專(zhuān)利名稱(chēng)：超聲波探傷方法和超聲波探傷裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用干式來(lái)檢查電子元器件等檢查對(duì)象的超聲波探傷方法。
背景技術(shù)：
作為為了實(shí)現(xiàn)近來(lái)流行的小型、薄型的商品的一個(gè)方法，是為了減小安裝面積，而不斷增加具有BGA或CSP等背面電極的電子器件。當(dāng)使用背面電極器件時(shí)，因?yàn)椴荒芡ㄟ^(guò)光學(xué)裝置來(lái)觀察接合部，所以需要保證品質(zhì)的其它裝置。
過(guò)去作為觀察電子器件的內(nèi)部的方法，有使用X射線的方法和超聲波探傷方法。在使用X射線的方法中，雖然對(duì)于斷線、短路、體積異常等的檢查能得到很好的效果，但是不適于剝離等的接合部的檢查。另外，在超聲波探傷方法中，由于超聲波在音響性質(zhì)不同的部分產(chǎn)生反射，所以適用于剝離等的接合部檢查，但是要將檢查對(duì)象浸漬在作為超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)的液體中，再通過(guò)上述液體對(duì)檢查對(duì)象進(jìn)行超聲波的發(fā)送接受，來(lái)進(jìn)行探傷，但是存在的問(wèn)題是，通過(guò)浸漬在液體中，檢查對(duì)象的電極材料將作為離子溶解析出在上述液體中，從而可靠性降低，由于浸漬在液體中的性質(zhì)，則無(wú)法在生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)中實(shí)現(xiàn)。
另外，在(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)(專(zhuān)利文獻(xiàn)2)中揭示了不將檢查對(duì)象浸漬在液體中而進(jìn)行檢查的干式的超聲波探傷方法。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)2003-177117號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2特開(kāi)平11-304771號(hào)公報(bào)在(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)中所述的干式超聲波探傷方法中，因?yàn)槭褂弥挥械酌嬗酶叻肿幽し忾]的、內(nèi)部裝有超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)的容器，并使上述高分子膜與檢查對(duì)象壓緊，再通過(guò)上述超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)和高分子膜將超聲波向檢查對(duì)象發(fā)送，然后接收反射波來(lái)進(jìn)行探傷，所以與(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)相比，要面向的是生產(chǎn)工序中的全品檢查等。但是，在生產(chǎn)工序中為了反復(fù)檢查，而需要更換上述高分子膜，該結(jié)構(gòu)難以實(shí)現(xiàn)對(duì)上述容器裝拆上述高分子膜的自動(dòng)化。
而且，在(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)中，為了改善上述高分子膜和檢查對(duì)象的附著性，需要排出上述高分子膜和檢查對(duì)象之間的空氣的工序，對(duì)于檢查對(duì)象需要能夠壓緊將檢查對(duì)象和其周?chē)鷼饷艿臉?gòu)件的空間，現(xiàn)狀是對(duì)于安裝密度高的基板等不能夠?qū)嵤?br> 在(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)中揭示了將管道作為檢查對(duì)象的檢查方法，但是不適用于像安裝基板的電子器件那樣需要精密檢查的檢查對(duì)象。
本發(fā)明的目的在于提供適用于像安裝基板的電子器件那樣需要精密檢查的檢查對(duì)象的超聲波探傷裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的權(quán)利要求1中記載的超聲波探身裝置的特征在于設(shè)置用高分子膜封閉底面并在內(nèi)部裝有超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)且密封了的介質(zhì)槽、以及至少將前端浸漬在上述介質(zhì)槽中裝有的超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)中的超聲波探頭，使上述高分子膜吸附在介質(zhì)槽的底部，同時(shí)使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸，然后設(shè)定超聲波探頭和上述檢查對(duì)象之間的距離，從而用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求2中記載的超聲波探傷裝置的特征在于在權(quán)利要求1中設(shè)置有多個(gè)能夠更換的超聲波探頭。
