天、200天、300天后，是與初期值(經(jīng)過天數(shù)O天)相等的接觸角75度，并且，該值在堿洗滌后也沒有變化。因而，本發(fā)明的池表面的親水性在長期保存后，以及保存后進行堿洗滌也不會劣化。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>表4表示在室溫下的接觸角的經(jīng)日變化的結(jié)果，但為了加速親水性劣化，在75t下長時間加熱，將調(diào)查接觸角如何變化的結(jié)果示于表5中。其結(jié)果，在75t下加熱，即使經(jīng)過24小時、48小時、72小時、120小時、240小時、360小時，任何情況下接觸角都不變化，仍然為75度。另外，任何情況下也不產(chǎn)生氣泡附著。即，本發(fā)明的池表面的親水性在高溫下長時間保存后，以及在長時間保存后進行堿洗滌也不劣化。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>表6表示堿洗滌后在75。C下加熱后的接觸角。結(jié)果，堿洗滌后在75t:下加熱，即使經(jīng)過24小時、48小時、72小時、120小時、240小時、360小時，任何情況下接觸角也不變化，維持在75度。另外，任何情況下也不產(chǎn)生氣泡附著。即，本發(fā)明的池表面的親水性在堿洗滌后在高溫下保存也不劣化。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>果概括于表7中。由寬幅掃描的結(jié)果可知，表面上存在碳、氧、氮，因此顯示各自的相對存在比例。由材料的分子結(jié)構(gòu)可知存在結(jié)合于碳的氫，這里，比較氧和氮相對于碳的比。這里，作為基準(zhǔn)值，將碳原子的量設(shè)為1.00。就X射線光電分光裝置而言，使用英國VG公司制造的ESCALAB220i，X射線輸出為10kV、18mA。另外，寬幅掃描的分析能量范圍為1100eV，通能(PassEnergy)為100eV。窄幅掃描的分析能量范圍為20eV，通能為30eV。將由XPS求得的表面元素濃度(碳和氧和氮)的合計設(shè)為100.0原子％時，XPS分析的檢測下限一般認(rèn)為是1原子％的程度。在(實施例1)中，碳為92.9原子％，氧為6.1原子％，氮為1.0原子％。因而，求得氧/碳的原子數(shù)比=(6.1/92.9)=0.066，同樣地求得氮/碳的原子數(shù)=(1.0/92.9)=0.011。同樣地求得的其他的電暈處理條件的結(jié)果一并示于表7中。本發(fā)明的全部試樣的碳是表面元素濃度91原子％以上，XPS分析的檢測下限是上述的1原子％，因此可以換算出原子數(shù)比的檢測下限=(1.0/91.0)=0.01。因而，原子數(shù)比為0.01以下時，就是在檢測下限以下。比較(實施例1)、(比較例1)、(比較例2)這3個例子時，僅是(實施例1)的表面，氮相對于碳被導(dǎo)入0.01以上，并且氧以相對于^f灰的比計0.01以上#1導(dǎo)入。如表7所示，改性前和非改性區(qū)域中，碳元素以元素存在比計為1.00時，氧和氮為分析檢測下限以下。另一方面，(實施例1)的以氮為氛圍氣體進行電暈放電的改性表面中，以碳的存在比為1.00時，氧以0.066存在，氮以0.011存在，因此可以說樹脂表面被氧化和氮化。(比較例1)的在大氣中進行電暈放電處理后的樹脂表面上，以碳的存在比為1.00時，氧為0.086，氮為4企測下限以下，表面被氧化。氮量相對于碳為檢測下限以下，因此判斷出雖然大氣中存在約80%的氮，但在大氣中的電暈放電下幾乎不導(dǎo)入氮。另外，(比較例2)的氬放電處理的情況下，以碳的存在比為1.00時，氧為0.099，氮為4企測下限以下，樹脂表面通過表面改性被氧化。表7表面的元素存在比(以碳為1.00)<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>為了比較碳的鍵狀態(tài)，對各表面的Cls信號進行窄幅掃瞄，將得到的峰分離解析(重疊合法，deconvolution)為各鍵狀態(tài)。將對(實施例1)的改性處理表面進行Cls窄幅掃瞄的結(jié)果示于圖11中。將得到的窄幅掃瞄峰分離'解析(重疊合法)為^t狀態(tài)。