專利名稱：對(duì)與成像系統(tǒng)中的接收線圈集成的電路的自屏蔽封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及磁共振成像(MRI)，更具體的，涉及對(duì)與磁共振成像系統(tǒng)中的接收線圈集成的電子器件/裝置/電路的電磁干擾(EMI)自屏蔽封裝。
背景技術(shù)：
在磁共振成像(MRI)系統(tǒng)中，可能存在一個(gè)或多個(gè)諸如由多個(gè)接收線圈元件制成的高靈敏接收線圈。如本領(lǐng)域已知的，這些線圈元件通常用于接收對(duì)一個(gè)在經(jīng)受診斷MR過程的受檢者部位的MR響應(yīng)信號(hào)，以產(chǎn)生該部位的MR圖像?？蓪⑦@些接收線圈的每一個(gè)連接到諸如可提供信號(hào)放大、頻率轉(zhuǎn)換、濾波、數(shù)字化、調(diào)制等等的相關(guān)電路上。目前在典型的MRI線圈中可以有8、16或32個(gè)接收線圈元件。然而，值得一提的是，這一數(shù)目隨著具有更高成像分辨率和速度的更新MRI系統(tǒng)引入市場(chǎng)，最終就可能增大到更大的數(shù)字(例如，64、96、128個(gè)線圈或更多)。因而，難題就在于能夠緊湊地封裝這些線圈和相關(guān)電子器件。
由于可以作為MRI系統(tǒng)一部分的子系統(tǒng)(諸如用于產(chǎn)生磁梯度場(chǎng)的梯度線圈系統(tǒng))可能夠會(huì)牽涉到伴隨產(chǎn)生射頻(RF)噪聲的相對(duì)較大的電流(幾百A的數(shù)量級(jí))和較高的電壓(范圍從幾百V到kV)，并且還由于接收線圈探測(cè)的信號(hào)幅度趨向于相對(duì)較弱以及圖像質(zhì)量非常依賴于電噪聲，為了適當(dāng)?shù)仄帘瓮獠縀MI場(chǎng)對(duì)所述線圈電路的影響已經(jīng)給出了難題。類似地，已經(jīng)存在著挑戰(zhàn)以抵消由這一電路所產(chǎn)生的EMI場(chǎng)的出現(xiàn)。此外，該MRI系統(tǒng)還可能會(huì)受到可能由管理機(jī)構(gòu)所強(qiáng)制的電磁兼容性(EMC)的要求的控制。
因此，希望提供一種能避免或基本降低上述困難的MRI系統(tǒng)和技術(shù)。更具體的，希望提供對(duì)接收線圈及相關(guān)電路緊湊且有成本效益高的封裝，在基本不受電磁干擾(EMI)的環(huán)境中達(dá)到優(yōu)質(zhì)的信號(hào)保真度并最終產(chǎn)生在視覺上沒有EMI引入的偽影的圖像。


本發(fā)明的這些和其他優(yōu)勢(shì)將從下面關(guān)于附圖的說明中變得更明白，這些附圖顯示了圖1是體現(xiàn)本發(fā)明多個(gè)方面的磁共振成像(MRI)系統(tǒng)的截取透視圖。
圖2是體現(xiàn)本發(fā)明多個(gè)方面的單個(gè)接收線圈元件的局部透視圖。
圖3是形象地表現(xiàn)圖2所示接收元件內(nèi)部的透視截取圖，并且示出了可構(gòu)建在形成接收元件的封罩中的一個(gè)或多個(gè)示例性集成電路(IC)裝置。
圖4是在體現(xiàn)本發(fā)明多個(gè)方面的接收線圈元件裝配之前，一個(gè)示意性結(jié)構(gòu)布置的示意性表示。
圖5以裝配的形式顯示了圖4的布置。
圖6是在體現(xiàn)本發(fā)明多個(gè)方面的接收線圈元件裝配之前，另一個(gè)示例性結(jié)構(gòu)布置的示意性表示。
圖7以裝配的形式顯示了圖6的布置。
圖8是截面圖，示出了可構(gòu)建在一起有效組成屏蔽EMI的有源天線的法拉第封罩內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)示例性集成電路(IC)裝置和相互連接。
在這些附圖中10-磁共振成像系統(tǒng)12-接收線圈20-接收元件22-電路裝置24-封罩40，60-下部分42，62-上部分80-接收線圈元件81-襯底82-頻率轉(zhuǎn)換器84-數(shù)字IC86-模擬IC88-MEMS器件90-電源IC92-射頻IC
