專利名稱：：基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及模擬集成開關(guān)電流電路容差確定方法，特別涉及一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法，可用于對(duì)模擬集成開關(guān)電流電路進(jìn)行故障缺陷測(cè)試。
背景技術(shù)：
：模擬電路傳統(tǒng)的故障模型分為災(zāi)難性故障或硬故障(模擬元器件開路或短路)和參數(shù)性故障或稱為軟故障(模擬器件的參數(shù)值充分地變化超出其容差范圍造成不可接受的性能衰退)。模擬電路輸入和輸出信號(hào)之間存在相當(dāng)復(fù)雜的關(guān)系，許多模擬電路是非線性系統(tǒng)，即采用MOSFET晶體管作為放大器，電路參數(shù)值變化范圍非常寬。確定性模型對(duì)模擬電路是無效的。因而，信號(hào)是由正常值與正常值周圍的可接受范圍一起決定的，IC制造工藝的偏差確定了可接受的信號(hào)值容差。開關(guān)電流電路通常僅采用MOS晶體管作為開關(guān)、跨導(dǎo)以及電流源。(對(duì)于開關(guān)電流電路來說跨導(dǎo)即MOS晶體管漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓的微變量之比)。輸入電容C^存儲(chǔ)電荷通過對(duì)應(yīng)的晶體管存儲(chǔ)電流。這種技術(shù)依靠精密的電流鏡實(shí)現(xiàn)采樣數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。由于開關(guān)電流晶體管工藝的一致性，不同的跨導(dǎo)和偏置電流源都是通過改變MOS管的溝道寬度來獲得的，因此溝道寬長(zhǎng)比的變化將會(huì)對(duì)電路性能產(chǎn)生相當(dāng)大的影響。而溝道寬長(zhǎng)比^F/LJ也正是晶體管失配效應(yīng)的最主要原因。由工藝等因素引起的溝道寬長(zhǎng)比變化不僅會(huì)造成跨導(dǎo)值的偏差，也會(huì)造成電流的定標(biāo)的誤差，產(chǎn)生失配效應(yīng)與響應(yīng)偏差。因而確定這種特有的響應(yīng)偏差可接受的信號(hào)值容差范圍是在開關(guān)電流電路設(shè)計(jì)和測(cè)試時(shí)都是必須考慮的重要因素。這種偏差可以通過靈敏度分析進(jìn)行檢測(cè)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法，其特征在于，包括以下步驟1)電流定標(biāo)以開關(guān)電流存儲(chǔ)單元為基礎(chǔ)構(gòu)造開關(guān)電流電路，計(jì)算晶體管溝道寬長(zhǎng)比，實(shí)現(xiàn)電流的定標(biāo)；2)、根據(jù)電流定標(biāo)歸一化跨導(dǎo)值以輸入端的采樣保持電路晶體管跨導(dǎo)值為基準(zhǔn)，其他晶體管歸一化跨導(dǎo)值依照電流定標(biāo)進(jìn)行賦值；3)、將開關(guān)晶體管按歸一化跨導(dǎo)值進(jìn)行群組即按照相同歸一化跨導(dǎo)值的晶體管設(shè)為一個(gè)群組的標(biāo)準(zhǔn)將所有的晶體管進(jìn)行分組；4)、計(jì)算群組參數(shù)關(guān)于電路性能參數(shù)的靈敏度和偏差；5)、從標(biāo)準(zhǔn)曲線加上或減去偏差獲得誤差容限。所述的開關(guān)電流電路為延遲器、積分器、微分器、雙二次濾波器和其他實(shí)用電路。所述的步驟4)為計(jì)算節(jié)點(diǎn)電壓五,-(z)對(duì)于工作在不同相位的輸入支路a和輸出支路b的跨導(dǎo)&。6^的靈敏度為:式中F^是在相位/中支路a上的電壓，其輸入工作在相位k，&,/2/是伴隨網(wǎng)絡(luò)中的對(duì)應(yīng)電壓；參數(shù)E,(幻對(duì)元件參數(shù)xW的最大容許偏差是其中P。