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柔性薄膜Ni電阻傳感器及其制備方法

文檔序號(hào):5836559閱讀:274來源:國知局
專利名稱:柔性薄膜Ni電阻傳感器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種快速響應(yīng)的薄膜Ni電阻傳感器及其制作方法。該傳感器尤其適用于汽 車進(jìn)氣熱線式流量計(jì)和其他要求快速響應(yīng)的熱電阻測(cè)試系統(tǒng)中。
背景技術(shù)
熱電阻傳感器已有較長歷史,但隨著科技的發(fā)展, 一方面不斷提出一些新的特殊要求, 另一方面又提供新的手段可以不斷提高這類傳感器的各項(xiàng)性能。從敏感材料說,鉑電阻已有 較長歷史,它有著感溫范圍廣、線性好、穩(wěn)定性好等突出的優(yōu)點(diǎn),但它也有材料成本太高的 重要局限,銅、鋁、銀等有著化學(xué)活動(dòng)性強(qiáng)和熔點(diǎn)低導(dǎo)致工作溫度低,耐腐蝕性差的缺點(diǎn), 另外它們的電阻率小,也給實(shí)用帶來不便。鎳電阻的溫度系數(shù)比鉑大1.7倍,靈敏度較高, 熔點(diǎn)和化學(xué)穩(wěn)定性較高,可焊性良好,價(jià)格比鉑便宜3個(gè)數(shù)量級(jí),因此是優(yōu)選的熱敏金屬材 料。
為了提高熱電阻傳感器的響應(yīng)速度,必須要求器件輕小,薄膜技術(shù)被廣泛關(guān)注,但一般 薄膜器件的基片還是玻璃、陶瓷、硅片等,出于機(jī)械強(qiáng)度的考慮其厚度一般只能做到0.3 — lmm。.使器件的熱容量較大,時(shí)間響應(yīng)快不了,所以采用薄膜基片就是自然的想法,耐熱聚 合物薄膜就進(jìn)入了人們的視線。聚四氟乙烯較早出現(xiàn),但其因表面親和力太差,使它與功能 薄膜的附著力太差, 一直未采用,聚酰亞胺薄膜出現(xiàn)后,有報(bào)道用它作為薄膜傳感器基片, 它能長期耐受250'C短期承受350'C溫度。但因薄膜基片的柔性對(duì)器件的穩(wěn)定性和耐久性帶 來的負(fù)面影響,并未見有效的實(shí)用。
現(xiàn)有文獻(xiàn)注重于研制Ni膜的電阻溫度系數(shù)盡可能接近塊狀材料的鎳電阻,基片多用固 體剛性材料,Ni膜厚度在400nm左右,成膜方法多采用濺射法(因?yàn)镹i是鐵磁性材料,會(huì) 屏蔽磁力線,故采用磁控濺射法時(shí)需采取特殊措施)。張承松等(《沈陽工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)》 VoL20,No.lp23-26)曾報(bào)導(dǎo)在聚酰亞胺基底上研制Ni膜熱敏電阻,但其包括保護(hù)層的總厚度 在lmm量級(jí),顯然響應(yīng)速度不快,而且電阻溫度系數(shù)明顯偏小又不一致。
傳統(tǒng)的熱電阻傳感器都用陶瓷片、硅片或玻璃等固體基片作為載體,由于機(jī)械強(qiáng)度的原 因,固體基體都不能做得太薄太細(xì), 一般至少有零點(diǎn)幾毫米,因此限制了器件的熱容量的下 限,感溫時(shí)間響應(yīng)慢。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種成本低、性能好、響應(yīng)速度快的柔基Ni膜電阻熱傳感器,用于汽車進(jìn)氣熱線式空氣流量計(jì),也可用于其他熱電阻傳感場合,尤其要求響應(yīng)速度快的熱電 阻測(cè)試系統(tǒng),更能體現(xiàn)其優(yōu)越性。
