專利名稱：一種硅片上金屬硅化物成長質量的檢測方法
技術領域：
本發(fā)明有關一種硅片上金屬硅化物的檢測方法，尤其是有關一種硅片上金屬硅化物成長質量的檢測方法。
背景技術：
在深亞微米集成電路加工中，通常都采用硅化鈦來減小硅電阻，完成晶體管之間的互連，所以硅化鈦的成長質量對集成電路的成品率有很重要的影響。對已經制成好的集成電路芯片進行解析時，對硅化鈦的形成進行快速有效的檢驗對于集成電路制成解析是非常重要的。
在集成電路解析中，一般都是通過作斷面電子掃描顯微鏡的方法來確認硅化鈦的成長厚度和連續(xù)性。但是由于是檢查剖面，所以不可能有效地確認大面積上的硅化鈦成長的均勻性，而且制作電子掃描顯微鏡的斷面樣品還需要比較精細的加工。
因此，應該設計一種檢測硅片上金屬硅化物成長質量的方法，能夠方便快捷地檢測出硅片表面硅化物的成長質量。

發(fā)明內容
為改變已有技術中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種快速的分析檢驗方法來對制成結束后的硅片進行解析，分析金屬硅化物的成長質量。。
為了實現本發(fā)明的發(fā)明目的，本發(fā)明的一種硅片上金屬硅化物成長質量的檢測方法，其特征在于首先使用強酸腐蝕的方法將硅片表面的金屬配線和二氧化硅去除，接著使用電子掃描顯微鏡對硅片表面觀察來確定硅化鈦的成長質量。
由于采用上述技術方案，本發(fā)明的是采用通過表面觀測的方式來確認金屬硅化物的成長質量，通過電子掃描顯微鏡對硅片表面的觀測來確定金屬硅化物的成長質量，對樣品加工和準備都不需要很高的要求，而且結果也很直觀。
具體實施例方式
下面結合附圖
和實施例對本實用新型作進一步描述。
首先將制成好的集成電路硅片要觀察的區(qū)域做成樣品，因為要用作表面觀察，所以可以做相對斷面觀察樣品要大的樣品，減小的樣品的制作難度。
然后用高濃度的HF氫氟酸(濃度大于90％)將樣品浸泡15分鐘左右，再用清水將樣品清洗干凈。這時的樣品表面就只留下硅，和一些多晶硅柵了，因為HF會把硅襯底以上的金屬和二氧化硅都腐蝕掉。硅化鈦一般都是成長在硅襯底和多晶柵上的，所以這時通過電子掃描顯微鏡對樣品表面觀測，就可以很方便的檢測硅化鈦的成長連續(xù)性和厚度。
觀察硅化鈦成長的連續(xù)性硅化鈦是金屬鈦和硅合金后形成的，而且硅化鈦也會被HF給腐蝕掉，所以在成長硅化鈦的區(qū)域，經過HF處理后在電子掃描顯微鏡下會顯得凹凸不平，如果在硅化鈦的成長區(qū)域內發(fā)現有光滑的硅表面出現，就可以很容易判斷出硅化鈦的成長不連續(xù)。
觀察硅化鈦成長的厚度由于在集成電路中的互連孔都是開孔到硅化鈦上的，而且對互連孔在硅化鈦上的深度都要求不能穿過硅化鈦，一般都是在停在硅化鈦的一半深度左右，所以在經過氫氟酸處理過的樣品上，在正常狀態(tài)下通過電子掃描顯微鏡是不能看到有圓孔的痕跡在硅襯底上的，如果能夠觀測到有圓的互連孔的痕跡，那就是說明互連孔已經穿過了硅化鈦，如果確認了互連孔的開孔工藝沒有問題，就可以很容易的確認是硅化鈦的成長厚度不夠。
同理，本發(fā)明也可以用于其它金屬硅化物，而氫氟酸也可以用其它高強度的酸替代。
綜上所述，本發(fā)明的能夠完成發(fā)明人的發(fā)明目的，使用本發(fā)明的硅片上金屬硅化物的成長質量的檢測方法，可以方便地使用表面觀察的方法來檢測金屬硅化物的成長質量，這樣對樣品加工和準備都不需要很高的要求，而且檢測的結果也很直觀。
權利要求
1.一種硅片上金屬硅化物成長質量的檢測方法，其特征在于首先使用強酸腐蝕的方法將硅片表面的金屬配線和二氧化硅去除，接著使用電子掃描顯微鏡對硅片表面觀察來確定硅化鈦的成長質量。
2.如權利要求1所述的硅片上金屬硅化物成長質量的檢測方法，其特征在于所述強酸為氫氟酸。
3.如權利要求2所述的硅片上金屬硅化物成長質量的檢測方法，其特征在于所述氫氟酸濃度為大于90％。
4.如權利要求1或2或3所述的硅片上金屬硅化物成長質量的檢測方法，其特征在于使用酸腐蝕的時間為15分鐘以上。
5.如權利要求1或2或3所述的硅片上金屬硅化物成長質量的檢測方法，其特征在于所述金屬硅化物為硅化鈦。
全文摘要
本發(fā)明一種硅片上金屬硅化物成長質量的檢測方法，可以用以方便快捷地使用表面觀測的方法檢測硅片表面硅化鈦的成長質量，其步驟為首先使用濃度為90％以上的氫氟酸腐蝕15分鐘以上的方法將硅片表面的金屬配線和二氧化硅去除，接著使用電子掃描顯微鏡對硅片表面觀察來確定硅化鈦的成長質量。使用本發(fā)明的方法，可以對硅片的加工和準備都不需要很高的要求，而且結果也很直觀。
文檔編號G01N23/225GK1727870SQ200410053298
公開日2006年2月1日 申請日期2004年7月29日 優(yōu)先權日2004年7月29日
發(fā)明者王飛, 孫宏 申請人:上海華虹Nec電子有限公司