專利名稱：磁阻納米粒子傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁傳感器設(shè)備。具體地，本發(fā)明涉及一種具有傳感器 元件的磁阻納米粒子傳感器，所述傳感器元件以陣列形式設(shè)置。這種類型 的設(shè)備也被稱作微陣列或生物芯片。
背景技術(shù)：
微陣列或生物芯片的引入正在變革對(duì)DNA (脫氧核糖核酸)、RNA (核 糖核酸)、蛋白質(zhì)、細(xì)胞及細(xì)胞片段、組織成分等樣本的分析。其應(yīng)用例如 人類基因分型(例如在醫(yī)院里或者由個(gè)人醫(yī)生或護(hù)士)、細(xì)菌篩選、生物及 藥理研究。
生物芯片也被稱作生物傳感器芯片、生物微芯片、基因芯片或者DNA 芯片，生物芯片以其最簡(jiǎn)單的形式包含在其上附著有大量不同探測(cè)分子的 基底，如果被分析的分子或分子片段完全匹配，則可將這些分子或分子片 段結(jié)合到芯片上明確定義的區(qū)域。例如， 一個(gè)DNA分子的片段結(jié)合到一個(gè) 唯一的互補(bǔ)DNA (c-DNA)分子片段上。例如，可以通過使用連結(jié)到將被 分析的分子上的熒光標(biāo)記來檢測(cè)結(jié)合反應(yīng)的發(fā)生。這提供了在較短時(shí)間內(nèi) 并行地分析大量不同分子或分子片段中的一小部分的能力。 一個(gè)生物芯片 能夠支持對(duì)10-1000或者更多個(gè)不同分子片段的試驗(yàn)。人們希望，作為例如 人類基因工程的工程以及對(duì)基因和蛋白質(zhì)功能的后續(xù)研究的結(jié)果，在未來 的十年內(nèi)，通過使用生物芯片而可提供的信息的有用性能夠快速提高。
在WO 2005/010543A1中，描述了這樣一種磁傳感器設(shè)備或生物傳感 器。該生物傳感器檢測(cè)樣本中的磁性粒子，所述樣本例如流體、液體、氣 體、粘彈性介質(zhì)、凝膠體或者組織樣本。所述磁性粒子可具有較小的尺寸。 納米粒子表示粒子具有在0.1 nm至1000 nm之間、優(yōu)選為3 nm至500 nm 之間、更優(yōu)選為10nm至300nm之間范圍內(nèi)的至少一個(gè)尺寸。磁性粒子可 以由于所施加的磁場(chǎng)(例如它們可以是順磁性的)而獲得磁矩，或者磁性粒子可以具有永久性磁矩。磁性粒子可以是合成物，例如其內(nèi)部包括一個(gè)
或多個(gè)小磁性粒子或者附著在非磁性材料上。在對(duì)ac磁場(chǎng)的頻率產(chǎn)生非零 響應(yīng)時(shí)，即，當(dāng)產(chǎn)生磁性磁化或磁導(dǎo)時(shí)，可以使用粒子。
在公知的傳感器設(shè)備中，電線以頻率f,產(chǎn)生磁場(chǎng)，用來磁化GMR傳感 器附近的超順磁磁珠(納米粒子)。在GMR傳感器中檢測(cè)到來自這些磁珠 的雜散場(chǎng)，并且產(chǎn)生一個(gè)指示傳感器附近存在的磁珠數(shù)量的信號(hào)。
然而，由于電線和GMR傳感器之間的寄生電容，在放大器A,的輸出 端處出現(xiàn)頻率為磁珠勵(lì)磁頻率f,的強(qiáng)電容性串?dāng)_信號(hào)。該信號(hào)干擾了來自 磁珠的磁信號(hào)。
可以通過調(diào)制傳感器的感應(yīng)電流來抑制場(chǎng)發(fā)生裝置和磁阻傳感器之間 的電容性串?dāng)_。這種方法在頻域中將電容性串?dāng)_信號(hào)與所需要的磁信號(hào)進(jìn) 行分離。
GMR傳感器信號(hào)被提供到放大器，該放大器需要具有很大的動(dòng)態(tài)范 圍，例如120 dB。由于磁性磁珠的數(shù)量與GMR傳感器的信號(hào)成比例，所 以放大器必須在全部動(dòng)態(tài)范圍上是線性的。任何非線性都將嚴(yán)重地干擾測(cè) 量結(jié)果。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種磁阻傳感器，其對(duì)形成傳感器的組件 的性能要求具有較低的需求。