用箭頭310劃分的范圍是檢測出C-C或C-H的鍵的范圍。同樣地，箭頭311的范圍是檢測出C-O(醚，醇)鍵或C-N鍵的范圍、箭頭312的范圍是檢測出C=0(羰基)鍵的范圍，箭頭313的范圍是檢測出0=C-0(羧基)鍵或OC-O-O(過氧化物)的范圍。如圖11所示，改性表面生成所有氧化物(C-0、C二0、OC-0、OC-0-0)和氮化物。將窄幅掃瞄峰分離.解析(重疊合法)為^4定狀態(tài)而求得的碳的鍵存在率概括于表8中。(實施例1)的表面的碳中存在92%的C-C鍵和C-H鍵，C-0鍵和C-N鍵的合計存在5%，OO鍵存在2%，0=C-0鍵和OC-0-0鍵存在1%。另一方面，將(比較例1)的在大氣中進行電暈放電處理的表面的Cls的窄幅掃瞄結(jié)果示于圖12中。將得到的窄幅掃瞄峰分離解析(重疊合法)為^4定狀態(tài)。用箭頭320劃分的范圍是檢測出C-C或C-H的鍵的范圍。同樣地，箭頭321的范圍是檢測出C-0(醚，醇)鍵的范圍、箭頭322的范圍是檢測出C-O(羰基)鍵的范圍，箭頭323的范圍是檢測出OOO(羧基)鍵或0=C-0-0(過氧化物)的范圍。如圖12所示，(比較例l)的表面生成所有氧化物(C-O、C=0、OC-O、OC-0-0)。將窄幅掃瞄峰分離.解析(重疊合法)為各鍵狀態(tài)而求得的碳的鍵存在率概括于表8中。結(jié)果，(比較例1)的表面存在91%的C-C鍵和C-H鍵、6%的C-0鍵，OO鍵存在2%,OC-0鍵和OC-0-0鍵存在l°/。。接著，將(比較例2)的氬氣作為氛圍氣進行電暈放電，將改性的表面的Cls的窄幅掃瞄結(jié)果示于圖13中。將得到的窄幅掃瞄峰分離解析(重疊合法)為各鍵狀態(tài)。用箭頭330劃分的范圍是檢測出C-C或C-H的鍵峰的范圍。同樣地，箭頭331的范圍是檢測出C-O(醚，醇)鍵的范圍、箭頭332的范圍是檢測出OO(羰基)4建的范圍，箭頭333的范圍是檢測出OC-0(羧基)鍵或0-C-0-0(過氧化物)的范圍。如圖13所示，(比較例2)的表面生成所有氧化物(C-O、c=o、OC-O、0=C-0-0)。將窄幅掃瞄峰分離.解析(重疊合法)為各鍵狀態(tài)而求得的碳的鍵存在率概括于表8中。結(jié)果，(比較例2)的表面存在91%的C-C鍵和C-H鍵、6。/。的C-0鍵，0=0鍵存在3%，OOO鍵和O-C-O-O鍵為檢測下限以下。如果作為參考示出，則改性前和非改性區(qū)域的池表面存在100%的c-c鍵和C-H鍵，其他的鍵為檢測下限以下(0%)。表8<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>前和非改性區(qū)域中，以元素存在比計將碳設(shè)為1.00時，氧和氮為分析;險測下限以下。另一方面，(實施例1)的將氮作為氛圍氣進行電暈放電的改性表面中，以碳的存在比為1.00時，氧存在0.066，氮存在0.011,等同于表7所示的結(jié)果。因而，本發(fā)明的表面即使進行堿洗滌表面的組成也不變。這與上述表2所示的接觸角在堿洗滌前后不變很好地對應(yīng)。另一方面，就(比較例1)的大氣中的電暈放電后的表面而言，將碳的存在比設(shè)為1.00時，氧為0.055，與表7所示的堿洗滌前0.086相比，氧減少。如表2所示，在(比較例l)的樹脂表面，堿洗滌后接觸角上升，即與親水性降低相對應(yīng)。即，就接觸角的結(jié)果和X射線光電分光光度法(XPS)的結(jié)果的任何一個而言，(比較例1)的樹脂表面是用堿洗滌而親水性降低的結(jié)果，堿洗滌液耐性弱。另外，(比較例2)的氬的情況下，將碳的存在比設(shè)為1.00時，氧為0.082,氮為檢測下限以下。如表2所示，(比較例2)的樹脂表面用堿洗滌后，接觸角上升，與親水性降低的結(jié)果對應(yīng)。因而，就接觸角的結(jié)果和X射線光電分光光度法(XPS)的結(jié)果的任何一個而言，(比較例2)的樹脂表面是用堿洗滌而親水性降低的結(jié)果，-喊洗滌液耐性弱。綜上，僅本實施例的表面在堿洗滌前后表面組成沒有變化。即，本發(fā)明的改性樹脂表面是相對于碳的氧存在比和相對于碳的氮存在比在堿洗滌前后沒有變化的穩(wěn)定的親水表面。