本發(fā)明的權(quán)利要求3中記載的超聲波探傷裝置的特征在于設(shè)置用高分子膜封閉底面并在內(nèi)部裝有超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)且密封了的介質(zhì)槽、以及至少將前端浸漬在上述介質(zhì)槽中裝有的超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)中的超聲波探頭，在上述介質(zhì)槽的底面?zhèn)鹊亩嗣嬖O(shè)置開(kāi)口的孔，并且利用上述孔的減壓來(lái)吸附保持上述高分子膜，使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸，用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求4中記載的超聲波探傷裝置的特征在于設(shè)置用高分子膜封閉底面并在內(nèi)部裝有超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)且密封了的介質(zhì)槽、以及至少將前端浸漬在上述介質(zhì)槽中裝有的超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)中的超聲波探頭，使上述介質(zhì)槽的前端比介質(zhì)槽的底端細(xì)，再使該前端的部分覆蓋上述高分子膜，并封閉介質(zhì)槽的前端開(kāi)口，使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸，用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求5中記載的超聲波探傷方法的特征在于用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，并使上述高分子膜吸附在介質(zhì)槽的底部，一面將上述介質(zhì)槽的內(nèi)部減壓，一面注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸，設(shè)定超聲波探頭和上述檢查對(duì)象之間的距離，使得從上述超聲波探頭發(fā)送的超聲波在檢查對(duì)象位置上反射并用上述超聲波探頭接收，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求6中記載的超聲波探傷方法的特征在于用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，在上述介質(zhì)槽中將底面?zhèn)鹊亩嗣嫔祥_(kāi)口的孔減壓，使上述高分子膜吸附，注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸，用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求7中記載的超聲波探傷方法的特征在于用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，將上述介質(zhì)槽的內(nèi)部進(jìn)行減壓，使上述高分子膜吸附在上述介質(zhì)槽的底部，一面將上述介質(zhì)槽的內(nèi)部減壓，一面注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸的狀態(tài)下向上述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求8中記載的超聲波探傷方法的特征在于用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，在上述介質(zhì)槽中將底面?zhèn)鹊亩嗣嫔祥_(kāi)口的孔減壓，使上述高分子膜吸附，注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸的狀態(tài)下向上述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求9中記載的超聲波探傷方法的特征在于用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，將上述介質(zhì)槽的內(nèi)部進(jìn)行減壓，使上述高分子膜吸附在上述介質(zhì)槽的底部，一面將上述介質(zhì)槽的內(nèi)部減壓，一面注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在向上述介質(zhì)槽內(nèi)部注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)前或者注入后用酒精沾濕上述高分子膜，在使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸的狀態(tài)下向上述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