專利名稱：：針跡檢查裝置、探測(cè)裝置、和針跡檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及對(duì)例如使用探針檢査之后的基板自動(dòng)檢測(cè)電極墊的基底層的露出的有無等露出狀況的針跡檢査裝置、和針跡檢査方法，以及具備針跡檢查裝置的探測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)有技術(shù)中，作為測(cè)定在半導(dǎo)體的基板上形成的IC芯片的電特性的裝置，使用探測(cè)裝置。探測(cè)裝置包括載置基板并能夠在三維方向上自由移動(dòng)的工作臺(tái)和探測(cè)卡，進(jìn)行所謂的探測(cè)器測(cè)試，即，使探測(cè)卡的探針與電極墊接觸，其中，該電極墊與基板上的配線圖案連接，從而進(jìn)行芯片的電氣測(cè)定。作為探測(cè)器一般使用探針，為了削去電極墊的表面的自然氧化膜而施加過驅(qū)動(dòng)(從探針與電極墊接觸開始，進(jìn)一步使電極墊上升)。而且，在探針為橫針的情況下，因?yàn)樵谑┘舆^驅(qū)動(dòng)時(shí)探針橫向滑動(dòng)，所以形成縱長的針跡，在探針為垂直針的情況下，為了確?？煽康慕佑|，也有使基板工作臺(tái)橫向移動(dòng)，形成縱長的針跡的情況。從而，在探測(cè)器測(cè)試之后檢測(cè)電極墊的針跡，掌握在電極墊上是否存在針跡，在沒有針跡的情況下判斷為測(cè)定不良。而且，因?yàn)樵谔结槺阮A(yù)定的程度更深地刺入電極墊而使電極墊的基底層露出的情況下，器件的可靠性下降，所以對(duì)于這些電極墊也需要作為不合格品進(jìn)行處理，此外，如果產(chǎn)生這樣的深挖，則基底層的切削殘?jiān)鼤?huì)附著在探針上，成為污染的主要原因。從而在針跡的檢測(cè)中，需要迅速地檢測(cè)露出的有無。在基板從探測(cè)裝置被搬出之后，操作者對(duì)該基板使用金屬顯微鏡等進(jìn)行上述電極墊的針跡檢查。但是從一塊基板能夠制造多個(gè)例如1000個(gè)芯片，在一個(gè)芯片中形成多個(gè)例如IO個(gè)電極墊，因此，進(jìn)行針跡檢查的電極墊的數(shù)量非常龐大。因此，在現(xiàn)有的針跡檢査作業(yè)中檢査需要非常長的時(shí)間，而且也需要準(zhǔn)備金屬顯微鏡。對(duì)于這樣的問題，存在通過CCD照相機(jī)等對(duì)晶片W進(jìn)行攝像，通過控制部分析該攝像數(shù)據(jù)從而進(jìn)行針跡檢査的針跡檢査裝置。例如，在專利文獻(xiàn)1中記載了一種探測(cè)器，其以照相機(jī)對(duì)在晶片上形成的芯片進(jìn)行攝像并二值化，比較形成的針跡的形狀和其它針跡的形狀，從而能夠調(diào)整接觸位置，使得總是為適當(dāng)?shù)倪^驅(qū)動(dòng)量。此外，在專利文獻(xiàn)2中記載了一種晶片探測(cè)器，其通過CCD照相機(jī)對(duì)形成在電極墊上的探測(cè)后的針跡進(jìn)行攝像，比較針跡的長軸方向的長度與預(yù)先規(guī)定的長軸的標(biāo)準(zhǔn)值，從而調(diào)整過驅(qū)動(dòng)量。此外，在專利文獻(xiàn)3中記載了一種針跡檢測(cè)方法，其預(yù)先取得測(cè)定針為非接觸的狀態(tài)時(shí)的墊表面的圖像數(shù)據(jù)，再取得測(cè)定針接觸后的墊表面的圖像數(shù)據(jù)，比較兩圖像，從而除去針跡以外的墊的污跡等，并判定針跡的位置。此外，在專利文獻(xiàn)4中記載了一種針跡讀取裝置，其在對(duì)墊進(jìn)行攝像，檢測(cè)墊上的針跡時(shí)，特定墊上的某個(gè)區(qū)域，確認(rèn)在該區(qū)域內(nèi)是否檢測(cè)到針跡，在確認(rèn)有針跡的情況下，判斷探測(cè)器測(cè)試良好，在此外的情況下判定探測(cè)器測(cè)試不良，使探測(cè)器測(cè)試的結(jié)果判定高速化。但是，在上述各裝置中，因?yàn)槭褂煤诎渍障鄼C(jī)作為照相機(jī)構(gòu)，所以例如圖17所示，當(dāng)對(duì)基板進(jìn)行攝像時(shí)，電極墊100的數(shù)據(jù)作為黑白圖像被取得。此時(shí)在電極墊100的中央形成有橢圓形的針跡110，在其中央部，因?yàn)樘结槾唐齐姌O墊100而使基底的銅露出，形成露出區(qū)域111，此外，因?yàn)樘结槒囊粋€(gè)方向傾斜刺入，所以形成在針跡110的一端側(cè)弧狀堆積的電極墊100的切削屑，形成其陰影部112。然后，在將該圖像二值化并進(jìn)行判定的情況下，灰度級(jí)(graylevel)高的露出區(qū)域111和切削屑的陰影部112，以及針跡110的邊緣部110a的陰影部變黑，其它的區(qū)域變白。因此，在利用現(xiàn)有的各裝置判定露出區(qū)域111的情況下，如圖18所示，從圖18(a)的黑白圖像獲得圖18(b)所示的二值化圖像，不能夠判別切削屑的陰影部112和露出區(qū)域lll。因此，會(huì)產(chǎn)生下述問題將露出區(qū)域lll錯(cuò)誤識(shí)別為切削屑的陰影部112，將形成有露出區(qū)域111的芯片判定為合格品；或者相反地將切削屑的陰影部112錯(cuò)誤識(shí)別為露出區(qū)域111，判定是合格品的芯片為不合格品，從而難以通過控制部判別在電極墊100上是否形成有露出區(qū)域111。切削屑形成在探測(cè)器測(cè)試之后，因此，即使應(yīng)用專利文獻(xiàn)3的針跡檢測(cè)方法也無法除去，在其它的文獻(xiàn)中也沒有記載進(jìn)行切削屑和針跡的判別的內(nèi)容，從而，在現(xiàn)有的各裝置中，難以通過控制部判別在墊100上是否形成有露出區(qū)域111。專利文獻(xiàn)1:日本特開平05—36765號(hào)公報(bào)(段落號(hào)碼0026、0028)專利文獻(xiàn)2:日本特開平07—29946號(hào)公報(bào)(段落號(hào)碼0006、0008)專利文獻(xiàn)3:日本特開2002—318263號(hào)公報(bào)(段落號(hào)碼0020、0021)專利文獻(xiàn)4:日本特開2005—45194號(hào)公報(bào)(段落號(hào)碼01040106)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述情況而完成的，其目的是提供一種針跡檢查裝置、具有該裝置的探測(cè)裝置、和針跡檢査方法，其能夠?qū)κ褂锰结樳M(jìn)行檢查之后的基板自動(dòng)且高精度地檢測(cè)電極墊的基底層的露出的有無等露出狀況。