專利名稱：探針卡、測試墊及保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體集成電路測試及其裝置，而特別關(guān)于在晶圓電性測試中測試墊(test pads)及探針卡(probe cards)的改良。
背景技術(shù)：
業(yè)界通常使用晶片電性測試法(WAT)來檢驗半導(dǎo)體晶圓及其他基底中的缺陷。在晶片電性測試法中，會在相鄰晶粒(wafer dies)間的晶圓切割線(scribe lines)上形成一或多個測試墊。
探針卡是用來檢測半導(dǎo)體晶圓上電路元件的電性。探針卡包括了用來與測試墊接觸的多個探針。電性測試后，沿著晶圓切割線切割將晶粒分開。
在現(xiàn)有技術(shù)中，在大多數(shù)硅晶片設(shè)計中提供密封環(huán)(seal rings)來阻止晶粒中心破裂，或在晶粒封裝或操作中阻擋移動離子或濕氣進(jìn)入電路區(qū)的微電子元件。密封環(huán)是將每個晶粒中心環(huán)繞及隔絕。在晶圓切割后殘留在密封環(huán)前方的測試墊殘留物會引發(fā)問題。殘留的測試墊材料常常引起測試墊剝落，換言之，殘留測試墊材料會朝著密封環(huán)剝落。當(dāng)殘留測試墊材料剝落時，裂口會由殘留物的下方開始朝主動元件的所在即晶粒中心擴(kuò)張。當(dāng)裂口損害到晶粒造成漏電流時，這樣的裂口會引發(fā)可靠度降低的問題。
一種用來解決剝落問題的方法是將測試墊的面積減少，因此在晶圓切割后會有較少的測試墊殘留物。然而，減少測試墊的面積會使得探針卡的探針不易與測試墊接觸或接合。因此，需要能改善剝落及探針接觸的解決方法。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就在于改善晶圓切割后，殘留的測試墊材料所引發(fā)的剝落及破裂。
為達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種探針卡、測試墊及保護(hù)結(jié)構(gòu)，其中該探針卡包括一構(gòu)件，用以在半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行操作測試時，傳送及接收電子信號，其中該半導(dǎo)體集成電路具有多個測試墊；以及多個探針，延伸自該構(gòu)件，其中該多個探針的自由端接觸該測試墊且大抵與該測試墊的最大距離重疊。
本發(fā)明所述的探針卡，當(dāng)平面俯視該探針卡時，該多個探針以傾斜方式自該探針卡表面伸出。
本發(fā)明的測試墊包括一墊片，為一導(dǎo)電材料且置于該晶圓或基底上的密封環(huán)之間，該墊片具有一轉(zhuǎn)動方位，使直接相鄰于該密封環(huán)的該墊片材料最少化。
本發(fā)明所述的測試墊，該墊片形狀為一多邊形。
本發(fā)明的另一種測試墊，其特征在于適用于具有一保護(hù)層的晶圓，該保護(hù)層具有一開口，露出最上層金屬，所述測試墊包括一導(dǎo)電材料層，置于該開口中，其中該開口及該導(dǎo)電材料層不與該保護(hù)層相接觸。
本發(fā)明所述的測試墊，該測試墊置于一晶圓切割線上。
本發(fā)明所述的測試墊，該開口的一例壁不與相鄰的該導(dǎo)電材料層的側(cè)壁相接觸。
本發(fā)明所述的測試墊，該測試墊置于該晶圓或基底的密封環(huán)間，且至少具有一形狀或一轉(zhuǎn)動方位，使直接相鄰于該密封環(huán)的墊片材料最少化。
本發(fā)明的保護(hù)結(jié)構(gòu)包括一晶圓，具有一保護(hù)層及一延伸穿過該保護(hù)層的測試墊；以及一溝槽(trench)，位于該保護(hù)層中且接近該測試墊的邊緣。
本發(fā)明所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，該溝槽填滿一氧化物。
本發(fā)明所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，該溝槽的延伸方向平行于該晶圓的一密封環(huán)。
本發(fā)明所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，該溝槽介于該測試墊及該密封環(huán)之間。
