專利名稱：帶電電位的評(píng)價(jià)方法及評(píng)價(jià)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)具有夾著電介質(zhì)地對(duì)向的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體的被測(cè)定物的因帶電電荷產(chǎn)生的帶電電位的評(píng)價(jià)方法及評(píng)價(jià)裝置。
背景技術(shù)：
為了減少組裝產(chǎn)品工序中的靜電不良，而使用消除電裝置。在消除電裝置上例如具有離子發(fā)生器(ionizer)。
它是利用電暈放電、紫外線、放射線等使大氣中的水分或二氧化碳等離子化，再通過(guò)使用風(fēng)扇等將這些離子吹到消除電的位置上而對(duì)電荷進(jìn)行中和的裝置。
在由離子發(fā)生器產(chǎn)生的全部離子中，有必要盡可能使得正離子和負(fù)離子以相同量存在。
一般的離子發(fā)生器的離子平衡的評(píng)價(jià)是使用圖1所示的電荷板探測(cè)器(CPM)3進(jìn)行的。電荷板探測(cè)器(CPM)3是如下的裝置，支撐臺(tái)5的上表面為電接地的接地面6，在與接地面6相距特定距離的位置上，設(shè)有金屬板4，用非接觸式的電位差計(jì)7測(cè)定金屬板4和接地面6之間的電位差。
金屬板4的形狀為邊長(zhǎng)6英寸的正方形。金屬板4和接地面6之間的距離被規(guī)定為使得金屬板4和接地面6成為以空氣為電介質(zhì)的容量20pF的電容器。具體來(lái)說(shuō)，金屬板4和接地面6之間的距離大約為2cm。
當(dāng)使電荷板探測(cè)器(CPM)3的金屬板4帶電時(shí)，就會(huì)檢測(cè)出與金屬板4的帶電量對(duì)應(yīng)的電位差。
下面將對(duì)一般的離子發(fā)生器的離子平衡的評(píng)價(jià)方法進(jìn)行說(shuō)明。
如圖1所示，將從離子發(fā)生器1的開(kāi)口部2流出的離子打到作為離子發(fā)生器的評(píng)價(jià)裝置的電荷板探測(cè)器(CPM)3的金屬板4上，使金屬板4帶電。
在由離子發(fā)生器產(chǎn)生的全部離子中，正離子和負(fù)離子以相同量存在的情況下，金屬板4成為被電中和的狀態(tài)，電位差計(jì)7的輸出為0V。在正離子一方比負(fù)離子更多的情況下，金屬板4帶正電，電位差計(jì)7的輸出為正。另一方面，在負(fù)離子一方比正離子更多的情況下，金屬板4帶負(fù)電，電位差計(jì)7的輸出為負(fù)。此外，正離子和負(fù)離子的某一方的比例越大，即離子發(fā)生器的離子平衡越差，則電位差計(jì)7的輸出的絕對(duì)值就越大。
離子發(fā)生器例如記述于專利文獻(xiàn)1中。
特開(kāi)2002-252072號(hào)公報(bào)所述離子發(fā)生器是在硬盤(pán)等的用于記錄再生的磁頭的制造工序中，為了將產(chǎn)品的表面電荷電中和而使用的裝置。
用于硬盤(pán)等的記錄再生的薄膜磁元件是具有再生用的磁阻效果型元件和記錄用的感應(yīng)元件的復(fù)合型薄膜磁元件，被收裝于圖2所示的滑塊(slider)10內(nèi)。該滑塊10借助柔性架(未圖示)安裝在由板簧材料制成的載梁(load beam)11的前端部11a上。將在載梁11上安裝了滑塊10的狀態(tài)的裝置稱為頭平衡架組件(HGA)。
再生用的磁阻效果型元件被連接在由Cu等導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電圖案13上。在導(dǎo)電圖案13和載梁11之間，設(shè)有由聚酰亞胺制成的絕緣襯底層12。另外，在導(dǎo)電圖案13之上，設(shè)有由聚酰亞胺制成的保護(hù)層14。而且，在制造工序中，載梁11借助夾具接地。
而且，圖2省略了感應(yīng)元件的導(dǎo)電圖案的圖示。另外，對(duì)磁阻效果型元件(MR元件)M進(jìn)行示意性地圖示。
如上所述的導(dǎo)電圖案13和載梁11由于夾著絕緣襯底層12地相對(duì)向，因此導(dǎo)電圖案13、絕緣襯底層12、載梁11形成電容器。
當(dāng)對(duì)由聚酰亞胺制成的保護(hù)層14進(jìn)行摩擦等處理而使之帶電時(shí)，在導(dǎo)電圖案13上也會(huì)產(chǎn)生電荷，從而在導(dǎo)電圖案13和載梁11之間產(chǎn)生電位差。當(dāng)在該狀態(tài)下將導(dǎo)電圖案13的連接片(pad)13a的一方接地時(shí)，在MR元件M中就會(huì)流過(guò)瞬間電流(放電電流)。當(dāng)放電電流過(guò)大時(shí)，MR元件M就會(huì)被破壞，MR元件M的電極間就會(huì)成為開(kāi)放狀態(tài)，從而顯示出特定的電阻值以外的電阻值。
使用圖15的電路圖所示的裝置(設(shè)備帶電模型；CDM)，可以進(jìn)行對(duì)HGA的放電電流的耐性(ESD耐性)的測(cè)定。
在設(shè)備帶電模型17中，具有可以使供給電壓變化的電源C。將用于向HGA18的MR元件供給讀出電流的接點(diǎn)P、P的一方連接在切換開(kāi)關(guān)S上。首先，通過(guò)將切換開(kāi)關(guān)S連接在端子S1上而與電源C的負(fù)端子連接，使HGA帶電。然后，通過(guò)將切換開(kāi)關(guān)S連接在端子S2上而使充入HGA的電荷瞬間地流入地下，在HGA中流入放電電流。一邊通過(guò)改變電源C的供給電壓而使HGA的帶電電壓變化，一邊反復(fù)進(jìn)行所述的測(cè)定，將MR元件損傷后在再生信號(hào)產(chǎn)生紊亂時(shí)的帶電電壓作為HGA的ESD耐壓。
在硬盤(pán)的制造工序中，例如HGA工序中，有必要將MR元件控制在ESD耐壓以下，所以可以使用所述的離子發(fā)生器。即，通過(guò)使用離子發(fā)生器，將HGA的表面電荷電中和，從而使HGA不會(huì)超過(guò)ESD耐壓。
使用離子發(fā)生器中和的HGA的表面電荷會(huì)反映出離子發(fā)生器的離子平衡。當(dāng)離子發(fā)生器的離子平衡偏向正或負(fù)的某一方時(shí)，HGA的表面電荷也會(huì)偏向正或負(fù)的某一方，從而在導(dǎo)電圖案13和載梁11之間產(chǎn)生電位差。
所以，為了使HGA不超過(guò)ESD耐壓，有必要對(duì)離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行調(diào)節(jié)。
這里，離子發(fā)生器的離子平衡的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)就會(huì)成為問(wèn)題。一直以來(lái)，將離子發(fā)生器的離子平衡用電荷板探測(cè)器(CPM)的電壓顯示的值來(lái)表示，按照使該值在使用設(shè)備帶電模型(CDM)求得的HGA的表示ESD耐性的電壓的數(shù)值以下的方式，對(duì)離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行調(diào)節(jié)。