本發(fā)明提供一種針跡檢査裝置，其在使探針與被檢査基板上的電極墊接觸而進(jìn)行電測(cè)量之后，對(duì)形成在上述電極墊上的針跡進(jìn)行攝像，檢查電極墊的基底層的露出的有無，該針跡檢査裝置的特征在于，包括對(duì)電極墊進(jìn)行攝像的攝像機(jī)構(gòu)；從通過該攝像機(jī)構(gòu)得到的圖像數(shù)據(jù)抽出針跡區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)的機(jī)構(gòu)；針對(duì)通過該機(jī)構(gòu)得到的針跡區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)，取得使在針跡區(qū)域的寬度方向的中央位置在該針跡區(qū)域的長度方向上延伸的線上的像素的位置與像素的灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的灰度級(jí)圖案的機(jī)構(gòu)；和基于通過該機(jī)構(gòu)得到的灰度級(jí)圖案、和根據(jù)基底層從針跡露出時(shí)的上述灰度級(jí)圖案決定的基準(zhǔn)圖案，判定基底層是否露出的判定機(jī)構(gòu)。此外，具備對(duì)上述灰度級(jí)圖案進(jìn)行用于使峰值平滑的濾波處理的機(jī)構(gòu)。而且，還具備，利用與上述灰度級(jí)圖案對(duì)應(yīng)的閾值或者預(yù)先決定的閾值對(duì)該灰度級(jí)圖案進(jìn)行二值化，制作由灰度級(jí)比閾值低的低等級(jí)區(qū)域和灰度級(jí)比閾值高的高等級(jí)區(qū)域構(gòu)成的二值化圖案的機(jī)構(gòu)，上述判定機(jī)構(gòu)以按照"低等級(jí)區(qū)域"、"高等級(jí)區(qū)域"、"低等級(jí)區(qū)域"的順序排列的圖案為基準(zhǔn)圖案，在灰度級(jí)圖案包括該基準(zhǔn)圖案時(shí)判定基底層露出。此外，還包括將邏輯"1"和邏輯"0"中的一方分配給上述二值化圖案中的各低等級(jí)區(qū)域整體，將邏輯"1"和邏輯"0"中的另一方分配給各高等級(jí)區(qū)域整體，將上述二值化圖案變換為由邏輯"l"和邏輯"O"的組合構(gòu)成的邏輯圖案的機(jī)構(gòu)，上述基準(zhǔn)圖案是由邏輯"l"和邏輯"0"的組合構(gòu)成的邏輯圖案，上述判定機(jī)構(gòu)比較兩者的邏輯圖案，判定基底層是否露出。此外，與上述灰度級(jí)圖案對(duì)應(yīng)的閾值優(yōu)選是該灰度級(jí)圖案的灰度級(jí)的平均值。此外，在上述灰度級(jí)圖案中存在二個(gè)位置的灰度級(jí)比預(yù)先設(shè)定的閾值低的低等級(jí)區(qū)域的情況下，在靠近切削開始位置的低等級(jí)區(qū)域的長度為預(yù)先設(shè)定的長度以下時(shí)，作為高等級(jí)區(qū)域處理。于是，本發(fā)明的探測(cè)裝置包括探測(cè)卡，其將基板載置在載置臺(tái)上，使探測(cè)卡的探針與基板上的芯片的電極墊接觸，進(jìn)行芯片的電測(cè)量，該探測(cè)裝置的特征在于具備上述各針跡檢査裝置。本發(fā)明的針跡檢査方法，在使探針與被檢查基板上的電極墊接觸進(jìn)行電測(cè)量之后，對(duì)形成在上述電極墊上的針跡進(jìn)行攝像，檢査電極墊的基底層的露出的有無，該針跡檢査方法的特征在于，包括通過攝像機(jī)構(gòu)對(duì)電極墊進(jìn)行攝像的工序；從通過該攝像機(jī)構(gòu)得到的圖像數(shù)據(jù)抽出針跡區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)的工序；針對(duì)得到的針跡區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)，取得使在針跡區(qū)域的寬度方向的中央位置在該針跡區(qū)域的長度方向上延伸的線上的像素的位置和像素的灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的灰度級(jí)圖案的工序；和基于得到的灰度級(jí)圖案、和根據(jù)基底層從針跡露出時(shí)的上述灰度級(jí)圖案決定的基準(zhǔn)圖案，判定基底層是否露出的工序。本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有在針跡檢查裝置中使用的計(jì)算機(jī)程序，該針跡檢査裝置在使探針與被檢査基板上的電極墊接觸而進(jìn)行電測(cè)量之后，對(duì)形成在上述電極墊上的針跡進(jìn)行攝像，檢查電極墊的基底層的露出的有無，該存儲(chǔ)介質(zhì)的特征在于上述計(jì)算機(jī)程序以執(zhí)行上述各針跡檢査方法的方式構(gòu)成步驟組。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，在進(jìn)行針跡檢測(cè)時(shí)，對(duì)墊及其周邊區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行攝像，取得針跡的位置和針跡區(qū)域，并且取得該針跡區(qū)域的長度方向的中心線，取得使中心線上的像素的位置與像素的灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的灰度圖案。然后，基于灰度圖案、和根據(jù)基底層從針跡露出時(shí)的上述灰度圖案決定的基準(zhǔn)圖案，利用判定機(jī)構(gòu)判定基底層是否露出。由此，在本發(fā)明中，能夠自動(dòng)、快速且高精度地可靠地檢測(cè)出由墊的深挖引起的基底層6的露出，能夠大幅減少操作者的負(fù)擔(dān)。此外，因?yàn)槟軌蛟谔綔y(cè)裝置內(nèi)進(jìn)行針跡的檢查，所以不需要由操作者將基板搬送至金屬顯微鏡的作業(yè)區(qū)域就能夠完成檢查工作，而且，能夠迅速地掌握探針的異常、過驅(qū)動(dòng)的異常等的情況。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式的探測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖2是本實(shí)施方式的晶片W的平面圖。圖3是本實(shí)施方式的晶片W的概要截面圖。圖4是說明本實(shí)施方式的針跡檢查裝置的檢測(cè)順序的流程圖。圖5是說明本實(shí)施方式的電極墊的針跡檢測(cè)的說明圖。圖6是本實(shí)施方式的電極墊的灰度階(grayscale)圖像。圖7是對(duì)露出區(qū)域的有無的判定進(jìn)行說明的第一說明圖。圖8是對(duì)露出區(qū)域的有無的判定進(jìn)行說明的第二說明圖。圖9是對(duì)露出區(qū)域的有無的判定進(jìn)行說明的第三說明圖。圖IO是對(duì)露出區(qū)域的有無的判定進(jìn)行說明的第四說明圖。圖11是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的探測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖12是說明第二實(shí)施方式的針跡檢查裝置的檢測(cè)順序的流程圖。