求10中記載的超聲波探傷方法的特征在于用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，在上述介質(zhì)槽中將底面?zhèn)鹊亩嗣嫔祥_(kāi)口的孔減壓，使上述高分子膜吸附，注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在向上述介質(zhì)槽內(nèi)部注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)前或者注入后用酒精沾濕上述高分子膜，在使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸的狀態(tài)下向上述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求11中記載的超聲波探傷裝置的特征在于用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，將上述介質(zhì)槽的內(nèi)部進(jìn)行減壓，使上述高分子膜吸附在上述介質(zhì)槽的底部，一邊將上述介質(zhì)槽的內(nèi)部減壓，一面注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使表面用酒精沾濕了的上述檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸的狀態(tài)下向上述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭信息并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
本發(fā)明的權(quán)利要求12中記載的超聲波探傷方法的特征在于用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，在上述介質(zhì)槽中將底面?zhèn)鹊亩嗣嫔祥_(kāi)口的孔減壓，使上述高分子膜吸附，注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使表面用酒精沾濕了的上述檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸的狀態(tài)下向上述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用上述超聲波探頭來(lái)接收從上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
如果采用本發(fā)明的超聲波探傷裝置和超聲波探傷方法，則能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)像安裝基板的電子器件那樣需要精密檢查的檢查對(duì)象采用干式、且適用于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)實(shí)施的超聲波探傷檢查。


圖1是本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)1)的超聲波探傷方法的檢查工序圖。
圖2是在同一實(shí)施形態(tài)中廢棄損傷了的高分子膜的工序圖。
圖3是在同一實(shí)施形態(tài)中安裝高分子膜的工序圖。
圖4是在同一實(shí)施形態(tài)中切除高分子膜的工序圖。
圖5是本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)2)的超聲波探傷方法的檢查工序圖。
圖6是本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)3)的超聲波探傷方法的檢查工序圖。
圖7是本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)4)的超聲波探傷方法的檢查工序圖。
圖8是本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)5)的超聲波探傷方法的檢查工序圖。
圖9是本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)6)的超聲波探傷方法的檢查工序圖。
圖10是本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)7)的超聲波探傷方法的檢查工序圖。
圖11是本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)8)的超聲波探傷方法的檢查工序圖。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)圖1～圖11所示的各實(shí)施形態(tài)來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的超聲波探傷方法。
(實(shí)施形態(tài)1)圖1～圖4表示本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)1)。
