專利名稱：方位傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及各種電子設(shè)備所使用的方位傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖10A為以往的方位傳感器的立體圖，圖10B為圖10A的A-A線剖視圖。
以往的方位傳感器具有以下的結(jié)構(gòu)。
*在基板1的上面具有4個檢測元件2A～2D的橋式電路3*覆蓋具有該橋式電路3的基板1并保持基板1的支架4*在該支架4的周圍卷繞、由規(guī)定匝數(shù)的導(dǎo)線形成的作為相互垂直的偏磁施加單元的第1及第2線圈5A及5B。
上述以往的方位傳感器是用支架4覆蓋設(shè)置有檢測元件2A～2D的基板1，再在該支架4的周圍卷繞第1及第2線圈5A及5B。因此，以往的方位傳感器形狀較大，難以小型化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方位傳感器包含具有設(shè)置在基板主表面的至少2個及2個以上的檢測元件的第1檢測電路、相同結(jié)構(gòu)的第2檢測電路、設(shè)置在與第1檢測電路相對位置的第1偏磁施加單元、以及與第2檢測電路相對設(shè)置的第2偏磁施加單元。第2偏磁施加單元在與第1偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場方向不同的方向產(chǎn)生磁場。


圖1A為本發(fā)明實施形態(tài)1的方位傳感器的立體圖。
圖1B為本發(fā)明實施形態(tài)1的方位傳感器的分解立體圖。
圖2為圖1A的A-A線的本發(fā)明實施形態(tài)1的方位傳感器剖視圖。
圖3為本發(fā)明實施形態(tài)1的方位傳感器的主要部分的第1及第2橋式電路頂視圖。
圖4為本發(fā)明實施形態(tài)1的方位傳感器的主要部分的第1橋式電路的電路圖。
圖5所示為本發(fā)明實施形態(tài)1的方位傳感器的第1及第2偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場強度與檢測方位誤差的關(guān)系。
圖6為本發(fā)明實施形態(tài)1的其它方位傳感器的剖視圖。
圖7為本發(fā)明實施形態(tài)2的方位傳感器的剖視圖。
圖8為本發(fā)明實施形態(tài)3的方位傳感器的主要部分的第1及第2橋工電路周邊的頂視圖。
圖9為本發(fā)明實施形態(tài)1～3的方位傳感器的第1檢測電路的巴里斯(バリ－ション)電路圖。
圖10A為以往的方位傳感器的立體圖。
圖10B為圖10A的A-A線的以往的方位傳感器的剖視圖。
具體實施例方式
以下用

本實施形態(tài)，另外，構(gòu)成同樣結(jié)構(gòu)的剖分附加相同的標(biāo)號進行說明，并省略詳細說明。
(實施形態(tài)1)圖1A為本發(fā)明實施形態(tài)1的方位傳感器的立體圖，圖1B為圖1A的分解立體圖，圖2為圖1A的A-A剖視圖，圖3為圖1A的主要部分的第1及第2橋式電路的頂視圖。圖4的實施形態(tài)1的方位傳感器的第1橋式電路的電路圖。
如圖1A～圖3所示，本實施形態(tài)的方位傳感器具有以下的結(jié)構(gòu)。
*基反11*設(shè)置在該基板11的上面的具有第1檢測元件12A～第4檢測元件12D的第1橋式電路13(第1檢測電路)*具有第5檢測元件12E～第8檢測元件12H的第2橋式電路14(第2檢測電路)*分別設(shè)置在第1橋式電路13及第2橋式電路14的上面的絕緣層15A及15B*分別設(shè)置在絕緣層15A及15B的上面的分別與第1及第2橋式電路13及14相對位置的第1偏磁施加單元16及第2偏磁施加單元(以下稱為施加單元)17。
*分別設(shè)置在第1施加單元16及第2施加單元的上面的由環(huán)氧樹脂、硅樹脂等形成的覆蓋層21A及21B另外，第1及第2施加單元16及17是這樣構(gòu)成的，使其產(chǎn)生的磁場方向分別如圖3的箭頭31及32所示，相互近似相差90°。
以下說明這些構(gòu)成要素。
基板11為矩形形狀，由氧化鋁等具有絕緣性的材料制成，最好在其主表面形成玻璃釉層。這是因為玻璃釉層容易得到平滑的表面，容易形成第1橋式電路13及第2橋式電路14。