本發(fā)明所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，更包括另一溝槽，位于該保護(hù)層中且接近該測試墊的邊緣，其中一溝槽以氧化物或氮化物填滿且延伸至高于保護(hù)層的頂部表面，而另一個溝槽填滿氧化物或氮化物，且至少向下延伸至部分金屬間介電層內(nèi)。
本發(fā)明所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，該測試墊置于該晶圓的密封環(huán)之間，且該墊片至少具有一形狀或一轉(zhuǎn)動方位，使直接相鄰于該密封環(huán)的墊片材料最少化。
本發(fā)明可改善晶圓切割后，殘留的測試墊材料所引發(fā)的剝落及破裂。


圖1A為傳統(tǒng)測試墊的平面圖；圖1B為在晶圓切割后傳統(tǒng)測試墊的平面圖；圖1C為傳統(tǒng)測試墊的截面圖；圖2A為測試墊第一實施例的平面圖；圖2B為在晶圓切割后圖2A中測試墊的平面圖；圖3A為本發(fā)明測試墊第二實施例的平面圖；圖3B為本發(fā)明測試墊第三實施例的平面圖；圖4為本發(fā)明測試墊第四實施例的平面圖；圖5為本發(fā)明測試墊第五實施例的截面圖；圖6A為本發(fā)明保護(hù)結(jié)構(gòu)第一及第二實施例的截面圖；圖6B為本發(fā)明保護(hù)結(jié)構(gòu)的平面圖；
圖7A為本發(fā)明中探針卡的正面圖；圖7B為圖7A中探針卡的平面圖；圖8A為探針從基底伸出至接觸晶圓上測試墊的平面圖；圖8B為本發(fā)明中探針卡在測試墊上探針量測痕跡的平面圖；圖9A為在先前技術(shù)中探針接觸晶圓上測試墊的平面圖；圖9B為在先前技術(shù)中探針卡在測試墊上量測痕跡的平面圖。
具體實施例方式
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說明如下本發(fā)明有關(guān)于晶片電性測試或其他應(yīng)用中的測試墊。在一些實施例中，測試墊的材料可為鋁或其他導(dǎo)電材料。在其他實施例中，測試墊可為非導(dǎo)電材料。在一些實施例中，測試墊可在相鄰晶粒間的晶圓切割線中使用。在其他實施例中，測試墊可在晶圓其他區(qū)域中使用。
在相鄰晶粒密封環(huán)間的測試墊具有一特定形狀及一特定方位，可大致降低測試墊直接與密封環(huán)相接觸的面積。減少測試墊與密封環(huán)接觸的面積，也就大致減少了在晶圓切割后測試墊殘留在密封環(huán)前的量，因此可大抵避免因墊片剝落而產(chǎn)生的破裂穿過密封環(huán)至電子元件的所在的晶粒中心。這樣的破裂會造成關(guān)于可靠度上的問題，例如晶粒中心損壞及引發(fā)漏電流等。
圖1A顯示傳統(tǒng)正方形測試墊30的平面圖。測試墊放置在第一晶粒10a的第一密封環(huán)12a及第二晶粒10b的第二密封環(huán)12b間的晶圓切割線，且測試墊平行于第一晶粒10a的第一密封環(huán)12a。就此圖而言，晶圓切割線20的寬度Wscribe約為72μm，測試墊長度LG及寬度Wa皆約為70μm。傳統(tǒng)上在寬度72μm的晶圓切割線中測試墊對邊32a及32b平行且并排于第一及第二密封環(huán)12a、12b。傳統(tǒng)測試墊的方位和形狀使得在密封環(huán)12a及12b前的測試墊材料最大化，通過沿著晶圓切割線切割將第一10a及第二10b晶粒分開。切割過程會產(chǎn)生一切割線40，其寬度Wsaw小于測試墊30寬度Wa。因此在密封環(huán)12a及12b前，測試墊會有一明顯的殘留量，如圖1B所示。因此會大大提高墊片剝落及破裂穿過主動元件所在的晶粒中心。
圖2A顯示本發(fā)明第一實施例的測試墊130平面圖。測試墊130具有一類似于圖1A所示測試墊30的形狀，皆為正方形。測試墊130是由圖1A所示的傳統(tǒng)的測試墊的方位旋轉(zhuǎn)而成，以使測試墊130的對邊132a、132b、134a及134b不與第一和第二密封環(huán)并排且平行。在本實施例中，自圖1A中傳統(tǒng)測試墊的方位大約轉(zhuǎn)動45度。方位轉(zhuǎn)動45度后，可在相同的晶圓切割線20中減少切割后殘留測試墊130的面積。假定在晶圓切割線中，當(dāng)測試墊130相對于圖1A中的測試墊轉(zhuǎn)動45度時，測試墊130對角線長度W1為70μm。