是給定的一個(gè)群組器件參數(shù)x(z)的隨機(jī)誤差，0.868為分貝衰減常數(shù)。即采用分貝表示時(shí)需要在公式中加入分貝衰減系數(shù)，否則不必加入該系數(shù)。有益效果本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于本發(fā)明首先根據(jù)開關(guān)電流特有結(jié)構(gòu)，將構(gòu)成電路的CMOS元件通過群組靈敏度分析的方法進(jìn)行分類，以群組的方式計(jì)算絕對(duì)誤差或統(tǒng)計(jì)誤差，最終確定電路容差邊界。在進(jìn)行誤差容限的分析將大大地提高矩陣分析的效率。圖1為本發(fā)明中基于時(shí)域與頻域中多尺度小波分解及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)非線性映射歸納的對(duì)模擬集成開關(guān)電流電路進(jìn)行故障缺陷測(cè)試的方法流程圖；圖2SI基本存儲(chǔ)單元(a)SI基本存儲(chǔ)單元電路(b)時(shí)鐘波形；圖3開關(guān)電容雙二次函數(shù)的拓?fù)潆娐穲D；圖4用于6階切比雪夫低通濾波器的開關(guān)電流雙二次節(jié)；圖56階開關(guān)電流切比雪夫低通濾波器；圖66階開關(guān)電流切比雪夫低通濾波器增益及其容差(a)隨機(jī)誤差1%，(b)隨機(jī)誤差5%);圖7跨導(dǎo)失配的統(tǒng)計(jì)偏差；(橫軸為相對(duì)失配(％)，縱軸為統(tǒng)計(jì)偏差(dB))圖8a群跨導(dǎo)失配靈敏度實(shí)部；(橫軸為相對(duì)失配(％)，縱軸為靈敏度實(shí)部)圖9失配的增益容差上、下限。具體實(shí)施方式下面結(jié)合圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。實(shí)施例1:如圖1，基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定包括以下步驟1)構(gòu)成開關(guān)電流電路的CMOS電流定標(biāo)。以開關(guān)電流存儲(chǔ)單元為基礎(chǔ)，采用級(jí)聯(lián)等方式并對(duì)晶體管溝道寬長(zhǎng)比進(jìn)行計(jì)算，實(shí)現(xiàn)電流的定標(biāo)，是構(gòu)造出延遲器、積分器、微分器及雙二次濾波器節(jié)等各種實(shí)用電路的基本方法。開關(guān)電流電路(SI電路)由MOS存儲(chǔ)管、受時(shí)間控制的開關(guān)、電流鏡電路構(gòu)成，利用MOS器件柵源間寄生電容的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)電流信號(hào)的處理，所以在SI電路中不需要線性浮置電容，且在原理上具有低電源電壓工作潛力，可以采用標(biāo)準(zhǔn)VLSICMOS工藝實(shí)現(xiàn)。電流存儲(chǔ)器是構(gòu)成SI電路的基礎(chǔ)，如圖2所示圖2(a)所示的SI結(jié)構(gòu)可在單個(gè)晶體管K中實(shí)現(xiàn)電流存儲(chǔ)器，各時(shí)鐘波形如圖2(b)所示。開關(guān)&、&受時(shí)鐘^控制，&則由02控制，在時(shí)鐘^即取樣相，開關(guān)&、&閉合，于是輸入電流i加到偏置電流/上，《/+/對(duì)乃管的柵一源電容C充電，當(dāng)柵一源電壓Fp超過閾值電壓Fr時(shí)，晶體管r,導(dǎo)通，當(dāng)C完全充電后，艮口Kg、aF,+其中^稱為本征導(dǎo)電因子，且*'=+(^/F2)。其中//為載流子遷移率，C?！稙閱挝幻娣e電容，『/為晶體管寬長(zhǎng)比。J+z全部流入7!漏極。在時(shí)鐘&相即保持相，&、&斷開，且&閉合，此時(shí)柵源電容C上維持Fp值，從而使K漏極電流維持在7\管漏極節(jié)點(diǎn)上由基爾霍夫電流定律可知輸出電流/。=",在整個(gè)A相期間完成對(duì)取樣電流/的存儲(chǔ)。