但是，圖1所示的電荷板探測(cè)器(CPM)3是以空氣作為電介質(zhì)的容量20pF的電容器。另一方面，圖2所示的HGA的導(dǎo)電圖案13、絕緣襯底層12、載梁11所形成的電容器的作為電介質(zhì)的絕緣襯底層12由聚酰亞胺形成，介電常數(shù)比空氣更大，另外，導(dǎo)電圖案13和載梁11之間的距離為10～20μm，明顯小于電荷板探測(cè)器的金屬板4和接地面6之間的距離(大約2cm)。即，HGA的導(dǎo)電圖案13、絕緣襯底層12、載梁11所形成的電容器的容量與電荷板探測(cè)器的容量明顯不同。
所以，為了按照使HGA不超過(guò)ESD耐壓的方式對(duì)制造工序進(jìn)行管理，在對(duì)離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)，使得電荷板探測(cè)器(CPM)的電壓顯示值在表示HGA的ESD耐壓的數(shù)值以下的做法，是否是合適的方法，這成為需要研究的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決所述的以往的問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于，提供對(duì)具有夾著電介質(zhì)而對(duì)向的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體的被測(cè)定物的因帶電電荷產(chǎn)生的帶電電位的評(píng)價(jià)方法及評(píng)價(jià)裝置。
本發(fā)明的帶電電位的評(píng)價(jià)方法具有如下步驟(a)獲得具有夾隔電介質(zhì)而對(duì)向的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體的被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)的值及所述一對(duì)電介質(zhì)之間的距離的步驟、(b)在特定的氣氛下，對(duì)在與接地面相隔特定距離而對(duì)向的導(dǎo)電板的電位VC進(jìn)行測(cè)定的步驟、(c)使用以下的式4，對(duì)所述氣氛下的所述被測(cè)定物的所述第1電介質(zhì)及第2電介質(zhì)間的電位差Vh進(jìn)行換算的步驟。
Vh=dhϵh·ϵcdcVc]]>其中，dh為被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的距離，dc為所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離，εh為所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)，εc為所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的介電常數(shù)。而且，所述被測(cè)定物的第2導(dǎo)電體被接地。
本發(fā)明利用被測(cè)定物的帶電電荷推測(cè)該被測(cè)定物上產(chǎn)生的電位差Vh。
一般來(lái)說(shuō)，在電容器的電極上所蓄積的電荷Q、容量C、電極間的電位差V之間，有如下的(式5)所示的關(guān)系。
Q＝CV這里，當(dāng)將蓄積在電容器的電極上的每單位面積的電荷的電荷密度設(shè)為q，將電極的面積設(shè)為S，將電容器的電介質(zhì)的介電常數(shù)設(shè)為ε’，將形成容量的電介質(zhì)的截面積設(shè)為S’，將電極間的距離設(shè)為d，將電極間的電位差設(shè)為V時(shí)，則可以得到以下的(式6)所示的關(guān)系式。
q·S=ϵ'S'dV]]>本發(fā)明中，由于電極的面積S和形成容量的電介質(zhì)的截面積S’相等，因此可以得到以下的(式7)所示的關(guān)系式。
q=ϵ'dV]]>所以，在所述導(dǎo)電板和所述接地面間的距離dc、所述導(dǎo)電板和所述接地面間的介電常數(shù)ε’c、所述導(dǎo)電板的電位VC、所述導(dǎo)電板的電荷密度qc之間，以下的(式8)所示的關(guān)系成立。
qc=ϵ'cdcVc]]>另外，在所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的距離dh、所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)ε’h、所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的電位差Vh、所述第1導(dǎo)電體的電荷密度qh之間，以下的(式9)所示的關(guān)系成立。

qh=ϵ'hdhVh]]>當(dāng)將所述導(dǎo)電板放置在與所述被測(cè)定物相同的氣氛下，例如離子氣氛、電荷氣氛下時(shí)，所述導(dǎo)電板的電荷密度qc和所述第1導(dǎo)電體的電荷密度qh相等。
所以，從(式8)和(式9)中消去qc、qh，得到(式10)，利用換算式，可以從所述導(dǎo)電部的電位VC的測(cè)定值推測(cè)所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的電位差Vh。而且，在(式10)中，所述導(dǎo)電板和所述接地面的介電常數(shù)ε’c被置換為介電常數(shù)εc，所述電介質(zhì)的接地產(chǎn)生ε’h被置換為介電常數(shù)εh。
Vh=dhϵh·ϵcdcVc]]>本發(fā)明通過(guò)使離子發(fā)生器產(chǎn)生離子，形成設(shè)置導(dǎo)電板和接地面的氣氛。
此外，當(dāng)利用所述離子發(fā)生器使被測(cè)定物帶電時(shí)，推測(cè)該被測(cè)定物上產(chǎn)生的電位差Vh，基于該電位差Vh的值，可以對(duì)離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行評(píng)價(jià)。
本發(fā)明中，所述被測(cè)定物的第1導(dǎo)電體具有一對(duì)開(kāi)放端子，在通過(guò)使該第1導(dǎo)電體帶電而在所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體之間產(chǎn)生電位差V’之后，將所述開(kāi)放端子的一方接地時(shí)所述第1導(dǎo)電體發(fā)生損傷的電位差V’的值設(shè)為Vd，可以對(duì)離子發(fā)生器產(chǎn)生的正離子和負(fù)離子的相對(duì)量進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得由所述(c)工序求得的Vh的值小于所述Vd的值。
而且，最好在相同的氣氛內(nèi)設(shè)置多組所述接地面和所述導(dǎo)電板，將各個(gè)所述導(dǎo)電板的所述電位VC的測(cè)定值的平均值作為所述VC。
本發(fā)明中，所述被測(cè)定物例如為，連接磁頭的第1導(dǎo)電體和作為第2導(dǎo)電體的載梁夾隔作為電介質(zhì)的絕緣襯底層而對(duì)向的頭平衡架組件(HGA)。而且，在所述第1導(dǎo)電體之上，最好設(shè)置由絕緣材料制成的保護(hù)層。