圖13是第二實(shí)施方式的針跡檢查方法的第一說明圖。圖14是第二實(shí)施方式的針跡檢查方法的第二說明圖。圖15是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)驗(yàn)的說明圖。圖16是用于說明本發(fā)明的第一實(shí)驗(yàn)的結(jié)果的說明圖。圖17是用于說明現(xiàn)有的針跡檢査裝置中的問題的第一說明圖。圖18是用于說明現(xiàn)有的針跡檢査裝置中的問題的第二說明圖。符號(hào)說明1芯片2電極墊4控制部6基底層10針跡11露出區(qū)域12切削屑的陰影部13針跡區(qū)域14、14a、14b、14c、14d圖案(圖案數(shù)據(jù))15、15a二值化圖案(二值化圖案數(shù)據(jù))20晶片工作臺(tái)28照明機(jī)構(gòu)32探測(cè)卡33探針45探測(cè)用程序46針跡檢查用程序50針跡區(qū)域抽出部51灰度級(jí)數(shù)據(jù)取得部52二值化處理部53深挖判定部54濾波處理部72上照相機(jī)(攝像機(jī)構(gòu))Dl攝像數(shù)據(jù)D2二值化數(shù)據(jù)D3修正攝像數(shù)據(jù)W晶片具體實(shí)施例方式第一實(shí)施方式圖1是表示組裝有本發(fā)明的實(shí)施方式的針跡檢査裝置的探測(cè)裝置的圖。該探測(cè)裝置具有基臺(tái)20，在該基臺(tái)20上，第一工作臺(tái)21以在沿X方向平行延伸的第一導(dǎo)軌21a上能夠移動(dòng)地被支承的狀態(tài)被載置，利用軸線貫通第一工作臺(tái)21的未圖示的滾珠絲杠和電動(dòng)機(jī)能夠向圖示X方向移動(dòng)。此外，在第一工作臺(tái)21上，以與該第一工作臺(tái)21相同的方式，第二工作臺(tái)22以能夠在與X和Z方向正交的未圖示的Y方向移動(dòng)的方式被載置，在第二工作臺(tái)22上，載置有利用未圖示的電動(dòng)機(jī)能夠在圖示Z方向移動(dòng)的第三工作臺(tái)23。在第三工作臺(tái)23的移動(dòng)體上，設(shè)置有以Z軸為旋轉(zhuǎn)中心且僅具有微少的旋轉(zhuǎn)自由量(在e方向具有微少的旋轉(zhuǎn)自由量，例如僅能夠向左右各自由移動(dòng)l度)的載置臺(tái)、即頂部吸盤(Chucktop)24。從而，在該探測(cè)裝置中，能夠以第一、第二、第三工作臺(tái)21、22、23、和頂部吸盤24為驅(qū)動(dòng)部，使晶片W向X、Y、Z、e方向移動(dòng)。此外，在頂部吸盤24的上方，在相當(dāng)于探測(cè)裝置的外裝體的頂部的頂板30上通過嵌插環(huán)31設(shè)置有探測(cè)卡32。探測(cè)卡32在上表面?zhèn)染哂信c未圖示的測(cè)試頭電連接的電極組，在下表面?zhèn)?，與芯片1的電極墊2(參照后述的圖2)的排列相對(duì)應(yīng)地設(shè)置有與該電極組分別電連接的探針、例如由向斜下方伸出的金屬線構(gòu)成的探針33。其中，作為探針33，可以是相對(duì)于晶片W的表面垂直延伸的垂直針(線材探針)、形成在燒性的膜上的金凸點(diǎn)電極等。在第三工作臺(tái)23上設(shè)置有固定板23a，在該固定板23a上載置有作為攝像機(jī)構(gòu)的下照相機(jī)70，該下照相機(jī)70是組合用于對(duì)探針33的針尖進(jìn)行放大攝像的高倍率的光學(xué)系統(tǒng)70a和CCD照相機(jī)70b而構(gòu)成的。此外，在固定板23a上，用于在寬范圍內(nèi)對(duì)探針33的排列進(jìn)行攝影的低倍率照相機(jī)71以與下照相機(jī)70鄰接的方式載置，以能夠通過進(jìn)退機(jī)構(gòu)26相對(duì)于下照相機(jī)70的聚焦面在與光軸交叉的方向進(jìn)退的方式設(shè)置有靶27。在頂部吸盤24與探測(cè)卡32之間的區(qū)域，與下照相機(jī)70為相同結(jié)構(gòu)的上照相機(jī)(攝像機(jī)構(gòu))72被載置在沿著未圖示的導(dǎo)軌能夠自由移動(dòng)地被支承的照相機(jī)搬送部34上，靶27構(gòu)成為能夠通過下照相機(jī)70和上照相機(jī)72進(jìn)行圖像識(shí)別，例如在透明的玻璃板上形成有用于定位的被攝體。此外，在探測(cè)裝置的外裝體上，設(shè)置有例如由藍(lán)色發(fā)光二極管構(gòu)成的照明機(jī)構(gòu)28，該照明機(jī)構(gòu)28用于在通過上照相機(jī)72對(duì)晶片W進(jìn)行攝像時(shí)照亮晶片W。此外，在探測(cè)裝置中，設(shè)置有用于控制上述各部件的驅(qū)動(dòng)等的控制部4，具有CPU40、ROM(ReadOnlyMemory:只讀存儲(chǔ)器)41、RAM(RandomAccessMemory:隨機(jī)讀取存儲(chǔ)器)42、輸入部43、畫面等顯示部44、探測(cè)用程序45、針跡檢查用程序46等，這些各個(gè)裝置以通過總線47能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)、命令的接收發(fā)送的方式被連接。而且，該控制部4由與探測(cè)裝置連接的控制器和與控制器連接的個(gè)人計(jì)算機(jī)構(gòu)成。探測(cè)用程序45是用于控制探測(cè)裝置進(jìn)行探測(cè)器測(cè)試的命令組，對(duì)第一第三工作臺(tái)2123和頂部吸盤24進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制，控制被載置的晶片W的位置，并進(jìn)行探測(cè)器測(cè)試。針跡檢査用程序46是用于對(duì)通過上照相機(jī)72取得的晶片W的攝像數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，對(duì)探測(cè)器測(cè)試后的電極墊2的針跡進(jìn)行檢測(cè)檢査的命令組。在針跡檢查用程序46中包括與從本發(fā)明的圖像數(shù)據(jù)中抽出針跡區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)的機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)的針跡區(qū)域抽出部50;與取得本發(fā)明的灰度圖案的機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)的灰度級(jí)數(shù)據(jù)取得部51;與制作本發(fā)明的二值化圖案的機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)的二值化處理部52;和與本發(fā)明的判定機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)的深挖判定部53。