專利名稱：電流檢測電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種使用電流鏡電路間接地檢測電流的電流檢測電路。
背景技術：
電流檢測電路用在電動機驅(qū)動器或電源等各種用途中。一般地，電流檢測電路在對負載提供電流的路徑上插入電阻，從其兩端電壓直接檢測電流，但是也嘗試過使用電流鏡電路間接地檢測電流的方法。在專利文獻1的圖1中公開了由晶體管3和晶體管2構成的電流鏡電路1。當該晶體管3和晶體管2的尺寸比為n∶1時，流過晶體管3和晶體管2的電流也為n∶1。當對控制端子4供給規(guī)定電壓時，晶體管3對負載13提供電流IL1，晶體管2經(jīng)由晶體管9對電阻11提供檢測電流IS1＝IL1÷n。因此，將電阻11的電阻值設為R，則檢測端子12中被輸出檢測電壓R×IS1＝R×IL1÷n。
這樣的電路如權利要求2中記載，可以在負載電流的路徑上不插入檢測(sense)電阻，無損失且高精度地檢測負載電流，可在檢測負載電流時對應于負載電流的大小容易地切換增益。
專利文獻1特開2001-264365號公報專利文獻2特開平7-113826號公報在上述專利文獻1的圖1中，在構成電流鏡電路1的晶體管3和晶體管2的非飽和狀態(tài)中，源極-漏極端子間電流IDS對于源極-漏極端子間電壓VDS具有依賴性。其中，由運算放大器6和晶體管7構成的反饋電路5進行控制，以使晶體管3和晶體管2的源極-漏極端子間電壓VDS相等。
但是，包含在反饋電路5的運算放大器6由于需要相位補償用的電容器，因此若設置這樣的反饋電路，則電路規(guī)模變大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的狀況而作成，其目的在于提供一種電流檢測電路，在使用電流鏡電路間接地檢測電流時，可以用小規(guī)模的電路高精度地進行。
為了實現(xiàn)上述課題，本發(fā)明的一個方式的電流檢測電路具有電流檢測用電流鏡電路，包括提供輸出電流的輸出電流側晶體管和提供與輸出電流成比例的檢測用電流的電流檢測用晶體管；補償用電流鏡電路，連接到電流檢測用電流鏡電路的電流供給側，以使輸出電流側晶體管的端子電壓和電流檢測用晶體管的端子電壓成為規(guī)定的關系；電流檢測單元，通過對檢測用電流進行檢測，從而間接地檢測輸出電流?！耙?guī)定的關系”也可以是，輸出電流側晶體管的端子電壓和電流檢測用晶體管的端子電壓相等的關系。
根據(jù)這個方式，通過在電流檢測用電流鏡電路連接補償用電流鏡電路，可以用小規(guī)模的電路提高輸出電流側晶體管以及電流檢測用晶體管的例如集電極電極或漏極電極等電極的電位精度。
電流檢測用電流鏡電路還包括輸入電流側晶體管，用于使輸出電流側晶體管產(chǎn)生與來自外部的輸入電流成比例的輸出電流，電流檢測電路還具有輸入電流供給用電流鏡電路，該輸入電流供給用電流鏡電路包括第1輸入電流供給用晶體管，接受輸入電流；第2輸入電流供給用晶體管，連接到輸入電流側晶體管，使輸入電流側晶體管產(chǎn)生與輸入電流對應的電流；第3輸入電流供給用晶體管，對補償用電流鏡電路提供偏置電流。
根據(jù)這個方式，通過將連動于輸入電流的偏置電流提供給補償用電流鏡電路，可對應于輸入電流調(diào)整輸出電流側晶體管以及電流檢測用晶體管的例如集電極電極或者漏極電極等的電極電位。
補償用電流鏡電路也可以包括第1補償用晶體管，連接到電流檢測用晶體管，將與偏置電流成比例的電流作為檢測用電流提供；第2補償用晶體管，連接到輸出電流側晶體管，由其相反的電極接受偏置電流。
