專利名稱：微型抗輻射電場(chǎng)傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于采集電場(chǎng)信號(hào)的微型電場(chǎng)傳感器，尤其涉及一種微型抗輻射電場(chǎng)傳感器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的電場(chǎng)微傳感器的感應(yīng)原理主要是動(dòng)態(tài)感應(yīng)的原理，即使用諧振結(jié)構(gòu)交替地阻擋感應(yīng)電場(chǎng)的導(dǎo)體，從而產(chǎn)生感應(yīng)電流。這種動(dòng)態(tài)感應(yīng)的微電場(chǎng)傳感器的主要缺陷是(1)由于微諧振結(jié)構(gòu)對(duì)工藝線要求較高，并且活動(dòng)結(jié)構(gòu)的封裝較困難，因此使用這種結(jié)構(gòu)的微電場(chǎng)傳感器其可靠性較差。(2)采用動(dòng)態(tài)感應(yīng)電場(chǎng)的原理使得其分辨率不高(目前報(bào)道的最高分辨率為630V/m)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種可靠性高且抗輻射的微型抗輻射電場(chǎng)傳感器。
本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種用于采集電場(chǎng)信號(hào)的微型抗輻射電場(chǎng)傳感器，包括硅襯底，在硅襯底上設(shè)有絕緣層，在絕緣層表面設(shè)有n型硅，在n型硅上注有兩個(gè)重?fù)诫s的n型接觸區(qū)，在兩個(gè)n型接觸區(qū)之間設(shè)有n型溝道且兩個(gè)n型接觸區(qū)通過n型溝道相連，在n型接觸區(qū)和n型溝道上設(shè)有SiO2層，在重?fù)诫s的n型接觸區(qū)上設(shè)有金屬引線。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)(1)本發(fā)明利用摻雜半導(dǎo)體中電荷的漂移原理(正電荷沿電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電荷逆電場(chǎng)方向運(yùn)動(dòng))，靜態(tài)地感應(yīng)電場(chǎng)，從而提高了本發(fā)明的可靠性。
(2)由于絕緣硅的絕緣層的阻擋，輻射到結(jié)構(gòu)內(nèi)部的離子將不能到達(dá)重?fù)诫sn型接觸區(qū)，因此實(shí)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)的抗輻射。


圖1是本發(fā)明的主視圖。
圖2是本發(fā)明的俯視圖。
圖3是本發(fā)明的溝道剖面圖。
具體實(shí)施例方式
一種用于采集電場(chǎng)信號(hào)的微型抗輻射電場(chǎng)傳感器，包括硅襯底1，在硅襯底1上設(shè)有絕緣層11，在絕緣層11表面設(shè)有(0.1μm左右)n型硅2，在n型硅2上注有兩個(gè)重?fù)诫s的n型接觸區(qū)3，在兩個(gè)n型接觸區(qū)3之間設(shè)有n型溝道6且兩個(gè)n型接觸區(qū)3通過n型溝道6相連，在n型接觸區(qū)3和n型溝道6上設(shè)有(50nm左右)SiO2層4，在重?fù)诫s的n型接觸區(qū)3上設(shè)有金屬引線5。
本發(fā)明的兩個(gè)n型重?fù)诫s的接觸區(qū)加上電壓后，當(dāng)有外界電場(chǎng)入射電場(chǎng)微傳感器的n型溝道時(shí)，溝道中的載流子(電子)會(huì)相應(yīng)的增加，從而使溝道電流增大，即外界的電場(chǎng)引起了溝道電流的變化。使用時(shí)，先利用標(biāo)準(zhǔn)電場(chǎng)標(biāo)定此電場(chǎng)微傳感器的溝道電流。測(cè)量電場(chǎng)時(shí)，則通過測(cè)量微傳感器的溝道電流，對(duì)照標(biāo)定值即可得到入射電場(chǎng)的強(qiáng)度。
本發(fā)明采用如下工藝來制備a在絕緣硅結(jié)構(gòu)的n型Si上生長(zhǎng)底氧，形成表面SiO2層；b離子注入，形成接觸區(qū)；c光刻引線孔，淀積金屬并刻蝕，形成金屬引線。
權(quán)利要求
1.一種用于采集電場(chǎng)信號(hào)的微型抗輻射電場(chǎng)傳感器，其特征在于包括硅襯底(1)，在硅襯底(1)上設(shè)有絕緣層(11)，在絕緣層(11)表面設(shè)有n型硅(2)，在n型硅(2)上注有兩個(gè)重?fù)诫s的n型接觸區(qū)(3)，在兩個(gè)n型接觸區(qū)(3)之間設(shè)有n型溝道(6)且兩個(gè)n型接觸區(qū)(3)通過n型溝道(6)相連，在n型接觸區(qū)(3)和n型溝道(6)上設(shè)有SiO2層(4)，在重?fù)诫s的n型接觸區(qū)(3)上設(shè)有金屬引線(5)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于采集電場(chǎng)信號(hào)的微型抗輻射電場(chǎng)傳感器，包括硅襯底，在硅襯底上設(shè)有絕緣層，在絕緣層表面設(shè)有n型硅，在n型硅上注有兩個(gè)重?fù)诫s的n型接觸區(qū)，在兩個(gè)n型接觸區(qū)之間設(shè)有n型溝道且兩個(gè)n型接觸區(qū)通過n型溝道相連，在n型接觸區(qū)和n型溝道上設(shè)有SiO
文檔編號(hào)G01R29/12GK1693910SQ20051004028
公開日2005年11月9日 申請(qǐng)日期2005年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月27日
發(fā)明者黃慶安, 王立峰, 秦明 申請(qǐng)人:東南大學(xué)