表9堿洗滌后的元素存在比(以碳為1.00)放電時的氛圍氣體元素存在比碳氧氮(實施例1)氮氣1.000.0660.011(比較例1)大氣1.000.055;險測下限以下(比較例2)氬氣1.000.082檢測下限以下(參考)改性前1.00檢測下限以下檢測下限以下(參考)非改性部分1.00檢測下限以下-險測下限以下接著，為了比較^喊洗滌后的碳的鍵狀態(tài)，與上述同樣地，將由Cls的窄幅掃瞄結(jié)果求得的窄幅掃瞄峰分離解析(重疊合法)為各鍵狀態(tài)。將(實施例1)的表面進行堿洗滌后，由Cls的窄幅掃瞄所求得的碳的鍵存在率概括于表10。其結(jié)果，在(實施例1)的表面的碳中，存在92%的C-C鍵和C-H鍵，C-0鍵或C-N鍵存在5%,C=0鍵存在2%，OC-0鍵和OC-O-O鍵存在1%。即，實施例1的改性表面的元素組成完全未因堿洗滌而變化。這通過比較表8和表IO可知。另一方面，將(比較例1)的表面堿洗滌后，由CIS的窄幅掃瞄所求得的碳的鍵存在率概括于表10中。其結(jié)果，在(比較例1)的表面的碳中，存在93%的C-C鍵或C-H鍵，C-O鍵存在5%,C-O鍵存在1°/。，OC-O鍵和OC-O-O鍵存在1%。另外，將(比較例2)的表面堿洗滌后，由Cls的窄幅掃瞄所求得的碳的鍵存在率概括于表10中。其結(jié)果，在(比較例2)的表面的-發(fā)中，存在90%的C-C鍵或C-H鍵，C-0鍵存在7%，C=0鍵存在2%,O-C-O鍵和OC-0-0鍵存在1%。即，在(比較例1)和(比較例2)均是在堿洗滌后C-O、C=0的存在量降低，來自表面的溶出而產(chǎn)生表面元素組成變化。表10堿洗滌后的碳的鍵存在率(％)<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>接著，為了比較氮的鍵狀態(tài)，將由Nls信號的窄幅掃瞄結(jié)果所求得的Nls窄幅掃瞄峰分離.解析(重疊合法)為各鍵狀態(tài)。將(實施例1)的通過在氮氛圍下的電暈放電所改性的表面的Nls的窄幅掃瞄結(jié)果示于圖14中。將得到的Nls窄幅掃瞄峰分離.解析(重疊合法)為各鍵狀態(tài)。用箭頭340劃分的范圍是檢測出N-C鍵的范圍。同樣地，箭頭341的范圍是檢測出C-NH3+(離子)鍵或NO鍵的范圍，箭頭342的范圍是檢測出N02鍵或NCb鍵的范圍。將窄幅掃瞄峰分離.解析(重疊合法)為^4建狀態(tài)而求得的氮的各鍵狀態(tài)的存在率概括于表11中。就(實施例1)的表面的氮來說，存在54%的N-C鍵，存在16°/。的N-0或C-NH"鍵，存在30%的N02或NCM建。綜上，在氮氛圍下改性，曝露于大氣的(實施例1)的表面氮的鍵存在率的50。/。以上為N-C鍵，即氮-碳單鍵。氮原子具有3個鍵臂，因此能夠?qū)⑻荚颖舜私宦?lián)，可以形成C-N-C鍵。另一方面，NO、N02只有一個鍵臂，N03未殘留鍵臂，因此這些官能團都不能使碳彼此進行交聯(lián)。在(實施例l)的表面，N-C鍵的量多，存在多個分子交聯(lián)點，因此可抑制伴隨著改性的分子量降低。表11氮的鍵狀態(tài)存在率(％)放電時的氛圍氣體n-cc-nh3、non。2或N03(實施例1)氮氣541630將改性表面堿洗滌后，為了比較表面的氮的鍵狀態(tài)，將由Nls信號的窄幅掃瞄結(jié)果所求得的窄幅掃瞄峰分離.解析(重疊合'法)為各鍵狀態(tài)。用與上述同樣的方法，將所得到的窄幅掃瞄峰分離'解析(重疊合法)為各鍵狀態(tài)。將氮的鍵存在率概括于表12中。堿洗滌后，就(實施例1)的表面的氮而言，存在58%的N-C鍵，存在19%的N-O鍵或C-NH3+(離子)鍵，存在23%的N02鍵或NOs鍵。綜上，就在氮氛圍下進行電暈放電處理、曝露于大氣(實施例1)的表面而言，進行堿洗涂后，氮的鍵存在率的50。/。以上為N-C鍵，即，是氮-碳單鍵。通過比較表11和表12,可以確認(rèn)(實施例1)的表面通過堿洗滌，鍵存在率幾乎沒有變化。即，就(實施例1)的表面而言，氧量、氮量不因堿洗滌而減少，并且，碳的鍵狀態(tài)和氮的鍵狀態(tài)幾乎不因堿洗滌變而化。另外，(實施例1)的表面上，在氮鍵中，存在多個N-C鍵，碳原子彼此通過氮原子進行交聯(lián)，在高分子間充分地形成交聯(lián)點，可以完全地抑制由堿所引起的溶出。