針跡區(qū)域抽出部50是處理灰度數(shù)據(jù)，挑出針跡區(qū)域的命令組?；叶燃?jí)數(shù)據(jù)取得部52是取得針跡區(qū)域的長軸方向的中心線并取得該中心線上的像素的圖案的命令組。二值化處理部52是根據(jù)圖案形成二值化圖案，并且將二值化圖案的像素的值在規(guī)定值以上連續(xù)的區(qū)域置換為邏輯值區(qū)域的命令組。深挖判定部54是根據(jù)二值化圖案的形狀判定針跡中的基底層的露出區(qū)域的有無的命令組。而且，在本實(shí)施方式中，由該針跡檢査用程序46、上照相機(jī)72和照明機(jī)構(gòu)28構(gòu)成針跡檢查裝置。接著，說明上述實(shí)施方式的作用。首先，根據(jù)探測(cè)用程序45進(jìn)行作為被檢査基板的晶片W的探測(cè)器測(cè)試。該晶片W的芯片(IC芯片)1的電極墊2的配置部分的大致分析圖表示在圖2、圖3。在晶片W形成有多個(gè)作為半導(dǎo)體芯片的原型的芯片l，在一個(gè)芯片1的上表面上形成有多個(gè)(在圖2中為了方便為10個(gè))成為電極的例如由鋁(Al)構(gòu)成的電極墊2。該電極墊2形成在基底層6的上表面，該基底層6由在由半導(dǎo)體例如硅(Si)形成的基臺(tái)5之上成膜的例如銅(Cu)構(gòu)成。在探測(cè)器測(cè)試中，利用上照相機(jī)72對(duì)晶片W的電極墊2進(jìn)行攝像，并且利用下照相機(jī)70對(duì)探測(cè)卡32的探針33的針尖進(jìn)行攝像，求取各攝像時(shí)的頂部吸盤24的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)或者由線性標(biāo)尺特定的X、Y、Z方向的坐標(biāo)位置，使晶片W移動(dòng)至基于這些坐標(biāo)位置求得的接觸位置。然后，使探針33與晶片W上的電極墊2接觸，利用未圖示的測(cè)試器測(cè)定各芯片l的電特性，其中，該測(cè)試器通過與探測(cè)卡32連接的測(cè)試頭而被連接。當(dāng)探測(cè)器測(cè)試結(jié)束時(shí)，進(jìn)行電極墊2的針跡的檢査。接著說明針跡的檢查。以下的一系列的動(dòng)作根據(jù)針跡檢査用程序46被進(jìn)行。如圖4的流程圖所示，首先由照明機(jī)構(gòu)28對(duì)探測(cè)器測(cè)試后的晶片W進(jìn)行照明，由上照相機(jī)72進(jìn)行攝像，取得晶片W上表面的圖像作為攝像數(shù)據(jù)D1(步驟S1)。接著，根據(jù)攝像數(shù)據(jù)D1進(jìn)行電極墊2的檢測(cè)。在攝像數(shù)據(jù)D1中，電極墊2部分的光的反射量較大，因此灰度級(jí)整體較高。然后，相對(duì)于攝像數(shù)據(jù)D1的全部像素，對(duì)畫面上進(jìn)行掃描，取得使像素的坐標(biāo)位置與其灰度級(jí)相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，并存儲(chǔ)在RAM42中，檢測(cè)出灰度級(jí)高且連續(xù)的區(qū)域，并且檢測(cè)出區(qū)域的圖示X軸方向和Y軸方向的端部的坐標(biāo)，檢測(cè)出連接它們的矩形。檢測(cè)出矩形之后，讀出預(yù)先存儲(chǔ)的電極墊2的匹配模板T1并與該矩形進(jìn)行比較(步驟S2)。圖5表示這樣的一系列的處理的圖像(image)。Dl是攝像數(shù)據(jù)，Tl是匹配模板。而且，在匹配模板Tl和檢測(cè)出的矩形的一致率為規(guī)定值例如90%以上的情況下，判定檢測(cè)出的矩形是電極墊2的區(qū)域，相反，在此以下的情況下重新進(jìn)行檢測(cè)(步驟S3)。重復(fù)進(jìn)行步驟S2、S3，在攝像數(shù)據(jù)Dl的整個(gè)區(qū)域中電極墊2的檢測(cè)結(jié)束時(shí)，切出電極墊2的圖像并對(duì)該圖像進(jìn)行一定的處理，取得針跡10位于X—Y平面上的最外側(cè)的像素的坐標(biāo)位置，基于該坐標(biāo)位置，取出與針跡10—致，例如與針跡10的外周側(cè)相接的矩形狀的針跡區(qū)域13和其位置坐標(biāo)，將該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在RAM42中(步驟S4)。然后，重復(fù)進(jìn)行步驟S3和S4，檢測(cè)出全部的電極墊2中的每一個(gè)的針跡區(qū)域13及其坐標(biāo)位置，并將該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在RAM42中。另外，在本實(shí)施方式中，作為上述處理，取得針跡區(qū)域13時(shí)，根據(jù)預(yù)先決定的閾值對(duì)電極墊2的圖像進(jìn)行二值化，進(jìn)行搜索已二值化的圖像的像素的處理。另外，為了參考，在圖6中表示進(jìn)行上述處理的電極墊2的實(shí)際的灰度階圖像。這樣的針跡區(qū)域13的檢測(cè)通過針跡區(qū)域抽出部50被執(zhí)行。在檢測(cè)出全部的針跡區(qū)域13之后，首先如圖7(a)所示，從攝像數(shù)據(jù)Dl切出與針跡區(qū)域13對(duì)應(yīng)的區(qū)域，例如針跡區(qū)域13及其外周40像素(pixel)的量的數(shù)據(jù)(步驟S5)，并且取得針跡區(qū)域13的長度方向的中心線P、中心線P的起點(diǎn)Pl和終點(diǎn)P2的位置坐標(biāo)(步驟S6)。然后如圖7(b)所示，取得中心線P上的像素的灰度級(jí)和位置坐標(biāo)的數(shù)據(jù)，取得以灰度級(jí)為橫軸、以像素?cái)?shù)為縱軸的圖案(圖案數(shù)據(jù))14(步驟S7)。另外，在本實(shí)施方式中，起點(diǎn)Pl和終點(diǎn)P2分別設(shè)置在從中心線P與外接矩形13的交點(diǎn)向外側(cè)離開一定的距離例如30像素的位置。在生成圖案14之后，對(duì)圖案14的像素的灰度級(jí)進(jìn)行總合計(jì)算，求取在圖7(b)中以點(diǎn)劃線表示的灰度級(jí)的平均值hl，以該平均值hl為閾值對(duì)圖案14進(jìn)行二值化。由此得到圖7(c)所示的方形波狀的二值化圖案(二值化圖案數(shù)據(jù))15，將該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在RAM42中(步驟S8)。并且，重復(fù)進(jìn)行步驟S5S8，取得全部的針跡區(qū)域13的每一個(gè)的二值化圖案15，并將該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在RAM42中。在詳細(xì)敘述這以后的動(dòng)作之前，先簡單地?cái)⑹銎涓乓湍康?。圖8是針跡10的示意圖，在該針跡10中形成有露出區(qū)域11。該針跡10的中心線P上的區(qū)域，為了方便，分配為da、db、dc、dd、de。