當(dāng)?shù)谝患暗诙ЯＱ鼐A切割線切割分開后，方位轉(zhuǎn)動后的測試墊130更完全地被移除。因此，降低了在晶粒10a及10b中密封環(huán)12a及12b前測試墊的殘留量，如圖2B所示，因此測試墊破裂及剝落的可能性降低。圖3A及圖3B顯示本發(fā)明第二及第三實施例的測試墊230及330的。在第二及第三時實施例中，將測試墊的形狀修改成六角形來大抵降低測試墊直接與密封窗前部相接觸的面積。
圖3A中第一實施例六角形的測試墊230在寬度72μm的晶圓切割線中調(diào)整方位至對邊232a及232b并排且平行于第一12a及第二12b密封環(huán)。在本實施例中(假定晶圓切割線寬為72μm)，測試墊230對邊寬度W2為70μm。當(dāng)對邊寬度Wa及W2一致時，六角形測試片對邊232a及232b的邊長較圖1A中傳統(tǒng)測試墊30的對邊邊長短。因此，在晶圓切割后，晶粒10a及10b密封環(huán)12a及12b前的測試墊殘留量會減少，進(jìn)而降低剝落及晶粒中心破裂的可能性。
可將圖3A中測試墊轉(zhuǎn)動大約45度，如圖3B中測試墊330的對邊332a、332b、334a、334b、336a及336b不與第一12a及第二12b密封環(huán)并排及平行。在本實施例中(假定晶圓切割線寬為72μm)測試墊角對角寬度為70μm。測試墊330殘留的面積小于圖3A中測試墊230的殘留面積。當(dāng)沿著晶圓切割線將第一10a及第二10b晶粒分開時，圖3B中轉(zhuǎn)動過的六角形測試墊330可被移除的更完全，因此，在晶粒10a及10b的密封環(huán)12a及12b前的測試墊殘留量減少，更進(jìn)一步降低剝落、晶粒中心破裂及相關(guān)損害發(fā)生的可能性。
圖4顯示本發(fā)明第四實施例測試墊430的平面圖。將第四實施例中的測試墊430為八邊形。將本發(fā)明中測試墊430在寬度72μm的晶圓切割線中調(diào)整方向，使得測試墊中的對邊432a及432b并排且平行于第一12a及第二12b密封環(huán)。在本實施例中(假定晶圓切割線寬為72μm)，測試墊的邊對邊寬度W4為70μm的。此八邊形測試墊對邊432a及432b的邊長較圖1A中傳統(tǒng)測試墊的邊長30短，其中兩測試墊寬度W4及Wa相同，因此，在晶圓切割后晶粒的密封環(huán)12a及12b前的測試墊殘留量減少。在本發(fā)明的上述實施例中，八邊形測試墊430降低了剝落、破裂及相關(guān)損害發(fā)生的可能性。上述對于測試墊的形狀及設(shè)置角度方位的敘述只是一示范性的描述，也可以是其他用來降低晶圓切割后密封環(huán)前測試墊殘留物的測試墊形狀及角度方位。例如為多邊形的測試墊，包括但不限于矩形、圓形及橢圓形。另外，測試墊也可為不規(guī)則的形狀。測試墊可轉(zhuǎn)動不同角度，例如測試墊可轉(zhuǎn)30度或40.5度。在一較佳實施例中，本發(fā)明的測試墊可轉(zhuǎn)動約5至45度。
圖1C顯示傳統(tǒng)測試墊30的截面圖。如圖所示，多個金屬層50、51及52(為了清楚顯示的目的，M6-M8只有最高的金屬層顯示出來)形成在晶圓或基底上(兩者皆無顯示)。金屬層50、51及52被介電層60隔開，其中介電層可為氟硅玻璃(FGS)或氮化硅層。一保護(hù)層70形成在頂部金屬層52上。保護(hù)層可由一較低的氮化硅層72、等離子加強氧化硅(PEOX)層74及上部的等離子加強氮化硅(PESiN)層76所組成。雖然圖示中未顯示，但保護(hù)層70也可為單一的等離子氮化硅(PESiN)層。測試墊置于保護(hù)層70內(nèi)最高金屬層52上的開口80中。開口80尺寸大小不超過金屬層52的邊界。
圖5顯示本發(fā)明第五實施例測試墊的截面圖。多個金屬層50、51及52形成在晶圓或基底上(兩者皆未顯示)。金屬層50、51及52被介電層60隔開，其中介電層可為氟硅玻璃(FGS)或氮化硅層。一保護(hù)層70形成在頂部金屬層52上。保護(hù)層可由較低的氮化硅層72、等離子加強氧化硅(PEOX)層74及上部的等離子加強氮化硅(PESiN)層76所組成，或為單一的等離子加強氮化硅(PESiN)層。