圖1(a)～(d)表示超聲波探傷的工序。
如圖1(a)所示，超聲波探傷裝置具有只有底面開(kāi)放的介質(zhì)槽1；封閉該介質(zhì)槽1的上述底面的高分子膜2；以及安裝在介質(zhì)槽1中并能夠自由移動(dòng)的、且接收發(fā)送超聲波的超聲波探頭3。作為高分子膜2可以使用硅橡膠系、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯等。其膜的厚度為數(shù)μm～數(shù)10μm。
當(dāng)對(duì)介質(zhì)槽1安裝高分子膜2時(shí)，如圖1(b)所示，使高分子膜2與介質(zhì)槽2的底面壓緊，同時(shí)將介質(zhì)槽1的內(nèi)部4與真空裝置(未圖示)連接，進(jìn)行減壓A并保持。
然后，一面繼續(xù)介質(zhì)槽1的內(nèi)部4的上述減壓A，一面如圖1(c)所示，向介質(zhì)槽1的內(nèi)部4注入作為超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)的水5。該注入量為能夠浸漬作為超聲波探頭3的超聲波發(fā)送接收部的前端的分量。
在這樣注入了水5的狀態(tài)下，利用水5的重量，高分子膜2的中央向下側(cè)膨脹。在這種狀態(tài)下，如圖1(c)至圖1(d)所示，使載有檢查對(duì)象的基板6的平臺(tái)7沿著箭頭B的方向上升，用介質(zhì)槽1的底部來(lái)覆蓋基板6的檢查部位8的周?chē)?。通過(guò)高分子膜2與基板6壓緊的介質(zhì)槽1的高分子膜2沿著基板1的檢查部位8發(fā)生彈性形變。
在該狀態(tài)下，為了使得由超聲波探頭3發(fā)送來(lái)的超聲波在基板6的檢查部位8的目標(biāo)深度的位置上發(fā)生反射，并用上述超聲波探頭接收，則調(diào)節(jié)并設(shè)定超聲波探頭和上述檢查對(duì)象之間的距離，發(fā)射超聲波，用超聲波探頭3接收在基板6的檢查部位8上的反射超聲波，并根據(jù)發(fā)送和接收的時(shí)間差來(lái)對(duì)檢查部位8的目標(biāo)位置的硬度的情況進(jìn)行檢查。
這樣，由于通過(guò)減壓A將高分子膜2吸附保持在介質(zhì)槽1上，因此如圖1(d)所示，僅通過(guò)高分子膜2使基板6與介質(zhì)槽1的底部壓緊，高分子膜2就沿著基板1的檢查部位8發(fā)生彈性形變，高分子膜2完全無(wú)間隙地與檢查部位8緊貼，由超聲波探頭3的前端發(fā)射出的超聲波振動(dòng)通過(guò)水5和高分子膜2而正確地達(dá)到檢查部位8的目標(biāo)深度，并通過(guò)高分子膜2和水5用超聲波探頭3來(lái)正確地接收。
因此，不需要如(專(zhuān)利文獻(xiàn)1)等中所述的那樣，為了改善上述高分子膜和檢查對(duì)象之間的緊貼性，而進(jìn)行排出上述高分子膜和檢查對(duì)象之間的空氣的工序，也不需要對(duì)檢查對(duì)象設(shè)置能夠壓緊密封檢查對(duì)象和其周?chē)臉?gòu)件的空間，適用于對(duì)于安裝密度高的在線基板等的檢查。
另外，考慮到由于反復(fù)的檢查操作使高分子膜2受損等而降低檢查結(jié)果的精度的情況，這時(shí)如圖2(a)所示，如果在使其移動(dòng)到廢棄容器9上的狀態(tài)下解除上述減壓A，則使用完的高分子膜2由于水5的重量而從介質(zhì)槽1的底部脫落，如圖2(b)所示，與注入的水5一起落入廢棄容器9之中。廢棄容器9的內(nèi)側(cè)用網(wǎng)體10分成上下部分，水5通過(guò)網(wǎng)體10積存在廢棄容器9的底部。使用完的高分子膜2用網(wǎng)體10來(lái)篩選，并殘留在網(wǎng)體10上。
這樣，為了不讓使用完的高分子膜2等混入積存在廢棄容器9中的水5中，將它吸上并能夠在圖1(c)的工序中再注入到介質(zhì)槽1中。
圖3(a)表示比圖1(a)更具體的情況。
圖3(a)的卷裝體12是將利用硬紙13裱合的帶狀的高分子膜2卷起來(lái)而形成的，將從該卷裝體12抽出來(lái)的帶狀體卷繞在卷軸14上，并在張緊的狀態(tài)下間歇地沿著箭頭15方向卷繞。16是操作臺(tái)。
將介質(zhì)槽1的底部壓緊張力作用的狀態(tài)下停止的帶狀體，在實(shí)施介質(zhì)槽1的上述減壓A而使其吸附保持在介質(zhì)槽1上后，如圖4(a)的箭頭16所示，沿著上述介質(zhì)槽1的外周使刀具17按壓操作臺(tái)16的一側(cè)，將高分子膜2切割成所需要的形狀，從而完成高分子膜2對(duì)介質(zhì)槽1的安裝。圖3(b)表示切割了高分子膜1后的帶狀體。
另外，這里是使用刀具17從卷裝體12將高分子膜2切割成所需要的形狀，但是也可以如圖4(b)所示，利用加熱了的加熱器18來(lái)使卷裝體12的高分子膜2熔化而形成。
另外，也可以如圖4(c)所示，在就要切割的前面位置上，經(jīng)過(guò)剝離臺(tái)19施加張力用卷繞軸20來(lái)卷繞卷裝體12的硬紙13，而且同時(shí)通過(guò)上述卷軸14在施加張力的狀態(tài)下僅僅卷繞卷裝體12的帶狀高分子膜2，在施加張力的狀態(tài)下將介質(zhì)槽1的底部壓緊停止了的切割位置的高分子膜2，在實(shí)施介質(zhì)槽1的上述減壓A并使其吸附保持在介質(zhì)槽1上后，從背面?zhèn)热缂^21所示按壓刀具22，沿著上述介質(zhì)槽1的外周切割高分子膜2。