具體實(shí)施例方式
作為例子，下面的說明集中于可用在醫(yī)療診斷應(yīng)用中的磁共振成像(MRI)系統(tǒng)。然而，將會(huì)理解的是本發(fā)明的多個(gè)方面可等效用在各種類型的成像應(yīng)用中，諸如工業(yè)探查、安全探查等等，此外除了采用MR醫(yī)療器械(modality)使用之外，還可以采用其他醫(yī)療器械使用。例如，MR加醫(yī)療器械，舉例來說，MRI結(jié)合諸如計(jì)算機(jī)斷層攝影(CT)或正電子發(fā)射斷層攝影(PET)，可類似地從本發(fā)明的多個(gè)方面獲益。而且，可以構(gòu)想本發(fā)明的觀念可以廣泛地用來為集成到任何可接收和/或傳送的天線中的電子器件/裝置/電路以及/或構(gòu)建成容納這種電子器件/裝置/電路并提供EMI屏障的感應(yīng)元件提供電磁干擾(EMI)的自屏蔽封裝。因此，可以感到本發(fā)明并不限于成像應(yīng)用，該成像應(yīng)用只是表示一個(gè)有代表性的實(shí)施例。
圖1示出了可體現(xiàn)本發(fā)明多個(gè)方面的磁共振成像(MRI)系統(tǒng)10的截取透視圖。MRI系統(tǒng)10包含可以安置在接受MRI診斷掃描的受檢者身上的多個(gè)接收線圈12(例如表面線圈)。將每個(gè)接收線圈構(gòu)造成基于由該接收線圈所感應(yīng)的磁共振響應(yīng)信號(hào)而供應(yīng)各線圈輸出信號(hào)。利用本領(lǐng)域那些技術(shù)人員已經(jīng)了解的技術(shù)，對(duì)每個(gè)線圈信號(hào)進(jìn)行處理，例如放大、數(shù)字化、調(diào)制等，以產(chǎn)生所關(guān)注部位的MR圖像。
本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到為一個(gè)或多個(gè)相關(guān)電路裝置(即，用接收線圈封裝)提供EMI屏蔽的創(chuàng)新的電路封裝和集成技術(shù)。這樣就能夠?qū)崿F(xiàn)適合于優(yōu)質(zhì)信號(hào)保真度和增強(qiáng)的成像性能的免受RF噪聲的環(huán)境。如下面更詳細(xì)的所述，可以構(gòu)想本發(fā)明的多個(gè)方面將通過把一個(gè)電路放置在接收元件/線圈的內(nèi)部來解決以前當(dāng)在強(qiáng)EMI環(huán)境下或其附近操作靈敏MRI線圈接收電子器件時(shí)遇到的的問題。圖2是單個(gè)接收元件20的局部透視圖。
圖3是形象地表現(xiàn)圖2所示接收元件內(nèi)部的透視截取圖。更具體的，圖3示出了一個(gè)或多個(gè)電路裝置22，例如有源和/或無源電路裝置，它們可被構(gòu)建在組成接收元件20的封罩24內(nèi)?？梢员环庋b在接收線圈內(nèi)以提供希望的接收線圈信號(hào)調(diào)節(jié)的電路裝置的示例可以是可用提供希望的信號(hào)放大的放大器，可用提供希望的頻率轉(zhuǎn)換(例如，下變頻轉(zhuǎn)換)的頻率變換器、可以提供希望的信號(hào)濾波的濾波器、可以提供數(shù)字化的模數(shù)轉(zhuǎn)換器、可以調(diào)制信號(hào)信息以便經(jīng)由通信數(shù)據(jù)鏈路通信的調(diào)制器、可以經(jīng)由通信數(shù)據(jù)鏈路發(fā)送信息的發(fā)送器等等。
將會(huì)意識(shí)到的是這些電路裝置可包含構(gòu)造成對(duì)電信號(hào)進(jìn)行操作的電子裝置。另外，可以預(yù)見這種電路裝置還可包含構(gòu)造成對(duì)電和/或光信號(hào)進(jìn)行操作的的光學(xué)和電-光裝置，諸如可由光數(shù)據(jù)鏈?zhǔn)怯脕砉鈱W(xué)發(fā)送(例如在自由空間或經(jīng)由光纖)來自接收線圈的信號(hào)。