本發(fā)明提供的柔性基體薄膜鎳電阻傳感器,包括基片、附在基片上的電阻線、焊接盤, 所述基片為耐高溫聚酰亞胺柔性薄膜,厚度25 75um;基片上的電阻線為沉積在聚酰亞胺 柔性薄膜基片上的厚度1.5 5um的鎳薄膜,光刻成柵狀的電阻線,電阻線條和焊接盤的邊 緣涂復(fù)聚合物保護(hù)層,僅露出焊點(diǎn)端頭,使薄膜Ni電阻線條與大氣隔絕防止氧化和玷污; 薄膜鎳電阻傳感器電阻值取0'C時(shí)20 100 Q ,器件的總厚度35 85um。
本發(fā)明所述柵狀電阻線條的彎處及與焊接盤的結(jié)合處為弧線連接,以免應(yīng)力集中在連接 處,導(dǎo)致斷裂。
本發(fā)明所述柔性薄膜Ni電阻傳感膜片固定在三邊折疊的開窗的金屬片框,框三邊折疊壓 住膜片, 一邊開放,便于膜片插入安裝;開窗金屬框解決了柔性薄膜基片的夾持問題,又讓 器件與介質(zhì)有充分的熱交換,用于氣體或液體介質(zhì)中。
本發(fā)明所述柔性薄膜Ni電阻傳感膜片直接貼在待測(cè)固體表面,用于檢測(cè)固體表面熱參數(shù)。
本發(fā)明提供的柔性基體薄膜鎳電阻傳感器的制備方法是
在耐高溫聚酰亞胺薄膜基片上,用真空蒸發(fā)Ni膜的方法制得導(dǎo)電層后,采用電化學(xué)方法 加厚Ni膜,再采用光刻方法制成電阻器圖案,再次采用電化學(xué)方法調(diào)整阻值、涂覆保護(hù)層、 固化和老化處理而成,制備步驟如下
1. 在聚酰亞胺薄膜基片上鍍Ni:用真空蒸發(fā)Ni膜的方法,使聚酰亞胺薄膜表面沉積上Ni 膜導(dǎo)電層;
2. 電鍍加厚Ni膜將上述附有Ni導(dǎo)電層的聚酰亞胺薄膜放入電鍍槽陰極,控制陰極電流 密度0.8 1.5A/dm2,電鍍液PH值3.8 4.4,溫度15 55。C,所用陽極Ni為99. 999%
純度,制得厚度為1.5 5微米的鎳薄膜基片;
3. 光刻電阻線條圖案將加厚后的Ni/聚酰亞胺薄膜基片,光刻?hào)艩铍娮杈€條圖案,根據(jù) 光刻母版的設(shè)計(jì), 一版可光刻幾十上百只器件單元;
4. 檢査光刻后的膜片在顯微鏡下逐個(gè)檢査光刻后的膜片,在圖案有缺陷的單元上打上記 號(hào),圖案缺陷包括斷線、搭線、線條毛糙或缺損、線條中有明顯針孔,以便剔除;
5. 修正單元電阻值對(duì)合格的圖案單元進(jìn)行電鍍修正阻值,將單元電阻焊接盤引出,接電 橋測(cè)量單元電阻值,然后采用正、負(fù)電鍍的方法進(jìn)行阻值修正;
6. 薄膜Ni電阻單元基片涂覆保護(hù)層經(jīng)修正阻值后的電阻單元用印刷法涂覆耐高溫的保護(hù)膠,保護(hù)膠對(duì)Ni和聚酰亞胺膜有較好的結(jié)合力,涂膠范圍是覆蓋電阻線條和焊接盤的邊 緣,僅露出焊點(diǎn)端頭,使薄膜Ni電阻線條與大氣隔絕防止氧化和玷污;
7. 保護(hù)膠固化及薄膜Ni電阻老化涂好保護(hù)膠的薄膜Ni電阻基片送入爐子進(jìn)行固化,同 時(shí)使Ni膜的空隙塌陷晶體結(jié)構(gòu)老化,條件是N2氣或Ar氣保護(hù)氣氛下,升溫到聚酰亞 胺能承受的最高溫度保溫1小時(shí),自然冷卻;
8. 電阻檢測(cè)固化老化熱處理后進(jìn)行電阻檢測(cè),每一規(guī)格中電阻誤差在±1%以內(nèi);
9. 薄膜Ni電阻單元基片安裝固定把膜片分割成相應(yīng)尺寸的各電阻單元,對(duì)用于氣體或液 體介質(zhì)中的器件,將薄膜Ni電阻單元基片插入開窗金屬框固定安裝,獲得柔性薄膜Ni 電阻傳感器成品單元。
