專利名稱：一種led芯片的非接觸式檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED芯片/晶圓的檢測方法，特別是一種用于未封裝的單個(gè)LED芯片或者有多個(gè)LED芯片的晶圓的非接觸式檢測方法。
背景技術(shù)：
LED ( Light Emitting Diode )以其固有的特點(diǎn)，如省電、壽命長、耐震動，響應(yīng)速度快、冷光源等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于指示燈、信號燈、顯示屏、景觀照明等領(lǐng)域，但是由于種種原因LED照明還不能普及化，其中價(jià)格昂貴是制約LED照明光源普及化的主要因素，而LED芯片的封裝是LED成品生產(chǎn)的主要成本源，只有提高封裝后的成品率，才能降低LED產(chǎn)品的生產(chǎn)成本，這樣封裝前的芯片檢測就是LED批量生產(chǎn)的一項(xiàng)必要的工藝程序。
美國發(fā)明專利US006670820B2公開了一種用于半導(dǎo)體材料及器件電致發(fā)光特性檢測的方法和儀器。其檢測原理是在LED芯片的上下表面施加激發(fā)光，使PN結(jié)結(jié)構(gòu)中的p區(qū)和n區(qū)中產(chǎn)生非平衡載流子；再在p區(qū)和n區(qū)之間施加一正向偏置的電壓，形成牽引電場，吸引p區(qū)的空穴和n區(qū)的電子向中間的有源區(qū)運(yùn)動，然后在有源區(qū)發(fā)生輻射復(fù)合，產(chǎn)生復(fù)合發(fā)光，所加偏置電壓低于LED的導(dǎo)通門限，對非平衡載流子即電子一空穴對的產(chǎn)生影響較小，可以忽略；用光接收器件如光電二極管接收芯片有源區(qū)的復(fù)合發(fā)光，再結(jié)合激發(fā)光的強(qiáng)度和芯片的吸收系數(shù)，計(jì)算出光生載流子的濃度，結(jié)合有源區(qū)的復(fù)合發(fā)光量和實(shí)際光注入并到達(dá)有源區(qū)的載流子濃度，就可以定量分析出所測LED芯片的電致發(fā)光性能。該檢測屬于芯片級檢測，并且需要直接接觸芯片施加偏置電壓。
中國發(fā)明專利申請02123646.1公開了一種LED外延片電致發(fā)光無損檢測方法。該發(fā)明公布為進(jìn)行電致發(fā)光檢測，在外延片表面安置兩個(gè)電極，其一為固定的負(fù)電極(接電源負(fù)極)，其二為正電極，將一高壓恒流源加在兩個(gè)電極之間，通過將正電極在表面上移動完成整個(gè)外延片發(fā)光質(zhì)量的檢測，得到外延片整片的電致發(fā)光質(zhì)量。通過該方法還可以得到正向?qū)妷骸⒎聪蚵╇娏鞯葘τ贚ED外延片而言非常重要的電學(xué)參數(shù)。另外，中國發(fā)明專利申請01112096.7公開了一種半導(dǎo)體基片品質(zhì)評價(jià)的方法和裝置。用一種激發(fā)光斷續(xù)照射待測半導(dǎo)體基片
表面，從而誘發(fā)半導(dǎo)體基片的光致發(fā)光，將基片的光致發(fā)光強(qiáng)度轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?，再由接收及檢測器件接收并檢測。通過外延片的光致發(fā)光平均強(qiáng)度的變化得到光致發(fā)光的衰減時(shí)間常數(shù)，從而準(zhǔn)確地評價(jià)半導(dǎo)體基片中的雜質(zhì)和缺陷。這兩個(gè)專利都是針對LED外延片進(jìn)行的檢測。
中國發(fā)明專利200510034935.2公開了一種發(fā)光二極管的自動化測試系統(tǒng)及方法。該測試裝置可以測試封裝完成后的LED成品的電流電壓的電性參數(shù)，閘流和光學(xué)參數(shù)。
中國實(shí)用新型專利02265834.3公開的發(fā)光二極管平均發(fā)光強(qiáng)度測試儀和中國發(fā)明專利02136269.6公開的發(fā)光二極管平均發(fā)光強(qiáng)度的測量裝置則主要針對LED的發(fā)光光度進(jìn)行測試。這幾種檢測技術(shù)都是針對LED成品進(jìn)行檢測。