根據(jù)這個方式，通過將第1補償用晶體管的輸出電流作為檢測用電流，可以實現(xiàn)在電流檢測用電流鏡電路中降低了鏡像比偏差的影響的檢測用電流。
也可以使輸入電流側晶體管和電流檢測用晶體管的電流驅(qū)動能力的比、第2補償用晶體管和第1補償用晶體管的電流驅(qū)動能力的比、以及第2輸入電流供給用晶體管和第3輸入電流供給用晶體管的電流驅(qū)動能力的比相對應，并且，使第2補償用晶體管的電流驅(qū)動能力與輸入電流側晶體管的電流驅(qū)動能力不同。
根據(jù)這個方式，通過調(diào)整第2補償用晶體管的電流驅(qū)動能力，可減少在輸出電流側晶體管的集電極電流或漏極電流中流到第2補償用晶體管、不成為輸出電流Io的部分，可提高檢測精度。
也可以是，至少電流檢測用電流鏡電路和補償用電流鏡電路被一體集成在一個半導體襯底上。也可以包括電流檢測部分而一體集成，也可以包括輸入電流供給用電流鏡電路而一體集成。
本發(fā)明的其他方式的電動機裝置包括電動機；上述方式的電流檢測電路；參照電流檢測電路中檢測出的電流，驅(qū)動電動機的電動機驅(qū)動電路。
本發(fā)明的其他方式的電子設備包括記錄盤；控制記錄盤的旋轉的上述方式的電動機裝置。
另外，以上結構要素的任意的組合和本發(fā)明的表現(xiàn)在裝置、方法、系統(tǒng)等之間進行變換也作為本發(fā)明的方式且有效。
根據(jù)本發(fā)明，在使用電流鏡電路間接地檢測電流時，可以用小規(guī)模的電路高精度地進行。


圖1是表示第一實施方式的電流檢測電路的結構的圖。
圖2是表示第二實施方式的電流檢測電路的結構的圖。
圖3是表示適于使用圖1或圖2的電流檢測電路的電子設備的結構的圖。
標號說明Q2輸入電流側晶體管 Q4電流檢測用晶體管 Q6輸出電流側晶體管Q10第1輸入電流供給用晶體管 Q12第2輸入電流供給用晶體管 Q14第3輸入電流供給用晶體管 Q16第1集電極電位補償用晶體管 Q18第2集電極電位補償用晶體管 20電流檢測單元 100電流檢測電路 200電動機裝置 210電動機驅(qū)動電路 220電動機 300記錄盤 1000電子設備具體實施方式
(第一實施方式)第一實施方式是表示使用用到了雙極晶體管的電流鏡電路間接地檢測電流的電流檢測電路。而且，也表示構成該電流鏡電路的晶體管間的集電極電位盡可能地保持相同的結構。
圖1是表示第一實施方式的電流檢測電路100a的結構的圖。在該電流檢測電路100a中，對使用PNP型雙極晶體管的例子進行說明。輸入電流側晶體管Q2、電流檢測用晶體管Q4以及輸出電流側晶體管Q6構成第1電流檢測用電流鏡電路CM2。輸入電流側晶體管Q2、電流檢測用晶體管Q4以及輸出電流側晶體管Q6的發(fā)射極電極連接到電源電壓等的高電位側基準電位Vcc。這些基極電極之間被連接，其電流路徑經(jīng)由第1基極電流補償用晶體管Q8連接到輸入電流側晶體管Q2的集電極側的電流路徑。
雙極晶體管的集電極電流IC由下述(式1)提供IC＝(qDn/WB)nP·exp(qVBE/kT)…(式1)其中，q表示電荷、Dn表示電子擴散系數(shù)、WB表示基極寬度、nP表示施主濃度、VBE表示基極-發(fā)射極間電壓、k表示波爾茲曼系數(shù)、T表示絕對溫度。
雙極晶體管的基極電流IB由下述(式2)提供IB＝(qDq/Lp)pN{exp(qVBE/kT)-1}……(式2)其中，Dq表示霍爾擴散系數(shù)、Lp表示霍爾擴散長度、pN表示基極中的受主濃度。