測試墊530置于形成在保護(hù)層70中最高金屬層52上的開口580中。開口580尺寸范圍超過最高金屬層邊界52a及52b，而不同于如圖1C所示的傳統(tǒng)測試墊設(shè)計。
用金屬層535將開口508填滿，以形成測試墊530，該金屬例如是鋁。將金屬層535置于開口580中，使得在保護(hù)層70中測試墊530的側(cè)壁531及開口580的側(cè)壁581之間保留一缺口，用來制造與圖1C中傳統(tǒng)的測試墊的設(shè)置方式不同的，不與保護(hù)層70接觸、不延伸超過保護(hù)層70頂部表面或不與保護(hù)層重疊的無接觸測試墊。本發(fā)明中無接觸的測試墊530在晶圓切割后可防止破裂延伸穿過保護(hù)層至晶粒中心或基底。
本發(fā)明的另一個目的是形成一保護(hù)結(jié)構(gòu)，防止在晶圓切割后破裂蔓延至晶粒中心。圖6A顯示本發(fā)明第一及第二實施例中保護(hù)結(jié)構(gòu)的截面圖。如圖6A及圖6B所示，多個金屬層50、51及52形成在一晶圓或基底上。以介電層60將金屬層50、51及52分開，其中介電層可為氟硅玻璃(FSG)或氮化硅。一保護(hù)層70形成在金屬層52的頂部，舉例來說，保護(hù)層70可為由一較低的氮化硅層72、中間的等離子加強氧化硅(PEOX)層74以及上部的等離子加強氮化硅(PESiN)層76所組成。一測試墊30置于保護(hù)層70內(nèi)最高金屬層52的開口中。在此實施例中，測試墊不在晶圓切割線的邊界中(圖示中只顯示一邊界)。
圖6A中所示的保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括一絕緣溝槽600，形成在測試墊30與密封環(huán)620間的保護(hù)層內(nèi)。絕緣溝槽600可用傳統(tǒng)蝕刻技術(shù)完成，且其所在位置較接近測試墊30。
如圖6B中的平面結(jié)構(gòu)，絕緣溝槽600的延伸方向平行于密封環(huán)620，其長度可取決于測試墊30長度、晶粒尺寸及測試墊數(shù)量。在一實施例中，可提供每一個測試墊一絕緣溝槽。在上述的實施例中，絕緣溝槽600的長度大約相等或略長于測試墊。在另一實施例中，多個測試墊具有一單獨且連續(xù)的絕緣溝槽600，在此實施例中，單獨且連續(xù)的絕緣溝槽長度大約相等或略長于所有測試墊的長度(包含其間的間隔)。
圖6A顯示，絕緣溝槽部分延伸至等離子加強氮化硅(PESiN)層76內(nèi)部達(dá)約0.1至0.5μm，其深度取決于制程設(shè)計。在一實施例中，絕緣溝槽600可更深入等離子加強氮化硅(PESiN)層76或穿過等離子加強氮化硅(PESiN)層76至另一層或保護(hù)層內(nèi)。在另一種實施例中，絕緣溝槽可完全穿過保護(hù)層70至內(nèi)部金屬介電層60。
在本發(fā)明的所有實施例中，可以氧化物或氮化物將絕緣溝槽600填滿至延伸到保護(hù)層70(等離子加強氮化硅層76)之上。在一實施例中，以氧化物或氮化物填滿的溝槽可延伸至保護(hù)層上約0.01至5μm，其取決于頂部金屬厚度的制程設(shè)計。
絕緣溝槽600可在晶圓切割后，用來阻擋殘留測試墊材料剝落所引起的破裂。因此在晶圓切割后，防止了破裂蔓延至保護(hù)層70內(nèi)。
如圖6A所示，保護(hù)結(jié)構(gòu)同時包括一破裂停止層700，其始于保護(hù)層70的頂部表面下，且大抵垂直延伸穿過內(nèi)部金屬介電層60最上面的部分。在一實施例中，破裂停止層700可與絕緣溝槽600相連接。
如圖6B所示的平面結(jié)構(gòu)，破裂停止層700位于測試墊30及密封環(huán)620之間，且延伸方向平行于密封環(huán)620。一般而言，破裂停止層700置于較接近測試墊30的位置。類似于絕緣溝槽600，破裂停止層700的長度取決于測試墊30的長度、晶粒尺寸及測試墊的數(shù)量等。在一實施例中，每一個測試墊具有一個破裂停止層，此時破裂停止層的長度可近似或略長于測試墊。在另一實施例中，兩個或多個測試墊具有一單獨且連續(xù)的破裂停止層，此時單獨且連續(xù)的破裂停止層的長度可近似或略長于所有測試墊的長度(包含其間間隔)。
可在形成等離子加強氮化硅(PESiN)層76之前，以氧化物或氮化物填滿內(nèi)部金屬間介電層60中蝕刻出的溝槽，以完成破裂停止層700。當(dāng)破裂停止層700完成后，接著在其上形成等離子加強氮化硅(PESiN)層76。