可以看到，目前已有的LED檢測方法及設(shè)備主要用于LED外延層檢測和成品檢測。而對于LED芯片的檢測，由于檢測探針必須要接觸芯片，容易造成芯片的污染甚至損壞，且測試探針本身為易耗件，增加了生產(chǎn)成本，因此較難為LED大批量生產(chǎn)過程接受采用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種不直接接觸芯片的LED芯片/晶圓的檢測方法，它能在LED芯片封裝前，LED晶圓切割前，不接觸LED芯片/晶圓本身而快速地檢測LED芯片/晶圓的功能狀態(tài)和性能參數(shù)。
當(dāng)光照射在PN結(jié)上，能量大于禁帶寬度的光子會激發(fā)本征吸收，在結(jié)的兩邊產(chǎn)生電子空穴對。由于PN結(jié)勢壘區(qū)存在較強(qiáng)的內(nèi)建電場，結(jié)兩邊的光生少數(shù)載流子受該場的作用，各自向?qū)Ψ絽^(qū)域方向運(yùn)動。p區(qū)的電子向n區(qū)運(yùn)動，n區(qū)的空穴向p區(qū)運(yùn)動，降低了PN結(jié)的勢壘，于是在PN結(jié)兩端形成光生電動勢，這是PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。當(dāng)PN結(jié)一直處于開路狀態(tài)并受到光照射時(shí)，光生電荷會在勢壘區(qū)蓄積，使PN結(jié)表現(xiàn)出電容特性。勢壘的降低破壞了PN結(jié)內(nèi)部載流子擴(kuò)散運(yùn)動和漂移運(yùn)動之間原有的平衡。當(dāng)光生載流子的運(yùn)動電流密度和多數(shù)載流子的擴(kuò)散電流密度相等時(shí)，PN結(jié)兩邊建立起穩(wěn)定的電勢差F。。，此時(shí)，光生載流子的產(chǎn)生率等于電子空穴對的復(fù)合率。若光照不停止，光生載流子不斷產(chǎn)生，電子空穴對也會不斷復(fù)合，復(fù)合就會引起LEDPN結(jié)的發(fā)光。因此在靜態(tài)光
4照射下，只要光照不停止，PN結(jié)會有持續(xù)的自發(fā)光。然而，光照產(chǎn)生的電動勢始終是有限的，若小于二極管的死區(qū)電壓，則正向電流非常小，LED的發(fā)光強(qiáng)度也將很弱，可能不能被檢測到。根據(jù)PN結(jié)的電壓-電流特性，在正向偏壓大于閾值(等于死區(qū)電壓值)后，其正向電流(多子擴(kuò)散流密度)隨偏置電壓指數(shù)增加。若將恒定光照產(chǎn)生的光生電動勢作為LED的直流偏置電壓，而利用一個(gè)交變磁場給LED提供一個(gè)小的交流電壓，則多子擴(kuò)散流的峰值將會大大提高，相應(yīng)的發(fā)光的峰值強(qiáng)度也會大大增強(qiáng)。并且通過交變磁場的交流干預(yù)，會產(chǎn)生交變的發(fā)光，從頻率上可和激勵光(直流)相區(qū)別。
另一方面，若PN結(jié)受到脈沖光照射，根據(jù)LEDPN結(jié)的發(fā)光原理，在光照結(jié)束的瞬間，光生電動勢將逐漸消失，蓄積的電荷會擴(kuò)散，形成擴(kuò)散電流，相當(dāng)于PN結(jié)電容的放電過程，這個(gè)瞬態(tài)過程中存在電子-空穴對的復(fù)合，因此會產(chǎn)生發(fā)光。由于放電的過程極短，該發(fā)光過程是一個(gè)瞬態(tài)的過程。
本發(fā)明正是依據(jù)PN結(jié)光電特性和LED PN結(jié)的發(fā)光功能，通過檢測光照在LED芯片的PN結(jié)上發(fā)生的光生伏特效應(yīng)引起的自發(fā)光來實(shí)現(xiàn)對LED芯片功能狀態(tài)和性能參數(shù)的檢測。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種LED芯片/晶圓的非接觸式檢測方法，其特征在于:它通過檢測控制和信號采集處理單元控制光源發(fā)射激勵光束照射在待測LED芯片/晶圓的PN結(jié)上，光電轉(zhuǎn)換器檢測LED的PN結(jié)由于光照產(chǎn)生的自發(fā)光來實(shí)現(xiàn)LED芯片/晶圓的檢測。