所述目的是通過如權(quán)利要求1所述的一種磁傳感器設(shè)備來實(shí)現(xiàn)的。具 體地，本發(fā)明提出了一種磁傳感器設(shè)備，其包括至少一個(gè)磁場(chǎng)發(fā)生器、磁 傳感器元件、為所述磁傳感器元件提供頻率調(diào)制的感應(yīng)電流(isense)的裝置。 在所述磁傳感器元件和放大器之間的信號(hào)路徑中設(shè)置抑制裝置。所述抑制 裝置適于抑制頻率為所述調(diào)制頻率的信號(hào)分量。由于未承載測(cè)量信息的大 部分感應(yīng)信號(hào)沒有被發(fā)送到所述放大器，因而所述抑制裝置能夠顯著地降 低所述放大器的所需動(dòng)態(tài)范圍。在本發(fā)明的一個(gè)具有優(yōu)勢(shì)的實(shí)施例中，所 述磁傳感器元件是能夠提供高靈敏度的GMR (巨磁阻)、TMR (隧道磁阻) 或AMR(各向異性磁阻)傳感器元件。在本發(fā)明的進(jìn)一步演進(jìn)中，所述磁 傳感器元件是由更加靈敏的差分GMR傳感器元件形成的。此外，所述磁傳感器元件可以是基于對(duì)在傳感器表面或附近測(cè)量的粒子磁屬性的檢測(cè)的任 意適合傳感器元件。因此，所述磁傳感器可以被設(shè)計(jì)成線圈、磁阻傳感器、
磁限制傳感器、霍爾傳感器、平面霍爾傳感器、磁通門傳感器、SQUID (半 導(dǎo)體超導(dǎo)量子干涉設(shè)備)、磁共振傳感器或者其它由磁場(chǎng)激勵(lì)的傳感器。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述抑制裝置是抑制以所述調(diào)制頻率 進(jìn)行調(diào)制的所述磁傳感器元件的所述信號(hào)分量的濾波器裝置。在這種情況 下，所述濾波器裝置可以包括高通濾波器或者帶通濾波器。
在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，抑制方法是由抑制以所述調(diào)制頻率 進(jìn)行調(diào)制的所述磁傳感器元件的所述信號(hào)分量的共模放大器形成的。
對(duì)于某些特定的應(yīng)用，以關(guān)于上述優(yōu)選實(shí)施例的濾波器裝置和共模放 大器的組合來提供所述抑制裝置也是具有優(yōu)勢(shì)的。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，將多個(gè)傳感器元件以陣列形式設(shè)置。


通過閱讀下面附帶有附圖的描述，可以更好地理解本發(fā)明，而且其它 特定的特征和優(yōu)勢(shì)也會(huì)變得更加明確。在附圖中，相似的元件或者分量將
被指定相同的參考標(biāo)號(hào)。示出
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中公知的磁阻傳感器設(shè)備； 圖2是圖1中所示的傳感器信號(hào)的頻譜分量的相對(duì)大小； 圖3是根據(jù)本發(fā)明的磁阻傳感器設(shè)備的第一實(shí)施例； 圖4是圖3中示出的磁阻傳感器設(shè)備的高通濾波器； 圖5是根據(jù)本發(fā)明的磁阻傳感器設(shè)備的第二實(shí)施例；以及 圖6是根據(jù)本發(fā)明的磁阻傳感器設(shè)備的第三實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中公知的磁阻傳感器設(shè)備。第一調(diào)制器2以頻率
A對(duì)第一電流源3進(jìn)行調(diào)制。第一電流源3為導(dǎo)體4提供電流iwire，以便以 頻率f,產(chǎn)生磁場(chǎng)，用來磁化磁性納米粒子，例如超順磁磁珠。頻率f,被選
擇為不引起磁性納米粒子的較大移動(dòng)，例如頻率&被選擇為50 kHz。第二 調(diào)制器6以頻率f2對(duì)第二電流源7進(jìn)行調(diào)制。第二電流源7為GMR (巨磁阻)傳感器8提供正弦感應(yīng)電流ise^。 GMR傳感器8產(chǎn)生輸出信號(hào)UGMR，
