專利名稱：低功率和臨近ac電流傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文件涉及低功率臨近(proximity)交流電流傳感器。
背景技術(shù)：
通常，將電流傳感器分類為安培表型傳感器，使用在流過(guò)線圈和磁體的電流之間生成的電磁力檢測(cè)電流、霍爾傳感器，使用霍爾效應(yīng)、以及大磁致電阻(GMR)型電流傳感器，檢測(cè)磁致電阻的變化。
圖1是示出典型安培表的結(jié)構(gòu)及其組件排列的示意圖。通常將安培表串聯(lián)到導(dǎo)電線上，通過(guò)該導(dǎo)電線電流流動(dòng)，并使用電磁力測(cè)量導(dǎo)電線中的電流總量，該電磁力在由流過(guò)在軟鐵芯上纏繞的可移動(dòng)線圈的電流所生成的磁場(chǎng)和安裝在安培表中的永磁體之間生成。
然而，安培表型電流傳感器難以安裝，是因?yàn)樗鼈冎苯舆B接到導(dǎo)電線，通過(guò)該導(dǎo)電線電流流動(dòng)，并不利地在于它們具有許多可移動(dòng)組件，而且是大的，因而是昂貴的。同時(shí)，霍爾傳感器和GMR型電流傳感器在大小及安裝容易度上相對(duì)于安培表型電流傳感器具有優(yōu)勢(shì)，但不利地在于由于電能施加到該傳感器上并且這些傳感器使用電能工作，消耗了電能。這些傳感器不適于在傳感器網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用，因?yàn)樗鼈兊拇笮?、價(jià)格和能量消耗。

發(fā)明內(nèi)容
因此，牢記出現(xiàn)在現(xiàn)有技術(shù)中的上述問(wèn)題而提出本發(fā)明，本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種低功率臨近AC電流傳感器，使用施加到連接于傳感器上的磁性材料上的電磁力測(cè)量流過(guò)導(dǎo)電線的AC電流總量，該電磁力由流過(guò)導(dǎo)電線的電流所感應(yīng)的磁場(chǎng)所引起。
為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，本發(fā)明提供一種低功率臨近AC電流傳感器，包括磁性材料，具有根據(jù)在磁性材料之外生成的磁場(chǎng)強(qiáng)度而變化的位置；壓電薄膜，放置在鄰近磁性材料的位置上并配置為由于磁性材料的位置變化而生成電荷；以及襯底，用于固定該壓電薄膜。
此外，本發(fā)明提供一種低功率臨近AC電流傳感器，包括磁性材料，具有根據(jù)在磁性材料之外生成的磁場(chǎng)強(qiáng)度而變化的位置；對(duì)應(yīng)電極，放置在鄰近磁性材料的位置上并配置為根據(jù)磁性材料的位置變化而改變電容；以及襯底，用于固定該壓電薄膜。
為實(shí)現(xiàn)低功率傳感器，本發(fā)明使用檢測(cè)根據(jù)電流壓電效應(yīng)改變的方法以及檢測(cè)電容變化的方法。此外，本發(fā)明提供低功率臨近AC電流傳感器，能夠僅通過(guò)使傳感器接近電流流過(guò)其的導(dǎo)電線來(lái)檢測(cè)電流總量，而不需要電連接，與存在的現(xiàn)有傳感器不同，現(xiàn)有傳感器連接到由導(dǎo)電線形成的電路的內(nèi)部，該導(dǎo)電線的電流總量被測(cè)量。
根據(jù)本發(fā)明的低功率臨近AC電流傳感器基本上包括懸臂、橋、隔膜可移動(dòng)結(jié)構(gòu)、以及設(shè)置在可移動(dòng)結(jié)構(gòu)上的磁性材料和傳感部件。根據(jù)本發(fā)明的臨近電流傳感器的磁性材料經(jīng)受由于感應(yīng)磁場(chǎng)的力，該感應(yīng)磁場(chǎng)由圍繞導(dǎo)電線的AC電流生成，因而可移動(dòng)結(jié)構(gòu)被移動(dòng)，由此導(dǎo)致其形變和位移。使用壓電效應(yīng)或電容的變化檢測(cè)這種形變或位移。
特別地，根據(jù)本發(fā)明的AC電流傳感器可以僅通過(guò)連接到預(yù)設(shè)位置來(lái)檢測(cè)電流，例如臨近流過(guò)AC電流的導(dǎo)電線的外殼部件。因?yàn)橛捎诳梢苿?dòng)結(jié)構(gòu)的移動(dòng)而生成壓電效應(yīng)和電容的變化，可以顯著地減小電能消耗。