本發(fā)明所述修正單元電阻值,對(duì)合格的電阻單元進(jìn)行補(bǔ)充電鍍,修正阻值,用專用夾具 接觸單元的引出焊接盤,接電橋測(cè)量阻值,對(duì)于阻值高于期望值的單元,接電鍍電路的負(fù)極, 補(bǔ)充沉積Ni原子,不時(shí)關(guān)斷電鍍電源進(jìn)行阻值測(cè)量,當(dāng)阻值達(dá)到設(shè)置值時(shí),停止電鍍;對(duì) 于阻值低于期望值的單元,接電鍍電路的正極,Ni原子隨著電流溶入電鍍液,電阻值增大, 達(dá)到設(shè)置值時(shí)停止電鍍。測(cè)量電阻時(shí)必須關(guān)斷電鍍電流。
本發(fā)明電阻測(cè)量電橋的四臂中, 一臂是被測(cè)電阻單元, 一臂是己知阻值的同樣性質(zhì)的Ni 薄膜電阻,另二臂是精密固定電阻;測(cè)量電流控制在lma以下,防止溫度使測(cè)量產(chǎn)生大的誤 差。
本發(fā)明所述涂復(fù)保護(hù)層的保護(hù)膠,選用PI樹脂膠液,保護(hù)膠固化后形成的膠膜厚度為3 10um,通過膠液的稀釋程度、印模厚度調(diào)整。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是,在結(jié)構(gòu)上,功能Ni膜相對(duì)遠(yuǎn)厚于常規(guī),達(dá)到幾個(gè)微米,使膜的電學(xué) 性能接近塊狀材料,同時(shí)能耐受薄膜基體的柔性撓曲特性,從而使器件性能穩(wěn)定耐久,真正 能夠?qū)嵱?;為使器件保持輕薄,采用印刷工藝,制作厚度僅數(shù)微米的聚酰亞胺保護(hù)層,使 Ni膜電阻細(xì)線條與大氣隔絕,防止表面氧化和污物粘附,同時(shí)使電阻細(xì)線條具有更好的機(jī)械 強(qiáng)度,保持了器件的熱容量微小;器件的總厚度僅35um到85um,使感溫時(shí)間響應(yīng)比傳統(tǒng)鉑 薄膜電阻快十倍以上;當(dāng)傳感器是用于氣體或液體介質(zhì)中時(shí),采用開窗金屬框,固定柔性薄 膜Ni電阻基片,使安裝使用方便可靠;在工藝方法上,在聚酰亞胺薄膜上用真空蒸發(fā)Ni膜 的方法制得導(dǎo)電層后,采用低成本的電化學(xué)方法加厚Ni膜,使Ni膜厚度達(dá)到數(shù)微米;進(jìn)而 仍采用電化學(xué)方法,調(diào)整每個(gè)Ni電阻阻值到統(tǒng)一指定值,能方便又廉價(jià)地實(shí)施批量生產(chǎn); 本發(fā)明利用能耐高溫的聚合物聚酰亞胺薄膜作為基體,可長期耐受250度,短期耐受350度。 作為汽車進(jìn)氣空氣流量計(jì)的核心傳感元件,它的快速響應(yīng)使燃燒更完善,動(dòng)力變化能緊跟供油狀態(tài),改善了內(nèi)燃機(jī)的燃燒狀況。也可其用于他20(TC以下,快速測(cè)量溫度變化的場合, 當(dāng)用于檢測(cè)固體表面的熱參數(shù)時(shí),可將柔性薄膜Ni電阻傳感膜片直接貼在待測(cè)固體表面, 良好的熱傳導(dǎo)和輕薄的熱容量能保證優(yōu)良的響應(yīng)速度。


圖1柔性薄膜Ni電阻傳感器示意圖
圖2柔性薄膜Ni電阻傳感器A-A'截面圖
圖3薄膜Ni電阻的溫度特性測(cè)試圖
圖4實(shí)施例2柔性薄膜Ni電阻傳感器示意圖
圖中1-聚酰亞胺薄膜基片2-柵狀電阻線條3-保護(hù)層4-金屬框5-焊接盤
具體實(shí)施例方式
為了進(jìn)一步理解本發(fā)明結(jié)合實(shí)施例作詳細(xì)描述。 實(shí)施例l