db是存在電極墊2的切削殘?jiān)膮^(qū)域，dd是與露出區(qū)域11對(duì)應(yīng)的區(qū)域，da是電極墊2的表面，dc、de是電極墊2的被切削面(鋁部分)。在圖7的二值化圖案15中，與這些區(qū)域dade相對(duì)應(yīng)地進(jìn)行表示。如果此處探針33是橫針(從探測(cè)卡32向斜下方延伸的針)，則可知各芯片1的電極墊2每一個(gè)朝向哪個(gè)方向被切削。此外，即使探針33為垂直針，在接觸時(shí)也可知使晶片工作臺(tái)20微量移動(dòng)的方向，因此，可知每個(gè)電極墊2朝向哪個(gè)方向被切削。gp，在控制部4側(cè)，能夠掌握作為針跡10的檢查對(duì)象的電極墊2是哪個(gè)芯片的哪個(gè)電極墊2，因此，可知探針33的切削方向。從而，在沿著中心線P獲取像素的灰度級(jí)時(shí)，可知相對(duì)于針跡10作為掃描開始點(diǎn)的起點(diǎn)Pl在哪一側(cè)。而且，在針跡10上形成有露出區(qū)域11的情況下，當(dāng)從起點(diǎn)P1向終點(diǎn)P2讀出二值化圖案15時(shí)，遠(yuǎn)離針跡10的電極墊2的表面明亮，作為電極墊2的切削殘?jiān)匿X的切削殘?jiān)年幱安?2的部位較暗。進(jìn)而，露出區(qū)域ll的前后明亮，于是對(duì)明亮區(qū)域整體分配邏輯"1"，并對(duì)暗區(qū)域整體分配邏輯"0"，則形成"1、0、1、0、1"的邏輯圖案。于是，以該邏輯圖案作為露出區(qū)域ll的有無的判定用基準(zhǔn)圖案，與在各電極墊2取得的邏輯圖案進(jìn)行比較，從而能夠判定露出區(qū)域ll的有無。其中，如果能夠根據(jù)經(jīng)驗(yàn)掌握針跡10中的露出區(qū)域11的產(chǎn)生范圍，則二值化圖案15并不需要取至終點(diǎn)P2的位置，在此例子中，取得二值化圖案15直至比針跡10的長度方向的中心靠終點(diǎn)P2的位置P3(以下稱為中間點(diǎn)P3)。基于這樣的觀點(diǎn)，具體進(jìn)行以下所述的步驟。在取得全部的二值化圖案15之后，例如從起點(diǎn)Pl開始逐個(gè)像素地檢査像素的值，并且計(jì)算像素?cái)?shù)，使計(jì)數(shù)器進(jìn)行加法計(jì)算，在到達(dá)像素的值改變的變更位置時(shí)將計(jì)數(shù)器的值存儲(chǔ)在RAM42的存儲(chǔ)區(qū)域，并且使計(jì)數(shù)器初始化，重復(fù)上述步驟，求取二值化圖案15中"1"的組、"0"的組的各自的長度。然后，進(jìn)行確認(rèn)處理，即確認(rèn)各"1"或"0"的區(qū)域的長度是否與預(yù)先設(shè)定的閾值不符。在本實(shí)施方式中，為了排除在墊2、針跡IO上形成的傷痕、照明機(jī)構(gòu)28等的影響，針對(duì)區(qū)域設(shè)定長度的閾值。通過比較該閾值和各區(qū)域的長度進(jìn)行確認(rèn)處理。而且，對(duì)于長度不符合閾值的區(qū)域，使該區(qū)域的邏輯值反轉(zhuǎn)，對(duì)于閾值內(nèi)的區(qū)域分配邏輯"1"或"0"(步驟S9)。g卩，如圖7(c)所示，對(duì)邏輯"1"連續(xù)排列的區(qū)域整體分配邏輯"1"(對(duì)白像素組整體區(qū)域分配邏輯"l")，對(duì)邏輯"0"連續(xù)排列的區(qū)域整體分配邏輯"0"(對(duì)黑像素組整體區(qū)域分配邏輯"0")。從而，圖7(c)的二值化圖案表示為邏輯圖案"1、0、1、0、1"。另外，關(guān)于本實(shí)施方式的閾值，例如令被切出的中心線P上的像素的長度為L(像素)時(shí)，區(qū)域da、de的閾值是0.05L0.2L(像素)，區(qū)域db、dc的閾值是0.02L0.1L(像素)，區(qū)域dd的閾值是0.1L0.3L(像素)。通過進(jìn)行該處理能夠消除以下事例。例如，如圖9所示，在底部由于探針33形成有傷痕lla，由于該傷痕lla的陰影，如圖10所示，生成dd非常短的二值化圖案15a，在該情況下，在不進(jìn)行上述確認(rèn)處理的狀態(tài)下，二值化圖案15a的區(qū)域的排列、即邏輯圖案是"l、0、1、0、1"。因此，錯(cuò)誤識(shí)別為在與該二值化圖案15a對(duì)應(yīng)的針跡10上形成有露出區(qū)域ll。與此相對(duì)，如果相對(duì)于二值化圖案15a進(jìn)行上述的確認(rèn)處理，則由于區(qū)域dd的長度不符合設(shè)定的閾值的范圍，因此針對(duì)該區(qū)域反轉(zhuǎn)邏輯標(biāo)準(zhǔn)，與區(qū)域dc、de—體化，邏輯圖案成為"1、0、1、1、1"，不用擔(dān)心錯(cuò)誤識(shí)別。對(duì)這樣得到的邏輯圖案與作為在針跡10上形成有露出區(qū)域11時(shí)的邏輯圖案的基準(zhǔn)邏輯圖案進(jìn)行比較，如果一致則判定在對(duì)應(yīng)的針跡lO形成有露出區(qū)域ll，如果不一致則判定不存在露出區(qū)域ll(沒有被深挖)(步驟SIO)。與圖7(a)所示的針跡區(qū)域13對(duì)應(yīng)的邏輯圖案是"1、0、1、0、1"，因此判定在對(duì)應(yīng)的針跡10中形成有露出區(qū)域11，將該判定結(jié)果與墊2相對(duì)應(yīng)地存儲(chǔ)在RAM42中(步驟Sll)。與此相對(duì)，在邏輯圖案不是"1、0、1、0、1"的情況下，判定在該電極墊2沒有形成露出區(qū)域11，將該結(jié)果與該電極墊2相對(duì)應(yīng)地存儲(chǔ)在RAM42中(步驟S12)。之后，從RAM42讀出與各電極墊2對(duì)應(yīng)的針跡10的檢査結(jié)果，對(duì)于包括形成有銅的露出區(qū)域11的電極墊2的芯片1，將針跡10為深挖等的信息附加在該芯片1上并存儲(chǔ)在RAM42中。如下敘述在取得這樣的信息之后的處理的一個(gè)例子，對(duì)于判斷為深挖的電極墊2，也可以是操作者將使電極墊2的圖像顯示于顯示部，由操作者確認(rèn)深挖的判斷是否適當(dāng)，如果最終判斷為深挖，則將包括該電極墊2的芯片1作為不合格品進(jìn)行處理。此外，當(dāng)然也可以不進(jìn)行這樣的操作者的確認(rèn)。也可以使針跡檢查的結(jié)果例如與晶片W上的芯片1的位置相對(duì)應(yīng)地顯示在顯示部中，例如對(duì)各芯片1進(jìn)行與該結(jié)果對(duì)應(yīng)的顏色分類等。另外，在本實(shí)施方式中，與步驟S2步驟S4對(duì)應(yīng)的工序由針跡區(qū)域抽出部50進(jìn)行，與步驟S5步驟S7對(duì)應(yīng)的工序由灰度級(jí)數(shù)據(jù)取得部51進(jìn)行，與步驟S8對(duì)應(yīng)的工序由二值化處理部52進(jìn)行，與步驟S9步驟S12對(duì)應(yīng)的工序由深挖判定部53進(jìn)行。