可以構(gòu)想出通過將電路裝置22構(gòu)造成比較薄并接著將這種電路裝置直接安裝到具有金屬層的柔性多層襯底或膜上，例如聚合物上金屬/塑料襯底或膜，來實(shí)現(xiàn)這種EMI自屏蔽封裝?？蓪⒃撘r底構(gòu)造成包括互連、輸入和輸出端口，以及用來實(shí)現(xiàn)規(guī)定的系統(tǒng)功能可能所需要的任何有源和無源電路裝置。此外可以構(gòu)想出這樣構(gòu)造襯底使得一旦將電路裝置粘附于其上時(shí)，就可以采用傳統(tǒng)接收元件/線圈的形式和形狀或者適用于給定應(yīng)用的任何形狀來布置該柔性襯底(例如，折疊或以別的方式裝配)。
將會(huì)意識(shí)到的是在由接收線圈界定的內(nèi)部中的電路裝置的封裝有效地在該電路裝置的周圍構(gòu)成了法拉第籠(Faraday Cage)。即，一個(gè)防止電磁場(chǎng)進(jìn)入或逃逸的位于該電路裝置周圍的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。因此，基本保護(hù)該電裝置備免受EMI影響并增強(qiáng)了MR線圈信號(hào)的保真度和產(chǎn)生的圖像質(zhì)量。而且，本發(fā)明的多個(gè)方面防止EMI或由線圈內(nèi)的電路裝置所產(chǎn)生的其他噪聲對(duì)線圈外部(包括線圈本身表面外部)的噪聲靈敏裝置的不利影響。本發(fā)明的發(fā)明者已經(jīng)很好地意識(shí)到用作接收線圈元件的相同結(jié)構(gòu)還適于為罩在線圈元件內(nèi)的電路裝置提供法拉第籠。
可用于構(gòu)造前述電路封裝的集成電路(IC)芯片制造技術(shù)的例子可包括高密度互連(HDI)和柔性材料上芯片(chip-on-flex)電路制造技術(shù)。簡(jiǎn)要地，HDI模塊可包括安裝在襯底上的多個(gè)半導(dǎo)體集成電路芯片和其他電子組件。這些芯片和其他電子組件可通過多層互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行互連，該多層互連結(jié)構(gòu)包括薄膜聚合物電介質(zhì)材料(例如Kapton聚酰亞胺)和構(gòu)圖的鍍金的交錯(cuò)層，在聚合物層中形成有通路。對(duì)于讀者渴望的關(guān)于這一芯片制造技術(shù)的一般背景信息，可參考共同轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明相同受讓人的、題目為“Circuit Chip Package andFabrication Method”的美國(guó)專利No.6,396,153。另一可類似利用來實(shí)現(xiàn)電子器件小型化和緊湊自屏蔽封裝的代表性技術(shù)是多芯片模塊(MCM)制造技術(shù)。對(duì)于讀者渴望的關(guān)于這一芯片制造技術(shù)的一般背景信息，可參考共同轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明相同受讓人的、題目為“Multimodule Interconnect Structure and Process”的美國(guó)專利No.6,239,980。
如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)意識(shí)到，前述技術(shù)可用于形成能在單一襯底上組合多個(gè)集成電路和/無源組件的相對(duì)小、薄、輕及柔性的電路。將會(huì)理解的是體現(xiàn)本發(fā)明多個(gè)方面的MR接收線圈元件及其相關(guān)電路可使用各種方法來構(gòu)建，然而，無論使用哪種特定方法，都可通過減少電路封裝的整體影響來構(gòu)造自屏蔽電路，以實(shí)現(xiàn)來自設(shè)備、IC等諸如電子和/或電光電路裝置的優(yōu)質(zhì)性能。結(jié)果，人們不僅期待優(yōu)質(zhì)的EMI屏蔽，而且期待改進(jìn)的電子和/或光性能、增強(qiáng)的電子器件可用空間、增大的IC封裝密度、小型化上的改進(jìn)、降低的功耗、增加的可靠性以及更好的熱耗散和熱消除。例如，線圈元件可布置為耗散由線圈覆蓋的電子設(shè)備所產(chǎn)生的熱并有效地用作這種裝置的熱接收器。在這一情況下，與由線圈覆蓋的電子設(shè)備熱耦合的線圈元件將提供諸如信號(hào)感應(yīng)、EMI屏蔽和散熱這三重功能。