第1橋式電路13由第1檢測元件12a、第2檢測元件12B、第3檢測元件12C及第4檢測元件12D構(gòu)成。這里，第1檢測元件12A至第4檢測元件12D是將強磁性薄膜或人造晶格多層膜等多次折疊而形成的。強磁性薄膜由NiCo、NiFe等制成，在垂直加上外部磁場時，電阻值變化率為最大。另外，通過多次折疊，由于橫切地磁場的條數(shù)增加，因此電阻值變化率增大，地磁場的檢測靈敏度提高。
這里，第1檢測元件12A與第2檢測元件12B在電路上是串聯(lián)連接，第3檢測元件12C與第4檢測元件12D在電路上也是串聯(lián)連接。然后，第1檢測元件12A與第2檢測元件12B的串聯(lián)電路和第3檢測元件12C與第4檢測元件12D的串聯(lián)電路在電路上并聯(lián)連接。再有，第1檢測元件12A與第2檢測元件12B的連接部分與第1輸出電極20A連接，第3檢測元件12C與第4檢測元件12D的連接部分與第2輸出電極20B連接。
另外，第1檢測元件12A與第2檢測元件12B的圖形長度方向互相相差近似90°。第3檢測元件12C與第4檢測元件12D也是同樣的結(jié)構(gòu)。然后，第1檢測元件12A與第4檢測元件12D的圖形長度方向是平行的。第2檢測元件12B與第3檢測元件12C也是同樣的結(jié)構(gòu)。
另外，第1檢測元件12A及第3檢測元件12C與輸入電極18A連接。而第2檢測元件12B及第4檢測元件12D與接地電極19A連接。
這樣，第1檢測元件12A至第4檢測元件12D如圖4所示，構(gòu)成全橋電路。從而，利用橋式電路的作用，從第1輸出電極20A與第2輸出電極20B分別得到的2個輸出電壓的差動電壓的變動增大。因此，能夠以高精度檢測方位。再有，由于能夠抵消2個輸出電壓的噪聲，因此由噪聲產(chǎn)生的檢測誤差將減小。
再有，第1檢測元件12A～第4檢測元件12D的各長度方向分別與第1施加單元16產(chǎn)生的磁場形成45°的角度。采用這樣的結(jié)構(gòu)，可以認(rèn)為第1檢測元件12A～第4檢測元件12D的電阻值相對于磁場的變化是進行線性變化。因此，根據(jù)差動電壓容易算出方位。另外，在本實施形態(tài)中，第1檢測元件12A～第4檢測元件12D的各長度方向與第1施加單元16產(chǎn)生的磁場形成的角度是取45°。該角度若取0°或180°，由于第1施加單元16產(chǎn)生的磁場將無助于檢測元件的電阻值變化，因此起不到偏置磁場的作用。因而，即使是45°以外，也最好是采用除了0°及180°以外的角度。
另外，輸入電極18A、接地電極19A、第1輸出電極20A及第2輸出電極20B發(fā)別用銀或銀鈀等構(gòu)成。
與第1橋式電路13相同，第2橋式電路14也具有第5檢測元件12E、第6檢測元件12F、第7檢測元件12G及第8檢測元件12H。然后，與輸入電極18B、接地電極19B、第3輸出電極20C及第4輸出電極20D連接。
這些構(gòu)成要素中，第2橋式電路14的第5檢測元件12E與第1橋式電路13的第1檢測元件12A相對應(yīng)。以下同樣，分別為第6檢測元件12F與經(jīng)2檢測元件2B相對應(yīng)，第2檢測元件12G與第3檢測元件12C相對應(yīng)，第8檢測元件12H與第4檢測元件12D相對應(yīng)，輸入電極18B與輸入電極18A相對應(yīng)，接地電極19B與接地電極19A相對應(yīng)，第3輸出電極20C與第1輸出電極20A相對應(yīng)，第4輸出電極20D與第2輸出電極20B相對應(yīng)。
另外，輸入電極18A與輸入電極18B在電路上連接，接地電極19A與接地電極19B在電路上連接。即，第1橋式電路13與第2橋式電路14在電路上并聯(lián)連接。
輸入電極18A及18B、接地電極19A及19B、第1輸出電極20A、第2輸出電極20B、第3輸出電極20C及第4輸出電極20D為了與外部進行信號的輸入輸出，而分別露出在外面。
絕緣層15A及絕緣層15B分別設(shè)置在第1橋式電路13及第2橋式電路14的上面。它們由具有絕緣性的SiO2、氧化鋁、環(huán)氧樹脂或硅樹脂等形成，將第1及第2橋式電路13及14與第1及第2施加單元16及17進行電氣絕緣。這時，用絕緣層15A覆蓋第1檢測元件12A～第4檢測元件12D，用絕緣層15B覆蓋第5檢測元件12E～第8檢測元件12H。