*把厚度75um聚酰亞胺薄膜,經(jīng)洗滌劑刷洗一浸泡1小時(shí)一漂洗一甩干,送電子束蒸發(fā)鍍 膜機(jī)中鍍Ni,用透射光監(jiān)控Ni膜厚度,直到檢測(cè)不到透射光,所用Ni材料純度是99. 999。/0 的,這時(shí)Ni膜方塊電阻約為I^lQ,其厚度約為O. lum。
*將上述附有Ni導(dǎo)電層的聚酰亞胺薄膜放入電鍍槽陰極,鍍液配方為(g/L)硫酸鎳180、
磷酸38、氯化鈉10、十二烷基硫酸鈉0.1 、硫酸鈉60、硫酸鎂35。電鍍電流密度1A/dm2、
電鍍液PH值4、溫度35°C,通過電鍍加厚Ni膜,使方塊電阻到25mQ ,用低電阻儀進(jìn) 行測(cè)量,所用陽極Ni為99. 999%純度。 *光刻N(yùn)i膜成柵狀電阻線條圖案,參見附圖l中的l,柵狀電阻線條1的彎處及與焊點(diǎn)盤 結(jié)合處采取弧線過渡,不采用直角連接,以免應(yīng)力集中在連接處,導(dǎo)致易斷裂。根據(jù)光
刻母版的特定設(shè)計(jì), 一版可光刻42只器件,Ni膜柵狀電阻敏感區(qū)為3x3mra2。 *在40倍顯微鏡下逐個(gè)檢査光刻后的膜片,在圖案有斷線、搭線、線條毛糙或缺損、線條
中有明顯針孔缺陷的單元上打上記號(hào),以便剔除。 *將合格的電阻單元進(jìn)行補(bǔ)充電鍍,修正阻值。用專用夾具接觸單元的引出焊點(diǎn),接電橋 測(cè)量阻值,對(duì)于阻值高于設(shè)置值的單元,接電鍍電路的負(fù)極,補(bǔ)充沉積Ni原子,不時(shí)關(guān) 斷電鍍電源進(jìn)行阻值測(cè)量,當(dāng)阻值達(dá)到設(shè)置值時(shí),停止電鍍;對(duì)于阻值低于設(shè)置值的單 元,接電鍍電路的正極,Ni原子隨著電流溶入電鍍液,電阻值增大,達(dá)到設(shè)置值時(shí)停止電鍍,測(cè)量電阻時(shí)必須關(guān)斷電鍍電流,測(cè)量電流控制在lma以下。 *經(jīng)修正阻值后的電阻單元用印刷法涂復(fù)PI樹脂保護(hù)膠,涂膠范圍是覆蓋電阻線條和焊點(diǎn)
的邊緣,僅露出焊點(diǎn)端頭5,使薄膜Ni電阻線條與大氣隔絕防止氧化和玷污,保護(hù)膠固
化后形成的膠膜厚度為5微米。 *涂好保護(hù)膠的薄膜Ni電阻基片送入爐子進(jìn)行固化,同時(shí)使Ni膜的空隙塌陷晶體結(jié)構(gòu)老
化,而使電阻穩(wěn)定。條件是N2氣保護(hù)氣氛下,升溫到8(TC停留IO分鐘;120'C停留
IO分鐘;300'C1小時(shí);35(TC10分鐘。 *固化老化熱處理后進(jìn)行電阻檢測(cè),每一規(guī)格中電阻誤差在±1%以內(nèi),為保證檢測(cè)的準(zhǔn)確
性,采用含另一只同類成品薄膜電阻的測(cè)量電橋電路,測(cè)試電流在lma以下。 *分割成6x8mm各電阻單元,合格的單元裝入三邊折疊的金屬片框3中,在專用壓模中把
金屬框三邊緣壓下夾住聚酰亞胺膜片,即得柔性薄膜Ni電阻傳感器成品單元。
本實(shí)施例薄膜鎳電阻傳感器電阻值設(shè)定為0'C時(shí)35Q ,器件的總厚度85um。 本實(shí)施例薄膜Ni電阻的溫度性能如圖3所示,測(cè)試過程是在油浴中完成的,經(jīng)多次反復(fù) 測(cè)量,重復(fù)性良好,隨溫度增高曲線向上撓,線性不如鉑電阻,在0-20(TC的平均溫度系數(shù)
為6.68xl0—3 /'C,接近塊狀Ni材料的溫度系數(shù),靈敏度是鉑電阻的1.7倍,非線性問題現(xiàn)
在技術(shù)上已有多種校正辦法,在有些場合非線性問題并不是重要問題,如空氣流量計(jì)中。 實(shí)施例2