從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)說(shuō)明，將更清楚地理解本發(fā)明的上述以及其他目標(biāo)、特性以及優(yōu)勢(shì)，其中圖1是說(shuō)明典型安培表內(nèi)部結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低功率臨近AC電流傳感器的透視圖；圖3A至3F是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低功率臨近AC電流傳感器的各種實(shí)例的透視圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低功率臨近AC電流傳感器的安裝的實(shí)例的透視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低功率臨近AC電流傳感器的操作原理的概念圖；圖6A至6B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例具有額外的外部噪聲除去功能的低功率臨近AC電流傳感器的透視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器的透視圖；圖8A至8F是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器的實(shí)例的透視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器的安裝的實(shí)例；圖10是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器的操作原理的概念圖；以及圖11A至11B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有外部噪聲除去功能的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器的透視圖。
具體實(shí)施例方式
將在下文參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。應(yīng)參考附圖，其中在不同的附圖中，相同的參考數(shù)字指定為相同或相似的元件。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低功率臨近AC電流傳感器20的透視圖。
在此實(shí)施例中，低功率臨近AC電流傳感器20包括磁性材料21、壓電薄膜22、上平板導(dǎo)線(plate wire)23、下平板導(dǎo)線24以及襯底25。
在圖2中，示意地示出其中低功率AC電流傳感器20由壓電薄膜22形成的結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D2，在襯底上從其中心稍微朝一側(cè)偏移的位置處形成凹陷26。在該凹陷26上形壓電薄膜22。凹陷26的位置不限制于上述的位置，而是可以在襯底25的任何位置上，只要壓電薄膜22被允許自由移動(dòng)。
磁性材料21層疊在壓電薄膜22上。在壓電薄膜22的一側(cè)上形成一對(duì)電極導(dǎo)線23和24。使上平板導(dǎo)線23接觸壓電薄膜22的上表面，同時(shí)下平板導(dǎo)線24連接到壓電薄膜22的下表面。在上述實(shí)施例中，壓電薄膜22具有懸臂形狀。壓電薄膜22可具有各種形狀。將在下文參照?qǐng)D3詳細(xì)描述形成壓電薄膜22的方法。
壓電薄膜22通過(guò)其自身的形變生成電荷。優(yōu)選地將具有高壓電效應(yīng)的羅謝爾鹽(Rochelle Salt)或者鈦酸鋇用作壓電薄膜22的材料。
壓電薄膜22由于磁性材料21的移動(dòng)而形變。如果在壓電薄膜22周圍形成磁場(chǎng)并且在壓電薄膜22上形成的磁場(chǎng)移動(dòng)，壓電薄膜22相應(yīng)地形變。磁性材料的位置變化與成環(huán)繞磁場(chǎng)的大小成比例。
電極導(dǎo)線23和24用于將在壓電薄膜22中生成的電荷引導(dǎo)至預(yù)設(shè)測(cè)量設(shè)備(未示出)，以測(cè)量在壓電薄膜22中生成的電荷總量。
總之，當(dāng)在典型導(dǎo)電線中形成AC電流時(shí)，在導(dǎo)電線周圍與電流總量成比例地形成磁場(chǎng)，磁性材料21的位置與磁場(chǎng)的大小成比例地變化，并且在壓電薄膜22中生成的電荷總量根據(jù)在磁性材料21的位置變化而變化，使得可以測(cè)量電流總量。
圖3A至3F是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低功率臨近AC電流傳感器的各種實(shí)例。
圖3A示出懸臂形低功率臨近AC電流傳感器，其中在壓電薄膜32a的整個(gè)表面上淀積磁性材料31a。圖3B示出橋形低功率臨近AC電流傳感器，其中在部分壓電薄膜32b上淀積磁性材料31b。圖3C示出橋形低功率臨近AC電流傳感器，其中在壓電薄膜32c的整個(gè)表面上淀積磁性材料31c。圖3D示出薄膜型低功率臨近AC電流傳感器，其中在壓電薄膜32d的整個(gè)表面上淀積磁性材料31d。圖3E示出薄膜型低功率臨近AC電流傳感器，其中在壓電薄膜32e的部分表面上淀積磁性材料31e。圖3F示出AC傳感器，從其中除去了圖3D或3E中所示的薄膜型傳感器的磁性材料。優(yōu)選地在具有薄膜形的AC傳感器的襯底上形成的凹陷32f比在具有懸臂和橋形的AC傳感器中形成的凹陷大。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低功率臨近AC電流傳感器的安裝的實(shí)例。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的低功率臨近AC電流傳感器20的操作原理的概念圖。