表12堿洗滌后的氮的鍵狀態(tài)存在率(％)放電時的氛圍氣體N陽C0麗3+或NON02或N03(實施例1)氮氣581923接著，用X射線光電分光光度法(XPS)確定的N-C鍵(氮-碳單鍵)中，區(qū)別出伯氮(C-NH2，氨基)和此外的仲氮(C-NH-C)以及叔氮(C-N(C)-C)。將碳原子和碳原子交聯(lián)的氮原子是仲氮和叔氮。因而，這兩者越多交聯(lián)度越高，可以更有效地抑制分子量的降低。即，即使通過放電引起的能量照射，暫時切斷碳-碳間鍵(C-C鍵)，由于氮交聯(lián)最終也不產(chǎn)生分子量的降低。因此，實施了用于區(qū)別N-C鍵中的伯氮和仲氮以及叔氮的解析。利用X射線光電分光光度法(XPS)進行分析之前，可以利用五氟苯甲醛(化學(xué)結(jié)構(gòu)式C6F5CHO)僅對伯氮(氨基)進行氣相化學(xué)修飾。通過利用它，試著將伯氮定量，從而對存在于表面的仲氮和叔氮進行定量?；瘜W(xué)反應(yīng)式如以下的式1所示。式1:RCH2-NH2+C6F5CHO—RCH2-N=CH-C6F5將該方法求得的伯氮的定量結(jié)果表示于表13中。由對標(biāo)準(zhǔn)樣品(二氨基二苯基醚)的化學(xué)修飾率確認(rèn)出式1的反應(yīng)率為100%。結(jié)果，就(實施例1)的氮而言，伯氮在氮總量中所占的比例在石威洗滌前為31%,在^威洗滌后34%，大致相等。如表11所示，在表面改性后，N-C鍵在氮中占54。/。，因此，由該結(jié)果可知，仲氮和叔氮的合計量是由54減去31，為23%。在堿洗滌后，同樣地，仲氮和叔氮的合計量是由58減去34,為24%。由以上結(jié)果求得的仲氮和叔氮的鍵狀態(tài)的和在總氮中所占的比例概括于表14中。由此可以確認(rèn)出，將氮作為放電時的氛圍氣體來使用(實施例1)的改性表面，含有很多有助于分子間交聯(lián)的氮，可以抑制由放電引起的分子量降低。綜上，在(實施例1)的表面，氮使碳彼此即高分子彼此進行交聯(lián)，抑制由放電所引起的分子量的降低，并且，氧和氮有助于表面的親水性提高。另一方面，(比較例l)所示的大氣下的電暈》文電處理以及(比較例2)所示的氬氣下的電暈^:電處理中，不存在像(實施例1)中那樣的抑制分子量降低的效果。表13<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>表14<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>本實施例的由電暈放電處理來進行表面改性的池的藥液耐性的評Y介結(jié)果概括如下。首先，對》威洗滌液耐性進行說明。確認(rèn)出即使用pH7至14范圍內(nèi)的任一種堿洗滌液對本實施例的表面改性池進行洗滌，池的親水性也沒有變化。例如，作為石成可以包含由氪氧化鈉、氬氧化鉀等例示的一種或多種物質(zhì)。另外，該石咸溶液中也可以包含表面活性劑。接著，對酸洗滌耐性進行說明。關(guān)于酸洗滌液，確認(rèn)出用pH為l以上且小于7的任一種酸洗滌液進行處理，表面親水性也沒有變化。例如，所述酸可以包含由鹽酸、硝酸、硫酸、有機酸、檸檬酸等例示的l種或多種物質(zhì)。另夕卜，確認(rèn)出該酸可以包含表面活性劑。確認(rèn)出(實施例1)和(比較例1)和(比較例2)的池，作為自動分析裝置用反應(yīng)池，不產(chǎn)生氣泡附著，具有攪拌穩(wěn)定性和透明性，并且，可以防止池間的樣品.試劑的相互污染。另外，圖3所示的電暈放電處理對于其他形狀的池組也是可能的。這里，比較測光面的大小和親水區(qū)域的大小。如圖15所示，將以往的池的測光面45的面積設(shè)為Sp將小型化的池的測光面46的面積設(shè)為S2的情況下，S2小于S,。池的測光面的面積可以小至測光區(qū)域47的面積S3。因而，伴隨著池的小型化，面積S3與S2幾乎相等的情況下，通過不僅對測光面而且對非測光面和底面進行親水化，從而使得光透過測光區(qū)域47來檢測溶液時，氣泡完全不附著于光透過的區(qū)域，可以實施穩(wěn)定的測定。在本實施例中，例示了以聚環(huán)烯烴樹脂為素材的池的表面改性例子，但用于素材的樹脂可以根據(jù)用途適當(dāng)使用。