另外，作為絕緣層15A及15B若采用SiO2，則在采用CoPt合金作為施加單元16及17的密封性好，因此，耐濕性等可靠性提高，另外，價格還便宜。
另外，第1施加單元16及第2施加單元17分別設(shè)置在絕緣層15A的上面的與第1橋式電路13相對的位置及絕緣層15B的上面的與第2橋式電路14相對的位置。它們由設(shè)定磁場方向的CoPt合金、CoCrPt合金及鐵氧體等磁體構(gòu)成。第1施加單元17覆蓋第2橋式電路14的整個表面。另外，第1與第2施加7單元16與17產(chǎn)生的磁場的方向如前所述，相互相差近似90°。再有，第1及第2施加單元16及17產(chǎn)生5～200e強度的磁場。
下面說明對第1及第2施加單元16及17的磁場強度采用5～200e的理由。
圖5所示為第1及第2施加單元6及7產(chǎn)生的磁場強度檢測方位誤差的關(guān)系。在該圖中，設(shè)允許的方位誤差為7°。這是為了檢測36個方位所允許的最大限度的誤差。
由圖5可知，通過對磁場強度采用5～200e，能夠降低檢測的方位誤差，以高精度檢測方位。
若這樣，則由于磁場強度為200e以下，因此與地磁場的磁場強度之差減小。另外，由于磁場強度為50e以上，因此第1及第2橋式電路13及14以一定以上的強度輸出。根據(jù)以上的理由，最好對第1及第2施加單元16及17的磁場強度采用5～200e。
另外，在所希望的檢測方位的誤差較小時，必須進一步限定磁場強度的范圍。例如，在允許的方位誤差為5°時，要對磁場強度采用6.0～18.00e。更進一步最好對磁場強度采用7.5～15.00e。
另外，若采用CoPt合金作為第1及第2施加單元16及17，則能夠?qū)⑵浜穸葴p小至500nm左右。而且，由于厚度的誤差減小，因此偏置磁場的強度穩(wěn)定。
另外，若采用鐵氧體作為第1及第2施加單元16及17，則施加單元16及17的價格便宜。
以下說明本發(fā)明實施形態(tài)1的方位傳感器的制造方法。
首先，在基板11的上面形成第1檢測元件12A～第8檢測元件12H、輸入電極18A及18B、接地電極19A及19B、第1輸出電極20A～第4輸出電極20D。這時，采用印刷、蒸鍍等方法。
這時，利用第1檢測元件12A～第4檢測元件12D形成第1橋工電路13，并在規(guī)定位置形成輸入電極18A、接地電極19A、第1輸出電極20A及第2輸出電極20B。同樣，利用第5檢測元件12E～第8檢測元件12H形成第2橋式電路14，并在規(guī)定位置形成輸入電極18B、接地電極19B、第3輸出電極20C及第4輸出電極20D。
然后，在第1橋式電路13的上面及第2橋式電路14的上面分別形成絕緣層15A及絕緣層15B。如前所述，使得絕緣層15A及絕緣層15B分別覆蓋第1檢測元件12A～第4檢測元件12D及第5檢測元件12E～第8檢測元件12H。
然后，在絕緣層15A的上面的與第1橋式電路相對的位置利用印刷、腐蝕等形成第1偏磁施加單元16。另外，在絕緣層15B的上面的與第2橋式電路14相對的位置形成第2偏磁施加單元17。然后，使磁場發(fā)生線圈接近第1及第2施加單元16及17，通過這樣分別設(shè)定磁場的方向。
這時，如圖3所示，使得第1檢測元件12A～第8檢測元件12H的長度方向與第1及第2施加單元16及17產(chǎn)生的磁場形成45°的角度。另外，使得第1與稿費2施加單元16與17產(chǎn)生的磁場方向近似相差90°。
另外，最好利用分離法形成第1及第2施加單元16及17。通過這樣，絕緣層15A、絕緣層15B、第1及第2橋式電路和13及14不受損傷。
即，首先在不形成第1及第2施加部分16及17的部分形成抗蝕劑。然后，在絕緣層15A及15B的整個表面配置構(gòu)成第1及第2施加單元的磁性材料。然后，除去抗蝕劑，在規(guī)定位置設(shè)置第1及第2施加單元16及17。通過這樣，只要除去抗蝕劑，則不需要的磁性材料也同時除去。同時，不需要像腐蝕法那樣直接除去不需要的磁性材料，因此腐蝕液不會附著或浸透絕緣層15A、絕緣層15B、第1及第2橋式電路13及14。