具體地說， 一種LED芯片/晶圓的非接觸式檢測方法，其特征在于它通過檢測控制和信號采集處理單元控制光源發(fā)射激勵光束照射在待測LED芯片/晶圓的PN結(jié)上，PN結(jié)上形成的自發(fā)光由會聚透鏡組會聚至光電轉(zhuǎn)換器，光電轉(zhuǎn)換器將光信號轉(zhuǎn)換成電信號，送入檢測控制和信號采集處理單元進(jìn)行處理來實(shí)現(xiàn)對LED芯片/晶圓的檢測。
上述光源是與待測LED —樣的LED光源或者波長小于待測LED波長的一切光源。
本發(fā)明還給出一種檢測方法，也就是上述方法中，在光照的同時(shí)，還將所述PN結(jié)置于交變的磁場中，在PN結(jié)上形成的交變自發(fā)光，再由會聚透鏡組會聚至光電轉(zhuǎn)換器，光電轉(zhuǎn)換器將光信號轉(zhuǎn)換成電信號，送入所述檢測控制和信號采集處理單元進(jìn)行處理來實(shí)現(xiàn)對LED芯片的檢測。其中，激勵光是靜態(tài)光；上述產(chǎn)生交變磁場的交變磁場產(chǎn)生器與上述檢測控制和信號采集處理單元電連接。
本發(fā)明再給出一種LED芯片的非接觸式檢測方法，其特點(diǎn)在于它通過檢測控制和信號采集處理單元控制光源發(fā)射激勵光束先透射過半透鏡組，再照射在待測LED芯片的PN結(jié)上，半透/半反鏡組又將PN結(jié)上形成的自發(fā)瞬態(tài)光反射至?xí)弁哥R組，會聚透鏡組再將光束會聚至光電轉(zhuǎn)換器，光電轉(zhuǎn)換器將光信號轉(zhuǎn)換成電信號，送入檢測控制和信號采集處理單元進(jìn)行處理來實(shí)現(xiàn)對LED芯片的檢測。
其中，激勵光束為脈沖光。本發(fā)明具有的有益效果是
1、本發(fā)明可以對LED芯片/晶圓的PN結(jié)功能狀態(tài)進(jìn)行檢測。當(dāng)LED芯片/晶圓PN結(jié)處于開路條件，LED的PN結(jié)受到光照射時(shí)，如果PN結(jié)功能正常，伴隨著光生載流子的運(yùn)動會產(chǎn)生多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動，處于激發(fā)態(tài)的電子在半導(dǎo)體中運(yùn)動一段時(shí)間后，又回到較低的能量狀態(tài)，并發(fā)生電子-空穴的復(fù)合。對于LED，在復(fù)合過程中，電子主要以發(fā)光的形式釋放出多余的能量。所以通過檢測LEDPN結(jié)在光照下是否產(chǎn)生自發(fā)光，可以檢測PN結(jié)功能是否正常。
2、本發(fā)明可以不接觸LED芯片/晶圓實(shí)現(xiàn)對LED芯片/晶圓性能參數(shù)的檢測。LED PN結(jié)一直處于開路狀態(tài)并受到光照射時(shí)，光生電荷會在勢壘區(qū)累積，使PN結(jié)表現(xiàn)出電容特性。當(dāng)光照結(jié)束時(shí)，不再有光生載流子及其擴(kuò)散運(yùn)動，PN結(jié)內(nèi)多數(shù)載流子的擴(kuò)散和光生載流子運(yùn)動的平衡被打破，光生電動勢將逐漸消失，累積的電荷會擴(kuò)散，形成擴(kuò)散電流，相當(dāng)于PN結(jié)電容的放電過程，這個(gè)瞬態(tài)過程中仍然存在電子一空穴的復(fù)合，因此產(chǎn)生發(fā)光。發(fā)光強(qiáng)度與放電電流大小有關(guān)。電流越大，則發(fā)光越強(qiáng)。由于結(jié)電容累積的電荷有限，放電過程是瞬態(tài)的，故發(fā)光也是瞬態(tài)的。檢測LEDPN結(jié)在放電過程中的瞬態(tài)發(fā)光過程，也可以檢測出LED的性能參數(shù)，如PN結(jié)的功能正常與否，PN結(jié)的相關(guān)參數(shù)和PN結(jié)的發(fā)光效率等。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例1非接觸式檢測方法的原理框圖；圖2是圖1中檢測控制和信號采集處理單元的原理框圖；圖3是圖2中光源驅(qū)動電路的一種實(shí)施電路；