因此，雙極晶體管的電流放大率hFE由下述(式3)提供hFE＝(qDn/WB)nP·exp(-qVBE/kT)/(qDn/WB)pN{exp(qVBE/kT)-1}＝(Dn/Dp)(nP/pN)(Lp/WB)……(式3)從上述(式3)可知，雙極晶體管的電流放大率hFE由晶體管的結構決定。例如，若將基極寬度WB減半，則可以使電流放大率hFE為兩倍。
在本實施方式中，使用不同結構的輸入電流側晶體管Q2、電流檢測用晶體管Q4以及輸出電流側晶體管Q6。因此，各晶體管Q2、Q4、Q6的電流放大率hFE即電流驅(qū)動能力被設定為不同。在本實施方式中，從輸入電流測晶體管Q2開始依次，其電流驅(qū)動能力的比設定為1∶n∶mn。因此，在第1電流檢測用電流鏡電路CM2中，基極-發(fā)射極電壓相等，所以流過與電流驅(qū)動能力相對應的集電極電流。具體地說，從輸入電流側晶體管Q2開始依次流過1∶n∶mn的集電極電流。
第1基極電流補償用晶體管Q8的發(fā)射極電極共同連接到構成第1電流檢測用電流鏡電路CM2的三個晶體管Q2、Q4、Q6的基極電極，其基極電極連接到輸入電流測晶體管Q2的集電極側的電流路徑，其發(fā)射極電極連接到接地電位等的低電位側基準電位。第1基極電流補償用晶體管Q8利用其電流驅(qū)動能力起到減少流入到輸入電流測晶體管Q2的集電極側的電流路徑的電流的作用。這樣，可提高流過輸入電流測晶體管Q2的集電極側的電流路徑的電流、和流過輸出電流測晶體管Q6的集電極側的電流路徑的電流的鏡像比的精度。
對本實施方式的電流檢測電路100a的輸入電流的供給由包括第1輸入電流供給用晶體管Q10、第2輸入電流供給用晶體管Q12以及第3輸入電流供給用晶體管Q14的輸入電流供給用電流鏡電路CM4進行。在圖1中，將來自外部的輸入電流用可變電流源10的標號表示。第1輸入電流供給用晶體管Q10、第2輸入電流供給用晶體管Q12以及第3輸入電流供給用晶體管Q14由NPN型構成，并使用相同的結構。
第1輸入電流供給用晶體管Q10的發(fā)射極電極經(jīng)由第1電阻R2接地，其基極電極共同連接到構成輸入電流供給用電流鏡電路CM4的晶體管Q12和Q14的基極電極，其集電極電極接受來自外部的輸入電流。而且，為了構成輸入電流供給用電流鏡電路CM4而連接第1輸入電流供給用晶體管Q10的集電極側的電流路徑、與在構成輸入電流供給用電流鏡電路CM4的晶體管Q10、Q12、Q14的基極電極之間連接的電流路徑。另外，它們之間也可以與第1基極電流補償用晶體管Q8相同地插入晶體管。
第2輸入電流供給用晶體管Q12的發(fā)射極電極經(jīng)由第2電阻R4接地，其集電極電極連接到輸入電流測晶體管Q2的集電極電極。第3輸入電流供給用晶體管Q14的發(fā)射極電極經(jīng)由第3電阻R6接地，其集電極電極連接到后述的第2集電極電位補償用晶體管Q18的集電極電極。
因此，與來自外部的輸入電流相等或者大致相等的電流流過輸入電流測晶體管Q2的集電極側的電流路徑，同時作為偏置電流而流過后述的第2集電極電位補償用晶體管Q18的集電極側的電流路徑。
第1集電極電位補償用晶體管Q16和第2集電極電位補償用晶體管Q18構成第1補償用電流鏡電路CM6。它們的電流驅(qū)動能力的比設定為n∶1。這個比與第1電流檢測用電流鏡電路CM2的電流驅(qū)動能力的比相對應，第1集電極電位補償用晶體管Q16和電流檢測用晶體管Q4被設定為相同的電流驅(qū)動能力，第2集電極電位補償用晶體管Q18和輸入電流測晶體管Q2也被設定為相同的電流驅(qū)動能力。
第1集電極電位補償用晶體管Q16的發(fā)射極電極連接到電流檢測用晶體管Q4的集電極電極，該集電極電極連接到后述的電流檢測單元20。第2集電極電位補償用晶體管Q18的發(fā)射極電極連接到輸出電流測晶體管Q6的集電極電極，該集電極電極連接到第3輸入電流供給用晶體管Q14的集電極電極。