特別是在用腐蝕法形成作為第1及第2施加單元16及17的CoPt合金時，作為腐蝕液必須使用強酸性溶液。因此，絕緣層15A及15B或第1及第2橋式電路13及14會受到腐蝕液的損傷。耐濕性等下降，會影響可靠性。但是，若采用分離法，則不產(chǎn)生這樣的問題，能夠得到可靠性高的方位傳感器。
另外，在本實施形態(tài)中，在形成第1及第2施加單元16及17后，設(shè)定它們的磁場方向。通過這樣，由于能夠同時或邊續(xù)設(shè)定第1及第2施加單元16及17的磁場方向，因此生產(chǎn)率提高。另外，也可以將已經(jīng)設(shè)定了磁場方向的永磁體配置在絕緣層15A的上面。
最后，利用鑄模等在第1施加單元16的上面形成覆蓋層21A，利用鑄模等在第2施加單元17的上面形成覆蓋層21B。
以下說明本發(fā)明實施形態(tài)1的方位傳感器的工作原理。
首先，在第1橋式電路13的輸入電極18A與接地電極19A之間加上規(guī)定的電壓。這時，從第1偏磁施加單元16產(chǎn)生的磁場及地磁場作用于第1檢測元件12A～第4檢測元件12D，其電阻值發(fā)生變化。這時，從第1輸出電極20A與第2輸出電極20B輸出與電阻值變化相對應(yīng)的電壓，檢測該兩端的差動輸出電壓。該電壓隨地磁場與第1橋式電路13的夾角而變化。相對于地磁場與第1橋式電路睡13的夾角，該差動輸出電壓相應(yīng)呈近似正弦波變化。
在第2橋式電路14中也同樣，在第3輸出電壓20C與第4輸出電壓20D之間，檢測出相應(yīng)于地磁場與第2橋式電路14的夾角而呈近似正弦波變化的差動輸出電壓。
這里，像本實施形態(tài)那樣，第1施加單元16與第2施加單元1 7的磁場方向相差90°。這樣，一個差動輸出電壓與另一個差動輸出電壓的相位相差90°。即，若設(shè)方位為θ，則一個輸出為Asinθ，而另一個輸出為A’cosθ。若用振幅A及A’將它們歸一化，則計算兩輸出之比即tanθ，就容易檢測出方位θ。另外，若能抑制施加單元的強度差異，使得振幅近似相等，則不需要歸一化處理。
這時，第1及第2施加單元16及17產(chǎn)生的磁場方向不同，只要使方位θ的測量誤差在規(guī)定范圍內(nèi)、例如在7°以內(nèi)的程度即可。在本實施形態(tài)中，由第1與第2施加單元16與17產(chǎn)生的磁場方向31與32的夾角設(shè)為還似90°。但是，該角度也可以不是90°。即，若使第1與第2施加單元16與17產(chǎn)生的磁場方向不同，則第1與第2橋式電路13與14的輸出相位互相不同。由于第1橋式電路13的輸出呈正弦波變化，因此在2個方位角度取出同一個值。但是，利用第1橋式電路13的輸出與第2橋式電路14的輸出之差的標(biāo)號，方位能決定為1個角度。通過這樣，能夠檢測0～360°范圍的全方位。這時，必須使磁場方向不同，達到第1與第2橋式電路13與14的各輸出相位不重復(fù)的程度。
另外，在本實施形態(tài)中，絕緣層15A與15B是分開的不同的層，覆蓋層21A與21B也是分開的不同的層，但也可以如圖6所示，將它們一體構(gòu)成。
圖6為本發(fā)明實施形態(tài)1的其它方位傳感器的剖視圖。覆蓋層15同時覆蓋第1橋式電路13及第2橋式電路14。另外，覆蓋層21也覆蓋第1施加單元16及第2施加單元17。
即使是這樣的結(jié)構(gòu)，也能夠得到與圖1所示的方位傳感器同樣的作用效果。
(實施形態(tài)2)下面用圖7說明本發(fā)明的實施形態(tài)2。圖7為本發(fā)明實施形態(tài)2的方位傳感器的剖視圖。
在實施形態(tài)1中，是在基板的單面一側(cè)形成第1及第2橋式電路等，而在第2實施形態(tài)中，是在基板的上面形成第1橋式電路，在基板的上面形成第2橋式電路。除此以外的結(jié)構(gòu)與實施形態(tài)1相同。
以下說明實施形態(tài)2的結(jié)構(gòu)。
在基板11的上面形成第1橋式電路13，再在第1橋式電路13的上面形成第1絕緣層15A。在第1絕緣層15A的上面的與第1橋式電路13相對的位置形成第1偏磁施加單元16。再在其上面形成第1覆蓋層21A。
另外，在基板11的下面形成第2橋式電路14，再在第2橋式電路14的下面形成第2絕緣層15B。在第2絕緣層15B的下面的與第2橋式電路14相對的位置形成第2偏磁施加單元17，再在其下面形成第2覆蓋層21B。