另外，介質(zhì)槽1上的超聲波探頭3這樣構(gòu)成，使其通過(guò)運(yùn)轉(zhuǎn)控制部并根據(jù)上述基板6的設(shè)計(jì)CAD數(shù)據(jù)，在水平面內(nèi)掃描移動(dòng)，從而自動(dòng)對(duì)檢查部位8的檢查范圍內(nèi)的全部區(qū)域進(jìn)行檢查。
(實(shí)施形態(tài)2)圖5表示本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)2)。
在圖1(d)所示的(實(shí)施形態(tài)1)超聲波探傷工序中，是將介質(zhì)槽1的底部壓緊在基板6上，高分子膜2與基板6的檢查部位8緊貼，但是在該(實(shí)施形態(tài)2)中，在如圖1(d)所示將介質(zhì)槽1的底部壓緊在基板6上以后，通過(guò)從穿通介質(zhì)槽1的上部而設(shè)置的孔23注入空氣C，向介質(zhì)槽1內(nèi)部施加更大的壓力，從而更提高與高分子膜2的檢查部位8的緊貼性，提高了檢查精度。
另外，空氣C注入的孔23的位置最好是比圖1(c)的工序中向介質(zhì)槽1注入的水5的水面24更上方的位置，這樣由于在水5中不混入氣泡，所以較好。
(實(shí)施形態(tài)3)圖6表示本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)3)。
在該實(shí)施形態(tài)中，在保持高分子膜2的上述介質(zhì)槽1的端面上形成從外周延伸到內(nèi)側(cè)的底面部25，與上述各實(shí)施形態(tài)相比區(qū)別僅在于增大與高分子膜2的接觸面積，能夠更確實(shí)地保持吸附。
(實(shí)施形態(tài)4)圖7表示本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)4)。
在該實(shí)施形態(tài)中，在上述介質(zhì)槽1的端面上預(yù)先形成凹部27，這樣即使在與檢查部位8相鄰安裝了其它元器件26的情況下，也能夠使上述高分子膜2緊貼在檢查部位8上。
利用這樣的結(jié)構(gòu)，即使是安裝密度高的基板6也能夠檢查。
(實(shí)施形態(tài)5)
圖8表示本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)5)。
在上述各實(shí)施形態(tài)中，沒(méi)有說(shuō)明過(guò)保持高分子膜2的上述介質(zhì)槽1的端面的材料，而在該(實(shí)施形態(tài)5)中，在介質(zhì)槽1的端面上預(yù)先安裝比介質(zhì)槽1的彈性系數(shù)更高的彈性體28。
利用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠提高介質(zhì)槽1和高分子膜2之間的緊貼性。
(實(shí)施形態(tài)6)圖9表示本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)6)。
在圖9(a)中，在保持高分子膜2的上述介質(zhì)槽1的端面形成開(kāi)口的孔30，通過(guò)該孔30與真空泵(未圖示)連接來(lái)排氣，也能夠提高介質(zhì)槽1和高分子膜2之間的緊貼性。另外，由于為了保持高分子膜2而沒(méi)有使用其它輔助工具來(lái)保持，則能夠結(jié)構(gòu)緊湊。
具體來(lái)說(shuō)，用高分子膜2封住并氣密介質(zhì)槽1的底面開(kāi)口，對(duì)孔30進(jìn)行減壓A，使上述高分子膜2吸附在介質(zhì)槽1的底面開(kāi)口上，注入水5，使其至少能夠浸漬超聲波探頭的前端，并在使上述高分子膜與檢查部位8接觸的狀態(tài)下向上述介質(zhì)槽1的內(nèi)部施加更大的壓力，再用上述超聲波探頭接收由上述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射回來(lái)的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
另外，也可以是如圖9(b)所示的結(jié)構(gòu)，即介質(zhì)槽1的前端比介質(zhì)槽1的底端更細(xì)，使高分子膜2覆蓋在該前端31的部分上，并在比前端31更靠近上方的位置上固定環(huán)狀的箍套32等，從而封住介質(zhì)槽1的前端開(kāi)口。這樣通過(guò)使介質(zhì)槽1的前端31變細(xì)，則即使是安裝密度高的基板6，也能夠使高分子膜2緊貼在檢查部位8上，并進(jìn)行檢查。
(實(shí)施形態(tài)7)圖10表示本發(fā)明的(實(shí)施形態(tài)7)。
