專利名稱：基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路的測(cè)試方法，特別是涉及一種基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
Flash(閃存)的控制信號(hào)有片選(CS)，讀有效(OE)，寫有效(WE)，地址線(ADDRESS)，數(shù)據(jù)線(DATA)，測(cè)試模式(TMEN)等。在測(cè)試時(shí)必須將這些PIN(管腳)按照一定的時(shí)序，置于所需的電平，來完成對(duì)Flash的各種操作，所以在通常的設(shè)計(jì)中必須將這些PIN完全的和測(cè)試儀的通道相連，那樣芯片就會(huì)需要很多PAD(芯片引腳)。串口設(shè)計(jì)能極大的減少Embedded NVM(嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器)的PAD數(shù)目，提高單枚硅片良品的產(chǎn)出。但在測(cè)試時(shí)又要能完全的達(dá)到原有的測(cè)試目的，對(duì)整個(gè)芯片的控制信號(hào)要求就比較高。在串口電路設(shè)計(jì)中，芯片所要求的控制信號(hào)通過單個(gè)I/O通道，在系統(tǒng)時(shí)鐘的配合下，鎖存在一個(gè)寄存器中。然后通過外部的觸發(fā)信號(hào)，將寄存器中的設(shè)定轉(zhuǎn)換成設(shè)定的電平，置于Embedded NVM的各個(gè)管腳上。在對(duì)于基于串口電路設(shè)計(jì)的芯片的測(cè)試過程中發(fā)現(xiàn)，由于需要保證芯片的品質(zhì)，需要大量反復(fù)的對(duì)整個(gè)芯片實(shí)行按字節(jié)進(jìn)行的寫操作，這樣就在整個(gè)測(cè)試過程中占據(jù)了相當(dāng)大部分的測(cè)試時(shí)間；如果既能減少寫操作的次數(shù)，又能達(dá)到測(cè)試的目的，那么這部分測(cè)試時(shí)間就能極大的壓縮。其中在位數(shù)可選×8和×16(或×32)的EFlash IP(嵌入式閃存核)中就有選擇位數(shù)的位選信號(hào)。例如在通常的設(shè)計(jì)中如果這塊IP(核)應(yīng)用于16位的系統(tǒng)，位選信號(hào)就恒置高；應(yīng)用于8位系統(tǒng)，位選信號(hào)就恒置低。那么在對(duì)于應(yīng)用于8位系統(tǒng)的IP，就只能按照8位為一個(gè)單位來進(jìn)行全片寫操作，顯然比按16位操作多花了一倍的時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法，它可以縮短測(cè)試時(shí)間，降低測(cè)試成本，提高產(chǎn)出率。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，位選信號(hào)由串口測(cè)試電路輸入給內(nèi)置式存儲(chǔ)單元，位選信號(hào)的電平由串口測(cè)試電路發(fā)出的串口命令控制，在進(jìn)行全片寫操作時(shí)采用×16位(較多位數(shù))的方式。
采用本發(fā)明的方法，可在原有的基礎(chǔ)上縮短約1/3的測(cè)試時(shí)間，在整個(gè)測(cè)試過程中，減少測(cè)試時(shí)間意味著降低了測(cè)試成本，提高了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)性。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明圖1是現(xiàn)有的基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法示意圖；圖2是本發(fā)明基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法示意圖。
具體實(shí)施例方式
在現(xiàn)有的EFlash串口測(cè)試方法中，通常會(huì)根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用要求，將位選信號(hào)固定為高或低。這樣在測(cè)試時(shí)，就只能按照選定的位數(shù)進(jìn)行寫操作。對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)容量為512K的NVM(非揮發(fā)性存儲(chǔ)器)中，如果采用×8寫全片需要64K次才能完成全片寫操作。
本發(fā)明基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法，是在現(xiàn)有的方法基礎(chǔ)上，將該位選信號(hào)釋放給串口輸入控制，在進(jìn)行全片寫操作的過程中采用×16的方式來控制。在原有設(shè)計(jì)中，芯片的測(cè)試控制信號(hào)由串口測(cè)試電路的寄存器轉(zhuǎn)換而成，本發(fā)明中只要利用該寄存器的冗余位連接到位選控制信號(hào)上，然后通過外部控制信號(hào)觸發(fā)，將所有被測(cè)芯片的管腳置于所需的電平，就能達(dá)到顯著縮短測(cè)試時(shí)間的目的，降低測(cè)試成本。
例如，將位選信號(hào)通過串口命令輸入，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)容量為512K的NVM，在進(jìn)行全片寫操作時(shí)采用×16的方式，只要32K次就能完成，比現(xiàn)有的方法節(jié)約了一半的時(shí)間。
圖1是現(xiàn)有的基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法示意圖，通過CLK邊沿觸發(fā)將I/O通道上的數(shù)據(jù)鎖存到串口測(cè)試電路的寄存器中，然后由觸發(fā)信號(hào)將這些電平加到內(nèi)嵌式存儲(chǔ)單元的控制信號(hào)上。串口測(cè)試電路由邏輯電路使能有效，同時(shí)會(huì)將位選信號(hào)置于系統(tǒng)所需要的電平來表示×16或×8系統(tǒng)。
圖2是本發(fā)明基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法示意圖，它與現(xiàn)有方法的區(qū)別就在于，本來由邏輯電路控制的位選信號(hào)已經(jīng)通過串口測(cè)試電路由外部輸入，原來的邏輯電路的位選信號(hào)和其他控制信號(hào)通過MUX(選擇器)電路被屏蔽。
權(quán)利要求
1.一種基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法，其特征在于位選信號(hào)由串口測(cè)試電路輸入給內(nèi)置式存儲(chǔ)單元，位選信號(hào)的電平由串口測(cè)試電路發(fā)出的串口命令控制，在進(jìn)行全片寫操作時(shí)采用×16位的方式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法，其特征在于將所述串口測(cè)試電路的寄存器的冗余位連接到位選控制信號(hào)上，然后通過外部控制信號(hào)觸發(fā)，將所有被測(cè)芯片的管腳置于所需的電平。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于位數(shù)可選的EFlash串口測(cè)試方法，位選信號(hào)由串口測(cè)試電路輸入給內(nèi)置式存儲(chǔ)單元，位選信號(hào)的電平由串口測(cè)試電路發(fā)出的串口命令控制，在進(jìn)行全片寫操作時(shí)采用×16位(位數(shù)較多)的方式。本發(fā)明可以縮短測(cè)試時(shí)間，降低測(cè)試成本，提高產(chǎn)出率。
文檔編號(hào)G01R31/317GK1982910SQ200510111429
公開日2007年6月20日 申請(qǐng)日期2005年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月13日
發(fā)明者陳凱華 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司