本發(fā)明的帶電電位評(píng)價(jià)裝置具有接地面、與該接地面相隔特定距離而對(duì)向的導(dǎo)電板、測(cè)定該導(dǎo)電板的電位VC的電位測(cè)定機(jī)構(gòu)、對(duì)具有夾隔電介質(zhì)而對(duì)向的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體的被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)的值及所述一對(duì)導(dǎo)電體之間的距離進(jìn)行輸入的輸入機(jī)構(gòu)、從所述導(dǎo)電板的電位VC的測(cè)定值，通過(guò)進(jìn)行如下的式11的運(yùn)算，換算成與所述導(dǎo)電板相同氣氛下的所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的電位差Vh的轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)。
Vh=dhϵh·ϵcdcVc]]>其中，dh為被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的距離，dc為所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離，εh為所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)，εc為所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的介電常數(shù)。
本發(fā)明的帶電電位評(píng)價(jià)裝置可以推測(cè)被測(cè)定物上產(chǎn)生的電位差Vh的值。
或者，本發(fā)明的帶電電位評(píng)價(jià)裝置具有接地面、與該接地面相隔特定的距離而對(duì)向的導(dǎo)電板、測(cè)定該導(dǎo)電板的電位VC的電位測(cè)定機(jī)構(gòu)、為了使對(duì)具有夾隔電介質(zhì)而對(duì)向的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體的被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的距離dh、所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)εh、所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離dc、所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的介電常數(shù)εc滿足以下的式12所示的關(guān)系，將所述距離dc和介電常數(shù)εc設(shè)定，或者可以進(jìn)行調(diào)整，從而可以將所述電位VC作為所述被測(cè)定物的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的電位差Vh而求得。
dhϵh·ϵcdc=1]]>
本發(fā)明通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離dc和介電常數(shù)εc進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得所述導(dǎo)電板的電位VC的測(cè)定值能夠表示所述被測(cè)定物的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的電位差Vh，因而不需要對(duì)所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)的值及所述一對(duì)導(dǎo)電體之間的距離進(jìn)行輸入的輸入機(jī)構(gòu)或?qū)⑺鰧?dǎo)電板的電位VC的測(cè)定值換算成第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的電位差Vh的轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)。
例如，通過(guò)按照使所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離dc與所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的距離dh相等的方式，按照使所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的區(qū)域的介電常數(shù)εc與所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)εh相等的方式進(jìn)行設(shè)定或可以進(jìn)行調(diào)整，就可以使所述被測(cè)定物的距離dh、介電常數(shù)εh、所述評(píng)價(jià)裝置的距離dc、介電常數(shù)εc滿足式12所示的關(guān)系。
或者，當(dāng)所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的區(qū)域的介電常數(shù)εc與所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)εh不同時(shí)，通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離dc進(jìn)行設(shè)定或調(diào)整，就可以使得所述被測(cè)定物的距離dh、介電常數(shù)εh、所述評(píng)價(jià)裝置的距離dc、介電常數(shù)εc滿足式12所示的關(guān)系。
本發(fā)明可以設(shè)置通過(guò)產(chǎn)生離子而將所述導(dǎo)電板和所述接地面設(shè)為特定氣氛的離子發(fā)生器。
此外，當(dāng)利用所述離子發(fā)生器使被測(cè)定物帶電時(shí)，對(duì)該被測(cè)定物上產(chǎn)生的電位差Vh進(jìn)行推測(cè)，基于該電位差Vh的值，可以對(duì)離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行評(píng)價(jià)。
另外，本發(fā)明最好具有可以告知如下情況的顯示機(jī)構(gòu)，即，所述被測(cè)定物的第1導(dǎo)電體具有一對(duì)開(kāi)放端子，在通過(guò)使該第1導(dǎo)電體帶電而使所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體之間產(chǎn)生電位差V’后，將所述開(kāi)放端子的一方接地時(shí)所述第1導(dǎo)電體發(fā)生損傷的電位差V’的值設(shè)為Vd時(shí)，可以告知所述Vh的值比所述Vd的值更小。