將會(huì)意識(shí)到的是體現(xiàn)本發(fā)明多個(gè)方面的電路封裝有效地構(gòu)成能夠用作發(fā)射天線、接收天線或者兩者(即，收發(fā)應(yīng)用)的自屏蔽“有源(active)”天線。而且，由自屏蔽天線感應(yīng)和/或傳送的信號(hào)無需限制為磁共振響應(yīng)的信號(hào)，因?yàn)槔缈刂菩盘?hào)可由這一自屏蔽天線類似地感應(yīng)和/或發(fā)送。
因此，應(yīng)當(dāng)將術(shù)語“接收線圈”廣泛地解釋為包含感應(yīng)、接收、發(fā)射和收發(fā)應(yīng)用。而且，應(yīng)當(dāng)將術(shù)語線圈解釋為包含可能涉及牽涉到控制和/或成像信息的信號(hào)的天線功能，甚至更廣泛地用于通信和/或感應(yīng)應(yīng)用信號(hào)的天線功能。
可以構(gòu)想到的是在一個(gè)示例性的實(shí)施例中，人們可使用布置成提供電能來操作由天線元件容納的電路的無線電源。例如，該無線電源可以在不用電池或不用自屏蔽封裝外部的無線連接的情況下運(yùn)行。例如，一種情形可包括構(gòu)造成拾取RF信號(hào)并將其轉(zhuǎn)換成電能的線圈。在另一例子中，可將光電電池構(gòu)造成將光能轉(zhuǎn)換成電能。無線傳送可包含沒有電導(dǎo)線的傳送介質(zhì)。照此，該傳送介質(zhì)不含有能不利地干擾由感應(yīng)元件所感應(yīng)的信號(hào)或者能影響天線元件的天線場(chǎng)型的電導(dǎo)線。例如，沒有電導(dǎo)線的無線傳送會(huì)防止放置在成像患者附近的電導(dǎo)線上的雜散電流的形成。無線發(fā)射信號(hào)的示例模式包括通過空氣傳送的RF信號(hào)和在光發(fā)射器和接收器配對(duì)之間通過光纖電纜傳送的光信號(hào)。對(duì)于讀者渴望的關(guān)于示例性創(chuàng)新無線設(shè)計(jì)的一般背景信息，可參考2005年4月6日提交的標(biāo)題為“Wireless Rf Coil Power Supply”的美國(guó)系列專利申請(qǐng)No.10/907,582，該專利共同轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明相同受讓人。
下面描述兩種可用于構(gòu)造體現(xiàn)本發(fā)明多個(gè)方面的接收機(jī)線圈元件和相關(guān)電路的示例性構(gòu)建技術(shù)。其中一種構(gòu)建技術(shù)被通俗地稱為“平面(planar)”構(gòu)建技術(shù)而另一種被通俗地稱為“蛤殼(clamshell)”構(gòu)建技術(shù)。
平面構(gòu)建技術(shù)在平面襯底例如Kapton聚酰亞胺上安裝和互連電路裝置。作為例子，可將各種裝置放置在它們希望的地方并用任何適當(dāng)?shù)恼澈鲜侄芜M(jìn)行粘合，諸如通過熱塑性膠粘劑層，例如Ultem聚酰亞胺(polyetherimide)樹脂來粘合。例如，可將整個(gè)結(jié)構(gòu)加熱到Ultem聚酰亞胺的軟化點(diǎn)(在大約217C到大約235C附近，取決于所用的配方)，接著將其冷卻使單個(gè)裝置固定到襯底上(例如，熱塑或熱凝)。值得注意的是前面的描述僅解釋為貼附方法的一個(gè)例子，因?yàn)橐部墒褂闷渌馁N附技術(shù)，例如專業(yè)玻璃合成、焊接等等。