其是GMR傳感器8附近區(qū)域中的磁性納米粒子數(shù)量的函數(shù)。磁性納米粒子 在圖1中被示為磁泡9。取決于納米粒子9在磁阻傳感器8附近區(qū)域中的存 在，傳感器8的位置處的磁場(chǎng)發(fā)生變化，由此傳感器8的阻抗也發(fā)生變化。 所述導(dǎo)體和磁阻傳感器8之間的電容性串?dāng)_用耦合電容Cc來進(jìn)行符號(hào)表 示，如圖1中的虛線所示。
在不存在磁性粒子的情況下，輸入信號(hào)是來自導(dǎo)體的交變磁場(chǎng)。取決 于納米粒子9在磁阻傳感器8附近區(qū)域中的存在，傳感器8的位置處的磁 場(chǎng)發(fā)生變化，由此傳感器8的阻抗也發(fā)生變化。傳感器8的不同阻抗導(dǎo)致 傳感器8上的不同壓降，由此導(dǎo)致傳感器8傳遞不同的測(cè)量信號(hào)。GMR傳 感器的最終輸出信號(hào)是一個(gè)連續(xù)波形。然后，磁阻傳感器8所傳遞的測(cè)量 信號(hào)被傳遞到用于進(jìn)行放大的放大器11，從而生成放大信號(hào)Ampl (t)。放 大信號(hào)Ampl (t)被檢測(cè)，同時(shí)通過經(jīng)由解調(diào)乘法器13而被解調(diào)，其中在 解調(diào)乘法器13中，該信號(hào)與頻率為f,-f2的調(diào)制信號(hào)相乘。在最后一步中， 所述中間信號(hào)被發(fā)送通過低通濾波器14。從而，最終信號(hào)Det (t)與在傳 感器8表面上存在的磁性納米粒子9的數(shù)量成比例。
如圖1所示的傳感器存在如下問題，即，通過對(duì)感應(yīng)電流進(jìn)行調(diào)制， 在調(diào)制頻率上的電壓分量很容易超過前置放大器的級(jí)別。
下面對(duì)該問題進(jìn)一步進(jìn)行解釋GMR的總阻抗可以被建模為兩個(gè)獨(dú)立 貢獻(xiàn)量(靜態(tài)阻抗R和動(dòng)態(tài)阻抗AR)的串聯(lián)。
"g細(xì)=及+ A/
靜態(tài)阻抗R是恒定的，其不包含重要信息。動(dòng)態(tài)阻抗AR是取決于頻 率的，其指示傳感器附近的納米粒子的數(shù)量。 M = f sin(oy)
被提供到第一放大器A,的GMR帶(strip)上的電壓(uGMR)等于感 應(yīng)電流和GMR阻抗的乘積，
WGAffi - Z應(yīng)e . ^G礎(chǔ)
其還可被進(jìn)一步分解為下述分量，<formula>formula see original document page 8</formula>
分量(1)可以被看作是不期望的干擾，分量(2)表示磁信號(hào)電壓， 其包含所需要的來自磁珠的磁信號(hào)。兩個(gè)分量均與感應(yīng)電流的大小〖_成比
優(yōu)選地，將由放大器A,監(jiān)測(cè)的信號(hào)電壓(2)最大化，這可以通過使 感應(yīng)電流的大小L、。最大化來實(shí)現(xiàn)。然而，使感應(yīng)電流的大小〖_最大化也 使得不期望的干擾分量(1)最大化。
利用由可用熱預(yù)算所設(shè)置的能量損耗約束，確定對(duì)感應(yīng)電流大小的實(shí) 際限制。傳感器頂部的生物材料的最高溫度被限制在38°C。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的傳 感器幾何結(jié)構(gòu)，感應(yīng)電流的最大值位于l至3mA的量級(jí)。
分量(l):頻率為f，的靜態(tài)感應(yīng)電流分量的大小
對(duì)于額定的GMR傳感器阻抗R=560 Q和感應(yīng)電流/_=2 mA，傳感器 上的靜態(tài)分量(a)的大小是1.12V。
<formula>formula see original document page 8</formula>
