專(zhuān)利名稱(chēng)：X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種X射線熒光分析用設(shè)備，尤其涉及一種X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，用于承載坩堝。
背景技術(shù)：
目前，高精度X射線熒光分析中，要將分析樣品制備成玻璃片。通常采用的設(shè)備有高頻感應(yīng)爐和電熱熔樣爐兩類(lèi)，后者用高溫合金支架來(lái)承載盛放有樣品的鉑-黃合金坩堝，因高溫下合金支架會(huì)與坩堝作用并損壞坩堝，因此要在支架與坩堝之間輔以陶瓷柱進(jìn)行隔離，并在坩堝上制作相應(yīng)的缺口以防熔樣爐工作時(shí)坩堝脫落，從而造成整體結(jié)構(gòu)復(fù)雜。另外，合金支架長(zhǎng)期在高溫下使用會(huì)被氧化、損壞，使用壽命有限。
為克服結(jié)構(gòu)復(fù)雜、使用壽命短的缺陷，要求提供一種載樣盤(pán)，該載樣盤(pán)可直接承載鉑-黃合金坩堝，在高溫下不與坩堝作用；同時(shí)，載樣盤(pán)耐熱性能非常好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不會(huì)在高溫下被氧化、損壞，使用壽命長(zhǎng)，成本低。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的是提供X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，可直接承載鉑-黃合金坩堝，在高溫下不與坩堝作用；同時(shí)，載樣盤(pán)耐熱性能非常好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不會(huì)在高溫下被氧化、損壞，使用壽命長(zhǎng)，成本低。
本實(shí)用新型的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，陶瓷載樣盤(pán)的整體為一圓盤(pán)，圓盤(pán)的中心設(shè)置有軸孔，軸孔與電熱熔樣爐的轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接；圓盤(pán)的四周設(shè)有多個(gè)沿軸向的透孔。
所述的圓盤(pán)的上表面為平面，圓盤(pán)的下表面中部設(shè)有圓臺(tái)，軸孔設(shè)于圓臺(tái)中部；圓盤(pán)的下表面從圓臺(tái)側(cè)面至圓盤(pán)外邊沿徑向設(shè)有加強(qiáng)筋。
所述的軸孔為方孔。
所述的加強(qiáng)筋為多個(gè)，設(shè)于兩個(gè)透孔之間。
所述的加強(qiáng)筋沿徑向由內(nèi)至外厚度逐漸減小。
所述的透孔為圓型。
所述的透孔邊緣設(shè)有缺口。
由以上技術(shù)方案可知本實(shí)用新型所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，陶瓷載樣盤(pán)的整體為一圓盤(pán)，圓盤(pán)的中心設(shè)置有軸孔，軸孔與電熱熔樣爐的轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接；圓盤(pán)的四周設(shè)有多個(gè)沿軸向的透孔。另外陶瓷載樣盤(pán)由高溫陶瓷材料制成的，解決合金制坩堝架的結(jié)構(gòu)復(fù)雜問(wèn)題和在高溫下的氧化問(wèn)題?？芍苯映休d鉑-黃合金坩堝，在高溫下不與坩堝作用；同時(shí)，載樣盤(pán)耐熱性能非常好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不會(huì)在高溫下被氧化、損壞，使用壽命長(zhǎng)，成本低。


圖1為本實(shí)用新型所述X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)主視圖；圖2為本實(shí)用新型所述X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)俯視圖；圖3為本實(shí)用新型所述X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)仰視圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，的具體實(shí)施方式
如圖1、圖2與圖3所示陶瓷載樣盤(pán)的整體為一圓盤(pán)，圓盤(pán)的上表面為平面，圓盤(pán)的下表面中部設(shè)有圓臺(tái)1，圓盤(pán)的中心的軸孔2設(shè)于圓臺(tái)1中部；所述的軸孔2為方孔，軸孔2與電熱熔樣爐的轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接。圓盤(pán)的四周設(shè)有多個(gè)沿軸向的透孔3，用于承載坩堝，透孔3為圓型，透孔3邊緣設(shè)有缺口4，該缺口4的目的是取放樣品、釋放盤(pán)面在高溫下的熱應(yīng)力。圓盤(pán)的下表面從圓臺(tái)1側(cè)面至圓盤(pán)外邊沿徑向設(shè)有加強(qiáng)筋5，用以增加整個(gè)載樣盤(pán)的機(jī)械強(qiáng)度，加強(qiáng)筋5沿徑向由內(nèi)至外厚度逐漸減小。
本實(shí)用新型所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)是經(jīng)高溫?zé)贫?，燒制方法與常規(guī)高溫陶瓷相同。燒制成的載樣盤(pán)經(jīng)拋光后，可直接使用?？捎糜谠?250攝氏度以下。使用時(shí)，將載樣盤(pán)的方形軸孔2套在熔樣爐中的轉(zhuǎn)動(dòng)軸上，在有透孔3的位置放置盛有樣品的坩堝即可。
權(quán)利要求1.一種X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，其特征在于，陶瓷載樣盤(pán)的整體為一圓盤(pán)，圓盤(pán)的中心設(shè)置有軸孔，軸孔與電熱熔樣爐的轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接；圓盤(pán)的四周設(shè)有多個(gè)沿軸向的透孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，其特征在于，所述的圓盤(pán)的上表面為平面，圓盤(pán)的下表面中部設(shè)有圓臺(tái)，軸孔設(shè)于圓臺(tái)中部；圓盤(pán)的下表面從圓臺(tái)側(cè)面至圓盤(pán)外邊沿徑向設(shè)有加強(qiáng)筋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，其特征在于，所述的軸孔為方孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，其特征在于，所述的加強(qiáng)筋為多個(gè)，設(shè)于兩個(gè)透孔之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，其特征在于，所述的加強(qiáng)筋沿徑向由內(nèi)至外厚度逐漸減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，其特征在于，所述的透孔為圓型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，其特征在于，所述的透孔邊緣設(shè)有缺口。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型所述的X射線熒光分析用電熱熔樣爐的陶瓷載樣盤(pán)，陶瓷載樣盤(pán)的整體為一圓盤(pán)，圓盤(pán)的中心設(shè)置有軸孔，軸孔與電熱熔樣爐的轉(zhuǎn)動(dòng)軸連接；圓盤(pán)的四周設(shè)有多個(gè)沿軸向的透孔。另外陶瓷載樣盤(pán)由高溫陶瓷材料制成的，解決合金制坩堝架的結(jié)構(gòu)復(fù)雜問(wèn)題和在高溫下的氧化問(wèn)題?？芍苯映休d鉑－黃合金坩堝，在高溫下不與坩堝作用；同時(shí)，載樣盤(pán)耐熱性能非常好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不會(huì)在高溫下被氧化、損壞，使用壽命長(zhǎng)，成本低。
文檔編號(hào)G01N23/223GK2748909SQ03266100
公開(kāi)日2005年12月28日 申請(qǐng)日期2003年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月27日
發(fā)明者詹秀春, 陳永君, 楊嘯濤 申請(qǐng)人:國(guó)家地質(zhì)實(shí)驗(yàn)測(cè)試中心