對(duì)于讀者渴望的關(guān)于IC芯片封裝(例如，管芯)的一般背景信息，通?？蓞⒖糞.wolf和R.N.Tauber所著，由Sunset Beach，California的Lattice出版社出版的標(biāo)題方“Silicon Processingfor the VLSI Era”的書，Volume 1-Process Technology，第二版。更具體的，參考標(biāo)題為“Assembly and Packaging for ULSI”的第17章；通過在“帶”內(nèi)切除(例如切割)襯底的第一部分(例如，可包括電路裝置和/或互連)并進(jìn)行附著(例如，端部對(duì)端部)從而形成所需的幾何結(jié)構(gòu)，例如具有第一半徑的第一環(huán)結(jié)構(gòu)，從而產(chǎn)生接收線圈的“內(nèi)側(cè)”；通過在“帶”內(nèi)切除(例如切割)襯底的第二部分(例如，可包括電路裝置和/或互連)并進(jìn)行附著(例如，端部對(duì)端部)從而形成所需的幾何結(jié)構(gòu)，例如具有比第一環(huán)結(jié)構(gòu)的半徑稍微更大半徑的第二環(huán)結(jié)構(gòu)，使得可將第二環(huán)結(jié)構(gòu)同心地布置在第一環(huán)結(jié)構(gòu)的外圍并且在相互對(duì)應(yīng)的表面之間界定環(huán)帶間距，從而產(chǎn)生接收線圈的“外側(cè)”。假設(shè)一個(gè)圓環(huán)結(jié)構(gòu)，在此階段第一和第二環(huán)結(jié)構(gòu)基本上界定了分別具有開放的頂和開放的底的同心圓柱體；通過切除(例如切割)襯底的第三和第四部分(例如，可包括電路裝置和/或互連)，產(chǎn)生“頂部”和“底部”；以及將第三和第四部分附著到各個(gè)內(nèi)側(cè)和外側(cè)的頂和底以構(gòu)成自屏蔽接收元件。
在前述示例性描述中引用了“環(huán)”結(jié)構(gòu)，并且將這些結(jié)構(gòu)類推成圓柱結(jié)構(gòu)。然而，將會(huì)理解的是在通常的情況下，頂、側(cè)、內(nèi)和外帶能以各種布置方式相結(jié)合以構(gòu)成電子互連并且按給定應(yīng)用所指定的，可實(shí)現(xiàn)任何希望的形狀。
該構(gòu)造的輸入/輸出接口可以是電導(dǎo)線或光纖或相對(duì)于EMI屏蔽維持結(jié)構(gòu)完整性的任何合適的接口裝置。
蛤殼構(gòu)建技術(shù)使用適當(dāng)?shù)奶幚恚绯练e、鑄模、研磨、熱定型等形成中空的結(jié)構(gòu)(例如，具有一個(gè)或多個(gè)腔)。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，該中空的結(jié)構(gòu)可以是諸如中空的“炸面包圈”的，螺旋管形結(jié)構(gòu)的形式。然而，將會(huì)理解的是在通常的情況下，該結(jié)構(gòu)的形狀無需是螺旋管形的，因?yàn)橐部墒褂冒ǚ菆A幾何形狀的其他幾何形狀。
假設(shè)使用示例性的螺旋管形結(jié)構(gòu)，沿著橫向于其旋轉(zhuǎn)軸的平面將該螺旋管形形狀結(jié)構(gòu)劈開以構(gòu)成下螺旋管形部分和上螺旋管形部分?？蓪⑦@些下和上螺旋管形部分構(gòu)想成類似蛤殼的上和頂部分。將會(huì)意識(shí)到的是在通常的情況下該上和頂部分無需彼此對(duì)稱。例如，圖4中，可將下部分40構(gòu)造成包括所有電路裝置和互連等，并可包含整個(gè)結(jié)構(gòu)的大部分，例如整個(gè)結(jié)構(gòu)的大約95％。在這一情況下，上部分42可作為蓋子。接著將該蓋子附著到下部分以構(gòu)成自屏蔽接收線圈元件。圖5示出了要裝配到上部分42(例如，蓋子)裝配的下部分40。