在如圖10(a)所示的超聲波探傷裝置中，預(yù)先準(zhǔn)備發(fā)送接收頻率互不相同的多個(gè)超聲波探頭3a、3b、3c、…，對(duì)應(yīng)檢查部位來(lái)選擇超聲波探頭3a、3b、3c、…中的某一個(gè)，并安裝在上述介質(zhì)槽1中實(shí)行檢查。如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，則能夠期待提高檢查精度。
在如圖10(b)所示的超聲波探傷裝置中，設(shè)置根據(jù)上述各實(shí)施形態(tài)或它們的組合來(lái)形成的多個(gè)超聲波探傷單元29a、29b、29c。這里，超聲波探傷單元29a、29b、29c的發(fā)送接收頻率互不相同。在檢查工序中構(gòu)成運(yùn)轉(zhuǎn)程序，從而根據(jù)檢查部位來(lái)選擇超聲波探傷單元29a、29b、29c中的某一個(gè)并實(shí)行檢查。
如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，則能夠提高檢查精度，同時(shí)因?yàn)槭〉袅顺暡ㄌ絺麊卧难b拆工序，所以能夠期待提高檢查效率。
另外，在上述各實(shí)施形態(tài)中，是相對(duì)于安裝了超聲波探頭的超聲波探傷單元使檢查對(duì)象的基板6移動(dòng)并得到檢查狀態(tài)，但是相對(duì)于檢查對(duì)象的基板6使安裝了超聲波探頭的超聲波探傷單元移動(dòng)也能夠得到檢查狀態(tài)。這樣，除了使一方相對(duì)于另一方移動(dòng)而得到檢查狀態(tài)的運(yùn)轉(zhuǎn)程序以外，使兩者移動(dòng)并相互接近也能夠得到上述檢查狀態(tài)，能夠使檢查對(duì)象和上述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和上述高分子膜接觸，并用上述超聲波探頭接收由上述超聲波探頭發(fā)送再由檢查對(duì)象反射了的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
(實(shí)施形態(tài)8)在圖1(a)～(d)所示的超聲波探傷方法中，是在圖1(b)中對(duì)介質(zhì)槽1的內(nèi)部4進(jìn)行減壓，然后在圖1(c)中向介質(zhì)槽1的內(nèi)部4注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，再如圖1(d)所示，使高分子膜2與檢查部位8壓緊，但是在本(實(shí)施形態(tài)8)中，如圖11(a)～(d)所示，與圖1不同之處僅在于在圖11(b)和圖11(c)之間附加了圖11(b-1)、圖11(b-2)的工序。在本實(shí)施形態(tài)中，能夠避免由于檢查對(duì)象8的表面凹凸而造成的檢查精度降低。
具體來(lái)說(shuō)，在圖11(b-1)中，將安裝在介質(zhì)槽1上的高分子膜2浸漬在酒精33中。在圖11(b-2)中，將作為超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)的水5注入介質(zhì)槽1中，并使高分子膜2的中央向下膨脹。附著在高分子膜2上的酒精33聚集在高分子膜2的中央。
在該狀態(tài)下，如圖11(c)至(d)所示，沿箭頭B方向使載有檢查對(duì)象的基板6的平臺(tái)7上升，從而最初聚集在高分子膜2中央的酒精33與檢查部位8上面的中央接觸，檢查部位8上面的中央的凹凸(未圖示)用酒精33來(lái)浸濕。通過(guò)這樣將酒精33加入檢查部位8上面的中央部的凹部。隨著平臺(tái)7的上升，從檢查部位8的上面的中央向外側(cè)與高分子膜2接觸，提供給檢查部位8上面的中央部的多余的酒精33向著檢查部位8的外側(cè)擴(kuò)展，同時(shí)填充到檢查部位8的凹部中，在檢查部位8和高分子膜2之間不殘留空氣的狀態(tài)下緊貼。因?yàn)閺臋z查部位8和高分子膜2之間排出的多余的酒精33蒸發(fā)，不會(huì)殘留在基板6上，所以不會(huì)對(duì)電性能產(chǎn)生影響。
這樣，通過(guò)在檢查部位8上附著酒精33，即使在檢查部位8的表面上存在凹凸，也能夠使高分子膜2緊貼在檢查部位8上，與在檢查部位8表面的凹部中殘留空氣的情況相比，能夠提高檢查精度。
另外，上述酒精33能夠使用異丙醇、乙醇、甲醇等。
在圖11(a)～(d)中，是在圖11(b-1)中將已經(jīng)安裝在介質(zhì)槽1上的高分子膜2浸漬在酒精33中，然后在圖11(b-2)中將超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)注入到介質(zhì)槽1中，但是關(guān)于這一點(diǎn)，即使在將高分子膜2安裝在介質(zhì)槽1上之后馬上將超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)注入介質(zhì)槽1中，然后將高分子膜2浸漬在酒精33中，接著在圖11(c)、(d)的工序中使高分子膜2和檢查部位8接觸，也能夠得到相同的效果。
(實(shí)施形態(tài)9)另外，在如圖11所示的(實(shí)施形態(tài)8)中，是在圖11(b-1)中用酒精浸濕了高分子膜2，但是這里也可以向與高分子膜2接觸的檢查部位8的表面上提供酒精來(lái)浸濕，以代替用酒精來(lái)浸濕高分子膜2，這樣也可以得到與(實(shí)施形態(tài)8)同樣的效果。