參照實(shí)施例1的制備方法和步驟不同的是聚酰亞胺基片厚度取25nm,大小取5x 2mm2, 一版可光刻250個(gè)薄膜Ni電阻單元,Ni電阻線條引出焊點(diǎn)盤分布在兩端,不用金 屬框,如圖4所示,Ni電阻的方塊電阻電鍍加厚到50mQ ,薄膜鎳電阻傳感器電阻值設(shè)定 為0'C時(shí)100Q,器件的總厚度35um。該傳感器用于檢測(cè)固體表面溫度,使用時(shí)直接用導(dǎo)熱 膠把傳感膜貼到待測(cè)固體表面。
權(quán)利要求
1. 一種柔性基體薄膜鎳電阻傳感器,包括基片、附在基片上的電阻線、焊接盤,其特征是基片為耐高溫聚酰亞胺柔性薄膜,厚度25~75um;基片上的電阻線為沉積在聚酰亞胺柔性薄膜基片上的厚度1.5~5um的鎳薄膜,光刻成柵狀的電阻線;電阻線條和焊接盤的邊緣涂覆聚合物保護(hù)層,露出焊點(diǎn)端頭,使薄膜Ni電阻線條與大氣隔絕防止氧化和玷污;薄膜鎳電阻傳感器電阻值設(shè)置為0℃時(shí)20~100Ω,傳感器的總厚度35~85um。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基體薄膜鎳電阻傳感器,其特征是所述柵狀電阻鎳膜線條 的厚度1.5 5um。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基體薄膜鎳電阻傳感器,其特征是所述柵狀電阻線條的彎 處及與焊接盤的結(jié)合處為弧線連接。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基體薄膜鎳電阻傳感器,其特征是所述柔性薄膜Ni電阻傳 感膜片固定在三邊折疊的開窗的金屬片框,框三邊折疊壓住膜片, 一邊開放,便于膜片 插入安裝,開窗金屬框解決了柔性薄膜基片的夾持問題,又讓器件與介質(zhì)有充分的熱交 換,適用于氣體或液體介質(zhì)中。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性基體薄膜鎳電阻傳感器,其特征是所述柔性薄膜Ni電阻傳 感膜片,直接貼在待測(cè)固體表面,適用于檢測(cè)固體表面的熱參數(shù)。
6、 權(quán)利要求1所述的柔性基體薄膜鎳電阻傳感器的制備方法,其特征是在耐高溫聚酰亞胺薄膜基片上,用真空蒸發(fā)Ni膜的方法制得導(dǎo)電層后,采用電化學(xué)方法加厚Ni膜,再采用光刻方法制成電阻器圖案,再次采用電化學(xué)方法調(diào)整阻值、涂覆保護(hù)層、固化和老化處理而成,制備步驟如下*在聚酰亞胺薄膜基片上鍍Ni:用真空蒸發(fā)Ni膜的方法,使聚酰亞胺薄膜表面沉積上Ni 膜導(dǎo)電層;*電鍍加厚Ni膜將上述附有Ni導(dǎo)電層的聚酰亞胺薄膜放入電鍍槽陰極,控制陰極電流 密度0.8 1.5A/dm2,電鍍液PH值3.8 4.4,溫度15 55。C,所用陽極Ni為99. 999%純度,制得厚度為1.5 5微米的鎳薄膜基片; *光刻電阻線條圖案將加厚后的Ni/聚酰亞胺薄膜基片,光刻?hào)艩铍娮杈€條圖案,根據(jù)光刻母版的設(shè)計(jì), 