另外，只要素材是透明樹脂，就可以作為具有本發(fā)明的改性表面的分光測光用池來使用。在實施例15中，例示了制作對測光面和底面進行電暈放電處理的池的例子。測光面中，測定分光波譜時，只要在光透過的區(qū)域(測光部)不附著氣泡，則可以消除檢測障礙。以上，實施例1例示了高分子樹脂制的池的改性例子，但本發(fā)明的改性工序不限于池形狀，也可利用于各種形狀的高分子樹脂的表面改性。實施例2樹脂制池的部分表面改性(2):中空管電極的利用實施例2中例示了與實施例1同樣地對反應(yīng)池進行表面改性的例子。實施例1中例示了利用室，使氮濃度高于大氣來進行電暈放電處理的例子。本實施例2中，不需要在實施例1中所必要的室，通過圖16來說明利用中空型電極來進行表面改性的例子。除此以外的處理條件與實施例l相同。不需要圖4中的室210和多個導(dǎo)入口以及氣體導(dǎo)入口。電極與實施例1不同，例示了使用中空型電極的例子。將從圖4的視點219來看的模式圖示于圖16。相對電極的結(jié)構(gòu)與圖6相同。作為棒狀電極，使用了中空型電極80。電極為中空狀，具備氣體的流路802,電極直徑具備細(xì)的部分805和粗的部分804。從氣體導(dǎo)入口801以箭頭803所示的方向以每分鐘5L流入超高純度氮氣(純度99.99995%)，從排出口806排出氮氣。結(jié)果，可以在將池的想表面改性的部分的氮濃度維持較高狀態(tài)下進行電暈放電處理。通過使用該中空型電極，可以省去制作室的工夫，在成本方面、處理空間方面是有效的?？梢约仁褂脤嵤├齦這樣的室，同時也使用該中空型電極。表面改性用實施例1所示的工序1~工序3的方法來實施。與實施例1同樣地評價改性后的表面，結(jié)果，確認(rèn)出與實施l同樣的表面組成和接觸角。在實施例2中得到的表面是與實施例1同樣的表面特性，耐藥液性高，不產(chǎn)生由保存所引起的親水性的經(jīng)時劣化，可以作為生物化學(xué)自動分析裝置用反應(yīng)池使用。也可以通過使用實施例1所示的室，提高氛圍的氮濃度的同時用與箭頭相反的流動來抽吸氮的方法，來進行表面改性。另外，使用中空型電極，一邊抽吸大氣一邊進行電暈放電處理時，也可以一邊迅速地除去產(chǎn)生的臭氧一邊進行電暈放電處理，但從臭氧的生成速度來考慮，難以完全除去臭氧。另外，通過取消與實施例1同樣地配置于底面的相對電極，也可以不〗吏底面親水化。實施例3樹脂制池的部分表面改性(3):掩模的利用通過與實施例1同樣地利用室的電暈放電處理，對池內(nèi)側(cè)表面進行部分親水化。電極使用圓柱狀的棒狀電極90。將從圖4的視點219觀察的模式圖的一個例子示于圖17中。在本實施例中使用的電極直徑的插入池93的部分是直的。插入池的部分的電極直徑可以有大的部分和小的部分。配置測光面的相對36電極94和底面用電極95，與圖6的例子同樣地進行適當(dāng)?shù)碾姌O配置、適當(dāng)?shù)牟迦胛恢?、適當(dāng)?shù)碾姌O間距離。進一步，對于在池內(nèi)側(cè)表面不希望進行處理的區(qū)域，配置用與池相同的素材的樹脂制成的掩模91，使得電暈放電所產(chǎn)生的等離子體不超過池表面的所希望的處理區(qū)域。另外，在與不希望表面改性的池的區(qū)域相對的棒狀電極表面也配置掩模92。其結(jié)果，可以限定放電處理的區(qū)域，池表面的閉口部側(cè)為親水性，開口部側(cè)為疏水性，在親水性上有明確差別。另外，不僅是上述掩;f莫的位置，對于不想實施電暈放電處理的部分也可用與池相同素材的掩模預(yù)先覆蓋，然后，進行電暈放電處理，來進行部分限定的處理。關(guān)于底面也是一樣，在不希望親水化的區(qū)域配置掩模，不對其進行親水化處理。表面改性用實施例1所示的工序1工序3的方法來實施。與實施例1同樣地評價改性的表面，結(jié)果，確認(rèn)出與實施例1同樣的表面組成和接觸角。由實施例3所得的表面顯示出與實施例1同樣的表面特性，耐藥液性高，不產(chǎn)生因保存所導(dǎo)致的親水性的經(jīng)時劣化，可以作為生物化學(xué)自動分析裝置用反應(yīng)池來使用。在本實施例中，例示了利用室的例子，但也可以一邊使用中空型電極來流入氮氣，一邊對電極、池所希望的位置施加掩模來進行電暈放電處理?？