參照?qǐng)D5，由于流過(guò)導(dǎo)電線41的電流，在導(dǎo)電線41周圍生成同心圓形磁場(chǎng)。磁場(chǎng)移動(dòng)包括了壓電薄膜的低功率電流傳感器20，磁性材料連接到此壓電薄膜上。如圖5所示，在壓電薄膜由壓電材料構(gòu)成的情況下，由壓電薄膜的移動(dòng)生成電荷，可以測(cè)量其電壓或電流。
圖6A和6B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例具有額外的外部噪聲除去功能的低功率臨近AC電流傳感器組件的透視圖。
在此實(shí)施例中，在低功率臨近AC電流傳感器組件中，參考傳感器61還包括在圖2中所示的低功率臨近AC電流傳感器20中。
在圖6A和6B中，示意性地示出參考傳感器61的形狀。
參照?qǐng)D6A，參考傳感器61具有與圖2所示的電流傳感器相同的結(jié)構(gòu)，除了凹陷不在形成參考傳感器61的襯底的部分上形成。通常，從電流生成的噪聲成分以及信號(hào)總是存在于流過(guò)電流的導(dǎo)電線周圍。為了除去外部噪聲成分，可以額外地使用參考傳感器61。對(duì)于相同電流輸入，參考傳感器61僅生成噪聲成分，其中不包括對(duì)應(yīng)電極的移動(dòng)。因此，當(dāng)該兩個(gè)信號(hào)互相減去時(shí)，可以檢測(cè)由電流生成的純信號(hào)。
在上面已經(jīng)描述了根據(jù)電荷總量的變化測(cè)量電流的方法，該電荷是根據(jù)周圍磁場(chǎng)的變化在壓電薄膜中生成的。下面將描述用于通過(guò)測(cè)量電容的變化，而不是通過(guò)使用壓電效應(yīng)來(lái)測(cè)量電流的傳感器。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器的透視圖。
在上述實(shí)施例中，低功率臨近AC電流傳感器包括磁性材料71、對(duì)應(yīng)電極72和73、支承74、電極導(dǎo)線75和76、以及襯底77。
在圖7中，示例性地示出其中在襯底77上形成對(duì)應(yīng)電極72和73的結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D7，在襯底77的頂部形成對(duì)應(yīng)電極72和73。在對(duì)應(yīng)電極72的頂部層疊磁性材料71。形成對(duì)應(yīng)電極72和73，使得上平板72和下平板73彼此面對(duì)并在其間具有預(yù)設(shè)間隙。優(yōu)選地通過(guò)在下平板的一側(cè)上層疊具有預(yù)設(shè)厚度的支承74，并在支承74上層疊上平板72，來(lái)獲得上平板72和下平板之間的間隙。
電極導(dǎo)線75和76與上平板72和下平板73的第一側(cè)接觸，上平板72和下平板73與支承74接觸。優(yōu)選地將上平板導(dǎo)線75連接至上平板72的第一側(cè)的上表面，并將下平板導(dǎo)線76連接到下平板73的第一側(cè)的下表面。在此實(shí)施例中，可將電流傳感器形成為懸臂形。對(duì)應(yīng)電極72和73可形成為各種形狀。將在下文參照?qǐng)D8詳細(xì)說(shuō)明形成對(duì)應(yīng)電極的方法。
通過(guò)磁性材料71的移動(dòng)使上平板72形變。當(dāng)形成在上平板72上的磁性材料71被形成在上平板72周圍的磁場(chǎng)移動(dòng)時(shí)，上平板72形變。磁性材料71的與環(huán)繞磁場(chǎng)的強(qiáng)度成比例改變。當(dāng)上平板72形變時(shí)，上平板72和下平板73之間的距離變化。該變化改變兩個(gè)電極72和73之間的電容。因此，電容于在導(dǎo)電線周圍形成的磁場(chǎng)總量成比例地改變，使得可以容易地測(cè)量磁場(chǎng)的強(qiáng)度。
電極導(dǎo)線75和76用作將由上和下平板72和73所形成的電荷引導(dǎo)至預(yù)設(shè)測(cè)量設(shè)備(未示出)，以根據(jù)在對(duì)應(yīng)電極72和73之間形成的電容測(cè)量電信號(hào)。
總之，當(dāng)在典型導(dǎo)電線中形成AC電流時(shí)，在導(dǎo)電線周圍與電流總量成比例地形成磁場(chǎng)，磁性材料71的位置與磁場(chǎng)成比例地改變，對(duì)應(yīng)電極的上平板72根據(jù)磁性材料71的位置改變而形變，以及電流傳感器的上平板72和下平板73之間的距離根據(jù)該改變而變化。因此，上盤72和下盤73形成的電容總量變化，使得可以測(cè)量電流總量。
圖8A至8F示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器的實(shí)例。