所述被測(cè)定物例如為連接了磁頭的第1導(dǎo)電體、作為第2導(dǎo)電體的載梁夾隔作為電介質(zhì)的絕緣襯底層而對(duì)向的頭平衡架組件(HGA)。在所述第1導(dǎo)電體之上最好設(shè)置由絕緣材料制成的保護(hù)層。


圖1是HGA、CPM、離子發(fā)生器的立體圖。
圖2是HGA的分解立體圖。
圖3是HGA的剖視圖。
圖4是CPM的剖視圖。
圖5是本發(fā)明的實(shí)施方式1的離子發(fā)生器的評(píng)價(jià)裝置的框圖。
圖6是表示本發(fā)明的離子發(fā)生器的評(píng)價(jià)裝置的實(shí)施方式2的側(cè)視圖。
圖7是表示本發(fā)明的離子發(fā)生器的評(píng)價(jià)裝置的實(shí)施方式3的側(cè)視圖。
圖8是用于說(shuō)明本發(fā)明的離子發(fā)生器的評(píng)價(jià)方法的其他的實(shí)施方式的俯視圖。
圖9是用于說(shuō)明實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)方法的示意圖。
圖10是用于說(shuō)明實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)方法的示意圖。
圖11是將由所述離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子打到HGA上后在MR元件中瞬間流入電流后的MR元件的再生輸出的曲線圖。
圖12是將由所述離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子打到HGA上后在MR元件中瞬間流入電流后的MR元件的非對(duì)稱的曲線圖。
圖13是將由所述離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子打到HGA上后在MR元件中瞬間流入電流后的MR元件的直流電阻的曲線圖。
圖14是將由所述離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子打到HGA上后在MR元件中瞬間流入的電流的曲線圖。
圖15是設(shè)備帶電模型的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面將對(duì)本發(fā)明的帶電電位的評(píng)價(jià)方法進(jìn)行具體的說(shuō)明。
本實(shí)施方式將對(duì)在載梁上安裝有收裝了用于硬盤(pán)等的記錄再生的薄膜磁元件的滑塊的頭平衡架組件(HGA)進(jìn)行電中和的離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行評(píng)價(jià)。
HGA與作為以往技術(shù)出示的裝置相同，具有圖2所示的構(gòu)造。
所述薄膜磁元件是具有再生用的磁阻效果型元件和記錄用的感應(yīng)元件的復(fù)合型薄膜磁元件，被收裝于圖2所示的滑塊10內(nèi)。該滑塊10借助柔性架(未圖示)安裝在由板簧材料制成的載梁(load beam)11的前端部11a上。再生用的磁阻效果型元件被連接在由Cu等導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電圖案13上。在導(dǎo)電圖案13和載梁11之間，設(shè)有由聚酰亞胺制成的絕緣襯底層12。另外，在導(dǎo)電圖案13之上，設(shè)有由聚酰亞胺制成的保護(hù)層14。
而且，圖2省略了感應(yīng)元件的導(dǎo)電圖案的圖示。另外，對(duì)磁阻效果型元件(MR元件)M進(jìn)行示意性地圖示。
圖3的左線圖示HGA的局部剖視圖。HGA中，導(dǎo)電圖案13(第1導(dǎo)電體)和載梁11(第2導(dǎo)電體)夾隔絕緣襯底層12對(duì)向，形成電容器。如圖3的右圖所示，當(dāng)在導(dǎo)電圖案13上產(chǎn)生電荷時(shí)，在導(dǎo)電圖案13和載梁11之間即產(chǎn)生電位差Vh。
本實(shí)施方式的離子發(fā)生器的評(píng)價(jià)方法中，首先要取得HGA的絕緣襯底層12的介電常數(shù)εh的值及導(dǎo)電圖案13和載梁11的距離dh。
由于絕緣襯底層12由聚酰亞胺制成，因此介電常數(shù)εh為2～4。另外，導(dǎo)電圖案13和載梁11的距離dh為10～20μm。
然后，如圖1所示，將由離子發(fā)生器1的開(kāi)口部2流出的離子打到作為電荷測(cè)定裝置的電荷板探測(cè)器(CPM)的金屬板4(導(dǎo)電板)上，即在由離子發(fā)生器1的開(kāi)口部2流出的離子的氣氛中，使金屬板4帶電。
利用本實(shí)施方式評(píng)價(jià)的離子發(fā)生器1與作為以往技術(shù)示出的裝置相同，利用電暈放電、紫外線、放射線等使大氣中的水分或二氧化碳等離子化，使用風(fēng)扇等將這些離子打到消除電位置上，從而對(duì)電荷進(jìn)行中和。
電荷板探測(cè)器(CPM)3為如下的裝置，支撐臺(tái)5的上表面是被電接地的接地面6，在與接地面6相距特定距離的位置上設(shè)有金屬板4，用非接觸式的電位差計(jì)7對(duì)金屬板4的電位進(jìn)行測(cè)定。非接觸式的電位差計(jì)7的測(cè)定結(jié)果顯示在顯示部8上。
金屬板4的形狀為邊長(zhǎng)6英寸的正方形。金屬板4和接地面6之間的距離被規(guī)定為使得金屬板4和接地面6形成以空氣為電介質(zhì)的容量20pF的電容器。
圖4的左線圖示電荷板探測(cè)器(CPM)3的側(cè)視圖。金屬板4和接地面之間的距離dc約為2cm。另外，金屬板4和接地面6之間的區(qū)域9僅存在空氣，該區(qū)域9的介電常數(shù)εc為1。
如圖4的右圖所示，當(dāng)使金屬板4帶電時(shí)，在金屬板4上產(chǎn)生電位VC，該電位由非接觸式的電位差計(jì)7檢出。
在由離子發(fā)生器1產(chǎn)生的全部離子中正離子和負(fù)離子以相同量存在的情況下，金屬板4即達(dá)到被電中和的狀態(tài)，電位差計(jì)7的輸出為0V。在正離子一方比負(fù)離子多的情況下，金屬板4帶正電，電位差計(jì)7的輸出為正。另一方面，在負(fù)離子一方比正離子多的情況下，金屬板4帶負(fù)電，電位差計(jì)7的輸出為負(fù)。此外，正離子和負(fù)離子的某一方的比例越大，即離子發(fā)生器的離子平衡越差，則電位差即7的輸出的絕對(duì)值就越大。
另外，使用以下的式13，將電位VC的測(cè)定值換算成所述HGA的導(dǎo)電圖案13及載梁11間的電位差Vh。
Vh=dhϵh·ϵcdcVc]]>這里，dh為被測(cè)定物HGA的導(dǎo)電圖案13及載梁11間的距離，dc為金屬板4和接地面6之間的距離，εh為所述HGA的絕緣襯底層12的介電常數(shù)，εc表示金屬板4和接地面6之間的區(qū)域9的介電常數(shù)。
當(dāng)dh＝10(μm)、εh＝2時(shí)，由于在本實(shí)施方式中，dc＝2(cm)＝20000(μm)、εc＝1，因此以下的式14成立。