而且，為了構成第1補償用電流鏡電路CM6，第1集電極電位補償用晶體管Q16和第2集電極電位補償用晶體管Q18的基極電極被連接，其電流路徑和第2集電極電位補償用晶體管Q18的集電極側的電流路徑經(jīng)由第2基極電流補償用晶體管Q20連接。第2基極電流補償用晶體管Q20具有與第1基極電流補償用晶體管Q8相同的功能。
本實施方式的電流檢測電路100a，從連接輸出電流測晶體管Q6的集電極電極和第2集電極電位補償用晶體管Q18的發(fā)射極電極的電流路徑分支輸出電流路徑，從其電流路徑將輸出電流測晶體管Q6的集電極電流作為輸出電流Io輸出到外部。該集電極電流的少許部分也流過第2集電極電位補償用晶體管Q18的發(fā)射極電極，但可忽略。該輸出電流Io對應于輸入電流測晶體管Q2和輸出電流測晶體管Q6的電流驅(qū)動能力的比，成為輸入電流被放大的值。在本實施方式中，不直接檢測該輸出電流Io，而是通過檢測第1集電極電位補償用晶體管Q16的集電極電流，從而間接地檢測輸出電流Io，并補償電流檢測用晶體管Q4以及輸出電流測晶體管Q6的集電極電位。
電流檢測用晶體管Q4的電流驅(qū)動能力被設定為輸出電流測晶體管Q6的電流驅(qū)動能力的1/M倍。例如，也可以被設定為1/1000倍。因此，電流檢測用晶體管Q4的集電極電流成為輸出電流Io的1/M倍，并且成為輸入電流的n倍的值。
而且，在本實施方式中，相同地設定第2輸入電流供給用晶體管Q12、第3輸入電流供給用晶體管Q14、輸入電流側晶體管Q2、以及第2集電極電位補償用晶體管Q18的電流驅(qū)動能力，并且，相同地設定第1基極電流補償用晶體管Q8以及第2基極電流補償用晶體管Q20的電流驅(qū)動能力，并且，將第1集電極電位補償用晶體管Q16以及第2集電極電位補償用晶體管Q18的電流驅(qū)動能力的比設定為n∶1，因此第1集電極電位補償用晶體管Q16的集電極電流成為輸入電流的n倍的值。同時，也是輸出電流Io的1/M倍。
電流檢測單元20檢測第1集電極電位補償用晶體管Q16的集電極電流。例如，在其集電極電極和接地之間插入未圖示的檢測電阻，檢測該檢測電阻的該集電極電極側的電壓，也可以檢測該集電極電流。通過將該電流對應于電流檢測用晶體管Q4以及輸出電流側晶體管Q6的電流驅(qū)動能力的比進行放大，從而可間接地檢測出作為檢測對象的地方的輸出電流Io。這樣的檢測方法與直接檢測輸出電流Io的方法相比，可抑制電壓損失。
因第1集電極電位補償用晶體管Q16和第2集電極電位補償用晶體管Q18構成第1補償用電流鏡電路CM6，所以在兩個晶體管Q16、Q18中流過與它們的驅(qū)動能力的比相對應的電流，基極電壓也相等，所以集電極電壓也相等。這樣，在電流檢測用晶體管Q4以及輸出電流側晶體管Q6的兩個集電極電極電位中產(chǎn)生偏差的情況下，兩個集電極電極的電位可被補償為相等。例如，在輸出電流側晶體管Q6轉移到線性區(qū)域的情況下，在與電流檢測用晶體管Q4的鏡像比上產(chǎn)生偏差，但是通過連接第1補償用電流鏡電路CM6，該集電極電極的電位可被補償為相等。
根據(jù)如上說明的本實施方式，在輸出電流Io變化的情況下，第1集電極電位補償用晶體管Q16和第2集電極電位補償用晶體管Q18的兩個基極-發(fā)射極電壓也相等，所以電流檢測用晶體管Q4以及輸出電流側晶體管Q6的兩個集電極電極的電位可被補償為相等。因此，可進行高精度的電流檢測。此時，因不使用差動放大電路，所以可削減電路數(shù)，可簡化電路整體。尤其，在將本電流檢測電路單片集成化時，可節(jié)省該差動放大電路的容量，從而可以將芯片尺寸減小得非常小。因此，可用小規(guī)模的電路高精度地檢測電流。