圖8A示出懸臂形電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器，其中在上平板82a的整個(gè)上表面上形成磁性材料81a。本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖7中所示的結(jié)構(gòu)幾乎相同。然而，在圖7中所示的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器中設(shè)置的磁性材料層疊在部分上平板上，而在本實(shí)施例中的磁性材料層疊在上平板82a的全部表面上。傳感器具有設(shè)置在對(duì)應(yīng)電極82a和84a的第一側(cè)之間的支撐83a，由此形成間隙。
圖8B示出電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器，其中在部分上平板82b上形成磁性材料81b。本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖7所示的結(jié)構(gòu)相同，除了在上平板82b的中心層疊磁性材料81b，而不是在上平板82b的一側(cè)上。此外，不僅在對(duì)應(yīng)電極82a和84a的第一側(cè)上，而且在其第二側(cè)上形成支撐83b。因此，由支承83b在上和下平板82b和84b之間形成間隙。在本實(shí)施例中，在對(duì)應(yīng)電極82b和84b之間的距離根據(jù)外部磁場(chǎng)的改變而變化，因此導(dǎo)致電容的變化。
圖8C示出電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器，其中在電流傳感器的上平板82c的整個(gè)表面上形成磁性材料81c。本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖8B的結(jié)構(gòu)相同，除了在上平板82c的整個(gè)表面上形成磁性材料81c。傳感器還具有在對(duì)應(yīng)電極82c和84e的兩側(cè)上形成的支承83c。
圖8D示出薄膜形電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器，其中在電流傳感器的整個(gè)上表面上形成磁性材料。本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖8C的結(jié)構(gòu)相同，除了對(duì)應(yīng)電極82d和84d的形狀具有在傳感器的整個(gè)襯底上延伸的薄膜形狀。
圖8E示出薄膜形電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器，其中在電流傳感器的部分上表面上形成磁性材料。本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與圖8D的結(jié)構(gòu)幾乎相同，除了在電流傳感器的中心部分上形成在上平板82e的上表面上層疊的磁性材料81e。
圖8F是圖8E中所示的低功率臨近傳感器的剖視圖。也在對(duì)應(yīng)電極82e和84e之間形成間隙。
圖9和圖10示出是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器安裝到導(dǎo)電線90的狀態(tài)。
參照?qǐng)D9，電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器70在臨近導(dǎo)電線90的位置上操作。將參照?qǐng)D10說(shuō)明傳感器70的操作。由于流過(guò)導(dǎo)電線90的電流，在導(dǎo)電線90周圍生成同心圓形磁場(chǎng)，以及有磁性材料連接于其的上平板被磁場(chǎng)移動(dòng)。如圖10所述，包括有磁性材料連接于其的對(duì)應(yīng)電極的電容型低功率臨近AC電流傳感器70根據(jù)上平板的移動(dòng)具有變化的電容，以及因此，可以檢測(cè)改變的電容作為電信號(hào)。
圖11A至11B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有外部噪聲除去功能的電容檢測(cè)型低功率臨近AC電流傳感器的透視圖。
在本實(shí)施例中，低功率臨近AC電流傳感器還包括參考傳感器100。