這樣，本實施形態(tài)的方位傳感器，是將第1及第2橋式電路13及14形成在基板11的不同面上。因此，與將第1及第2橋式電路13及14形成在同一面上相比，主表面的面積減少。通過這樣，方位傳感器能夠小型化。再有，由于將第1及第2施加單元16及17形成在不同面上，因此第1與第2施加單元16與17之間的距離增大。通過這樣，從第1施加單元16產(chǎn)生的磁場對第2橋式電路14的影響減小。同樣，從第2施加單元17產(chǎn)生的磁場對第1橋式電路13的影響減小。
(實施形態(tài)3)下面用圖8說明本發(fā)明實施形態(tài)3。圖8為本發(fā)明實施形態(tài)3的方位傳感器的主要部分的第1及第2橋式電路的頂視圖。
在實施形態(tài)3的方位傳感器中，是對于實施形態(tài)1的方位傳感器，進一步從上面來看還在第1及第2橋式電路13及14的周圍設(shè)置偏磁施加單元。
如圖8所示，在第1橋式電路13的周邊配置偏磁施加單元16A、16B、16C及16D。它們構(gòu)成周圍偏磁施加單元。同樣，在第2橋式電路14的周邊配置偏磁施加單元(以下稱為施加單元)17A、17B、17C及17D。
這里，施加單元16A將與第1橋式電路13相對的一側(cè)作為N極。另外，隔著第1橋式電路13與施加單元16A相對配置的施加單元16B，將與第1橋式電路13相對的一側(cè)作為S極。處于第1橋式電路13的周邊、位于施加單元16A與施加單元16之間的施加單元16C，將與施加單元16A相對的一側(cè)作為N極，將與施加單元16B相對的一側(cè)作為S極。隔著第1橋式電路13與施加單元16C相對、向且位于施加單元16A與施加單元16B之間的施加單元16D，將與施加單元16A相對的一側(cè)作為N極，將與施加單元16B相對的一側(cè)作為S極。
施加單元17A～17D配置在第2橋式電路14的周邊，磁場方向處于將施加單元16A～16D順時針旋轉(zhuǎn)90°的方向。
另外，實施形態(tài)3的方位傳感器的整個結(jié)構(gòu)是對第1實施形態(tài)的方位傳感器附加施加單元16A～16D及17A～17D的而構(gòu)成的。即，在第1橋式電路13及第2橋式電路14的上方雖未圖示，仍分別設(shè)置有第1施加單元16及第2施加單元17。這時，第1施加單元16的磁場方向如圖8中的箭頭81所示，左側(cè)是N極，右側(cè)是S極。另外，第2施加單元17的磁場方向如箭頭82所示，上側(cè)是N極，下側(cè)是S極。
若采用這樣的結(jié)構(gòu)，則磁場不容易從施加單元16A～16D包圍的部分向其外部泄漏。通過這樣，由于磁場對第1橋式電路13的施加效率高，因此即使構(gòu)成施加單元16及16A～D的永磁體的磁力減弱，也產(chǎn)生作用。若這樣，施加給第1橋式電路13的磁場對第2橋式電路14產(chǎn)生影響的可能性減小。對于施加單元17A～17D也同樣。
以上說明了本發(fā)明實施形態(tài)1～實施形態(tài)3，由于它們不要支架及線圈，因此能夠小型化。再有，不是對線圈通電而產(chǎn)生偏置磁場，是采用永磁體。這樣，方位傳感器不需要磁場產(chǎn)生用的電功率，是節(jié)能型。這樣的方位傳感器也可裝在便攜終端等裝置上。
另外，在上述所有的實施形態(tài)中，第1檢測電路及第2檢測電路都是用4個檢測元件構(gòu)成的橋式電路結(jié)構(gòu)，采用檢測其差動電壓的方法。但是，也可以用2個檢測元件的半橋電路來構(gòu)成第1檢測電路及第2檢測電路。關(guān)于這種情況，下面用圖9進行說明。圖9為本發(fā)明的方位傳感器的第1檢測電路的巴里斯(バリ－ション)電路圖。
第1檢測電路和90由第1檢測元件12A及第2檢測元件12B構(gòu)成。在第1檢測電路90中，對輸入電極18A與接地電極19A之間加上規(guī)定的電壓，通過這樣來檢測第1輸出電極20A與接地電極19A之間的電壓。該電路結(jié)構(gòu)由于具有半個橋式電路的結(jié)構(gòu)，因此稱為“半橋電路”。
另外，關(guān)于第1檢測元件12與第2檢測元件12B的位置關(guān)系、以及與第1檢測電路90相對的第1偏磁施加單元的磁場方向的位置關(guān)系，則與實施形態(tài)1相同。
在第2檢測電路中也司以同樣構(gòu)成。