一版可光刻幾十上百只器件單元; *檢査光刻后的膜片在顯微鏡下逐個(gè)檢査光刻后的膜片,在圖案有缺陷的單元上打上記號(hào),圖案缺陷包括斷線、搭線、線條毛糙或缺損、線條中有明顯針孔; *修正單元電阻值對(duì)合格的圖案單元進(jìn)行電鍍修正阻值,將單元電阻焊接盤引出,接電橋測(cè)量單元電阻值,然后采用正、負(fù)電鍍的方法進(jìn)行阻值修正; *薄膜Ni電阻單元基片涂覆保護(hù)層經(jīng)修正阻值后的電阻單元用印刷法涂覆耐高溫的保護(hù)膠,保護(hù)膠對(duì)Ni和聚酰亞胺膜有較好的結(jié)合力,涂膠范圍是覆蓋電阻線條和焊點(diǎn)的邊緣,僅露出焊點(diǎn)端頭,使薄膜Ni電阻線條與大氣隔絕防止氧化和玷污; *保護(hù)膠固化及薄膜Ni電阻老化涂好保護(hù)膠的薄膜Ni電阻基片送入爐子進(jìn)行固化,同時(shí)使Ni膜的空隙塌陷晶體結(jié)構(gòu)老化,條件是N2氣或Ar氣保護(hù)氣氛下,升溫到聚酰亞胺能承受的最高溫度保溫1小時(shí),自然冷卻; *電阻檢測(cè)固化老化熱處理后進(jìn)行電阻檢測(cè),每一規(guī)格中電阻誤差在±1%以內(nèi); *薄膜Ni電阻單元基片安裝固定把膜片分割成相應(yīng)尺寸的各電阻單元,對(duì)用于氣體或液體介質(zhì)中的器件,將薄膜Ni電阻單元基片插入開窗金屬框固定安裝,獲得柔性薄膜Ni電阻傳感器成品單元。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征是所述修正單元電阻值,用專用夾具接觸單 元的引出焊接盤,接電橋測(cè)量阻值,對(duì)于阻值高于期望值的單元,接電鍍電路的負(fù)極, 補(bǔ)充沉積Ni原子,不時(shí)關(guān)斷電鍍電源進(jìn)行阻值測(cè)量,當(dāng)阻值達(dá)到設(shè)置值時(shí),停止電鍍; 對(duì)于阻值低于期望值的單元,接電鍍電路的正極,Ni原子隨著電流溶入電鍍液,電阻值 增大,達(dá)到設(shè)置值時(shí)停止電鍍。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制備方法,其特征是所述電阻測(cè)量電橋的四臂中的二臂分 別為被測(cè)電阻單元,和己知阻值的同樣性質(zhì)的成品Ni薄膜電阻,另二臂為精密固定電阻, 以防止溫度使測(cè)量產(chǎn)生大的誤差。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征是所述保護(hù)膠選用PI樹脂膠液,保護(hù)膠固化 后形成的膠膜厚度為3 10um。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征是所述電鍍鎳的鍍液配方為單位g/L,硫酸鎳180、磷酸38、氯化鈉10、十二烷基硫酸鈉0. 1 、硫酸鈉60、硫酸鎂35。
全文摘要
一種柔性基體薄膜鎳電阻傳感器,包括基片、附在基片上的電阻線、焊接盤,采用在耐高溫聚酰亞胺薄膜基片上,用真空蒸發(fā)Ni膜的方法制得導(dǎo)電層后,再用電化學(xué)方法加厚Ni膜,用光刻方法制成電阻器圖案,經(jīng)過再次用電化學(xué)方法調(diào)整阻值、涂覆保護(hù)層、固化和老化處理、裝入相應(yīng)金屬夾持框而成。具有響應(yīng)速度快,價(jià)格低廉,制作方法簡單易行,解決了批量生產(chǎn)中保持器件性能一致且穩(wěn)定可靠的問題,尤其適用于汽車進(jìn)氣熱線式流量計(jì)和其他要求快速響應(yīng)的熱電阻測(cè)試系統(tǒng)中。
文檔編號(hào)G01F1/69GK101290240SQ20081006076
公開日2008年10月22日 申請(qǐng)日期2008年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月18日
發(fā)明者周鳳麗, 朱精敏, 輝 諶 申請(qǐng)人:杭州精誠光電子有限公司;朱精敏
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