由此可見，通過晶體管7^柵一源寄生電容c上電荷的存儲(chǔ)，即可完成對(duì)輸入電流的采樣與保持。當(dāng)然在這種由晶體管實(shí)現(xiàn)的SI存儲(chǔ)電路中，輸出/。只能在02有值，若要在整個(gè)時(shí)鐘周期得到輸出，可采用電流拷貝器結(jié)構(gòu)，即增加晶體管r2及相應(yīng)的偏置結(jié)構(gòu)，在A相、^相期間，通過電流鏡作用都可以得到輸出電流/'。=-/，同時(shí)通過選擇適當(dāng)?shù)膔2寬長(zhǎng)比，可以實(shí)現(xiàn)電流的定標(biāo)(即任一個(gè)電流都可以表示為基準(zhǔn)電流/。乘以一個(gè)固定系數(shù)，該系數(shù)取決于對(duì)應(yīng)晶體管溝道寬長(zhǎng)比)。在圖2中，T2、K寬溝道長(zhǎng)比之比為a，則以圖2給出的開關(guān)電流存儲(chǔ)單元為基礎(chǔ)，可以方便的構(gòu)造出延遲器、積分器、微分器及雙二次濾波器節(jié)等各種實(shí)用電路。2)、根據(jù)電流定標(biāo)歸一化跨導(dǎo)值。理想MOS管的跨導(dǎo)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>C。,為存儲(chǔ)晶丄體管柵氧化區(qū)單位面積電容，^為電子遷移率，F(xiàn)。,為柵源電壓，^為溝道域值電壓，在制造工藝確定的條件下，這些參數(shù)都是常數(shù)，因此可以采用晶體管溝道寬長(zhǎng)比a作為歸一化跨導(dǎo)值。采樣輸入晶體管K跨導(dǎo)值是任意的，其他晶體管歸一化跨導(dǎo)依照電流定標(biāo)進(jìn)行賦值。下面以雙二次節(jié)構(gòu)成的切比雪夫響應(yīng)(0.5dB等紋波)的6階低通濾波器為例進(jìn)行說明，采用20MHz的時(shí)鐘頻率，其-3dB截至頻率為5MHz。因?yàn)殚_關(guān)電容濾波器中的電容比與開關(guān)電流對(duì)應(yīng)元件的電流定標(biāo)系數(shù)(寬長(zhǎng)比W/L)有直接的對(duì)應(yīng)關(guān)系，可以由三個(gè)雙二次節(jié)開關(guān)電容拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變換構(gòu)造開關(guān)電流濾波器。第一步選擇開關(guān)電容雙二次節(jié)傳輸函數(shù)為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3:其傳輸方程如下<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>其中(z)是第一個(gè)積分器(圖中A部分)的輸出電流，"z)是輸出端電流，U(z)是輸入端電流。結(jié)合上面兩個(gè)式子采用基本積分器結(jié)構(gòu)構(gòu)成開關(guān)電流雙二次節(jié)如圖4所示。另一方面，通用的S-域雙二次傳遞函數(shù)如下<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>式中，xW和x。(力為輸入和輸出信號(hào)(電壓、電流等)，&，/^和&為常數(shù)，"o和Q為極點(diǎn)頻率和品質(zhì)因數(shù)。將雙線性z變換s—2(l-z")/[T(l+z")]用于式中得到<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>式中2比較系數(shù)，得<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>這樣，如果根據(jù)以上5式來選擇系數(shù)可以實(shí)現(xiàn)雙二次函數(shù)的雙線性z變換。數(shù)值設(shè)計(jì)的第一步是從濾波器設(shè)計(jì)表格中選出6階切比雪夫(0.5dB紋波)低通濾波器的歸一化的多項(xiàng)式系數(shù)。