可選的，如圖6所示，頂和下部分60和62可構(gòu)成“對(duì)半等分”或大小彼此相當(dāng)?shù)牟糠?。例如，使用加?或減處理，可構(gòu)成互連并將電路裝置附著到下部分60、上部分62或者兩者中的一個(gè)或多個(gè)腔上。值得注意的是可在互連形成之前或之后執(zhí)行管芯附著。
可接著裝配下和上部分以形成自屏蔽接收線圈元件，如圖7中所見。
在蛤殼結(jié)構(gòu)的另一例子變化中，在開始時(shí)可構(gòu)建能結(jié)合起來構(gòu)成自屏蔽接收元件的分離的頂和底構(gòu)造，以取代形成整體的中空結(jié)構(gòu)，將該結(jié)構(gòu)劈開，接著附著電路裝置和形成互連時(shí)再次結(jié)合這種結(jié)構(gòu)。這一變形蛤殼結(jié)構(gòu)的示例性步驟順序可按如下使用合適的處理，例如沉積、鑄模、研磨、熱成型等形成中空的結(jié)構(gòu)(例如，具有一個(gè)或多個(gè)腔)。例如，這會(huì)構(gòu)成該結(jié)構(gòu)的底下“一半”。人們應(yīng)當(dāng)留心的是術(shù)語“一半”不應(yīng)以嚴(yán)格的意義進(jìn)行解釋，因?yàn)槿缟纤鲰敽偷捉Y(jié)構(gòu)無需彼此相等；重復(fù)上述步驟以形成該結(jié)構(gòu)的頂上“一半”。
如上所述，可形成互連并將電路裝置附著到下部分、上部分或兩者中的一個(gè)或多個(gè)腔上。
接著裝配下和上部分以形成自屏蔽接收線圈元件。
圖8示出了如用任一上述技術(shù)構(gòu)建的示例性自屏蔽接收線圈元件80的截面圖。例如，襯底81(例如，Ultem、Kapton或任何合適的電介質(zhì))可包括容納一個(gè)或多個(gè)電路裝置如頻率轉(zhuǎn)換器82、數(shù)字IC84、模擬IC86、MEMS器件88、電源IC90和射頻(RF)IC92的容器。這些芯片和其他電子組件可通過多層互連結(jié)構(gòu)94進(jìn)行相互連接，該互連結(jié)構(gòu)94包括具有薄膜聚合物電介質(zhì)材料和構(gòu)圖的鍍金的交錯(cuò)層，其中在聚合物層中形成通孔。
相信本發(fā)明能提供至少以下一些典型的優(yōu)勢(shì)保護(hù)內(nèi)部電子器件免受在覆蓋這種電子器件的天線周圍形成的電磁場(chǎng)影響。這將保護(hù)電子器件免受外部電子噪聲影響。保護(hù)天線免受可能由天線覆蓋的電子裝置所產(chǎn)生的電子噪聲影響。這將限制由內(nèi)部電子裝置所產(chǎn)生的電子噪聲泄露到外面的環(huán)境，從而避免影響天線和/或可能位于附近的其他電子感應(yīng)設(shè)備。避免使用分離的金屬結(jié)構(gòu)來封閉電子器件，因?yàn)樘炀€本身構(gòu)成這些電子器件的封罩。例如，在天線附近存在金屬結(jié)構(gòu)可擾亂天線性能，諸如天線場(chǎng)型。如果提供光纖連接，這事實(shí)上將從天線周圍的區(qū)域去除所有額外的金屬，包括銅質(zhì)電纜，從而使得構(gòu)建事實(shí)上具有能覆蓋電子裝置的空間的理想天線成為可能。此外本發(fā)明的多個(gè)方面能夠利用金屬天線相對(duì)較大的表面積來消散來自天線所覆蓋的電子裝置的熱。例如，在許多實(shí)際應(yīng)用中，天線的體積將大于與之連接的電路裝置的體積，并且該天線可用作覆蓋其內(nèi)部電子器件的散熱器。
雖然在此已經(jīng)顯示和描述了本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例，但是顯而易見的是這些實(shí)施例僅作為例子給出。在不脫離此處的本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)想到很多變形、改變和替換。