專利名稱：探測裝置及其制造方法與使用它的基板檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢查液晶面板等時(shí)所采用的探測裝置及其制造方法與使用它的基板檢測方法、背景技術(shù)以往，如眾所周知，在檢測液晶面板等(以下，僅稱為檢測對象基板)時(shí)，實(shí)用上廣泛采用各種形式的探測裝置。
參照圖9以及圖10對于其中的一示例進(jìn)行說明。圖9是表示以往的探測裝置的檢測情況的主視圖，圖10是其平面圖。
該探測裝置具備檢測設(shè)備10、中間基板3、探測基板4。檢測設(shè)備10與中間基板3的基端側(cè)e1電氣連接。中間基板3的前端側(cè)e2與探測基板4的基端側(cè)b1電氣連接。探測基板4的前端側(cè)b2可與檢測對象基板11電氣連接。檢測設(shè)備10具備TAB(Tape Automated bonding，磁帶自動連接)盒2、控制基板1、信號發(fā)生器9。信號發(fā)生器9通過信號發(fā)送線12與控制基板1電氣連接。控制基板1與TAB盒2的基端側(cè)c2電氣連接。TAB盒2的前端側(cè)c 1與中間基板3的基端側(cè)e1電氣連接。
控制基板1、中間基板3以及探測基板4都為細(xì)長的矩形，在控制基板1與中間基板3的中間，以規(guī)定間隔設(shè)有多個(gè)TAB盒2。
在探測基板4上，例如以50μm這樣的極小間隔并列設(shè)有多個(gè)檢測端子4a。使得這些檢測端子4a的前端側(cè)與形成在檢測對象物11上的多個(gè)焊盤(pad)在位置上精確重合，在通過加壓并使兩者接觸而導(dǎo)通的狀態(tài)下，能夠進(jìn)行規(guī)定的檢測。
然而，對于上述檢測端子4a，由于它的端子寬例如為20μm的這樣地微小，在用加壓沖頭對檢測基板4施加壓力并使得檢測端子4a與檢測對象基板11的焊盤接觸時(shí)等的情況下，容易損傷檢測端子4a。而且，由于檢測基板4為長條形尺寸，當(dāng)多個(gè)檢測端子4a中的一個(gè)產(chǎn)生斷線等的缺陷時(shí)，必須將長條形的檢測基板全體替換成新的檢測基板，不僅價(jià)格上昂貴，而且，進(jìn)行交換的成品率較差，在經(jīng)濟(jì)方面較為不利。
而且，上述的探測裝置一般是通過ACF(Anisotropic Conducttive Film，各向異性導(dǎo)電膜)分別接合“探測基板4與中間基板3”、“中間基板3與TAB盒2”，將“TAB盒2與控制基板1”進(jìn)行焊錫接合，故由高分子樹脂膜構(gòu)成的探測基板4會受到熱量或應(yīng)力等的影響而容易產(chǎn)生變形。結(jié)果，對于形成越長的探測基板，越容易產(chǎn)生檢測端子4a的間距不一致的情況，而影響到端子圖案的精度提高。又，還存在這樣的缺陷，例如，即使制造獲得了高精度的探測裝置，隨著此后環(huán)境條件的變化，也容易產(chǎn)生檢測端子4a的間距不一致的情況，而導(dǎo)致探測基板4的壽命(能夠維持高精度狀態(tài)的期間)較短。
再者，由于如此的原因，在檢測中很難維持多個(gè)檢測端子4a與檢測對象基板11的焊盤的精度位置的一致，存在很難進(jìn)行穩(wěn)定檢測的問題。
本發(fā)明鑒于上述問題，其第1目的在于，提供一種在產(chǎn)生斷線等問題的情況下能夠經(jīng)濟(jì)地替換成新的探測基板的探測裝置。
又，本發(fā)明的第2目的在于提供一種使用壽命長的探測裝置，它在制作探測裝置時(shí)能夠減小探測基板的檢測端子間距不一致的情況并能夠提高端子圖案的精度，同時(shí)，即使在制作裝置之后，也能夠長時(shí)間維持裝置的精度。