以上所述的本實(shí)施方式的探測(cè)裝置，在進(jìn)行針跡10的檢測(cè)時(shí)取得電極墊2及其周邊的晶片W的攝像數(shù)據(jù)Dl，取得針跡10的位置和針跡區(qū)域B，并且取得針跡區(qū)域13的長度方向的中心線P，生成使中心線P上的像素的位置與像素的灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的圖案14。然后，從該灰度階圖案14得到二值化圖案15，從而取得邏輯圖案，對(duì)該邏輯圖案與根據(jù)存在露出區(qū)域11時(shí)的灰度級(jí)圖案14求得的基準(zhǔn)圖案進(jìn)行比較，由此判定針跡10的露出區(qū)域11的有無。于是，能夠自動(dòng)、迅速且高精度地可靠地檢測(cè)出由探針33引起的對(duì)墊2的深挖(挖至基底層6的狀態(tài))，能夠大幅減少操作者的負(fù)擔(dān)。此外，因?yàn)槟軌蛟谔綔y(cè)裝置內(nèi)進(jìn)行針跡10的檢查，所以不需要如現(xiàn)有技術(shù)中那樣操作者將晶片W搬送至金屬顯微鏡的作業(yè)區(qū)域，進(jìn)一步，能夠迅速掌握探針的異常、過驅(qū)動(dòng)的異常等。另外，本發(fā)明取得針跡區(qū)域的長度方向的中心軸及其位置坐標(biāo)，并且取得使中心軸上的像素的灰度級(jí)與坐標(biāo)位置對(duì)應(yīng)的圖案，能夠根據(jù)該圖案的形狀判定在針跡中形成有露出區(qū)域，因此，電極墊的材質(zhì)、基底層的材質(zhì)分別并不限于銅、鋁，根據(jù)使用的各種材質(zhì)變更圖案的形狀的判定基準(zhǔn)即可。此處，本發(fā)明的針跡檢測(cè)裝置并不限于與探測(cè)裝置組合設(shè)置，也可以構(gòu)成為獨(dú)立系統(tǒng)。此外，用于取得灰度階圖案的線并不限于針跡10的中心線，是即使離開中心也能夠得到本實(shí)施方式的效果的線，即在針跡區(qū)域的寬度方向中央位置向長度方向延伸的線即可。此外，在本實(shí)施方式中，取得使中心線P上的從起點(diǎn)P1到中間點(diǎn)P3的像素與灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的圖案14，進(jìn)行露出區(qū)域11的檢査，但是作為本發(fā)明的實(shí)施方式，在利用圖案14未能檢測(cè)出露出區(qū)域11的情況下，也可以取出從終點(diǎn)P2到中點(diǎn)P3的像素生成圖案，基于該圖案進(jìn)行露出區(qū)域11的再檢測(cè)，根據(jù)該方式，即使在露出區(qū)域11形成在終點(diǎn)P2側(cè)的情況下也能夠檢測(cè)出露出區(qū)域11。當(dāng)然也可以對(duì)中心線P上的全部的像素形成圖案14并進(jìn)行判定。此外，雖然在本實(shí)施方式中，根據(jù)攝像數(shù)據(jù)Dl生成與針跡區(qū)域13的中心線P對(duì)應(yīng)的圖案14,但作為本發(fā)明的實(shí)施方式，也可以先以預(yù)先設(shè)定的閾值對(duì)攝像數(shù)據(jù)Dl進(jìn)行二值化，根據(jù)該二值化數(shù)據(jù)取得針跡區(qū)域13的中心線P1上的像素，取得二值化圖案15并進(jìn)行判定。此外，雖然通過確認(rèn)二值化圖案15的區(qū)域的值的排列為"1、0、1、0、l"而判定形成有露出區(qū)域ll，但是作為本發(fā)明的實(shí)施方式，也可以通過確認(rèn)圖7(c)所示的區(qū)域db、dc、dd的值的排列為"0、1、0"而判定形成有露出區(qū)域11。此外，如上所述，在已述的例子中，掌握了各電極墊2的每一個(gè)的針跡10的切削方向，但也可以不掌握該方向地取得灰度階圖案，并確認(rèn)最終得到的邏輯圖案是否包括"0、1、0"。此外，雖然在本實(shí)施方式中，作為照明機(jī)構(gòu)28使用明視野照明，照亮晶片W并取得攝像數(shù)據(jù)Dl，但是作為本發(fā)明的實(shí)施方式，為了從攝像數(shù)據(jù)D1中減少晶片W上的陰影、傷痕等的影響，也可以組合明視野照明和暗視野照明以構(gòu)成照明機(jī)構(gòu)。此外，在本實(shí)施方式中，雖然作為針跡區(qū)域檢測(cè)出與針跡IO對(duì)應(yīng)的矩形的針跡區(qū)域13，但是作為本發(fā)明的實(shí)施方式，針跡區(qū)域也可以是與針跡10對(duì)應(yīng)的橢圓形。此外，在本實(shí)施方式中，雖然在對(duì)晶片W進(jìn)行攝像時(shí)，為了決定電極墊2和探針33的接觸位置，以上照相機(jī)72進(jìn)行攝像，但是作為本發(fā)明的實(shí)施方式，例如也可以在裝置外裝部等處另外設(shè)置用于檢測(cè)針跡的專用的照相機(jī)單元，在探測(cè)器測(cè)試之后立即對(duì)晶片W進(jìn)行攝像以進(jìn)行針跡檢查。第二實(shí)施方式參照?qǐng)D11和圖14對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖11所示的第二實(shí)施方式的探測(cè)裝置在針跡檢査用程序46中設(shè)置有作為進(jìn)行本發(fā)明的濾波處理的機(jī)構(gòu)的濾波處理部54。濾波處理部54在圖12所示的流程圖的步驟S5的工序中，對(duì)攝像數(shù)據(jù)Dl進(jìn)行使攝像數(shù)據(jù)Dl的暗部分和亮部分的邊界線不鮮明的濾波處理，將攝像數(shù)據(jù)D1變換為修正攝像數(shù)據(jù)D3。然后，在本實(shí)施方式中，根據(jù)修正攝像數(shù)據(jù)D3生成圖案14。另外，在圖12所示的流程圖中，在步驟S1S4進(jìn)行與第一實(shí)施方式的步驟Sl步驟S4相同的處理，在步驟S6步驟S13進(jìn)行與第一實(shí)施方式的步驟S5步驟S12相同的處理。通過在該探測(cè)裝置中設(shè)置濾波處理部54，能夠發(fā)揮以下圖13、14所說明的作用。如圖13(a)所示，在針跡中沒有露出區(qū)域僅形成有傷痕的情況下，從該攝像數(shù)據(jù)Dl取得針跡區(qū)域13，如果如上所述地取得圖案14，則能夠取得圖13(b)所示的圖案14。在該圖案14中，由于傷痕的影子的影響，比灰度級(jí)的平均值hl低的區(qū)域形成三個(gè)，即與電極墊2的切削殘?jiān)挠白訉?duì)應(yīng)的區(qū)域81、和與針跡的傷痕對(duì)應(yīng)的區(qū)域82、83，因此，當(dāng)根據(jù)該圖案14取得二值化圖案15，根據(jù)二值化圖案15取得邏輯圖案時(shí)，存在邏輯圖案與基準(zhǔn)圖案一致的情況。而且，在傷痕的延伸方向與中心線P相同的情況下，傷痕的陰影與中心線P的重合距離變長，因此與傷痕對(duì)應(yīng)的區(qū)域82的長度可能進(jìn)入閾值的范圍內(nèi)，即使進(jìn)行第一實(shí)施方式的確認(rèn)處理，邏輯圖案也與基準(zhǔn)圖案一致，不能夠除去傷痕的影響，可能會(huì)錯(cuò)誤判定存在露出區(qū)域。