分量(2):頻率為(f,-f》和(&+6)的所需要的電壓信號(hào)的大小
磁珠產(chǎn)生的所需要的信號(hào)電壓(2)的典型大小位于幾個(gè)^V的量級(jí)。<formula>formula see original document page 8</formula>
圖2示出了所述頻譜分量的相對(duì)大小。靜態(tài)分量(1)的大小比所需要 的信號(hào)電壓(2)大6個(gè)數(shù)量級(jí)，從而分量(1)可以很容易地使靈敏的放 大器A,達(dá)到飽和。為了適應(yīng)這種情況，放大器A,需要具有很大的動(dòng)態(tài)范 圍。在該實(shí)例中，需要120dB的動(dòng)態(tài)范圍。
通常，只能利用外部電路方法(例如阻抗衰減)來實(shí)現(xiàn)所需要的線性。 由于會(huì)降低增益并因而也降低電路的噪聲性能，所以這種方法是不期望的。 此外，這種方法還增加了放大器的損耗，其限制了生物傳感器的熱預(yù)算。
然而，如果不能滿足動(dòng)態(tài)范圍性能，電路將會(huì)產(chǎn)生失真分量，其會(huì)嚴(yán) 重影響實(shí)際測(cè)量。
鑒于上述兩個(gè)原因，優(yōu)選地，不應(yīng)依賴于第一放大器A的高動(dòng)態(tài)范圍。 在圖3中，示出了根據(jù)本發(fā)明的磁阻傳感器設(shè)備的第一實(shí)施例。該傳感器設(shè)備包括電流源16，其為磁場(chǎng)發(fā)生導(dǎo)體4提供已調(diào)制的電線電流i^e。
以頻率f,對(duì)電線電流i^e進(jìn)行調(diào)制。電流源17為GMR傳感器8提供以頻
率f2進(jìn)行調(diào)制的感應(yīng)電流isense。傳感器電壓UGMR被提供到高通濾波器18，
其輸出端連接到放大器11的輸入端。濾波器18被設(shè)計(jì)為抑制頻率為感應(yīng)
電流調(diào)制頻率f2的信號(hào)分量。可以通過在頻域中進(jìn)行濾波來實(shí)現(xiàn)所述抑制。
由此，可以消除對(duì)前置放大器的較大動(dòng)態(tài)范圍的需求。
優(yōu)選地，選擇較大的4比值，以使得每個(gè)濾波器階次上的衰減最大化，
這對(duì)IC集成是很重要的。
優(yōu)選地，將濾波器集成在放大器ic上，以及優(yōu)選地，濾波器是低階濾
波器(l階或2階)，這是因?yàn)楦唠A集成濾波器較難實(shí)現(xiàn)并且有噪聲。
在濾波器高通轉(zhuǎn)角(comer)頻率(/3犯)被選擇為與f,相等的情況下，
感應(yīng)電流頻率f2處的抑制可被估計(jì)為
其中N為濾波器的階次。
上述方程示出通過增加濾波器的階次N和/或通過增加磁場(chǎng)頻率f,與 感應(yīng)電流頻率f2之間的頻率分離度(比值A(chǔ)/f2)，能夠增強(qiáng)抑制。
對(duì)于給定的抑制，優(yōu)選地，增加頻率分離度，以便可以使用低階濾波器。
具有高通濾波器18的放大器11可以在CMOS IC中實(shí)現(xiàn)，如圖4所示。 GMR傳感器8的輸出信號(hào)作為電壓Vin提供到濾波器18。電壓信號(hào)Vin通 過電容器21耦合到場(chǎng)效應(yīng)晶體管M1的柵極，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管與另外兩個(gè) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管M2和M3被設(shè)置成串聯(lián)的源-漏配置。第一電流源22經(jīng)由電 阻R1為晶體管M3的漏極產(chǎn)生偏置電壓Vdd。電流源22的另一個(gè)輸出端連 l妾在晶體管M3的源極和晶體管M2的漏極之間。電壓V-接到晶體管M3 的漏極，并被提供到差分放大器23的同相輸入端。偏置電壓Vdd還被提供 到并聯(lián)的電阻R2，電阻R2的另一接點(diǎn)連接到第二電壓源22。參考電壓￥+ 接到電阻R2和電流源22之間，并且該參考電壓V+被提供到差分放大器 23的反相輸入端。差分放大器23的輸出信號(hào)被連接到晶體管M1的柵極。 上述電路示出了具有-3dB轉(zhuǎn)角頻率的1階高通傳輸，所述轉(zhuǎn)角頻率可 被給出為