Vh=14000·Vc]]>所以，當(dāng)使用離子發(fā)生器1對(duì)HGA進(jìn)行電中和時(shí)，推測(cè)HGA的導(dǎo)電圖案13及載梁11間的電位差Vh為電荷板探測(cè)器(CPM)3的金屬板4的電位VC的測(cè)定值的4000分之1。
在HGA工序中，有必要控制在MR元件產(chǎn)生損傷而再生信號(hào)出現(xiàn)紊亂的ESD耐壓以下，所以，使用離子發(fā)生器對(duì)HGA的表面電荷進(jìn)行電中和，控制HGA不超過(guò)ESD耐壓。
如以往的技術(shù)部分中所說(shuō)明的那樣，使用圖15的電路圖所示的裝置(設(shè)備帶電模型；CDM)17，可以測(cè)定對(duì)于HGA的放電電流的耐性(ESD耐性)。即，在使HGA的導(dǎo)電圖案13帶電而在導(dǎo)電圖案13及載梁11之間產(chǎn)生電位差V’后，將連接片13a、13a(開(kāi)放端子)的一方接地時(shí)所述MR元件發(fā)生損傷的電位差V’的值設(shè)為ESD耐壓Vd。例如，最近的HGA的ESD耐壓Vh為3V，當(dāng)在HGA的導(dǎo)電圖案13及載梁11間的電位差Vh超過(guò)3V的狀態(tài)下用金屬接觸連接片時(shí)，MR元件即被破壞。
即，按照使得HGA的導(dǎo)電圖案13及載梁11間的電位差Vh小于所述Vd的值的方式，對(duì)離子發(fā)生器產(chǎn)生的正離子和負(fù)離子的相對(duì)量進(jìn)行調(diào)節(jié)即可。
綜合考慮該情況和式14所示的結(jié)果，認(rèn)為當(dāng)使電荷板探測(cè)器(CPM)的金屬板4帶電時(shí)，在由電荷板探測(cè)器(CPM)3的金屬板4的電位VC在12(kV)以上的值的離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子氣氛中，會(huì)有HGA的MR元件發(fā)生損傷的危險(xiǎn)。
即，為了防止HGA的MR元件的損傷，按照使得利用離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子而帶電的電荷板探測(cè)器(CPM)3的金屬板4的電位VC小于HGA的ESD耐壓的4000倍的方式，對(duì)離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行調(diào)節(jié)即可。
當(dāng)像以往那樣，為了使電荷板探測(cè)器(CPM)的電壓顯示值在HGA的ESD耐壓Vd的數(shù)值以下，而對(duì)離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行調(diào)節(jié)時(shí)，有必要對(duì)由離子發(fā)生器產(chǎn)生的全部離子中的正離子和負(fù)離子的相對(duì)量進(jìn)行嚴(yán)密的控制，因而會(huì)有離子發(fā)生器的價(jià)格提高的問(wèn)題。但是，本發(fā)明不需要像以往那樣對(duì)由離子發(fā)生器產(chǎn)生的全部離子中的正離子和負(fù)離子的相對(duì)量進(jìn)行嚴(yán)密的控制，因此可以將離子發(fā)生器的價(jià)格抑制在較低水平。
而且，最好如圖8所示，在HGA的周圍設(shè)置多個(gè)電荷板探測(cè)器(CPM；電荷測(cè)定裝置)3，使用式13，將各個(gè)電荷板探測(cè)器(CPM)3的電位差VC的測(cè)定值的平均值換算為HGA的導(dǎo)電圖案13及載梁11之間的電位差Vh。
下面，將參照?qǐng)D5的框圖對(duì)本發(fā)明的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置的實(shí)施方式1進(jìn)行說(shuō)明。
當(dāng)使用該評(píng)價(jià)裝置時(shí)，就可以對(duì)離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行評(píng)價(jià)。本實(shí)施方式也對(duì)在載梁上安裝有收裝了薄膜磁元件的滑塊的頭平衡架組件(HGA)進(jìn)行電中和的離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行評(píng)價(jià)。HGA的構(gòu)造與圖2及圖3所示的構(gòu)造相同。
本發(fā)明的評(píng)價(jià)裝置與以往的電荷板探測(cè)器(CPM)相同，具有金屬板(導(dǎo)電板)21、設(shè)置于與該金屬板21相距特定距離的位置上的接地面22、對(duì)金屬板21的電位VC進(jìn)行測(cè)定的電位差計(jì)24。
另外，具備對(duì)具有夾隔電介質(zhì)而對(duì)向的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體的被測(cè)定物(HGA)的所述電介質(zhì)(絕緣襯底層)的介電常數(shù)的值εh及所述一對(duì)導(dǎo)電體之間(導(dǎo)電圖案13及載梁11間)的距離dh進(jìn)行輸入的輸入部27、從金屬板21的電位VC的測(cè)定值，通過(guò)進(jìn)行如下的式15的運(yùn)算，換算成與金屬板21相同氣氛下的所述HGA的導(dǎo)電體間(導(dǎo)電圖案13及載梁11間)的電位差Vh的轉(zhuǎn)換部26。
Vh=dhϵh·ϵcdc·Vc]]>其中，dc表示金屬板21和接地面22間的距離，εc表示金屬板21和接地面22間的區(qū)域23的介電常數(shù)。
例如，金屬板21和接地面22間的距離dc為2cm。另外，金屬板21和接地面22間的區(qū)域23僅存在空氣，該區(qū)域的介電常數(shù)εc為1。
轉(zhuǎn)換部26例如為數(shù)字運(yùn)算電路，電位差計(jì)24的電壓輸出由A/D轉(zhuǎn)換器25轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，輸入轉(zhuǎn)換部26中。
另外，將HGA的MR元件發(fā)生損傷的電位差的值(HGA的ESD耐壓)設(shè)為Vd，并設(shè)有對(duì)所述Vh的值和所述Vd的值進(jìn)行比較的比較運(yùn)算電路28、告知所述Vh的值小于所述Vd的值的顯示部29。顯示部29也可以顯示所述Vh的值和所述Vd的值。
另外，還設(shè)有向所述比較運(yùn)算電路28中輸入HGA的ESD耐壓Vd的輸入部30。
而且，本實(shí)施方式的評(píng)價(jià)裝置的外形與圖1所示的電荷板探測(cè)器(CPM)3相同。
首先，從輸入部27輸入HGA的絕緣襯底層12的介電常數(shù)的值εh及導(dǎo)電圖案13和載梁11間的距離dh。另外，從輸入部30向比較運(yùn)算電路28中輸入HGA的ESD耐壓Vd。
當(dāng)絕緣襯底層12由聚酰亞胺制成時(shí)，介電常數(shù)εh例如為2。另外，導(dǎo)電圖案13和載梁11間的距離dh例如為10μm。
然后，將從圖1所示的離子發(fā)生器1的開(kāi)口部2流出的離子打到金屬板21上，在所述離子的氣氛中使金屬板21帶電。當(dāng)使金屬板21帶電時(shí)，在金屬板21上即產(chǎn)生電位VC，該電位VC由電位差計(jì)24檢出。電位差計(jì)24的檢測(cè)部24a為非接觸式。