參照?qǐng)D11A和11B，參考傳感器(reference sensor)100包括單獨(dú)電極102，在電極102的上表面上層疊磁性材料101。優(yōu)選地參考傳感器的平板102與上平板74相同以及參考傳感器100的磁性材料101與電流傳感器的磁性材料71相同。從電流生成的噪聲成分以及信號(hào)總是存在于電流流過(guò)的導(dǎo)電線周圍。為了除去外部噪聲成分，可以額外地使用參考傳感器100。對(duì)于相同電流輸入，參考傳感器61僅生成噪聲成分，其中不包括對(duì)應(yīng)電極72和73的移動(dòng)的影響。因此，當(dāng)該兩個(gè)信號(hào)互相減去時(shí)，可以檢測(cè)由電流生成的純信號(hào)。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，本發(fā)明的可以使用微顯機(jī)械加工技術(shù)和半導(dǎo)體工藝加工的低功率臨近電流傳感器可以與半導(dǎo)體電路集成，由此實(shí)現(xiàn)集成的超小型臨近電流傳感器。
此外，AC電流傳感器使用檢測(cè)電容變化的方法，使得AC電流傳感器具有低功率消耗并可用于需要低功耗及微尺寸的傳感器，例如傳感器網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用。
此外，AC電流傳感器可以僅通過(guò)安裝在流過(guò)電流的導(dǎo)電線上來(lái)測(cè)量電流，使得其具有其安裝比現(xiàn)有電流傳感器簡(jiǎn)單的優(yōu)勢(shì)。
盡管為示例的目的公開(kāi)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可知在不背離權(quán)利要求書(shū)所公開(kāi)的范圍和精神的情況下，可有各種改進(jìn)、增加和替換。
權(quán)利要求
1.一種低功率臨近交流電(AC)電流傳感器，包括磁性材料，具有根據(jù)在磁性材料之外形成的磁場(chǎng)的強(qiáng)度而改變的位置；壓電薄膜，設(shè)置在臨近磁性材料的位置上并配置為由于磁性材料的位置的改變而生成電荷；以及襯底，用于固定壓電薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的低功率臨近AC電流傳感器，還包括電極導(dǎo)線，用于檢測(cè)在壓電薄膜中生成的電荷，該電極導(dǎo)線連接到壓電薄膜的第一側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的低功率臨近AC電流傳感器，還包括用于測(cè)量外部噪聲的參考傳感器，該參考傳感器固定在襯底上。
4.如權(quán)利要求1所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中襯底設(shè)置有凹陷，該凹陷允許壓電薄膜容易地移動(dòng)。
5.如權(quán)利要求1所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中磁性材料層疊在壓電薄膜的整個(gè)表面上。
6.如權(quán)利要求5所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面上以懸臂形狀形成壓電薄膜。
7.如權(quán)利要求5所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面以橋形狀形成壓電薄膜。
8.如權(quán)利要求5所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面以薄膜形狀形成壓電薄膜。
9.如權(quán)利要求1所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在部分壓電薄膜上層疊磁性材料。
10.如權(quán)利要求9所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面上以懸臂形形成壓電薄膜。
11.如權(quán)利要求9所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面以橋形狀形成壓電薄膜。
12.如權(quán)利要求9所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面以薄膜形狀形成壓電薄膜。
13.如權(quán)利要求1所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中磁性材料包括選自由鐵、鎳和鈷形成的組中的至少一個(gè)。
14.如權(quán)利要求1所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中AC傳感器放置在臨近部分導(dǎo)電線的位置上。
15.一種低功率臨近AC電流傳感器，包括磁性材料，具有根據(jù)在磁性材料之外形成的磁場(chǎng)的強(qiáng)度而改變的位置；對(duì)應(yīng)電極，放置在臨近磁性材料的位置上并配置為根據(jù)磁性材料位置的改變而變化；以及襯底，用于固定壓電薄膜。
16.如權(quán)利要求15所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中對(duì)應(yīng)電極包括上平板和下平板，放置上平板和下平板以在其間形成預(yù)設(shè)間隙。