與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，對(duì)于圖13所示的針跡的攝像數(shù)據(jù)Dl也能夠除去傷痕的影響，判定沒有露出區(qū)域。在本實(shí)施方式中，如圖14(a)所示通過濾波處理部54將攝像數(shù)據(jù)Dl變換為修正攝像數(shù)據(jù)D3。該修正攝像數(shù)據(jù)D3中，使寬度狹窄的傷痕的陰影的暗部分與亮部分的邊界線不明確，因此，陰影的暗像素與亮像素混合，陰影的部分整體變亮，相反地亮部分變暗。另一方面，在切削屑的陰影部、露出區(qū)域等的暗像素的面積寬廣的區(qū)域中，即使令亮部分和暗部分的邊界線不明確化，也因?yàn)榘挡糠值膶挾群軐捤栽摬糠直３譃榘怠Ｒ虼?，在修正攝像數(shù)據(jù)D3中，形成有傷痕的部分的明亮度和周圍的明亮度的差變小。因此，當(dāng)取得中心線P的圖案14時(shí)，如圖14(b)所示，比灰度級(jí)的平均值hl低的位置僅是與切削屑的陰影部對(duì)應(yīng)的區(qū)域80，如圖14(c)所示取得二值化圖案15，根據(jù)該二值化圖案15取得邏輯圖案，則以邏輯等級(jí)為"0"的方式被處理的區(qū)域僅有一個(gè)，因此邏輯圖案與基準(zhǔn)圖案不一致，判定為沒有形成露出區(qū)域ll。在這樣的實(shí)施方式中，也能夠根據(jù)修正攝像數(shù)據(jù)D3取得使針跡區(qū)域13的中心線上的像素與灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的圖案14，例如能夠進(jìn)行與第一實(shí)施方式同樣的處理。進(jìn)一步，通過電極墊2和探針33的材質(zhì)的組合，即使是在電極墊2上容易造成較深的傷痕的情況下，也能夠不降低檢査精度地進(jìn)行露出區(qū)域ll的檢測(cè)檢查。此外，作為本發(fā)明的濾波處理，也可以是通過10點(diǎn)平均法等對(duì)圖案14進(jìn)行濾波處理的方式。對(duì)用于確認(rèn)本發(fā)明的效果的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行說明。首先，作為第一實(shí)驗(yàn)，使用第一實(shí)施方式的探測(cè)裝置，對(duì)圖15所示的四個(gè)電極墊2a2b進(jìn)行檢測(cè)，確認(rèn)在針跡IO上是否形成有露出區(qū)域11。其中，在該四個(gè)電極墊2a2b中，在電極墊2a、2b上形成有露出區(qū)域11，在電極墊2c、2d中未形成露出區(qū)域11。第一實(shí)驗(yàn)的結(jié)果是生成了圖16所示的圖案14a14b。與電極墊2a、2b對(duì)應(yīng)的圖案14a、14b中，在像素的值較高的區(qū)域之間形成有兩個(gè)位置的較低的區(qū)域，灰度級(jí)的平均值hl為約120左右，因此，即使取得二值化圖案，該區(qū)域也是像素的值為"0"的區(qū)域，其它是"1"的區(qū)域。因此，邏輯圖案與基準(zhǔn)圖案一致，判定在墊2a、2b形成有露出區(qū)域ll。另一方面，在與電極墊2c、2d對(duì)應(yīng)的圖案14c、14d中，僅形成有一個(gè)較低的區(qū)域，因此在二值化圖案中，像素的值為"0"的區(qū)域也僅形成于一個(gè)位置。因此，邏輯圖案與基準(zhǔn)圖案不一致，判定在墊2c、2d上沒有形成露出區(qū)域11。從而能夠確認(rèn)到，在本實(shí)施方式的探測(cè)裝置中，能夠通過針跡檢査用程序46自動(dòng)地檢測(cè)出露出區(qū)域11的有無。接著，作為第二實(shí)驗(yàn)，使用第一實(shí)施方式的探測(cè)裝置，對(duì)晶片w進(jìn)行攝像，取得攝像數(shù)據(jù)D1。然后，利用金屬顯微鏡目視觀察晶片W，生成將露出區(qū)域11的像素置換為"0"、這之外的像素置換為"1"的二值化的圖像，即人用眼觀察而生成的所謂GroundTruth(地面實(shí)況)圖像(以下簡稱為GT圖像)，從中例如選擇49個(gè)電極墊2作為樣品。然后對(duì)GT圖像的檢測(cè)結(jié)果與相對(duì)于樣品的攝像數(shù)據(jù)D1的針跡檢查用程序46的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行比較，調(diào)査針跡檢査用程序46的露出區(qū)域11的檢測(cè)精度。其中，在實(shí)驗(yàn)中，在作為樣品使用的49個(gè)電極墊2中，在28個(gè)電極墊2上形成有直徑約20Pm的露出區(qū)域11。在表1中表示該第二實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。在第二實(shí)驗(yàn)中，如以下的表1所示，在形成有露出區(qū)域11的28個(gè)電極墊2中，對(duì)于27個(gè)判定形成有露出區(qū)域11，僅對(duì)于一個(gè)電極墊2判定未形成露出區(qū)域。另一方面，對(duì)于沒有檢測(cè)出露出區(qū)域ll的21個(gè)電極墊2全部判定為沒有檢測(cè)出露出區(qū)域11。即，針跡檢查程序的檢測(cè)精度是，露出區(qū)域11的檢測(cè)率為96.5%，未形成露出區(qū)域11的電極墊2的檢測(cè)率為100%,可知檢測(cè)精度非常高。另外，經(jīng)對(duì)未能檢測(cè)出露出區(qū)域ll的電極墊2進(jìn)行調(diào)查，發(fā)現(xiàn)是因?yàn)樵陔姌O墊2上存在傷痕，未能正確地取得針跡10的外接矩形13的形狀。針對(duì)此問題，也可以設(shè)置第二實(shí)施方式的濾波處理部56，在檢測(cè)外接矩形13時(shí)進(jìn)行濾波處理，從而解決該問題。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>權(quán)利要求1.一種針跡檢查裝置，其在使探針與被檢查基板上的電極墊接觸而進(jìn)行電測(cè)量之后，對(duì)形成在所述電極墊上的針跡進(jìn)行攝像，檢查電極墊的基底層的露出的有無，該針跡檢查裝置的特征在于，包括對(duì)電極墊進(jìn)行攝像的攝像機(jī)構(gòu)；從通過該攝像機(jī)構(gòu)得到的圖像數(shù)據(jù)抽出針跡區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)的機(jī)構(gòu)；針對(duì)通過該機(jī)構(gòu)得到的針跡區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)，取得使在針跡區(qū)域的寬度方向的中央位置在該針跡區(qū)域的長度方向上延伸的線上的像素的位置與像素的灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的灰度級(jí)圖案的機(jī)構(gòu)；和基于通過該機(jī)構(gòu)得到的灰度級(jí)圖案、和根據(jù)基底層從針跡露出時(shí)的所述灰度級(jí)圖案決定的基準(zhǔn)圖案，判定基底層是否露出的判定機(jī)構(gòu)。