破裂停止層700可作為一阻擋層，用來阻止晶圓切割后，由于殘留測試墊材料剝落所引發(fā)的破裂。因此，可預(yù)防在晶圓切割后產(chǎn)生的破裂蔓延至保護(hù)層中。雖然絕緣溝槽600及破裂停止層700皆顯示于圖中，但破裂停止層也可單獨使用。除此之外，上述兩種保護(hù)結(jié)構(gòu)可單獨或合并與上述的測試墊結(jié)構(gòu)結(jié)合使用。
本發(fā)明的另一方面是有關(guān)于在半導(dǎo)體集成電路中用來電性測試的探針卡。本發(fā)明的探針卡也可用來進(jìn)行元件表現(xiàn)測試、電路板操作測試、其他有關(guān)于半導(dǎo)體集成電路的測試以及電路調(diào)整。探針卡包含了多個由基底伸出的探針，將探針的自由端接觸晶圓上的測試墊，且大致重疊測試墊的最長距離。
圖7A及圖7B分別顯示本發(fā)明實施例中探針卡800的立體圖及平面圖。探針卡800包含了一基底810，例如一電路板，及多個由基底810底層表面811伸出的探針。探針卡800于測試墊上施加或或接收一電子信號，例如在晶片電性測試中，通過探針820及探針基底810連接至測試儀器(無顯示)以記錄及顯示測試結(jié)果，或施加電流于探針卡800上來調(diào)整半導(dǎo)體集成電路。
如圖8A所示的平面圖，將由探針基底810伸出的探針820的自由端或尖端接觸并重疊測試墊最長距離Dmax，可與測試墊產(chǎn)生最大的接觸面積。相反的，圖9A顯示在現(xiàn)有技術(shù)中將探針920的尖端921接觸跨過測試墊上最小距離Dmin。接觸并重疊最大距離Dmax所得較大的接觸面積，確保了探針820尖端與測試墊830的穩(wěn)定接觸。圖8B顯示本發(fā)明測試墊830上由探針卡800的探針820所產(chǎn)生的探針痕跡850。圖9B顯示傳統(tǒng)探針卡的探針920在測試墊830上所產(chǎn)生的探針痕950。比較圖8B及圖9B可得知，由于探針820橫跨過測試墊830的最大距離Dmax可獲得最大的接觸面積，因此本發(fā)明探針卡所產(chǎn)生的探針痕跡850較現(xiàn)有技術(shù)中所產(chǎn)生的探針痕跡950大。
在圖7B的平面俯視圖中，探針820以一傾斜的方式自基底伸出，并將探針820的自由端接觸并重疊于圖1A中傳統(tǒng)的測試墊(或圖3A或圖4中本發(fā)明測試墊)的最大距離，以產(chǎn)生最大的接觸面積。也可經(jīng)由將測試墊轉(zhuǎn)動45度如圖2A及圖3B所示但探針不傾斜以達(dá)上述相同效果。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號的簡單說明如下
20測試墊51、52、53金屬層60金屬間介電層70保護(hù)層72氮化硅層74等離子加強氧化硅76等離子加強氮化硅層80開口600溝槽610氧化物或氮化物620密封環(huán)700破裂停止層10a第一晶粒12a第一密封環(huán)10b第二晶粒12b第二密封環(huán)20晶圓切割線32a及32b測試墊對邊30、130、230、330、430、530、830測試墊232a及232b對邊332a、332b、334a、334b、336a及336b對邊432a及432b對邊580開口535金屬層581開口74等離子加強氧化硅(PEOX)層76等離子加強氮化硅(PESiN)層
600絕緣溝槽620密封環(huán)700破裂停止層800探針卡810基底811表面820探針920探針921尖端850、950探針痕跡
權(quán)利要求
1.一種探針卡，其特征在于所述探針卡包括一構(gòu)件，用以在半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行操作測試時，傳送及接收電子信號，其中該半導(dǎo)體集成電路具有多個測試墊；以及多個探針，延伸自該構(gòu)件，其中該多個探針的自由端接觸該測試墊且與該測試墊的最大距離重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的探針卡，其特征在于，當(dāng)平面俯視該探針卡時，該多個探針以傾斜方式自該探針卡表面伸出。