又，本發(fā)明的第3目的在于，提供一種采用上述探測裝置能夠進(jìn)行穩(wěn)定檢測的方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第一方面提供了一種探測裝置的制造方法，所述探測裝置具備檢測設(shè)備、中間基板以及探測基板，所述檢測設(shè)備與所述中間基板的基端側(cè)電氣連接，所述中間基板的前端側(cè)與所述探測基板的基端側(cè)電氣連接，所述探測基板的前端側(cè)可以與檢測對象基板電氣連接，其中，對于無機(jī)材料構(gòu)成的一個(gè)所述中間基板并列設(shè)置多個(gè)所述探測基板，所述檢測設(shè)備具備與信號發(fā)生器電氣連接的控制基板、以及多個(gè)TAB盒，所述多個(gè)TAB盒各自的基端側(cè)與所述控制基板電氣連接，并且多個(gè)TAB盒的各自的前端側(cè)與所述中間基板的基端側(cè)電氣連接，所述探測基板具備并列設(shè)置的多個(gè)檢測端子，這些檢測端子的基端側(cè)與并列設(shè)置于中間基板上的多個(gè)電極的前端側(cè)連接，并且所述各檢測端子的前端側(cè)與并列設(shè)置于所述檢測對象基板上的多個(gè)焊盤連接，所述探測基板的檢測端子的寬度尺寸比所述檢測對象基板的各焊盤的寬度尺寸以及所述焊盤間的間隔尺寸兩者都小，其特征在于，所述方法采用ACF(Anisotropic Conductive Film，各向異性導(dǎo)電膜)、ACP(Anisotropic Conductive Paste，各向異性導(dǎo)電膠)、NCF(Non-ConductiveFilm，非導(dǎo)電膜)、NCP(Non-Conductive Paste，非導(dǎo)電膠)中的任意一種，將所述探測基板與所述中間基板熱壓接，形成所述探測基板，以使得與所述檢測對象基板的焊盤組連接的所述探測基板的前端側(cè)端子組形成的間隔p3比所述焊盤組形成的間距p1大，并且與所述中間基板的電極組連接的所述探測基板的基端側(cè)端子組的形成間距p4比所述電極組的形成間距p2小。


圖1是表示本發(fā)明的探測裝置的一示例的平面圖。
圖2表示檢測對象基板的焊盤、探測基板的檢測端子以及中間基板的電極之間的關(guān)系，(A)是表示檢測對象基板的焊盤的平面圖，(B)是表示檢測基板的檢測端子的平面圖，(C)是表示中間基板的電極的平面圖。
圖3是表示本發(fā)明的探測裝置的其他示例的平面圖。
圖4是表示本發(fā)明的探測裝置的其他示例的平面圖。
圖5是表示本發(fā)明的探測裝置的其他示例的主視圖。
圖6是表示本發(fā)明的探測裝置的其他示例的平面圖。
圖7是表示對于一個(gè)探測基板設(shè)置多個(gè)TAB盒的示例的平面圖。
圖8是表示使得TAB盒與探測基板的位置關(guān)系向左右的任何一方偏移的示例的平面圖。
圖9是表示以往的探測裝置的檢測狀態(tài)的主視圖。
圖10是圖9的平面圖。
最佳實(shí)施形態(tài)以下，參照附圖對于本發(fā)明的最佳實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。
圖1是本發(fā)明的探測裝置的一實(shí)施例的平面圖。又，本實(shí)施例的探測裝置的側(cè)面情況與圖9相同。
如圖所示，該探測裝置具備檢測設(shè)備10、一個(gè)中間基板3、多個(gè)探測基板4。中間基板呈現(xiàn)為細(xì)長的(例如，200mm以上的)矩形狀，將檢測設(shè)備10與該中間基板3的基端側(cè)e1電氣連接。沿著中間基板3的前端側(cè)e2的端邊緣，以規(guī)定間隔并列設(shè)置多個(gè)呈現(xiàn)短(例如，20mm左右的)矩形狀的探測基板4，各探測基板4的基端側(cè)b1分別與一個(gè)中間基板3的前端側(cè)e2電氣連接。通過加壓使得各探測基板4的前端側(cè)b2與檢測對象基板11(參照圖9)接觸并能電氣連接。