(第二實施方式)第二實施方式表示使用用到了FET(field-effect transistor)的電流鏡電路間接地檢測電流的電流檢測電路。而且，也表示構成該電流鏡電路的FET之間的漏極電位盡可能地保持相同的結構。
圖2是表示在實施方式2中的電流檢測電路100b的結構的圖。在該電流檢測電路100b中，對使用P溝道MOSFET(metal oxide semiconductor FET)的例子進行說明。輸入電流側FET(M2)、電流檢測用FET(M4)以及輸出電流側FET(M6)構成第2電流檢測用電流鏡電路CM8。輸入電流側FET(M2)、電流檢測用FET(M4)以及輸出電流側FET(M6)的源極電極連接到電源電壓等的高電位側基準電位Vdd。這些的柵極電極被連接，并連接到輸入電流側FET(M2)的漏極側的電流路徑上。在與其電流路徑的連接點和輸入電流側FET(M2)的漏極電極之間插入第4電阻R8。
FET的漏極-源極間電流IDS由下述(式4)提供IDS＝uC(W/L){(VGS-VT)VDS-VDS2/2}……(式4)其中，u表示霍爾移動率、C表示柵極氧化膜的電容、W表示溝道寬度、L表示溝道長度、VGS表示柵極-源極間電壓、VT表示閾值電壓、VDS表示源極-漏極間電壓。
根據(jù)上述(式4)可知，F(xiàn)ET的漏極-源極間電流IDS與其結構例如，溝道尺寸(W/L)成比例關系。例如，將溝道寬度W作為2倍，則可以使漏極-源極間電流IDS也成為2倍。
本實施方式中，由上述三個FET(M2、M4、M6)的各結構所決定的電流驅(qū)動能力的比從輸入電流側FET(M2)開始依次設定為1∶n∶mn。在第2電流檢測用電流鏡電路CM8中，因柵極-源極間電壓相等，所以流過與電流驅(qū)動能力相對應的漏極-源極間電流。
因輸入電流對本實施方式的電流檢測電路100b的供給與第一實施方式相同，所以省略說明。
第1漏極電位補償用FET(M8)以及第2漏極電位補償用FET(M10)構成第2補償用電流鏡電路CM10。它們的電流驅(qū)動能力的比設定為n∶1。這個比與第2電流檢測用電流鏡電路CM8的電流驅(qū)動能力的比相對應，第1漏極電位補償用FET(M8)和電流檢測用FET(M4)設定為相同的電流驅(qū)動能力，第2漏極電位補償用FET(M10)和輸入電流側FET(M2)之間也設定為相同的電流驅(qū)動能力。
第1漏極電位補償用FET(M8)的源極電極連接到電流檢測用FET(M4)的漏極電極，其漏極電極連接到與第一實施方式相同的電流檢測單元20。第2漏極電位補償用FET(M10)的源極電極連接到輸出電流側FET(M6)的漏極電極，其漏極電極連接到第3輸入電流供給用晶體管Q14的集電極電極。
而且，為了構成第2補償用電流鏡電路CM10而連接第1漏極電位補償用FET(M8)和第2漏極電位補償用FET(M10)的柵極電極，并連接到第2漏極電位補償用FET(M10)的漏極側的電流路徑。在與其電流路徑的連接點和第2漏極電位補償用FET(M10)的漏極電極之間插入第5電阻R10。
本實施方式的電流檢測電路，從連接輸出電流測FET(M6)的漏極電極和第2漏極電位補償用FET(M10)的漏極電極的電流路徑分支輸出電流路徑，從該電流路徑將輸出電流測FET(M6)的漏極電流作為輸出電流Io輸出到外部。該輸出電流Io對應于輸入電流測FET(M2)和輸出電流測FET(M6)的電流驅(qū)動能力的比，成為輸入電流被放大的值。在本實施方式中，不直接檢測該輸出電流Io，而是通過檢測第1漏極電位補償用FET(M8)的漏極電流，從而間接地檢測輸出電流Io。