當(dāng)對(duì)電位VC的測(cè)定值進(jìn)行數(shù)字轉(zhuǎn)換，輸入給轉(zhuǎn)換部26中時(shí)，即輸出HGA的導(dǎo)電體間(導(dǎo)電圖案13和載梁11間)的電位差Vh，利用比較運(yùn)算電路28對(duì)HGA的ESD耐壓Vd和所述Vh的值進(jìn)行比較，當(dāng)所述Vh的值比所述Vd的值小時(shí)，利用顯示部29告知該結(jié)果。
本發(fā)明的離子發(fā)生器的評(píng)價(jià)裝置可以根據(jù)離子發(fā)生器所中和的被測(cè)定物上產(chǎn)生的電位差Vh的值，對(duì)離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行評(píng)價(jià)。
下面將參照?qǐng)D6對(duì)本發(fā)明的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置的實(shí)施方式2進(jìn)行說(shuō)明。
本實(shí)施方式的評(píng)價(jià)裝置E2也對(duì)在載梁上安裝有收裝了薄膜磁元件的滑塊的頭平衡架組件(HGA)進(jìn)行電中和的離子發(fā)生器的離子平衡進(jìn)行評(píng)價(jià)。HGA的構(gòu)造與圖2及圖3所示的構(gòu)造相同。
本實(shí)施方式也具有金屬板(導(dǎo)電板)31、設(shè)置于與該金屬板31相距特定距離的位置上的接地面32、對(duì)金屬板31的電位VC進(jìn)行測(cè)定的電位差計(jì)33。
另外，HGA的絕緣襯底層12的介電常數(shù)的值εh及導(dǎo)電圖案13和載梁11間的距離dh、金屬板31和接地面32之間的距離dc、金屬板31和接地面32之間的區(qū)域34的介電常數(shù)εc滿足以下的式16所示的關(guān)系。
dhϵh·ϵcdc=1]]>例如，使金屬板31和接地面32之間的距離dc與HGA的絕緣襯底層12的介電常數(shù)的值εh及導(dǎo)電圖案13和載梁11間的距離dh相等，并在金屬板31和接地面32之間的區(qū)域中填充與HGA的絕緣襯底層12相同的材料(聚酰亞胺)，使得評(píng)價(jià)裝置的介電常數(shù)εc與HGA的介電常數(shù)εh相等。
本實(shí)施方式通過(guò)使評(píng)價(jià)裝置的距離dc及介電常數(shù)εc與HGA的距離dh及介電常數(shù)εh相匹配地進(jìn)行調(diào)節(jié)，可以將金屬板31的電位VC的測(cè)定值作為HGA的導(dǎo)電圖案13和載梁11間的電位差Vh而求得。所以，與所述的實(shí)施方式1的評(píng)價(jià)裝置相比，不需要輸入機(jī)構(gòu)或轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)。
另外，當(dāng)如圖7所示的評(píng)價(jià)裝置E2那樣，金屬板31和接地面32之間的區(qū)域的介電常數(shù)εc與HGA的絕緣襯底層12的介電常數(shù)的值εh不同時(shí)，通過(guò)對(duì)金屬板31和接地面32之間的距離dc進(jìn)行設(shè)定，就可以使HGA的距離dh、介電常數(shù)εh、評(píng)價(jià)裝置的距離dc、介電常數(shù)εc滿足式16所示的關(guān)系。
而且，最好與圖8所示的方法相同，在HGA的周圍設(shè)置多個(gè)本發(fā)明的評(píng)價(jià)裝置，并設(shè)置計(jì)算出各評(píng)價(jià)裝置的輸出Vh的平均值的運(yùn)算處理部，將該平均值作為HGA的導(dǎo)電圖案13及載梁11間的電位差。
當(dāng)通過(guò)使由離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子的正離子和負(fù)離子的相對(duì)量(離子平衡)發(fā)生變化，而使離子平衡在某種程度上偏離時(shí)，對(duì)頭平衡架組件(HGA)的MR元件是否發(fā)生損傷進(jìn)行了研究。HGA使用的是圖2所示的構(gòu)造的裝置。實(shí)驗(yàn)中使用的HGA的CDM實(shí)驗(yàn)得到的ESD耐壓為3V。
將由離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子打到容量20pF的電荷板探測(cè)器(CPM)的金屬板上而使之帶電，檢測(cè)出與金屬板的帶電量對(duì)應(yīng)的電位差，利用該電位差的大小表示由離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子的正離子和負(fù)離子的相對(duì)量(離子平衡)。
首先如圖9所示，在將HGA的載梁接地后，將由所述離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子打到HGA上，使與MR元件連接的導(dǎo)電圖案帶電。然后，將導(dǎo)電圖案的連接片(開(kāi)放端子)的一方接地，在MR元件中瞬間地流過(guò)電流。其后，測(cè)定MR元件的再生輸出、非對(duì)稱性、直流電阻。另外，還測(cè)定了放電的瞬間的電流。
另外，如圖10所示，在HGA的載梁下面放置由絕緣材料制成的支撐臺(tái)，使HGA懸空，在使HGA的容量減小到1pF左右后，將由所述離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子打到HGA上，使與MR元件連接的導(dǎo)電圖案帶電。然后，將導(dǎo)電圖案的連接片(開(kāi)放端子)的一方接地，在MR元件中瞬間地流過(guò)電流，測(cè)定MR元件的再生輸出、非對(duì)稱性、直流電阻。
而且，當(dāng)使由離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子的離子平衡發(fā)生變化，將該離子打到容量20pF的電荷板探測(cè)器(CPM)上時(shí)，就會(huì)使得電荷板探測(cè)器的金屬板的電位的大小在0V到60V之間變化。
將結(jié)果表示在圖11到圖14中。圖11是再生輸出的測(cè)定結(jié)果，圖12是非對(duì)稱性的測(cè)定結(jié)果，圖13是直流電阻的測(cè)定結(jié)果，圖14是放電的瞬間的電流的測(cè)定結(jié)果。
在各個(gè)曲線圖中，符號(hào)a、b、c、d、e是將HGA的載梁接地時(shí)的結(jié)果，符號(hào)f、g、h是使HGA懸空時(shí)的結(jié)果。而且，測(cè)定全部是使用相同的HGA進(jìn)行的。
當(dāng)將HGA的載梁接地時(shí)，即使為了使電荷板探測(cè)器的電位的大小達(dá)到60V，而使由離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子的離子平衡發(fā)生偏移，MR元件的再生輸出、非對(duì)稱性、直流電阻也完全不發(fā)生變化。另外，僅在電荷板探測(cè)器的電位的大小為60V時(shí)，才能檢測(cè)到微量的放電的瞬間的電流。