檢測設(shè)備10具備多個(gè)TAB(tape automated bongding，磁帶自動連接)盒2、細(xì)長的(例如，200mm以上的)矩形狀的控制基板1、信號發(fā)生器9。TAB盒2是在聚酰亞胺樹脂等的高耐熱性的薄膜上層壓成銅箔等的金屬膜并通過蝕刻形成布線圖案的集成電路元件密封用的盒體。在本實(shí)施例中，各TAB盒2中密封有作為檢測對象基板11的例如用于點(diǎn)亮驅(qū)動液晶面板的驅(qū)動用集成元件。各TAB盒2具備分別用于連接基端側(cè)(控制基板1的側(cè))c2與前端側(cè)(中間基板3的側(cè))c1的電極組，各TAB盒2的基端側(cè)c2與控制基板1電氣連接，各TAB盒的前端側(cè)c 1與中間基板3的基端側(cè)e1電氣連接。又，在控制基板1上電氣連接著信號發(fā)生器9。
這里，“電氣連接”是指使之成為導(dǎo)通狀態(tài)，例如，接合形成于中間基板3的多個(gè)電極3a的前端側(cè)與形成于探測基板4的多個(gè)檢測端子4a的基端側(cè)并使之成為導(dǎo)通狀態(tài)。同樣地，接合形成于中間基板3的多個(gè)電極3a的基端側(cè)與形成于TAB盒2的前端側(cè)的多個(gè)電極并使之成為導(dǎo)通狀態(tài)。而且，接合形成于TAB盒2的基端側(cè)的多個(gè)電極與形成于控制基板1的多個(gè)電極并使之為導(dǎo)通狀態(tài)。
又，焊錫接合TAB盒2與控制基板1并使它們?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。而且，也可以采用ACF、壓接等的其他接合方法。又，通過信號發(fā)送線12使得控制基板1與信號發(fā)生器9為導(dǎo)通狀態(tài)。另一方面，利用ACF(Anisotropic Conductive Film各向異性導(dǎo)電膜)接合探測基板4與中間基板3并使它們?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。中間基板3與TAB盒2也同樣用ACF進(jìn)行接合構(gòu)成導(dǎo)通狀態(tài)。這里，ACF是指同時(shí)具有膠接、導(dǎo)電、絕緣這3種功能的連接材料，它是通過熱壓接而在膜厚方向上具有導(dǎo)通性、在表面方向上具有絕緣性的這樣的在電氣上各向異性的高分子膜，它是通過在具有膠接性以及絕緣性的高分子材料中混合導(dǎo)電性微顆粒而形成的材料。
又，探測基板4是FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷電路)，它由低吸濕性玻璃環(huán)氧、液晶聚合物、聚酰亞胺、聚苯撐氧或者聚苯撐乙醚(polyphenylether etty 1 ether)等的有機(jī)類材料的絕緣基板與形成在該絕緣基板上的銅、鎳、金等的導(dǎo)電性電極構(gòu)成，并采用吸濕膨脹系數(shù)為10ppm/％RH以下的物質(zhì)，而最好采用吸濕膨脹系數(shù)為5ppm/％RH以下的物質(zhì)。
又，若以玻璃環(huán)氧基板構(gòu)成探測基板4，則在加壓連接時(shí)電極導(dǎo)通容易變得不均勻，同時(shí)重復(fù)加壓時(shí)，容易產(chǎn)生裂縫，而若以聚酰亞胺薄膜等的耐熱性膜構(gòu)成檢測基板4時(shí)，則能夠解決上述問題。
又，中間基板3由玻璃、氧化鋁、氮化鋁、碳化硅、富鋁紅柱石(mullite)等的陶瓷材料或者涂有陶瓷的低熱膨脹率金屬材料等的無機(jī)類材料的絕緣基板與形成在該絕緣基板上的ITO(indium Tin Oxide，氧化銦錫)、鋁、鉻等的導(dǎo)電性電極構(gòu)成，采用其吸濕膨脹系數(shù)在1ppm/％RH以下的物質(zhì)。又，將中間基板3與檢測對象基板的熱膨脹率差設(shè)定在5ppm/℃以下。
如上所述，在本探測裝置中，由于將探測基板4以及中間基板3的吸濕膨脹系數(shù)設(shè)定在上述范圍內(nèi)，故能夠高精度地接合中間基板3的電極3a以及探測基板4的檢測端子4a。