2.如權(quán)利要求1所述的針跡檢查裝置，其特征在于，包括對(duì)所述灰度級(jí)圖案進(jìn)行用于使峰值平滑的濾波處理的機(jī)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1或2所述的針跡檢査裝置，其特征在于包括利用與所述灰度級(jí)圖案對(duì)應(yīng)的閾值或者預(yù)定的閾值對(duì)該灰度級(jí)圖案進(jìn)行二值化，制作由灰度級(jí)比閾值低的低等級(jí)區(qū)域和灰度級(jí)比閾值高的高等級(jí)區(qū)域構(gòu)成的二值化圖案的機(jī)構(gòu)，所述判定機(jī)構(gòu)以按照"低等級(jí)區(qū)域"、"高等級(jí)區(qū)域"、"低等級(jí)區(qū)域"的順序排列的圖案為基準(zhǔn)圖案，在灰度級(jí)圖案包括該基準(zhǔn)圖案時(shí)判定基底層露出。4.如權(quán)利要求3所述的針跡檢查裝置，其特征在于包括將邏輯"1"和邏輯"o"中的一方分配給所述二值化圖案中的各低等級(jí)區(qū)域整體，將邏輯"1"和邏輯"o"中的另一方分配給各高等級(jí)區(qū)域整體，將所述二值化圖案變換為由邏輯"1"和邏輯"0"的組合構(gòu)成的邏輯圖案的機(jī)構(gòu)，所述基準(zhǔn)圖案是由邏輯"1"和邏輯"0"的組合構(gòu)成的邏輯圖案，所述判定機(jī)構(gòu)比較兩者的邏輯圖案，判定基底層是否露出。5.如權(quán)利要求3所述的針跡檢查裝置，其特征在于與所述灰度級(jí)圖案對(duì)應(yīng)的閾值是該灰度級(jí)圖案的灰度級(jí)的平均值。6.如權(quán)利要求3所述的針跡檢查裝置，其特征在于在所述灰度級(jí)圖案中存在兩個(gè)位置的灰度級(jí)比預(yù)先設(shè)定的閾值低的低等級(jí)區(qū)域的情況下，在靠近切削開始位置的低等級(jí)區(qū)域的長度為預(yù)先設(shè)定的長度以下時(shí)，作為高等級(jí)區(qū)域處理。7.—種探測(cè)裝置，包括探測(cè)卡，其將基板載置在載置臺(tái)上，使探測(cè)卡的探針與基板上的芯片的電極墊接觸，進(jìn)行芯片的電測(cè)量，該探測(cè)裝置的特征在于具備權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的針跡檢査裝置。8.—種針跡檢查方法，其在使探針與被檢査基板上的電極墊接觸而進(jìn)行電測(cè)量之后，對(duì)形成在所述電極墊上的針跡進(jìn)行攝像，檢査電極墊的基底層的露出的有無，該針跡檢査方法的特征在于，包括通過攝像機(jī)構(gòu)對(duì)電極墊進(jìn)行攝像的工序；從通過該攝像機(jī)構(gòu)得到的圖像數(shù)據(jù)抽出針跡區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)的工序；針對(duì)得到的針跡區(qū)域的圖像數(shù)據(jù)，取得使在針跡區(qū)域的寬度方向的中央位置在該針跡區(qū)域的長度方向上延伸的線上的像素的位置和像素的灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的灰度級(jí)圖案的工序；和基于得到的灰度級(jí)圖案、和根據(jù)基底層從針跡露出時(shí)的所述灰度級(jí)圖案決定的基準(zhǔn)圖案，對(duì)基底層是否露出進(jìn)行判定的工序。9.如權(quán)利要求8所述的針跡檢査方法，其特征在于，包括對(duì)所述灰度級(jí)圖案進(jìn)行用于使峰值平滑的濾波處理的工序。10.如權(quán)利要求8或9所述的針跡檢査方法，其特征在于，包括:利用與所述灰度級(jí)圖案對(duì)應(yīng)的閾值或者預(yù)定的閾值對(duì)該灰度級(jí)圖案進(jìn)行二值化，制作由灰度級(jí)比閾值低的低等級(jí)區(qū)域和灰度級(jí)比閾值高的高等級(jí)區(qū)域構(gòu)成的二值化圖案的工序；和通過進(jìn)行所述判定的工序，以按照"低等級(jí)區(qū)域"、"高等級(jí)區(qū)域"、"低等級(jí)區(qū)域"的順序排列的圖案為基準(zhǔn)圖案，在灰度級(jí)圖案包括該基準(zhǔn)圖案時(shí)判定基底層露出的工序。11.如權(quán)利要求IO所述的針跡檢査方法，其特征在于包括將邏輯"1"和邏輯"0"中的一方分配給所述二值化圖案中的各低等級(jí)區(qū)域整體，將邏輯"1"和邏輯"0"中的另一方分配給各高等級(jí)區(qū)域整體，將所述二值化圖案變換為由邏輯"1"和邏輯"0"的組合構(gòu)成的邏輯圖案的工序，所述基準(zhǔn)圖案是由邏輯"1"和邏輯"0"的組合構(gòu)成的邏輯圖案，進(jìn)行所述判定的工序比較兩者的邏輯圖案，判定基底層是否露出。12.如權(quán)利要求10所述的針跡檢查方法，其特征在于與所述灰度級(jí)圖案對(duì)應(yīng)的閾值是該灰度級(jí)圖案的灰度級(jí)的平均值。13.如權(quán)利要求10所述的針跡檢査方法，其特征在于在所述灰度級(jí)圖案中存在兩個(gè)位置的灰度級(jí)比預(yù)先設(shè)定的閾值低的低等級(jí)區(qū)域的情況下，在靠近切削開始位置的低等級(jí)區(qū)域的長度為預(yù)先設(shè)定的長度以下時(shí)，作為高等級(jí)區(qū)域處理。全文摘要本發(fā)明提供針跡檢查裝置、具有該裝置的探測(cè)裝置、以及針跡檢查方法，其能夠?qū)z查之后的基板自動(dòng)且高精度地檢測(cè)電極墊的基底層的露出的有無等的露出狀況。針跡檢查裝置包括從攝像數(shù)據(jù)(D1)中抽出針跡區(qū)域(13)的針跡區(qū)域抽出部(50)，其中，該攝像數(shù)據(jù)(D1)是通過對(duì)電極墊(2)進(jìn)行攝像的上照相機(jī)(72)得到的；對(duì)于針跡區(qū)域(13)，取得使在該針跡區(qū)域的長度方向延伸的中心線(P)上的像素的位置與像素的灰度級(jí)對(duì)應(yīng)的灰度圖案的灰度級(jí)數(shù)據(jù)取得部(51)；以及基于得到的灰度圖案、和基底層(6)從針跡(10)露出時(shí)的基準(zhǔn)圖案，判定基底層(6)是否露出的深挖判定部(53)。文檔編號(hào)G01R31/28GK101587084SQ20091014302公開日2009年11月25日申請(qǐng)日期2009年5月22日優(yōu)先權(quán)日2008年5月23日發(fā)明者佐野聰,月嶋慎,梅原康敏,河野功申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社