圖4是本發(fā)明實(shí)施例2非接觸式檢測方法的原理框圖5是本發(fā)明實(shí)施例4非接觸式檢測方法的原理框圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳述，但本發(fā)明并不僅限于此。
實(shí)施例l:參見圖l， 一種LED芯片的非接觸式檢測方法，其特征在于它通過檢測控制和信號采集處理單元9控制光源7發(fā)射激勵光束4照射在待測LED芯片2的PN結(jié)1上，PN結(jié)1上形成的自發(fā)光3由會聚透鏡組6會聚至光電轉(zhuǎn)換器8，光電轉(zhuǎn)換器8將光信號轉(zhuǎn)換成電信號，送入檢測控制和信號采集處理單元9進(jìn)行處理來實(shí)現(xiàn)對LED芯片的檢測。
上述激勵光束4可以是靜態(tài)光，也可以是脈沖光。
參見圖2，本例所采用的檢測控制和信號采集處理單元包括信號調(diào)理電路、模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路、CPU、顯示器、光源控制波形產(chǎn)生電路和光源驅(qū)動電路，其中信號調(diào)理電路的輸出端與模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路A/D的輸入端相連；模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路A/D的輸出端與CPU的輸入端相連；CPU的輸出端分別與模傲轉(zhuǎn)換電路A/D、光源控制波形產(chǎn)生電路和顯示器的輸入端相連；光源控制波形產(chǎn)生電路的輸出端與光源驅(qū)動電路的輸入端相連。工作時(shí)，信號調(diào)理電路與光電轉(zhuǎn)換器連接，光源驅(qū)動電路控制光源產(chǎn)生激勵光線(靜態(tài)光或脈沖光)照射在LED芯片的PN結(jié)上。
參見圖3，它是本例中給出的具體的光源驅(qū)動電路；當(dāng)然上述檢測控制和信號采集處理單元中的信號調(diào)理電路、模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路、光源控制波形產(chǎn)生電路均可采用現(xiàn)有的常規(guī)電路。
上述檢測控制和信號采集處理單元9控制光源7發(fā)射激勵光束4 (靜態(tài)光)以一定入射角度照射在待測LED芯片2的PN結(jié)1上，該入射角度根據(jù)會聚透鏡的半徑選擇，入射光束應(yīng)避免射到會聚透鏡上，大部分光束在所述芯片2上作用后成為反射光5，透射進(jìn)所述芯片2的部分光能使所述LED芯片的PN結(jié)1發(fā)生光生伏特效應(yīng)，形成光生電動勢，光生電動勢使勢壘降低，加速PN結(jié)中多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動，引起復(fù)合，形成發(fā)光。會聚透鏡組6將PN結(jié)1的自發(fā)光3會聚至光電轉(zhuǎn)換器8，光電轉(zhuǎn)換器8將光信號轉(zhuǎn)換成電信號送入檢測控制和信號采集處理單元9中進(jìn)行分析若檢測到PN結(jié)的自發(fā)光，則PN結(jié)完好，否則PN結(jié)功能不正常。為了避免反射光5進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換器8，對自發(fā)光3的檢測造成干擾，可以選擇發(fā)射脈沖光作為激勵光束4，這樣，在光照停止時(shí)，PN結(jié)1中蓄積在空間電荷區(qū)的電荷以放電形式向結(jié)兩端擴(kuò)散，引起瞬態(tài)自發(fā)光。會聚透鏡組6將PN結(jié)l的瞬態(tài)自發(fā)光會聚至光電轉(zhuǎn)換器8，光電轉(zhuǎn)換器8將光信號轉(zhuǎn)換成電信號送入檢測控制和信號采集處理單元9中進(jìn)行分析若檢測到PN結(jié)的瞬態(tài)自發(fā)光，則PN結(jié)完好，否則PN結(jié)功能不正常。由于需要采集的光為瞬態(tài)光，且光強(qiáng)很弱，為避免激勵光的干擾，以防光電轉(zhuǎn)換器8飽和，激勵光源7和光電轉(zhuǎn)換器8應(yīng)以交替開關(guān)狀態(tài)工作，激勵光源7關(guān)斷，光電轉(zhuǎn)換器8才工作。