即，當(dāng)全長為30mm的探測基板4的吸濕膨脹系數(shù)為10ppm/％RH的情況下，當(dāng)使得濕度為40％左右時(shí)，全長為增減12μm。對此，由于檢測端子4a的間距一般為50μm，故最好使得探測基板4的吸濕膨脹系數(shù)在10ppm/％RH以下。
又，關(guān)于熱膨脹率(coefficient of thermal expansion一般稱為CTE)差，當(dāng)中間基板3與檢測對象基板11的熱膨脹率差為5ppm/℃時(shí)，對于全長為300mm的中間基板3，若溫度上升10℃，則增長15μm。即便從該方面出發(fā)，也最好中間基板3與檢測對象基板11的熱膨脹率差為5ppm/℃以下。
又，為了避免探測基板4的尺寸變化影響到中間基板3的變形，而最好使得中間基板3的厚度為探測基板4的厚度2.5倍以上。又，可以分別通過半添加法(semi-additive)、減法使得探測基板4的檢測端子4a以及中間基板3的電極3a形成規(guī)定的圖案，而也可以采用其他方法。
在圖2(A)中表示形成于檢測對象基板11的導(dǎo)電性焊盤11a，在圖2(B)中表示形成于探測基板4的檢測端子4a，再者，在圖2(C)中表示形成于中間基板3的電極3a。使得形成于探測基板4的多個(gè)檢測端子4a的寬度尺寸w2小于焊盤11a的寬度尺寸w1以及焊盤11a相互間的間隔尺寸s1，所述探測基板4與形成于檢測對象基板11的多個(gè)焊盤11a連接。
結(jié)果，在將探測基板4的前端側(cè)b2與檢測對象基板11連接的情況下，相對于焊盤11a組，檢測端子4a組的定位精度許可范圍變寬，能夠防止相鄰的焊盤11a間的短路。
又，在該探測裝置中，與檢測對象基板11的焊盤11a組連接的探測基板4的前端側(cè)檢測端子4a組的間隔p3大于焊盤11a組所形成的間距p1，并且與中間基板3的電極3a組連接的探測基板4的基端側(cè)檢測端子4a組所形成的間距p4小于中間基板3的電極3a組所形成的間距p2。通過ACF將這樣的探測基板4與中間基板3進(jìn)行熱壓接而進(jìn)行制造。
結(jié)果，由于在電氣連接探測基板4與中間基板3時(shí)能夠?qū)?yīng)地獲得因探測基板4的基端側(cè)的熱膨脹以及探測基板4的前端側(cè)的收縮所引起的間距變化，故能夠獲得一定精度(精度偏差小的狀態(tài))的探測裝置。
又，對于探測基板4的檢測端子4a組，各檢測端子4a的前端位于比探測基板4的前端側(cè)的端邊緣更內(nèi)側(cè)的位置，即使得位于比基端邊緣僅s2(例如，0.1～0.2mm)的內(nèi)側(cè)，故在使得探測基板4與檢測對象基板11接觸并連接時(shí)，不會產(chǎn)生檢測端子4a組從前端側(cè)剝離的故障情況。
又，替代將探測基板4連接到中間基板3時(shí)所使用的上述ACF，而可以采用ACP(Anisotropic Conductive Paste，各向異性導(dǎo)電膠)或NCF(Non-Conductive Film，非導(dǎo)電膜)或NCF(Non-Conductive Paste，非導(dǎo)電膠)中的任意一種。ACP是與ACF相同地同時(shí)具有膠接、導(dǎo)電、絕緣這3種功能的連接材料，是糊狀的材料。NCF以及NCP是具有絕緣功能的薄膜狀連接材料或糊狀連接材料。
根據(jù)本探測裝置，將探測基板4的檢測端子4a與檢測對象基板11(例如，液晶面板)的焊盤11a加壓接觸并進(jìn)行電氣連接，由此能夠進(jìn)行必要的檢測。此時(shí)，信號發(fā)生器9產(chǎn)生點(diǎn)亮圖案信號。
控制基板1具有變換信號電平的電路，而一般信號發(fā)生器9與控制基板1隔開一定距離，則能夠施行對付噪聲的措施并處理信號?？刂苹?將從信號發(fā)生器9獲得信號例如變換成LVDS(Low Voltage Differential Signal，低壓差動信號)，并提供給TAB盒2。