因此，本申請(qǐng)意旨僅由附加權(quán)利要求的精神和范圍來限定本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種磁共振(MR)成像系統(tǒng)(10)，包含多個(gè)接收線圈(12)，其被構(gòu)建成基于由接收線圈所感應(yīng)的多個(gè)磁共振響應(yīng)信號(hào)來供應(yīng)各線圈輸出信號(hào)，其中每個(gè)接收線圈界定一個(gè)封罩(24)，所述封罩構(gòu)成法拉第籠；和至少一個(gè)電路裝置(22)，其被布置在所述封罩內(nèi)以調(diào)節(jié)該線圈輸出信號(hào)，其中通過所述封罩保護(hù)所述至少一個(gè)電路沒備免受電磁干擾。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁共振(MR)成像系統(tǒng)，其中所述封罩包括至少一個(gè)用于供應(yīng)調(diào)節(jié)的信號(hào)的輸出端口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁共振(MR)成像系統(tǒng)，其中從包括電子電路裝置、光學(xué)電路裝置和光電電路裝置的組中選擇所述電路裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的磁共振(MR)成像系統(tǒng)，其中從包括光端口和電端口的組中選擇用于輸出調(diào)節(jié)的信號(hào)的所述至少一個(gè)輸出端口。
5.一種電子系統(tǒng)，包含至少一個(gè)被構(gòu)造成感應(yīng)信號(hào)的天線(12)，其中所述至少一個(gè)天線界定了一個(gè)構(gòu)成法拉第籠的封罩(24)；和至少一個(gè)與所述天線電耦合的電路裝置(22)，所述電路裝置安置在所述封罩內(nèi)，其中通過該封罩保護(hù)所述至少一個(gè)電路裝置免受外部電磁干擾，并且其中通過該封罩保護(hù)所述天線免受可能由該電路裝置所產(chǎn)生的電磁干擾。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的電子系統(tǒng)，其中從包括磁共振(MR)成像系統(tǒng)、感應(yīng)系統(tǒng)和通信系統(tǒng)的組中選擇所述系統(tǒng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的電子系統(tǒng)，其中從包括發(fā)射天線、接收天線、收發(fā)天線和感應(yīng)天線的組中選擇所述天線。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的電子系統(tǒng)，其中從包括電子電路裝置、光學(xué)電路裝置和光電電路裝置的組中選擇所述電路裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求5的電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包含布置用來提供電能以操作與天線耦合的電路裝置的無線電源。
10.根據(jù)權(quán)利要求5的電子系統(tǒng)，其中由天線界定的封罩熱耦合到所述電路裝置并構(gòu)成該電路裝置的散熱器。
全文摘要
提供了一種改進(jìn)的磁共振(MR)成像系統(tǒng)(10)。可以將多個(gè)接收線圈(12)構(gòu)造成基于由接收線圈所感應(yīng)的多個(gè)磁共振響應(yīng)信號(hào)來供應(yīng)各個(gè)線圈輸出信號(hào)。每個(gè)接收線圈界定了一個(gè)構(gòu)成法拉第籠的封罩。將至少一個(gè)電路裝置(22)安置在該封罩(24)中以調(diào)節(jié)線圈輸出信號(hào)。這一封罩能夠使該電路裝置(22)免受電磁干擾。
文檔編號(hào)G01R33/20GK101042428SQ20071010066
公開日2007年9月26日 申請(qǐng)日期2007年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月13日
發(fā)明者W·E·小伯迪克, R·L·弗里, J·E·薩巴蒂尼 申請(qǐng)人:通用電氣公司