17.如權(quán)利要求16所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中通過(guò)支撐在上平板和下平板之間形成預(yù)設(shè)間隙。
18.如權(quán)利要求15所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中對(duì)應(yīng)電極設(shè)置有用于檢測(cè)對(duì)應(yīng)電極之間的電容的電極導(dǎo)線。
19.如權(quán)利要求15所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中襯底設(shè)置有用于測(cè)量外部噪聲的參考傳感器。
20.如權(quán)利要求16所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在對(duì)應(yīng)電極的上平板的整個(gè)表面上層疊磁性材料。
21.如權(quán)利要求20所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面上以懸臂形狀形成對(duì)應(yīng)電極。
22.如權(quán)利要求21所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中對(duì)應(yīng)電極的上和下平板僅在上和下平板的第一側(cè)上設(shè)置有支撐。
23.如權(quán)利要求21所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中對(duì)應(yīng)電極的上和下平板在上和下平板的兩側(cè)上設(shè)置有支撐。
24.如權(quán)利要求20所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面上以薄膜形形成對(duì)應(yīng)電極。
25.如權(quán)利要求24所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中對(duì)應(yīng)電極的上和下平板在上和下平板的兩側(cè)上設(shè)置有支撐。
26.如權(quán)利要求16所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在對(duì)應(yīng)電極的上平板的部分上表面上層疊磁性材料。
27.如權(quán)利要求26所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面上以懸臂形狀形成對(duì)應(yīng)電極。
28.如權(quán)利要求27所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中對(duì)應(yīng)電極的上和下平板在其兩側(cè)設(shè)置有支承。
29.如權(quán)利要求26所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中在襯底的上表面以薄膜形狀形成對(duì)應(yīng)電極。
30.如權(quán)利要求29所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中對(duì)應(yīng)電極的上和下平板在其兩側(cè)設(shè)置有支承。
31.如權(quán)利要求15所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中磁性材料包括選自由鐵、鎳和鈷形成的組中的至少一個(gè)。
32.如權(quán)利要求15所述的低功率臨近AC電流傳感器，其中AC傳感器安裝在臨近部分導(dǎo)電線的位置上。
全文摘要
在此公開(kāi)了一種低功率臨近AC電流傳感器。根據(jù)本發(fā)明的低功率臨近AC電流傳感器包括磁性材料，具有根據(jù)形成在磁性材料之外的磁場(chǎng)強(qiáng)度而改變的位置；壓電薄膜，設(shè)置在臨近磁性材料的位置上并配置為由于磁性材料的位置改變而生成電荷；以及襯底，用于固定壓電薄膜。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)低功率臨近AC電流傳感器包括磁性材料，具有根據(jù)形成在磁性材料之外的磁場(chǎng)強(qiáng)度而改變的位置；對(duì)應(yīng)電極，設(shè)置在臨近磁性材料的位置上并配置為根據(jù)磁性材料的位置改變而變化；以及襯底，用于固定壓電薄膜。
文檔編號(hào)G01R19/00GK1773295SQ20051012025
公開(kāi)日2006年5月17日 申請(qǐng)日期2005年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月9日
發(fā)明者夫鐘郁, 金聲赫, 崔正薰, 李泳柱 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社