它們用因式分解形式表示為外)=，系數(shù)在附表1中給出(已知條件)。附表1:6階0.5dB紋波切比雪夫低通函數(shù)的雙二次因子的系數(shù)m和n("c=1.041029rads—》<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>響應(yīng)在+0.5dB和-3dB截至角頻率1.041029raA"上出現(xiàn)峰值。為了設(shè)計(jì)具有5MHz截至頻率的濾波器，必須將雙二次節(jié)因子的系數(shù)對(duì)由下式確定的預(yù)翹曲頻率wp=2tanf定標(biāo)，這是因?yàn)轭l率翹曲是由雙線性z變換產(chǎn)生的。在本實(shí)例中，"=10冗X10、"(對(duì)應(yīng)于5MHz)和r=0.05X10、(對(duì)應(yīng)于20MHz的時(shí)鐘頻率)，算出"p=40X106戶(=2冗《等于6.3662MHz)。則按照下式定標(biāo)常數(shù)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>式中和分別是應(yīng)用于用來導(dǎo)出開關(guān)電流濾波器的預(yù)翹曲原型的w。/G和w。的定標(biāo)系數(shù)。進(jìn)而，為了產(chǎn)生峰值在OdB出現(xiàn)的響應(yīng)，設(shè)第一節(jié)的增益為-0.5dB(0.9406)。附表2給出了定標(biāo)參數(shù)，由于6階切比雪夫低通濾波器的歸一化的多項(xiàng)式系數(shù)分子只有常數(shù)項(xiàng)，因此只給出&的值，4t均為0。附表2:定標(biāo)和預(yù)翹曲濾波器參數(shù)(S1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>然后利用A…^式表達(dá)式計(jì)算取樣數(shù)據(jù)濾波器系數(shù)。其結(jié)果列于附表3。利用這個(gè)表和圖4和圖5即可構(gòu)成設(shè)計(jì)所需濾波器。附表3:數(shù)據(jù)濾波器系數(shù)及對(duì)應(yīng)晶體管歸一化參數(shù)(表中的晶體管與圖5中的晶體管對(duì)應(yīng))<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>采樣輸入晶體管Ti跨導(dǎo)值是任意的，可以設(shè)定歸一化為l，其他晶體管歸一化跨導(dǎo)依照附表3進(jìn)行賦值。(前文已經(jīng)說明取樣數(shù)據(jù)濾波器系數(shù)可由晶體管溝道的寬長(zhǎng)比實(shí)現(xiàn)，即電流定標(biāo)值，由于晶體管跨導(dǎo)值與寬長(zhǎng)比值成常數(shù)比例關(guān)系，因而可由此確定跨導(dǎo)的歸一化值)3)、根據(jù)電流定標(biāo)計(jì)算的歸一化跨導(dǎo)值，相同歸一化跨導(dǎo)值的晶體管生長(zhǎng)工藝是一致的，產(chǎn)生誤差或故障缺陷的形式也將一致，因而可以開關(guān)晶體管按歸一化跨導(dǎo)值群組，相同歸一化跨導(dǎo)值晶體管為一個(gè)群組。4)、計(jì)算群組參數(shù)關(guān)于電路性能參數(shù)的靈敏度、絕對(duì)或統(tǒng)計(jì)偏差。由于開關(guān)電流是一種完全兼容數(shù)字CMOS工藝的技術(shù)，它僅采用MOS管構(gòu)成電路，通過改變MOS管的溝道寬度來獲得開關(guān)、跨導(dǎo)以及電流源。為獲得設(shè)計(jì)要求的傳輸響應(yīng)，各級(jí)晶體管的面積比值必須嚴(yán)格與計(jì)算的電流定標(biāo)值一致。選擇輸入端的采樣保持電路晶體管歸一化跨導(dǎo)值為1，其他晶體管歸一化跨導(dǎo)依照電流定標(biāo)進(jìn)行賦值。將所有開關(guān)晶體管歸一化跨導(dǎo)按相同值分組。靈敏度是電路性能隨電路元件值變化而變化的一種測(cè)量，是電路元件參數(shù)x,變化對(duì)電路傳輸性能參數(shù)節(jié)點(diǎn)電壓￡,的影響。