工業(yè)上的實(shí)用性本發(fā)明不用浸濕生產(chǎn)工序中的檢查對(duì)象，而能夠?qū)崿F(xiàn)正確的超聲波探傷檢查，并且能夠用于安裝了各種半導(dǎo)體裝置的電子基板的在線檢查。
權(quán)利要求
1.一種超聲波探傷裝置，其特征在于，設(shè)置用高分子膜封閉底面并在內(nèi)部裝有超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)且密封了的介質(zhì)槽、以及至少將前端浸漬在所述介質(zhì)槽中裝有的超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)中的超聲波探頭，使所述高分子膜吸附在介質(zhì)槽的底部，同時(shí)使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸，然后設(shè)定超聲波探頭和所述檢查對(duì)象之間的距離，從而用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
2.如權(quán)利要求1中所述的超聲波探傷裝置，其特征在于，設(shè)置有多個(gè)能夠更換的超聲波探頭。
3.一種超聲波探傷裝置，其特征在于，設(shè)置用高分子膜封閉底面并在內(nèi)部裝有超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)且密封了的介質(zhì)槽、以及至少將前端浸漬在所述介質(zhì)槽中裝有的超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)中的超聲波探頭，在所述介質(zhì)槽的底面?zhèn)鹊亩嗣嬖O(shè)置開(kāi)口的孔，并且利用所述孔的減壓來(lái)吸附保持所述高分子膜，使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸，用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
4.一種超聲波探傷裝置，其特征在于，設(shè)置用高分子膜封閉底面并在內(nèi)部裝有超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)且密封了的介質(zhì)槽、以及至少將前端浸漬在所述介質(zhì)槽中裝有的超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)中的超聲波探頭，使所述介質(zhì)槽的前端比介質(zhì)槽的底端細(xì)，再使該前端的部分覆蓋所述高分子膜，并封閉介質(zhì)槽的前端開(kāi)口，使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸，用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
5.一種超聲波探傷方法，其特征在于，用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，并使所述高分子膜吸附在介質(zhì)槽的底部，一面將所述介質(zhì)槽的內(nèi)部減壓，一面注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸，設(shè)定超聲波探頭和所述檢查對(duì)象之間的距離，使得從所述超聲波探頭發(fā)送的超聲波在檢查對(duì)象位置上反射并用所述超聲波探頭接收，來(lái)進(jìn)行檢查。
6.一種超聲波探傷方法，其特征在于，用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，在所述介質(zhì)槽中將底面?zhèn)鹊亩嗣嫔祥_(kāi)口的孔減壓，使所述高分子膜吸附，注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸，用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
7.一種超聲波探傷方法，其特征在于，用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，將所述介質(zhì)槽的內(nèi)部進(jìn)行減壓，使所述高分子膜吸附在所述介質(zhì)槽的底部，一面將所述介質(zhì)槽的內(nèi)部減壓，一面注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸的狀態(tài)下向所述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
8.一種超聲波探傷方法，其特征在于，用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，在所述介質(zhì)槽中將底面?zhèn)鹊亩嗣嫔祥_(kāi)口的孔減壓，使所述高分子膜吸附，注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸的狀態(tài)下向所述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