當(dāng)然，這種方法也適用于LED晶圓的檢測。
實(shí)施例2:參見圖2 4， 一種LED芯片的檢測方法，其特征在于它通過檢測控制和信號采集處理單元9控制光源7發(fā)射激勵光束4照射在待測LED芯片2的PN結(jié)1上，光照的同時(shí)，將所述PN結(jié)置于交變的磁場ll中，PN結(jié)1上形成的交變自發(fā)光3由會聚透鏡組6會聚至光電轉(zhuǎn)換器8，光電轉(zhuǎn)換器8將光信號轉(zhuǎn)換成電信號，送入所述檢測控制和信號采集處理單元9進(jìn)行處理來實(shí)現(xiàn)對LED芯片的檢測。
本例中激勵光是靜態(tài)光；上述產(chǎn)生交變磁場的交變磁場產(chǎn)生器10與上述檢測控制和信號采集處理單元9電連接。
上述檢測控制和信號采集處理單元9控制光源7發(fā)射激勵光束4 (靜態(tài)光)照射在待測LED芯片2的PN結(jié)1上，大部分光束在所述芯片2上作用后成為反射光5，透射進(jìn)所述芯片2的部分光能使LED PN結(jié)1發(fā)生光生伏特效應(yīng)，形成光生電動勢。該電動勢是直流電壓，作為PN結(jié)1的直流偏置。光照的同時(shí)，交變磁場產(chǎn)生器10產(chǎn)生一交變磁場11，將PN結(jié)1置于交變磁場中，在PN結(jié)1上會產(chǎn)生交變的感生電動勢，使PN結(jié)1產(chǎn)生交變自發(fā)光3。會聚透鏡組6將PN結(jié)1的交變自發(fā)光3會聚至光電轉(zhuǎn)換器8后送入檢測控制和信號采集處理單元9進(jìn)行處理。因?yàn)榧罟馐庆o態(tài)光，而PN結(jié)的自發(fā)光是交變光，因此易于處理。若檢測到PN結(jié)的自發(fā)交變光，則PN結(jié)完好，否則PN結(jié)功能不正常。
當(dāng)然，這種方法也適用于LED晶圓的檢測。
實(shí)施例3:參見圖1 4， 一種LED晶圓的檢測方法，它與實(shí)施例1禾n 2相同，所不同的是它通過檢測控制和信號采集處理單元9控制光源7發(fā)射激勵光束4照射在待測LED晶圓的所有PN結(jié)上，且采用常規(guī)的面陣列光電檢測元件作為
8光電轉(zhuǎn)換器。若檢測到PN結(jié)的自發(fā)光，則PN結(jié)完好，否則PN結(jié)功能不正常。本例中的激勵光束4為靜態(tài)光。
實(shí)施例4:參見圖1 3， 一種LED晶圓的檢測方法，它與實(shí)施例l相同，所不同的是它通過檢測控制和信號采集處理單元9控制光源7發(fā)射激勵光束4順序掃描逐個(gè)照射在LED晶圓的每個(gè)PN結(jié)上。若檢測到PN結(jié)的自發(fā)光，則PN結(jié)完好，否則PN結(jié)功能不正常。
本例中的激勵光束4為靜態(tài)光。
實(shí)施例5:參見圖2、 3和5， 一種LED芯片的檢測方法，其特點(diǎn)在于它通過檢測控制和信號采集處理單元9控制光源7發(fā)射激勵光束4透射過半透/半反鏡組12，照射在待測LED芯片2的PN結(jié)1上，半透/半反/半反鏡12組又將PN結(jié)1上形成的自發(fā)瞬態(tài)光3反射至?xí)弁哥R組6，會聚透鏡組6再將光束會聚至光電轉(zhuǎn)換器8，光電轉(zhuǎn)換器8將光信號轉(zhuǎn)換成電信號，送入檢測控制和信號采集處理單元9進(jìn)行處理來實(shí)現(xiàn)對LED芯片的檢測。
本例中的激勵光束4為脈沖光。