如實(shí)施方式部分所說(shuō)明的那樣，由于HGA的導(dǎo)電圖案及載梁間的電位差Vh被推測(cè)為電荷板探測(cè)器(CPM)的電位VC的測(cè)定值的4000分之1，因此認(rèn)為當(dāng)電荷板探測(cè)器的電位的大小為60V時(shí)，HGA的導(dǎo)電圖案及載梁間的電位差Vh為15mV。由于HGA的ESD耐壓為3V，因此可以說(shuō)肯定不會(huì)發(fā)生MR元件的靜電破壞。
另一方面，當(dāng)使HGA懸空時(shí)，為了使電荷板探測(cè)器的電位的大小達(dá)到15V，而使由離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子的離子平衡發(fā)生偏移時(shí)，發(fā)現(xiàn)在MR元件的再生輸出、非對(duì)稱性、直流電阻中產(chǎn)生紊亂，即產(chǎn)生所謂的軟ESD。另外，當(dāng)為了使電荷板探測(cè)器的電位差的大小達(dá)到25V，而使由離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子的離子平衡發(fā)生偏移時(shí)，發(fā)現(xiàn)MR元件的再生輸出、非對(duì)稱性、直流電阻產(chǎn)生很大的紊亂，即產(chǎn)生所謂的硬ESD(MR元件的破壞)。另外，檢測(cè)到放電的瞬間的電流的大小與電荷板探測(cè)器的電位的大小成比例。
從以上的結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，由于HGA的ESD耐壓為3V，當(dāng)為了使電荷板探測(cè)器的金屬板的電位的大小達(dá)到3V，而使由離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子的離子平衡發(fā)生偏移時(shí)，MR元件并沒(méi)有發(fā)生損傷。
另外還發(fā)現(xiàn)，為了防止MR元件的損傷，將HGA的載梁可靠地接地是非常重要的。
雖然以上對(duì)本發(fā)明的適合的實(shí)施例進(jìn)行了敘述，但是在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以增加各種各樣的改動(dòng)。
而且，所述的實(shí)施例只是例示，而不是對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍加以限定的例子。
如果采用如上詳細(xì)說(shuō)明的本發(fā)明，則可以利用被測(cè)定物的帶電電荷推測(cè)該被測(cè)定物上產(chǎn)生的電位差Vh。
權(quán)利要求
1.一種帶電電位的評(píng)價(jià)方法，其特征是，具有如下步驟(a)獲得具有夾隔電介質(zhì)而對(duì)向的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體的被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)的值及所述一對(duì)電介質(zhì)之間的距離的步驟、(b)在特定的氣氛下，測(cè)定與接地面相隔特定距離而相對(duì)的導(dǎo)電板的電位VC的步驟、(c)使用以下的式1，對(duì)所述氣氛下的所述被測(cè)定物的所述第1電介質(zhì)及第2電介質(zhì)間的電位差Vh進(jìn)行換算的步驟，[式1]Vh=dhϵh·ϵcdcVc]]>其中，dh為被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的距離，dc為所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離，εh為所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)，εc為所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的介電常數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電電位的評(píng)價(jià)方法，其特征是通過(guò)使從離子發(fā)生器產(chǎn)生離子，形成設(shè)置導(dǎo)電板和接地面的氣氛。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶電電位的評(píng)價(jià)方法，其特征是所述被測(cè)定物的第1導(dǎo)電體具有一對(duì)開(kāi)放端子，在使該第1導(dǎo)電體帶電而在所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體之間產(chǎn)生電位差V’之后，將所述開(kāi)放端子的一方接地時(shí)所述第1導(dǎo)電體發(fā)生損傷的電位差V’的值設(shè)為Vd，對(duì)離子發(fā)生器產(chǎn)生的正離子和負(fù)離子的相對(duì)量進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得由所述(c)工序求得的Vh的值小于所述Vd的值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電電位的評(píng)價(jià)方法，其特征是在相同氣氛內(nèi)設(shè)置多組所述接地面和所述導(dǎo)電板，將各個(gè)所述導(dǎo)電板的所述電位VC的測(cè)定值的平均值作為所述VC。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶電電位的評(píng)價(jià)方法，其特征是所述被測(cè)定物為頭平衡架組件HGA，該頭平衡架組件HGA中連接有磁頭的第1導(dǎo)電體和作為第2導(dǎo)電體的載梁夾隔著作為電介質(zhì)的絕緣襯底層而相對(duì)向。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶電電位的評(píng)價(jià)方法，其特征是在所述頭平衡架組件HGA的第1導(dǎo)電體的上方，設(shè)置由絕緣材料制成的保護(hù)層。
7.一種帶電電位評(píng)價(jià)裝置，其特征是，具有接地面、與該接地面相隔特定的距離相對(duì)的導(dǎo)電板、測(cè)定該導(dǎo)電板的電位VC的電位測(cè)定機(jī)構(gòu)、對(duì)具有夾隔電介質(zhì)而對(duì)向的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體的被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)的值及所述一對(duì)導(dǎo)電體之間的距離進(jìn)行輸入的輸入機(jī)構(gòu)、從所述導(dǎo)電板的電位VC的測(cè)定值，進(jìn)行如下式2的運(yùn)算，換算成與所述導(dǎo)電板相同氣氛下的所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的電位差Vh的轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)，[式2]Vh=dhϵh·ϵcdcVc]]>其中，dh為所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的距離，dc為所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離，εh為所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)，εc為所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的介電常數(shù)。