其中A(=gm.M, AD是從Ml的柵極到V-的電壓增益。
可以通過例如電壓增益爿v400 (40 dB)和gm二63 來實(shí)現(xiàn)具有AC 耦合電容C二100pF的例如/，40MHz的高通轉(zhuǎn)角。
應(yīng)當(dāng)注意，可以將電容值設(shè)置得更小以減小芯片面積。然而，電容C 可以被設(shè)置到多小是由C引起的電容衰減和Ml的寄生電容來制約的。這 種衰減應(yīng)該保持得較小，以避免降低增益并因而降低噪聲性能。如圖4所 示的電路配置具有附加的優(yōu)點(diǎn)，S卩，還抑制了來自GMR傳感器和感應(yīng)電流 電路的所有低頻干擾和1/f噪聲。
在圖5中，示出了均衡放大器。圖5示出了所述電路配置的CMOSIC 實(shí)現(xiàn)。頻率為f2的干擾分量(1)以共模方式應(yīng)用，使得放大器對(duì)干擾不靈 敏。從根本上講，對(duì)圖4的放大器進(jìn)行鏡像，以形成兩個(gè)放大器部分26、 27。圖5左側(cè)示出的放大器部分26被提供有傳感器8的傳感器信號(hào)uGMR，
而圖5右側(cè)示出的放大器部分27被提供有由參考電阻Rref產(chǎn)生的參考信號(hào)
uref。公共的恒定電流源26被連接到兩個(gè)放大器部分26和27。參考電阻Rref 被提供有參考電流iref，該電流也是以與感應(yīng)電流ise^相同的頻率fz進(jìn)行調(diào) 制的。
優(yōu)選地，所述電路是完全對(duì)稱的，以便使共模抑制最大化。 參考電流W和電阻Rref的阻抗值的大小可被縮放，使得在靜態(tài)狀況下 電壓iW基本等于ugmr。所述縮放可被設(shè)置為是固定的和/或可調(diào)的，以便補(bǔ)
償可能發(fā)生的不平衡(例如通過調(diào)整W或Rref的值)。
在另一實(shí)施例中，電阻R^可被替換為與第一 GMR帶基本相等的第二 GMR帶，其為同一磁場(chǎng)產(chǎn)生相反的信號(hào)。這種配置被稱作差分GMR傳感 器，其提供比單個(gè)GMR傳感器更高的靈敏度。
圖5所示的電路配置以及如上所述的變型考慮到了放大器和傳感器的 DC耦合，這避免了 IC面積消耗耦合電容。對(duì)于該傳感器配置的實(shí)現(xiàn)，減小必要的IC面積是成本高效的。
最后，圖6示出了圖4和圖5中所示的電路配置的組合。圖6的電路 組合了上述實(shí)施例的濾波和共模抑制特性。用類似的參考符號(hào)來指示相應(yīng) 的分量。通過濾波和共模抑制機(jī)制的組合，提高了對(duì)頻率為f2的干擾分量 (1)的抑制。圖6示出了該電路的CMOSIC實(shí)現(xiàn)。此外，在該實(shí)施例中， 也可將參考電阻R^替換為第二 GMR傳感器以形成差分GMR傳感器，從 而提高靈敏度。該實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于，由于較小的電流和較小的電壓，導(dǎo) 致輸出信號(hào)的較低噪聲惡化以及較低的功率消耗。最后，應(yīng)當(dāng)注意，所描 述的電路配置能夠容易地集成在IC中。
通過實(shí)例描述了磁傳感器設(shè)備，前述傳感器可以是能夠基于粒子的任 意屬性來檢測(cè)傳感器表面或附近磁性粒子的存在的任意適合傳感器，例如， 可以經(jīng)由磁性方法(例如磁阻、霍爾效應(yīng)、線圈)來進(jìn)行檢測(cè)。所述傳感 器可以經(jīng)由光學(xué)方法來進(jìn)行檢測(cè)，所述光學(xué)方法例如成像、熒光、化學(xué)光 學(xué)、吸收、散射、表面等離子共振、拉曼光譜等。此外，所述傳感器還可 以經(jīng)由聲波檢測(cè)來進(jìn)行檢測(cè)，所述聲波檢測(cè)例如表面聲波、體聲波、生物 化學(xué)結(jié)合過程所影響的懸臂偏轉(zhuǎn)(cantilever deflection)、石英晶體等。所述 傳感器還可以經(jīng)由電子檢測(cè)來進(jìn)行檢測(cè)，所述電子檢測(cè)例如傳導(dǎo)性、阻抗、 電流分析、氧化還原循環(huán)等。