梢愿鶕?jù)需要，組合電極、室，來使用以上的實施例1~3中說明的方法。實施例4自動分析裝置的實施例18是表示本發(fā)明的自動分析裝置的構(gòu)成例子的圖，接著，說明其基本動作。l是樣品收納部，該機構(gòu)1中配置著一個以上的樣品容器25。這里，樣品盤機構(gòu)是搭載于盤狀的機構(gòu)部的樣品收納部機構(gòu)，以該機構(gòu)為例子進行說明，但作為樣品收納部機構(gòu)的其他方式，也可以是在自動分析裝置中通常使用的樣品架或樣品夾持器狀的形態(tài)。另外，這里所說的樣品，是指用于在反應(yīng)容器中反應(yīng)的被檢查溶液，也可以是采集的檢體原液，另外，也可以是對其進行了稀釋或預(yù)處理等加工處理的溶液。樣品容器25內(nèi)的樣品通過樣品供給用分注機構(gòu)2的樣品嘴27來抽提，注入規(guī)定的池。5是試劑盤機構(gòu)，該機構(gòu)5具備多個試劑容器6。另外，機構(gòu)5配置試劑供給用分注機構(gòu)7，試劑通過該機構(gòu)7的試劑嘴28被吸取，注入規(guī)定的池。IO是分光光度計，26是帶集光過濾器的光源，分光光度計10和帶集光過濾器的光源26之間，配置著收容測定對象的反應(yīng)盤3。在該反應(yīng)盤3的外周上，例如，設(shè)置著120個在內(nèi)側(cè)表面具有親水性部分和疏水性部分的池4。該親水性部分限定于池的閉口部側(cè)，具有充分地包含測光區(qū)域的面積。另一方面，疏水性部分在池的開口部側(cè)，防止由溶液的毛細(xì)管現(xiàn)象所引起的向上浸潤。另外，反應(yīng)盤3的整體通過恒溫槽9被保持在規(guī)定的溫度。ll是池洗滌機構(gòu)，由洗滌劑容器13供給洗滌劑。19是電腦，23是接口，18是Log轉(zhuǎn)換器和A/D轉(zhuǎn)換器，17是試劑用吸移管管理器，16是洗潦水泵，15是樣品吸移管管理器。另外，20是打印機，21是CRT,22是作為存儲裝置的軟盤或硬盤，24是操作面板。樣品盤機構(gòu)通過驅(qū)動部30，試劑盤才幾構(gòu)通過驅(qū)動部31,反應(yīng)盤通過驅(qū)動部32，分別經(jīng)由才妻口被_控制和驅(qū)動。另外，自動分析裝置的各部經(jīng)由接口通過電腦被控制。在上述構(gòu)成中，操作者使用操作面板24輸入分析所需的信息。操作者輸入的分析所需的信息被存儲于電腦19內(nèi)的存儲器。被;改入樣品容器25,設(shè)置于樣品收納部1的規(guī)定的位置的測定對象樣品，根據(jù)在微機19的存儲器中存儲的分析所需的信息，通過樣品吸移管管理器15和樣品供給用分注機構(gòu)2的樣品嘴27,以規(guī)定量分注于池中。樣品嘴27進行水洗滌。通過試劑供給用分注機構(gòu)7的試劑嘴28,向該池分注規(guī)定量的試劑。試劑嘴28進行水洗滌后，分注用于下一個池的試劑。樣品和試劑的混合液，通過攪拌機構(gòu)8的攪拌棒29和超聲波元件進行攪拌。攪拌機構(gòu)8依次攪拌下一個池的混合液。如果使用包含親水性部分和疏水性部分的池，則由攪拌巻起的氣泡不吸附于池內(nèi)側(cè)表面的測光區(qū)域，因此不會對分析數(shù)據(jù)造成影響。池4通過恒溫槽9保持在一定溫度，兼做反應(yīng)容器和測光容器。反應(yīng)的過程是從帶有集光過濾器的光源26供給光，每過一定時間利用分光光度計10對池的親水性部分進行測光，使用設(shè)定好的1個或1個以上的波長，來測定混合液的吸光度。測定時，通過使用帶有集光的光源，從而可以選擇性地使光僅透過池的親水性部分。圖19是自動分析裝置的分光光度計周邊圖。例示了使用集光透鏡作為集光過濾器的例子。由光源39射出的光沿著箭頭38的路線方向前進，通過集光透鏡34集光，透過池的測光區(qū)域36,由分光光度計IO進行分光測光。此時，由光源射出的光的寬幅33為Lp用集光透鏡集光，作為光的寬幅35，轉(zhuǎn)換成L2，L2<L,。這樣，可以使測光區(qū)域36的大小S,小于親水性區(qū)域37的大小S2。通過使用集光透鏡使S,<S2,從而可以在不產(chǎn)生氣泡附著的情況下來進行測光。另外，作為集光過濾器，圖20例示了使用狹縫48來代替上述集光透鏡34的例子。