3.一種測試墊，其特征在于所述測試墊包括一墊片，為一導(dǎo)電材料且置于該晶圓或基底上的密封環(huán)之間，該墊片具有一形狀，使直接相鄰于該密封環(huán)的墊片材料最少化。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測試墊，其特征在于，該墊片形狀為一多邊形。
5.一種測試墊，其特征在于適用于具有一保護(hù)層的晶圓，該保護(hù)層具有一開口，露出最上層金屬，所述測試墊包括一導(dǎo)電材料層，置于該開口中，其中該開口及該導(dǎo)電材料層不與該保護(hù)層相接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試墊，其特征在于，該測試墊置于一晶圓切割線上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試墊，其特征在于，該開口的一側(cè)壁不與相鄰的該導(dǎo)電材料層的側(cè)壁相接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試墊，其特征在于，該測試墊置于該晶圓或基底的密封環(huán)間，且至少具有一形狀或一轉(zhuǎn)動方位，使直接相鄰于該密封環(huán)的墊片材料最少化。
9.一種保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述保護(hù)結(jié)構(gòu)包括一晶圓，具有一保護(hù)層及一延伸穿過該保護(hù)層的測試墊；以及一溝槽，位于該保護(hù)層中且接近該測試墊的邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該溝槽填滿一氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該溝槽的延伸方向平行于該晶圓的一密封環(huán)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該溝槽介于該測試墊及該密封環(huán)之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括另一溝槽，位于該保護(hù)層中且接近該測試墊的邊緣，其中一溝槽以氧化物或氮化物填滿且延伸至高于保護(hù)層的頂部表面，而另一個溝槽填滿氧化物或氮化物，且至少向下延伸至部分金屬間介電層內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該測試墊置于該晶圓的密封環(huán)之間，且該墊片至少具有一形狀或一轉(zhuǎn)動方位，使直接相鄰于該密封環(huán)的墊片材料最少化。
全文摘要
本發(fā)明提供一種探針卡、測試墊及保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述探針卡具有一在半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行操作測試時傳送及接收電子信號的構(gòu)件；以及多個延伸自該構(gòu)件的探針，且探針與測試墊相接觸并與測試墊的最大距離重疊。本發(fā)明的測試墊為一放置在晶圓中密封環(huán)之間的導(dǎo)電材料，測試墊在密封環(huán)間具有一方位，使直接相鄰于密封環(huán)的材料最少化。另，測試墊置于保護(hù)層內(nèi)的開口中，且該開口位于晶圓中最高金屬層之上并與測試墊尺寸相容，因此測試墊不會與保護(hù)層相接觸。本發(fā)明的保護(hù)結(jié)構(gòu)包括一保護(hù)層、一延伸穿過保護(hù)層的測試墊以及一位于保護(hù)層內(nèi)且接近于測試墊邊界的溝槽。本發(fā)明可改善晶圓切割后，殘留的測試墊材料所引發(fā)的剝落及破裂。
文檔編號G01R31/28GK1779469SQ20051010530
公開日2006年5月31日 申請日期2005年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月23日
發(fā)明者趙特宗, 蘇昭源, 曹佩華, 黃傳德 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司