上述檢測控制和信號采集處理單元9控制光源7發(fā)射激勵光束4 (脈沖光)垂直入射半透/半反鏡組12，透射過半透/半反鏡組12的光束垂直照射在LED芯片2的PN結(jié)1上，透射進(jìn)芯片2的部分光能使所述LED芯片的PN結(jié)1發(fā)生光生伏特效應(yīng)，形成光生電動勢。光照停止時(shí)，PN結(jié)1中蓄積在空間電荷區(qū)的電荷以放電形式向結(jié)兩端擴(kuò)散，引起瞬態(tài)發(fā)光。半透/半反鏡組12將PN結(jié)1的自發(fā)瞬態(tài)光反射至?xí)弁哥R組6，會聚透鏡組6再將光束會聚至光電轉(zhuǎn)換器8，光電轉(zhuǎn)換器8將光信號轉(zhuǎn)變成成電信號送入檢測控制和信號采集處理單元9中分析處理，若檢測到PN結(jié)的自發(fā)光瞬態(tài)光，則PN結(jié)完好，否則PN結(jié)功能不正常。
權(quán)利要求
1、一種LED芯片的非接觸式檢測方法，其特征在于它通過檢測控制和信號采集處理單元(9)控制光源(7)發(fā)射激勵光束(4)透射過半透/半反鏡組(12)，照射在待測LED芯片(2)的PN結(jié)(1)上，半透/半反鏡組(12)又將PN結(jié)(1)上形成的自發(fā)瞬態(tài)光(3)反射至?xí)弁哥R組(6)，會聚透鏡組(6)再將光束會聚至光電轉(zhuǎn)換器(8)，光電轉(zhuǎn)換器(8)將光信號轉(zhuǎn)換成電信號，送入檢測控制和信號采集處理單元(9)進(jìn)行處理來實(shí)現(xiàn)對LED芯片的檢測。
2、 如權(quán)利要求2所述的LED芯片的非接觸式檢測方法，其特征在于所述 激勵光束(4)為脈沖光；所述檢測控制和信號采集處理單元(9)控制光源(7) 發(fā)射激勵光束(4)垂直入射半透/半反鏡組(12)，透射過半透/半反鏡組(12) 的光束垂直照射在所述待測LED芯片(2)的PN結(jié)(1)上。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的LED芯片的非接觸式檢測方法，其特征在于 所述檢測控制和信號采集處理單元包括信號調(diào)理電路、模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路、CPU、 顯示器、光源控制波形產(chǎn)生電路和光源驅(qū)動電路；其中信號調(diào)理電路的輸出端與 模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路的輸入端相連；模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路的輸出端與CPU的輸入端相連； CPU的輸出端分別與模/數(shù)轉(zhuǎn)換電路、光源控制波形產(chǎn)生電路和顯示器的輸入端 相連；光源控制波形產(chǎn)生電路的輸出端與光源驅(qū)動電路的輸入端相連；工作時(shí)， 信號調(diào)理電路與光電轉(zhuǎn)換器電連接，光源驅(qū)動電路控制光源產(chǎn)生激勵光束(4) 照射在待測LED芯片(2)的PN結(jié)(1)上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種LED芯片的非接觸式檢測方法，關(guān)鍵在于它通過檢測控制和信號采集處理單元(9)控制光源(7)發(fā)射激勵光束(4)透射過半透/半反鏡組(12)，照射在待測LED芯片(2)的PN結(jié)(1)上，半透/半反鏡組(12)又將PN結(jié)(1)上形成的自發(fā)瞬態(tài)光(3)反射至?xí)弁哥R組(6)，會聚透鏡組(6)再將光束會聚至光電轉(zhuǎn)換器(8)，光電轉(zhuǎn)換器(8)將光信號轉(zhuǎn)換成電信號，送入檢測控制和信號采集處理單元(9)進(jìn)行處理來實(shí)現(xiàn)對LED芯片的檢測。采用本發(fā)明所述方法可以實(shí)現(xiàn)不接觸LED芯片實(shí)現(xiàn)對LED芯片性能參數(shù)的檢測。
文檔編號G01M11/02GK101581756SQ200910138900
公開日2009年11月18日 申請日期2007年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月3日
發(fā)明者靜 文, 文玉梅, 平 李, 戀 李 申請人:重慶大學(xué)