8.一種帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是，具有接地面、與該接地面相隔特定的距離相對(duì)的導(dǎo)電板、測(cè)定該導(dǎo)電板的電位VC的電位測(cè)定機(jī)構(gòu)，以使具有夾隔電介質(zhì)而對(duì)向的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體的被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的距離dh、所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)εh、所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離dc、所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的介電常數(shù)εc滿足以下式3所示的關(guān)系的方式，可以設(shè)定或調(diào)整所述距離dc和介電常數(shù)εc，而將所述電位VC作為所述被測(cè)定物的第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的電位差Vh而求得。[式3]dhϵh·ϵcdc=1]]>
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是以使所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離dc與所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體間的距離dh相等，及使所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的區(qū)域的介電常數(shù)εc與所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)εh相等的方式，可以進(jìn)行設(shè)定或調(diào)整。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的區(qū)域的介電常數(shù)εc與所述被測(cè)定物的所述電介質(zhì)的介電常數(shù)εh不同，通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電板和所述接地面之間的距離dc進(jìn)行設(shè)定或調(diào)整能夠滿足所述式3所示的關(guān)系。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是設(shè)置有產(chǎn)生離子而將所述導(dǎo)電板和所述接地面設(shè)成特定氣氛的離子發(fā)生器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是還具有顯示機(jī)構(gòu)，所述被測(cè)定物的第1導(dǎo)電體具有一對(duì)開(kāi)放端子，在使該第1導(dǎo)電體帶電而使所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體之間產(chǎn)生電位差V’后，將所述開(kāi)放端子的一方接地時(shí)所述第1導(dǎo)電體發(fā)生損傷的電位差V’的值設(shè)為Vd的情況下，顯示機(jī)構(gòu)可以告知所述Vh的值比所述Vd的值小。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是所述被測(cè)定物為頭平衡架組件HGA，該頭平衡架組件HGA中連接有磁頭的第1導(dǎo)電體、作為第2導(dǎo)電體的載梁夾隔作為電介質(zhì)的絕緣襯底層而相對(duì)向。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是在所述頭平衡架組件HGA的第1導(dǎo)電體上方設(shè)置有由絕緣材料制成的保護(hù)層。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是設(shè)置有產(chǎn)生離子而將所述導(dǎo)電板和所述接地面設(shè)為特定氣氛的離子發(fā)生器。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是還具有顯示機(jī)構(gòu)，所述被測(cè)定物的第1導(dǎo)電體具有一對(duì)開(kāi)放端子，在使該第1導(dǎo)電體帶電而使所述被測(cè)定物的所述第1導(dǎo)電體及第2導(dǎo)電體之間產(chǎn)生電位差V’后，將所述開(kāi)放端子的一方接地時(shí)所述第1導(dǎo)電體發(fā)生損傷的電位差V，的值設(shè)為Vd的情況下，顯示機(jī)構(gòu)可以告知所述Vh的值比所述Vd的值小。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是所述被測(cè)定物為頭平衡架組件HGA，該頭平衡架組件HGA中連接有磁頭的第1導(dǎo)電體、作為第2導(dǎo)電體的載梁夾隔作為電介質(zhì)的絕緣襯底層而相對(duì)向。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的帶電電位的評(píng)價(jià)裝置，其特征是在所述頭平衡架組件HGA的第1導(dǎo)電體上方設(shè)置有由絕緣材料制成的保護(hù)層。
全文摘要
本發(fā)明提供根據(jù)離子發(fā)生器所中和的對(duì)象被測(cè)定物的表面電荷來(lái)推測(cè)該被測(cè)定物上產(chǎn)生的電位差Vh的帶電電位的評(píng)價(jià)方法及評(píng)價(jià)裝置，其使用以下式1將CPM(3)的電位差V
文檔編號(hào)G01R29/12GK1538182SQ20041003346
公開(kāi)日2004年10月20日 申請(qǐng)日期2004年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月15日
發(fā)明者川田貞夫 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社