TAB盒2接收點(diǎn)亮圖案信號并產(chǎn)生驅(qū)動檢測對象基板11的電壓。由此，在檢測對象基板11為液晶面板等的情況下，能夠以目測進(jìn)行檢測。
如上所述，本發(fā)明的探測裝置是相對于一個(gè)長的中間基板3以規(guī)定間距并列設(shè)置多個(gè)探測基板4。結(jié)果，當(dāng)在這些探測基板4內(nèi)產(chǎn)生斷線等的缺陷的情況下，能夠僅交換產(chǎn)生缺陷的特定探測基板4，能夠經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行探測基板4的交換。
又，通過加工工序由不易受到濕度影響的無機(jī)類材料構(gòu)成中間基板3，采用其吸濕膨脹系數(shù)為1ppm/％RH以下的中間基板3，對于這樣的中間基板3連接探測基板4，因此，在制作探測裝置時(shí)，能夠減小因濕度影響導(dǎo)致的加工精度的不穩(wěn)定性。而且，能夠減小檢測端子4a的間距不一致的情況，能夠提高端子圖案的精度。
又，對于探測基板4，也采用其吸濕膨脹系數(shù)在10ppm/％RH以下的材料，故能夠進(jìn)一步減小因濕度影響導(dǎo)致的加工精度的不穩(wěn)定性，同時(shí)能夠進(jìn)一步提高檢測端子的圖案精度，并且，即使在裝置制作之后，也能夠在長時(shí)間內(nèi)維持其精度。
又，由于使得與檢測對象基板11的焊盤11a組連接的探測基板4的檢測端子4a組的寬度尺寸w2小于焊盤11a的寬度尺寸w1以及焊盤11a相互之間的間隔尺寸s1，因此，相對于焊盤11a組，檢測端子4a組的定位精度的許可范圍變大，并且可以防止相鄰的焊盤11a相互之間的短路。
又，由于使得中間基板3與檢測對象基板11之間的熱膨脹率差在5ppm/℃以下，能夠進(jìn)行穩(wěn)定的檢測，同時(shí)，由于使得中間基板的厚度為探測基板4的2.5倍以上，故能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行檢測。
以上，對于本發(fā)明的探測裝置的一實(shí)施形態(tài)進(jìn)行了描述，本發(fā)明處理上述之外的形態(tài)，例如，也可以是圖3～圖5所示的形態(tài)。
圖1中所示的上述的探測裝置具備單一的中間基板3，與此相對，圖3所示的探測裝置具備多個(gè)中間基板3。這些中間基板3與同前述的中間基板3相同材料的細(xì)長矩形狀的單一的增強(qiáng)板5膠接。然后，如圖所示，多個(gè)(該示例中為6個(gè))TAB盒2與各中間基板3電氣連接。
另一方面，在圖4中所示的探測裝置在具備多個(gè)控制基板1的這一點(diǎn)上與上述各實(shí)施例不同。該實(shí)施例也是將多個(gè)(該示例中為4個(gè))TAB盒2與各控制基板1電氣連接。
又，在圖5中，并不如上述實(shí)施形態(tài)(圖1、圖3、圖4的形態(tài))那樣將控制基板1與TAB盒2直接接合，而是進(jìn)行間接接合，即通過連接基板6電氣連接兩者。連接基板6由FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷電路)構(gòu)成，如圖所示那樣以彎折壓接的方式接將連接基板6與控制基板1連接接合。使得連接基板6在長度上具有一定余地，而能夠容易地交換TAB盒2。
再者，圖6所示的探測裝置在構(gòu)造上，替代TAB盒2而在中間基板3上安裝驅(qū)動用集成電路元件7，將探測基板4以及連接基板6與這些驅(qū)動用集成電路元件7電氣連接。
具體地，如圖所示，以規(guī)定間隔在中間基板3上安裝多個(gè)驅(qū)動用集成電路元件7，位于各驅(qū)動用集成電路元件7的前端側(cè)的電極7a與探測基板4的基端側(cè)電氣連接。位于驅(qū)動用集成電路元件7的基端側(cè)的電極7a通過連接基板6與控制基板1電氣連接。
