專利名稱：測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體行業(yè)的測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試方法。
技術(shù)背景目前半導(dǎo)體行業(yè)在進(jìn)行測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試時(shí)， 一般采用的調(diào)試方 法是首先調(diào)整吸起了芯片的機(jī)械手臂與芯片插座的接觸深度，啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備進(jìn) 行接觸測(cè)試。如果測(cè)試結(jié)果不通過(guò)，則下壓機(jī)械手臂，啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開(kāi)始鍵， 進(jìn)行接觸測(cè)試。如果測(cè)試結(jié)果仍不通過(guò)，則繼續(xù)下壓機(jī)械手臂，再次啟動(dòng)測(cè)試 設(shè)備的開(kāi)始鍵，進(jìn)行接觸測(cè)試，直到測(cè)試結(jié)果為通過(guò)。但是， 一方面每一次下 壓機(jī)械手臂，都需要重新啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開(kāi)始鍵，才能進(jìn)行接觸測(cè)試。這種測(cè) 試方法步驟繁瑣延長(zhǎng)了調(diào)試測(cè)試設(shè)備的時(shí)間，不利于提高生產(chǎn)效率。另一方面 上述測(cè)試結(jié)果只有通過(guò)或不通過(guò)，沒(méi)有顯示芯片插座管腳信息，不容易找到, 觸不好的原因。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可有效地節(jié)省調(diào)試時(shí)間的測(cè)試設(shè)備與 芯片的接觸調(diào)試方法。本發(fā)明要解決的另一個(gè)技術(shù)問(wèn)題是提供一種容易找到接觸不好的原因，便 于解決的測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試方法。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試方法包括如下步驟a.調(diào)整吸起芯片的機(jī)械手臂與芯片插座的接觸深度，啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開(kāi)始 鍵，進(jìn)行接觸測(cè)試，使測(cè)試設(shè)備的測(cè)試結(jié)果為不通過(guò)；b.逐步下壓機(jī)械手臂；c. 下壓機(jī)械手臂，測(cè)試設(shè)備自動(dòng)進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試，直至測(cè)試設(shè)備的測(cè)試結(jié)果為通過(guò)。另外，在上述步驟c中，每次的測(cè)試結(jié)果及芯片插座的每根管腳接觸信息 均顯示在測(cè)試i殳備的屏幕上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的接觸調(diào)試方法中，不需要重新啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開(kāi)始鍵就可進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試，達(dá)到了有效節(jié)省測(cè)試時(shí)間的有益效果；通 過(guò)顯示每根管腳接觸信息達(dá)到了能夠很容易找到接觸不好的原因，便于解決的 有益效果。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明公開(kāi)了 一種測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試方法，其通過(guò)測(cè)試芯片插座 與機(jī)械手臂的接觸狀況，來(lái)調(diào)試測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸是否完好。在本實(shí)施例 中，機(jī)械手臂與測(cè)試設(shè)備電性相連用于吸起所述芯片，芯片插座用于承載所述 芯片且測(cè)試設(shè)備電性相連。該接觸調(diào)試方法包括如下步驟a.調(diào)整機(jī)械手臂與 芯片插座的接觸深度，啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開(kāi)始鍵，進(jìn)行接觸測(cè)試，使測(cè)試結(jié)果為 不通過(guò)；b.逐步下壓機(jī)械手臂；c.壓機(jī)械手臂，測(cè)試設(shè)備自動(dòng)進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試， 直至測(cè)試設(shè)備的測(cè)試結(jié)果為通過(guò)。