因第1漏極電位補償用FET(M8)和第2漏極電位補償用FET(M10)構成第2補償用電流鏡電路CM10，所以流過與它們的驅(qū)動能力的比相對應的電流，柵極電壓相等，所以源極電壓也相等。這樣，在電流檢測用FET(M4)以及輸出電流側FET(M6)的兩個漏極電極電位中產(chǎn)生偏差的情況下，兩個漏極電極的電位可被補償為相等。例如，在輸出電流側FET(M6)飽和的情況下，在與電流檢測用FET(M4)的鏡像比上產(chǎn)生偏差，但是通過連接第2補償用電流鏡電路，該漏極電極的電位可被補償為相等。
根據(jù)如上說明的本實施方式，在輸出電流Io變化的情況下，第1漏極電位補償用FET(M8)和第2漏極電位補償用FET(M10)的兩個柵極-源極電壓也相等，所以電流檢測用FET(M4)以及輸出電流側FET(M6)的兩個漏極電極的電位可補償為相等。因此，可起到與第一實施方式相同的效果。尤其，第二實施方式的情況下，在輸出電壓為比較低的電壓例如，1V時也能使其正常地動作。
圖3是表示適于使用上述的實施方式的電流檢測電路100的電子設備1000的結構的電路圖。該電子設備1000具有電動機裝置200以及記錄盤300。電子設備1000是筆記本型或臺式個人計算機、DVD播放器、游戲機等，記錄盤300是硬盤、DVD盤等。電動機裝置200控制記錄盤300的旋轉。電動機裝置200包括電動機驅(qū)動電路210、電流檢測電路100以及電動機220。電動機驅(qū)動電路210經(jīng)由電流檢測電路100驅(qū)動電動機220。此時，參照電流檢測電路100的檢測電流，控制應提供給電動機220的電流。例如適當?shù)乜刂剖沟貌粚﹄妱訖C220提供過電流，或者控制使得對電動機220提供恒流。如上，可小型化實現(xiàn)高精度的電動機裝置以及搭載其的電氣設備。
以上基于實施方式說明了本發(fā)明。本領域的技術人員應該理解，這些實施方式只是例示，這些各結構要素或各處理程序的組合可以有各種變形例，而且這樣的變形例也屬于本發(fā)明的范圍。
在第一實施方式中，將電流檢測用晶體管Q4和第1集電極電位補償用晶體管Q16的電流驅(qū)動能力的比設定為n∶kn，而不是相同，并且將輸入電流供給用晶體管Q2和第2集電極電位補償用晶體管Q18的電流驅(qū)動能力的比設定為1∶k，則可以將第1集電極電位補償用晶體管Q16的集電極電流作為輸入電流的kn倍、輸出電流Io的k/M倍的值。通過將該k設定為小于1，可在少許流過第2集電極電位補償用晶體管Q18的輸出電流側晶體管Q6的集電極電流中，減少不對輸出電流Io產(chǎn)生貢獻的無效電流。電流檢測單元20可以以期望的量程(range)檢測電流。另外，此時，有必要將第1基極電流補償用晶體管Q8和第2基極電流補償用晶體管Q20的電流驅(qū)動能力的比、以及第2輸入電流供給用晶體管Q12和第3輸入電流供給用晶體管Q14的電流驅(qū)動能力的比設定為1∶k。尤其，在第二實施方式中，將與第一實施方式對應的電路元件的電流驅(qū)動能力設定為如上，將第4電阻R8和第5電阻R10的電阻值的比設定為k∶l，則成立相同的關系。
而且，電流檢測單元20也可以流過檢測電流檢測用晶體管Q4的集電極電極或者電流檢測用FET(M4)的漏極電極的電流。
而且，在第一、第二實施方式中所示的電流鏡電路并不限定于上述的類型，也可以使用威爾遜(Wilson)型等的各種電路。而且，并不限定于上述的實施方式中所使用的晶體管，也可以使用NPN型雙極晶體管或P溝道MOSFET等的其他晶體管。而且，在第二實施方式中，也可以不插入第4電阻R8以及第5電阻R10。