根據(jù)分析一般周期開關(guān)線性電路的方法，在交流小信號(hào)條件下采用節(jié)點(diǎn)分析方法，求解節(jié)點(diǎn)電壓矩陣及其伴隨矩陣從而分析電路的相關(guān)特性。對(duì)于一個(gè)開關(guān)周期為T的開關(guān)電流電路網(wǎng)絡(luò)，其每一個(gè)開關(guān)周期又分為N個(gè)相，每個(gè)相位元件作用一次。例如MOS晶體管的柵源電阻Wg,，在阻值相同的情況下，有兩個(gè)不同的作用，一個(gè)是作為電導(dǎo)，另一個(gè)是在不同的相位期間作為輸入和輸出的跨導(dǎo)。因此節(jié)點(diǎn)電壓對(duì)元件值的導(dǎo)數(shù)是該節(jié)點(diǎn)電壓對(duì)該元件的所有這些出現(xiàn)值的導(dǎo)數(shù)之和，因此節(jié)點(diǎn)電壓g(z)對(duì)參數(shù)x(z)的靈敏度表達(dá)式為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>其中附=1，2…/為輸出相位，&=1，2…/為輸入相位，x,(》是在相位l期間的參數(shù)4z)。節(jié)點(diǎn)電壓^一(z)對(duì)于工作在不同相位的輸入支路a和輸出支路b的跨導(dǎo)CUz)的靈敏度為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>式中F。^是在相位/中支路a上的電壓，其輸入工作在相位k，A,^是伴隨網(wǎng)絡(luò)中的對(duì)應(yīng)電壓。計(jì)算出靈敏度后，在給定跨導(dǎo)隨機(jī)誤差的條件下可以進(jìn)一步計(jì)算出統(tǒng)計(jì)偏差，從標(biāo)準(zhǔn)曲線加上或減去偏差就可以獲得誤差容限。用靈敏度分析計(jì)算的誤差是統(tǒng)計(jì)偏差，以:c(z)5X的隨機(jī)誤差為例，參數(shù)￡,(^對(duì)元件參數(shù)x(z)的最大容許偏差是其中0.05是給定的一個(gè)群組器件參數(shù)的隨機(jī)誤差，0.868是分貝衰減常數(shù)，若不用分貝表示則可以去掉。以一個(gè)6階開關(guān)電流切比雪夫低通濾波器(圖5)為例進(jìn)行計(jì)算，設(shè)截止頻率為5MHz，按照l(shuí):4的比例取時(shí)鐘頻率為20MHz，帶內(nèi)紋波0.5dB。根據(jù)雙二次節(jié)因子對(duì)預(yù)翹曲線截至頻率的定標(biāo)設(shè)定各晶體管的寬長(zhǎng)比，獲得的仿真響應(yīng)如圖6所示?？梢酝ㄟ^公式計(jì)算出相關(guān)靈敏度以及統(tǒng)計(jì)偏差。5)、從標(biāo)準(zhǔn)曲線加上或減去偏差就可以獲得誤差容限。標(biāo)準(zhǔn)曲線加上或減去偏差就可以獲得誤差容限。圖6(a)(b)是歸一化跨導(dǎo)值為0.8577的群組MOS管分別在1Q^和5X隨機(jī)誤差條件下計(jì)算出的增益容差上下限。為分析工藝和制版技術(shù)的擴(kuò)散產(chǎn)生的晶體管寬長(zhǎng)度的系統(tǒng)失配誤差對(duì)電路的影響，以上例中跨導(dǎo)歸一化值為0.8577群組的晶體管為例分別取正負(fù)15Q/^左右的隨機(jī)誤差，計(jì)算出電路在失配情況下的相對(duì)靈敏度值以及偏差。由圖7可以看出，由于失配造成的電流定標(biāo)誤差將嚴(yán)重影響電路的相對(duì)偏差值，不論誤差正負(fù)，濾波器的相對(duì)偏差都明顯地高于標(biāo)稱值。而對(duì)于以表3^類系數(shù)為1.984的群組(設(shè)為a群組)的靈敏度分析(圖8)可以看出較細(xì)微的正向失配(<10%)對(duì)靈敏度的值影響較小，稱線性下降，但高于10%后靈敏度變化明顯，而對(duì)預(yù)負(fù)值的偏差獲得的靈敏度實(shí)部值與標(biāo)稱值差距明顯。