又，上述驅(qū)動用集成電路元件7為液晶驅(qū)動IC，并且是指定液晶的各象素的導(dǎo)通、截止以及亮度電平等。另一方面，上述的TAB盒2在形成電路的TAB磁帶上安裝驅(qū)動IC。
因此，對于上述將驅(qū)動用集成電路元件7直接安裝到中間基板3上的類型(圖6所示的類型)，能夠省略將電路元件與TAB磁帶連接的工序，故具有低成本且能夠?qū)?yīng)細(xì)微圖案的優(yōu)點(diǎn)。
又，TAB盒2、探測基板4、連接基板6、驅(qū)動用集成電路元件7的接合間距可以是恒定或任意，也可以根據(jù)需要選擇規(guī)定的間距。
又，也可以如圖7所示那樣，將多個(gè)(該示例中為2個(gè))TAB盒2與一個(gè)探測基板4連接，或者，也可以如圖8所示那樣，設(shè)置使得TAB盒2與探測基板4的位置關(guān)系為朝左右任意一方偏移的關(guān)系。
工業(yè)利用性如上所述，對于本發(fā)明的探測裝置及其制造方法以及采用它的基板檢測方法，能夠經(jīng)濟(jì)地交換探測基板，同時(shí)能夠提高探測基板的檢測端子的精度，故能夠適用于檢測液晶屏等的基板。
權(quán)利要求
1.一種探測裝置的制造方法，所述探測裝置具備檢測設(shè)備、中間基板以及探測基板，所述檢測設(shè)備與所述中間基板的基端側(cè)電氣連接，所述中間基板的前端側(cè)與所述探測基板的基端側(cè)電氣連接，所述探測基板的前端側(cè)可以與檢測對象基板電氣連接，其中，對于無機(jī)材料構(gòu)成的一個(gè)所述中間基板并列設(shè)置多個(gè)所述探測基板，所述檢測設(shè)備具備與信號發(fā)生器電氣連接的控制基板、以及多個(gè)TAB盒，所述多個(gè)TAB盒各自的基端側(cè)與所述控制基板電氣連接，并且多個(gè)TAB盒的各自的前端側(cè)與所述中間基板的基端側(cè)電氣連接，所述探測基板具備并列設(shè)置的多個(gè)檢測端子，這些檢測端子的基端側(cè)與并列設(shè)置于中間基板上的多個(gè)電極的前端側(cè)連接，并且所述各檢測端子的前端側(cè)與并列設(shè)置于所述檢測對象基板上的多個(gè)焊盤連接，所述探測基板的檢測端子的寬度尺寸比所述檢測對象基板的各焊盤的寬度尺寸以及所述焊盤間的間隔尺寸兩者都小，其特征在于，所述方法采用ACF(Anisotropic Conductive Film，各向異性導(dǎo)電膜)、ACP(Anisotropic Conductive Paste，各向異性導(dǎo)電膠)、NCF(Non-ConductiveFilm，非導(dǎo)電膜)、NCP(Non-Conductive Paste，非導(dǎo)電膠)中的任意一種，將所述探測基板與所述中間基板熱壓接，形成所述探測基板，以使得與所述檢測對象基板的焊盤組連接的所述探測基板的前端側(cè)端子組形成的間隔p3比所述焊盤組形成的間距p1大，并且與所述中間基板的電極組連接的所述探測基板的基端側(cè)端子組的形成間距p4比所述電極組的形成間距p2小。
全文摘要
一種探測裝置，它具備檢測設(shè)備10、中間基板3以及探測基板4，檢測設(shè)備10與中間基板3的基端側(cè)電氣連接，中間基板3的前端側(cè)與探測基板4的基端側(cè)電氣連接，探測基板4的前端側(cè)與檢測對象基板電氣連接，其中，對于一個(gè)中間基板3電氣連接多個(gè)探測基板4。由于當(dāng)特定的探測基板4損傷時(shí)，能夠僅交換該特定的探測基板4而繼續(xù)使用其他探測基板4，故很經(jīng)濟(jì)。
文檔編號G01R31/02GK1721861SQ20051008470
公開日2006年1月18日 申請日期2000年11月13日 優(yōu)先權(quán)日1999年11月16日
發(fā)明者佐藤謙二, 和田浩光, 村井富士夫, 三村浩一, 秋田雅典 申請人:東麗工程株式會社