權(quán)利要求
1、一種磁傳感器設(shè)備，包括至少一個(gè)磁場(chǎng)發(fā)生器(4)、磁傳感器元件(8)、為所述磁傳感器元件(8)提供頻率調(diào)制的感應(yīng)電流(isense)的裝置(7，17)，其中所述感應(yīng)電流以頻率(f2)進(jìn)行調(diào)制，其特征在于，在所述磁傳感器元件(8)和放大器(11)之間的信號(hào)路徑中設(shè)置抑制裝置(18)，其中所述抑制裝置(18)適于抑制頻率為所述調(diào)制頻率(f2)的信號(hào)分量。
2、 如權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備，其特征在于，所述磁傳感器元 件(8)是GMR、 TMR (隧道磁阻)或AMR (各向異性磁阻)傳感器元件。
3、 如權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備，其特征在于，所述磁傳感器元 件(8)是由差分GMR傳感器元件形成的。
4、 如權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備，其特征在于，所述抑制裝置是 抑制以所述調(diào)制頻率(f2)進(jìn)行調(diào)制的所述磁傳感器元件的所述信號(hào)分量的 濾波器裝置。
5、 如權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備，其特征在于，所述濾波器裝置 包括高通或帶通濾波器。
6、 如權(quán)利要求1所述的磁傳感器設(shè)備，其特征在于，所述抑制裝置是 由抑制以所述調(diào)制頻率(f2)進(jìn)行調(diào)制的所述磁傳感器元件的所述信號(hào)分量 的共模放大器形成的。
7、 如權(quán)利要求4和5所述的磁傳感器設(shè)備，其特征在于，所述抑制裝 置是如權(quán)利要求4所述的濾波器裝置和如權(quán)利要求5所述的共模放大器的 組合。
8、 如一個(gè)或多個(gè)前述權(quán)利要求所述的磁傳感器設(shè)備，其特征在于，將多個(gè)傳感器元件(8)以陣列形式設(shè)置。
9、如一個(gè)或多個(gè)前述權(quán)利要求所述的磁傳感器設(shè)備，其特征在于，所 述磁傳感器設(shè)備包括光學(xué)檢測(cè)裝置，所述光學(xué)檢測(cè)裝置特別用于對(duì)磁性粒 子的光學(xué)檢測(cè)。
全文摘要
提出了一種磁傳感器設(shè)備。所述磁傳感器設(shè)備包括至少一個(gè)磁場(chǎng)發(fā)生器、磁傳感器元件(8)、為所述磁傳感器元件(8)提供頻率調(diào)制的感應(yīng)電流的裝置(17)。在所述磁傳感器元件(8)和放大器(11)之間的信號(hào)路徑中設(shè)置抑制裝置(18)。所述抑制裝置(18)適于抑制頻率為所述調(diào)制頻率的信號(hào)分量。由于未承載測(cè)量信息的大部分感應(yīng)信號(hào)沒有被發(fā)送到所述放大器(11)，因而所述抑制裝置(18)能夠顯著地降低所述放大器(11)的所需動(dòng)態(tài)范圍。
文檔編號(hào)G01N15/06GK101292147SQ200680039003
公開日2008年10月22日 申請(qǐng)日期2006年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月19日
發(fā)明者H·杜里克, J·A·H·M·卡爾曼 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司