將狹縫窗49的大小設(shè)為S3，與前述的親水性區(qū)域的大小S2進行比較，通過使S3〈S2，從而可以在不產(chǎn)生氣泡附著的情況下來進行測光。由于池的親水性部分不產(chǎn)生氣泡附著，因此，吸光測定的偏差少，精度高。同樣地在池的內(nèi)側(cè)表面具有親水性部分，因此在池的測光面和底面上并不吸附作為檢測障礙的氣泡，因此可以在靠近底面處設(shè)定使光透過池的區(qū)域。因而，可以大幅減少加入池的樣品和試劑的量，從用戶的運行成本的降低來說是有用的。通過使用本發(fā)明的池，可將組合有試劑和樣品溶液的反應(yīng)溶液量降^^至以往的1/2或其以下來進行自動分析。測定的吸光度經(jīng)由Log轉(zhuǎn)換器和A/D轉(zhuǎn)換器18、接口23被輸進電腦19。輸進的吸光度換算成濃度值，濃度值保存于軟盤或硬盤22或由打印機20打印。另外，也可以在CRT21上顯示檢查數(shù)據(jù)。測定結(jié)束后的池4通過反應(yīng)容器洗滌機構(gòu)(噴嘴臂)11進行水洗滌。洗滌結(jié)束后的池通過吸取嘴12吸取水之后，在接下來的分析中依次使用。洗滌液以水為首，可以使用堿、酸、表面活性劑以及它們的混合物。本發(fā)明的池的改性部分對-喊或酸的耐久性高，洗滌后親水性也不劣化，適合于長期使用。另外，此時，光學(xué)特性不劣化。另外，即使長時間不使用池而將其放置，本發(fā)明的池的親水性也不劣化，并且，光學(xué)特性不劣化，因此可以搭栽于自動分析裝置長期地使用。這樣，搭載內(nèi)側(cè)表面具有親水性部分和疏水性部分的池4進行自動分析的結(jié)果，沒有因毛細(xì)管現(xiàn)象使檢查液上升至池的開口部的現(xiàn)象。即，不產(chǎn)生與相鄰的池的試劑相互混合的相互污染或遺留。另外，由于沒有氣泡吸附，因此測定誤差減少。另一方面，從底至開口部對池的內(nèi)側(cè)表面進行親水化時，產(chǎn)生相互污染和遺留。在本實施例中例示的例子中，使用對從測光面內(nèi)側(cè)表面的底面至所希望的.39高度的區(qū)域進行部分親水化的池，在使反應(yīng)溶液量極小化的情況下，進行自動分析，但本發(fā)明不限于上述親水化的區(qū)域的大小和反應(yīng)溶液量。另外，只要是測光區(qū)域的內(nèi)側(cè)表面的親水性高的池，則沒有氣泡附著，并且，不產(chǎn)生相互污染和交叉污染，能實施穩(wěn)定的自動分析。權(quán)利要求1.一種分光測光用樹脂制池，其特征在于，該池的表面的至少一部分的區(qū)域由具有含氧官能團和、含仲氮官能團或含叔氮官能團的高分子鏈構(gòu)成。2.—種分光測光用初t脂制池，其特征在于，該池的表面的至少一部分的區(qū)域由具有含氧官能團且交聯(lián)了的高分子鏈構(gòu)成。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述高分子鏈通過含有仲氮或，僅氮的交聯(lián)基團來交聯(lián)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，在由所述高分子鏈所構(gòu)成的區(qū)域中，通過X射線光電分光光度法(XPS)測定所求得的氧/碳的原子數(shù)比和氮/碳的原子數(shù)比這兩個值都是0.01以上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，由所述高分子鏈構(gòu)成的區(qū)域包括所述池的內(nèi)側(cè)表面的分析光透過區(qū)域，并且，在該分析光透過區(qū)域中，通過X射線光電分光光度法(XPS)的測定所求得的氧M灰的原子數(shù)比和氮/碳的原子數(shù)比這兩個值，各自是比所述池的表面的分析光不透過區(qū)域的值大0.01以上的值。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述含氧官能團包括從由羥基、醚基、羰基、羧基以及酯基組成的組中選擇的至少一種。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述高分子鏈進一步具有含伯氮官能團。