而且，在將本電流檢測電路單片集成化時，在配置上可以設計為，輸入電流側晶體管Q2、電流檢測用晶體管Q4、以及輸出電流側晶體管Q6具有成對(pair)性。第1集電極電位補償用晶體管Q16和第2集電極電位補償用晶體管Q18也可以同樣地設計為具有成對性。而且，在第二實施方式中的對應的FET也可以同樣地設計。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，在使用電流鏡電路間接地檢測電流時，可用小規(guī)模的電路高精度地進行。
權利要求
1.一種電流檢測電路，其特征在于，它具有電流檢測用電流鏡電路，包括提供輸出電流的輸出電流側晶體管；提供與所述輸出電流成比例的檢測用電流的電流檢測用晶體管；補償用電流鏡電路，連接到所述電流檢測用電流鏡電路的電流供給側，以使所述輸出電流側晶體管的端子電壓和所述電流檢測用晶體管的端子電壓成為規(guī)定的關系；以及電流檢測單元，通過檢測所述檢測用電流，從而間接地檢測所述輸出電流。
2.如權利要求1所述的電流檢測電路，其特征在于，所述電流檢測用電流鏡電路還包括輸入電流側晶體管，用于使所述輸出電流側晶體管產(chǎn)生與來自外部的輸入電流成比例的所述輸出電流，所述電流檢測電路還具有輸入電流供給用電流鏡電路，該輸入電流供給用電流鏡電路包括第1輸入電流供給用晶體管，接受所述輸入電流；第2輸入電流供給用晶體管，連接到所述輸入電流側晶體管，使該輸入電流側晶體管產(chǎn)生與所述輸入電流對應的電流；第3輸入電流供給用晶體管，對所述補償用電流鏡電路提供偏置電流。
3.如權利要求2所述的電流檢測電路，其特征在于，所述補償用電流鏡電路包括第1補償用晶體管，連接到所述電流檢測用晶體管，將與所述偏置電流成比例的電流作為所述檢測用電流提供；第2補償用晶體管，連接到所述輸出電流側晶體管，由其相反的電極接受所述偏置電流。
4.如權利要求3所述的電流檢測電路，其特征在于，使所述輸入電流側晶體管和所述電流檢測用晶體管的電流驅(qū)動能力的比、所述第2補償用晶體管和所述第1補償用晶體管的電流驅(qū)動能力的比、以及所述第2輸入電流供給用晶體管和所述第3輸入電流供給用晶體管的電流驅(qū)動能力的比相對應，并且，使所述第2補償用晶體管的電流驅(qū)動能力與所述輸入電流側晶體管的電流驅(qū)動能力不同。
5.如權利要求1至4的任一項所述的電流檢測電路，其特征在于，至少所述電流檢測用電流鏡電路和所述補償用電流鏡電路被一體集成在一個半導體襯底上。
6.一種電動機裝置，其特征在于，它包括電動機；如權利要求1至5的任一項所述的電流檢測電路；以及參照所述電流檢測電路中檢測出的電流，驅(qū)動所述電動機的電動機驅(qū)動電路。
7.一種電子設備，其特征在于，它包括記錄盤；以及控制所述記錄盤的旋轉的權利要求6所述的電動機裝置。
全文摘要
在使用電流鏡電路間接地檢測電流時，以小規(guī)模的電路高精度地進行。在電流檢測電路中，電流檢測用電流鏡電路(CM2)包括提供輸出電流的輸出電流側晶體管(Q6)；提供與輸出電流成比例的檢測用電流的電流檢測用晶體管(Q4)。補償用電流鏡電路(CM6)連接到電流檢測用電流鏡電路(CM2)的電流供給側，以使輸出電流側晶體管(Q6)的集電極電壓和電流檢測用晶體管(Q4)的集電極電壓相等。電流檢測單元(20)通過檢測出檢測用電流，從而間接地檢測輸出電流。
文檔編號G01R19/00GK101080639SQ200680001428
公開日2007年11月28日 申請日期2006年1月16日 優(yōu)先權日2005年1月17日
發(fā)明者藤井教夫 申請人:羅姆股份有限公司