9.一種超聲波探傷方法，其特征在于，用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，將所述介質(zhì)槽的內(nèi)部進(jìn)行減壓，使所述高分子膜吸附在所述介質(zhì)槽的底部，一面將所述介質(zhì)槽的內(nèi)部減壓，一面注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在向所述介質(zhì)槽內(nèi)部注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)前或者注入后用酒精沾濕所述高分子膜，在使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸的狀態(tài)下向所述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
10.一種超聲波探傷方法，其特征在于，用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，在所述介質(zhì)槽中將底面?zhèn)鹊亩嗣嫔祥_(kāi)口的孔減壓，使所述高分子膜吸附，注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在向所述介質(zhì)槽內(nèi)部注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)前或者注入后用酒精沾濕所述高分子膜，在使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸的狀態(tài)下向所述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
11.一種超聲波探傷方法，其特征在于，用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，將所述介質(zhì)槽的內(nèi)部進(jìn)行減壓，使所述高分子膜吸附在所述介質(zhì)槽的底部，一邊將所述介質(zhì)槽的內(nèi)部減壓，一面注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使表面用酒精沾濕了的所述檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸的狀態(tài)下向所述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭信息并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
12.一種超聲波探傷方法，其特征在于，用高分子膜封住介質(zhì)槽的底面開(kāi)口并密封，在所述介質(zhì)槽中將底面?zhèn)鹊亩嗣嫔祥_(kāi)口的孔減壓，使所述高分子膜吸附，注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)，使得至少浸漬超聲波探頭的前端，在使檢查對(duì)象和所述介質(zhì)槽相對(duì)移動(dòng)并使表面用酒精沾濕了的所述檢查對(duì)象和所述高分子膜接觸的狀態(tài)下向所述介質(zhì)槽的內(nèi)部施加更大的壓力，用所述超聲波探頭來(lái)接收從所述超聲波探頭發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波，來(lái)進(jìn)行檢查。
全文摘要
用高分子膜(2)封住介質(zhì)槽(1)的底面開(kāi)口并密封(a)，對(duì)介質(zhì)槽(1)的內(nèi)部(4)減壓并使高分子膜(2)吸附在介質(zhì)槽(1)的底部(b)，一面對(duì)介質(zhì)槽(1)的內(nèi)部(4)減壓，一面注入超聲波傳導(dǎo)介質(zhì)(5)，使得至少浸漬超聲波探頭(3)的前端(c)，在使檢查對(duì)象(6)和介質(zhì)槽(1)相對(duì)移動(dòng)并使檢查對(duì)象(6)和上述高分子膜(2)接觸的狀態(tài)下，向介質(zhì)槽(1)的內(nèi)部施加更大的壓力(d)，用超聲波探頭(3)來(lái)接收從所述超聲波探頭(3)發(fā)送并由檢查對(duì)象反射的超聲波來(lái)進(jìn)行檢查，從而能夠容易地進(jìn)行生產(chǎn)工序中的高分子膜(2)的更換，而且對(duì)于檢查對(duì)象即使沒(méi)有檢查對(duì)象和其周?chē)目臻g，也能夠進(jìn)行很好的檢查。
文檔編號(hào)G01N29/28GK101069095SQ20068000130
公開(kāi)日2007年11月7日 申請(qǐng)日期2006年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月14日
發(fā)明者桂浩章, 上田陽(yáng)一郎, 后川和也 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社