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述池的母材是聚環(huán)烯烴。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，由所述高分子鏈構(gòu)成的區(qū)域相對于水的接觸角為85度以下。10.—種分光測光用樹脂制池，其特征在于，其為具備底壁和從該底壁的周邊向上方豎立設(shè)置的側(cè)壁，且上端有開口的分光測光用樹脂制池，并且，該側(cè)壁的相對的至少一對內(nèi)側(cè)表面的從底壁側(cè)端至上端側(cè)的途中的區(qū)域和該底壁的內(nèi)側(cè)表面由具有含氧官能團和、含仲氮官能團或含叔氮官能團的高分子鏈構(gòu)成。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，其是在利用自動分光測光裝置的測定中所使用的池。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，在由所述高分子鏈所構(gòu)成的區(qū)域中，通過X射線光電分光光度法(XPS)測定所求得的氧/碳的原子數(shù)比和氮/碳的原子數(shù)比這兩個值都是0.01以上。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述高分子鏈中的含氧官能團包括從由羥基、醚基、羰基、羧基以及酯基組成的組中選擇的至少一種。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，由所述高分子鏈構(gòu)成的側(cè)壁內(nèi)側(cè)表面的區(qū)域是分析光透過區(qū)域，并且，在該分析光透過區(qū)域中，通過X射線光電分光光度法(XPS)的測定所求得的氧/碳的原子數(shù)比和氮/碳的原子數(shù)比這兩個值，各自是比所述側(cè)壁的表面的分析光不透過區(qū)域的值大0.01以上的值。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，由所述高分子鏈構(gòu)成的區(qū)域相對于水的接觸角為85度以下。16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的分光測光用樹脂制池，其特征在于，所述池的母材是聚環(huán)烯烴。17.—種多聯(lián)分光測光用樹脂制池，其特征在于，多個權(quán)利要求1016中的任一項所述的分光測光用樹脂制池被連接。18.—種分光測光用樹脂制池的制造方法，其為表面的至少一部分的區(qū)域被改性的分光測光用樹脂制池的制造方法，其具備1)分別在分光測光用樹脂制池的內(nèi)部配置陽極，在外部配置陰極，使得該陽極和該陰極相對的工序；2)用氮氣置換所述池的內(nèi)部，使所述陽極和所述陰極之間產(chǎn)生電暈放電的工序；3)所述電暈放電結(jié)束后，對所述池的內(nèi)部供給含氧氣體，將所述池的內(nèi)部暴露于含氧氣體的氛圍的工序。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述池是具備底壁和從該底壁的周邊向上方豎立設(shè)置的側(cè)壁，且上端有開口的分光測光用樹脂制池，并且，所述工序(1)是如下工序從該開口向該池的內(nèi)部的位置插入所述陽極進行配置，同時，在介由該側(cè)壁的相對的至少一對的部分中的從底壁側(cè)端至上端側(cè)的途中的部分以及該底壁而與所述陽極相對的、所述池的外部的位置上配置所述陰極。全文摘要本發(fā)明提供一種抑制伴隨著放電處理的樹脂的低分子量化的同時，還具有穩(wěn)定的親水性的改性表面的分光測光用樹脂制池。其解決手段為，在相對的兩個電極間配置高分子樹脂制池，在大氣壓附近的壓力氛圍下，在氮氛圍下，對所述相對電極間施加電場，產(chǎn)生放電后，曝露在含氧的氣體中進行放電處理的部分，從而對所述樹脂制池進行親水化處理。文檔編號G01N33/50GK101598664SQ20091014655公開日2009年12月9日申請日期2009年6月3日優(yōu)先權(quán)日2008年6月5日發(fā)明者井上隆史,石澤宏明,谷口伸一,高橋志宗申請人:株式會社日立高新技術(shù)