相較于現(xiàn)有技術(shù)，每次下壓機(jī)械手臂，都需 要啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開(kāi)始鍵進(jìn)行接觸測(cè)試的方法，本發(fā)明的接觸測(cè)試方法簡(jiǎn)化了 操作步驟，有效地節(jié)省了測(cè)試設(shè)備的調(diào)試時(shí)間，同時(shí)也可以增加測(cè)試設(shè)備的使 用效率。在步驟b中，每次下壓機(jī)械手臂的深度一般為0.1毫米。 步驟c包括如下幾種情況每下壓機(jī)械手臂一次，測(cè)試設(shè)備自動(dòng)循環(huán)接觸 測(cè)試一次，也可循環(huán)4妄觸測(cè)試多次；還可以下壓機(jī)械手臂兩次或多次，測(cè)試設(shè) 備才自動(dòng)循環(huán)接觸測(cè)試一次。在步驟c中，每次的測(cè)試結(jié)果及芯片插座的每根管腳接觸信息都會(huì)顯示在 測(cè)試設(shè)備的顯示屏幕上。由于每根管腳的接觸信息都會(huì)顯示于屏幕上，在測(cè)試 結(jié)果為不通過(guò)時(shí)，很容易找到接觸不好的原因，便于解決，有效避免壓壞芯片 的現(xiàn)象。當(dāng)測(cè)試設(shè)備的屏幕所有管腳接觸信息為通過(guò)，測(cè)試結(jié)果為通過(guò)時(shí)，機(jī) 械手臂被下壓到合適位置，此時(shí)測(cè)試設(shè)備與芯片接觸良好。
權(quán)利要求
1. 一種測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試方法，其特征在于，該接觸調(diào)試方法包括如下步驟a.調(diào)整吸起芯片的機(jī)械手臂與芯片插座的接觸深度，啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開(kāi)始鍵，進(jìn)行接觸測(cè)試，使測(cè)試設(shè)備的測(cè)試結(jié)果為不通過(guò)；b.逐步下壓機(jī)械手臂；c.下壓機(jī)械手臂，測(cè)試設(shè)備自動(dòng)進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試，直至測(cè)試設(shè)備的測(cè)試結(jié)果為通過(guò)。
2. 如權(quán)利要求1所迷的接觸調(diào)試方法，其特征在于在步驟c中，每下壓機(jī)械 手臂一次，測(cè)試"i殳備自動(dòng)進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試至少一次。
3. 如權(quán)利要求1所述的接觸調(diào)試方法，其特征在于在步驟c中，下壓機(jī)械手 臂至少一次，測(cè)試設(shè)備自動(dòng)進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試一次
4. 如權(quán)利要求1或2或3所述的接觸調(diào)試方法，其特征在于在步驟b中，機(jī)械 手臂每次下壓的深度為0.1毫米。
5. 如權(quán)利要求1或2或3所述的接觸調(diào)試方法，其特征在于在步驟c中，每 次接觸測(cè)試，測(cè)試設(shè)備會(huì)將芯片插座每根管腳的接觸信息及測(cè)試結(jié)果均顯示于 其屏幕上。
6. 如權(quán)利要求5所述的接觸調(diào)試方法，其特征在于在步驟a中，所述芯片插 座是與測(cè)試設(shè)備電性相連的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的測(cè)試設(shè)備與芯片的接觸調(diào)試方法，該接觸調(diào)試方法包括如下步驟a.調(diào)整機(jī)械手臂與芯片插座的接觸深度，啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開(kāi)始鍵，進(jìn)行接觸測(cè)試，使測(cè)試設(shè)備的測(cè)試結(jié)果為不通過(guò)；b.逐步下壓機(jī)械手臂；c.下壓機(jī)械手臂，測(cè)試設(shè)備自動(dòng)進(jìn)行循環(huán)接觸測(cè)試，直至測(cè)試設(shè)備的測(cè)試結(jié)果為通過(guò)。在步驟c中，每次測(cè)試結(jié)果及芯片插座每根管腳的接觸信息均顯示在測(cè)試設(shè)備上。相較現(xiàn)有技術(shù)中每測(cè)試一次，都需重新啟動(dòng)測(cè)試設(shè)備的開(kāi)始鍵才能進(jìn)行接觸測(cè)試且沒(méi)有顯示每根管腳接觸信息的方法，本發(fā)明的接觸測(cè)試方法簡(jiǎn)化了操作步驟并有效節(jié)省了測(cè)試時(shí)間，通過(guò)顯示管腳接觸信息方便找到接觸不好的原因。
文檔編號(hào)G01R31/00GK101210946SQ20061014808
公開(kāi)日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2006年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月27日
發(fā)明者婧 馮, 周思洪, 杜競(jìng)瑜, 岱 楊 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司