用標(biāo)準(zhǔn)增益減去由此形成的絕對(duì)偏差值獲得的增益容差上、下限如圖9所示，隨正向失配的加大，計(jì)算出的容差下限超出標(biāo)稱下限值并逐漸下降，反向失配獲得的容差下限失真明顯。權(quán)利要求1、一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法，其特征在于，包括以下步驟1)電流定標(biāo)以開關(guān)電流存儲(chǔ)單元為基礎(chǔ)構(gòu)造開關(guān)電流電路，計(jì)算晶體管溝道寬長(zhǎng)比，實(shí)現(xiàn)電流的定標(biāo)；2)、根據(jù)電流定標(biāo)歸一化跨導(dǎo)值以輸入端的采樣保持電路晶體管跨導(dǎo)值為基準(zhǔn)，其他晶體管歸一化跨導(dǎo)值依照電流定標(biāo)進(jìn)行賦值；3)、將開關(guān)晶體管按歸一化跨導(dǎo)值進(jìn)行群組即按照相同歸一化跨導(dǎo)值的晶體管設(shè)為一個(gè)群組的標(biāo)準(zhǔn)將所有的晶體管進(jìn)行分組；4)、計(jì)算群組參數(shù)關(guān)于電路性能參數(shù)的靈敏度和偏差；5)、從標(biāo)準(zhǔn)曲線加上或減去偏差獲得誤差容限。2、如權(quán)利要求1所述的一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法，其特征在于，所述的開關(guān)電流電路為延遲器、積分器、微分器或雙二次濾波器電路。3、如權(quán)利要求1或2所述的一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法，其特征在于，所述的步驟4)為計(jì)算節(jié)點(diǎn)電壓A-(z)對(duì)于工作在不同相位的輸入支路a和輸出支路b的跨導(dǎo)G^^的靈敏度為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>化.W=lA=l/=1式中F^是在相位/中支路a上的電壓，其輸入工作在相位k，&,/2;是伴隨網(wǎng)絡(luò)中的對(duì)應(yīng)電壓；參數(shù)(Z)對(duì)元件參數(shù)x(z)的最大容許偏差是<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>或<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(dB)其中P。是給定的一個(gè)群組器件參數(shù)x(z)的隨機(jī)誤差，0.868為分貝衰減常數(shù)。全文摘要本發(fā)明公開了一種基于群組跨導(dǎo)靈敏度的開關(guān)電流電路容差確定方法，其特征在于，包括以下步驟1)電流定標(biāo)以開關(guān)電流存儲(chǔ)單元為基礎(chǔ)構(gòu)造開關(guān)電流電路，計(jì)算晶體管溝道寬長(zhǎng)比，實(shí)現(xiàn)電流的定標(biāo)；2)根據(jù)電流定標(biāo)歸一化跨導(dǎo)值以輸入端的采樣保持電路晶體管跨導(dǎo)值為基準(zhǔn)，其他晶體管歸一化跨導(dǎo)值依照電流定標(biāo)進(jìn)行賦值；3)將開關(guān)晶體管按歸一化跨導(dǎo)值進(jìn)行群組即按照相同歸一化跨導(dǎo)值的晶體管設(shè)為一個(gè)群組的標(biāo)準(zhǔn)將所有的晶體管進(jìn)行分組；4)計(jì)算群組參數(shù)關(guān)于電路性能參數(shù)的靈敏度和偏差；5)從標(biāo)準(zhǔn)曲線加上或減去偏差獲得誤差容限。本方法可用于對(duì)模擬集成開關(guān)電流電路進(jìn)行故障缺陷測(cè)試，且效率高。文檔編號(hào)G01R31/28GK101271148SQ20081003131公開日2008年9月24日申請(qǐng)日期2008年5月16日優(yōu)先權(quán)日2008年5月16日發(fā)明者揚(yáng)代,何怡剛,侯周國(guó),兵李,李慶國(guó),郭杰榮申請(qǐng)人:湖南大學(xué)