這樣的半橋電路結(jié)構(gòu)與橋式電路的情況相比，由于檢測元件的數(shù)量為一半，因此電路所需要的面積也減小，電路結(jié)構(gòu)簡單，也有利于小型化。
工業(yè)上的實用性以上那樣的本發(fā)明的方位傳感器具有以下的結(jié)構(gòu)。
*基板*設(shè)置在該基板主表面的至少2個及2個以上的檢測元件的第1檢測電路，以及相同結(jié)構(gòu)的第2檢測電路*設(shè)置在與第1檢測電路相對位置的第1偏磁施加單元*與第2檢測電路相對設(shè)置的、而且在與第1偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場方向不同的方向產(chǎn)生磁場的第2偏磁單元。
利用該結(jié)構(gòu)，就不要支架及線圈，這樣就得到能夠小型化的方位傳感器。
權(quán)利要求
1.一種方位傳感器，其特征在于，包括基板、設(shè)置在所述基板主表面的具有至少2個及2個以上的檢測元件的第1檢測電路、設(shè)置在所述基板主表面的具有至少2個及2個以上的檢測元件的第2檢測電路、設(shè)置在與所述第1檢測電路相對位置的第1偏磁施加單元、以及與所述第2檢測電路相對設(shè)置、而且在與所述第1偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場方向不同的方向產(chǎn)生磁場的第2偏磁單元。
2.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，所述第1及第2偏磁施加單元由永磁體構(gòu)體。
3.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，還包括覆蓋所述第1檢測電路及所述第2檢測電路的至少一方的絕緣層。
4.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，所述第1檢測電路，具有第1檢測元件、與所述第1檢測元件的圖形長度方向不同、而且與所述第1檢測元件在電路上串聯(lián)連接的第2檢測元件、與所述第2檢測元件的圖形長度方向平行的第3檢測元件、以及與所述第3檢測元件在電路上串聯(lián)連接、而且與所述第1檢測元件的圖形長度方向平行的第4檢測元件，所述第1檢測元件及所述第2檢測元件與所述第3檢測元件及所述第4檢測元件分別在電路上并聯(lián)連接，所述第2檢測電路，具有第5檢測元件、與所述第5檢測元件的圖形長度方向不同、而且與所述第5檢測元件在電路上串聯(lián)連接的第6檢測元件、與所述第6檢測元件的圖形長度方向平行的第7檢測元件、以及與所述第7檢測元件在電路上串聯(lián)連接、而且與所述第5檢測元件的圖形長度方向平行的第8檢測元件，所述第5檢測元件及所述第6檢測元件與所述第7檢測元件及所述第8檢測元件分別在電路上并聯(lián)連接。
5.如權(quán)利要求4所述的方位傳感器，其特征在于，所述第1偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場方向與所述第2偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場方向所形成的角度為90°，所述第1檢測元件的圖形長度方向與所述第2檢測元件的圖形長度方向所形成的角度為90°，而且所述第5檢測元件的圖形長度方向與所述第6檢測元件的圖形長度方向所形成的角度為90°。
6.如權(quán)利要求5所述的方位傳感器，其特征在于，所述第1偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場方向與所述第1檢測元件的圖形長度方向所形成的角度為45°，所述第2偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場方向與所述第5檢測元件的圖形長度方向所形成的角度為45°。
7.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，所述第1檢測電路，具有第1檢測元件、以及與所述第1檢測元件的圖形長度方向不同、而且與所述第1檢測元件在電路上串聯(lián)連接的第2檢測元件，所述第2檢測電路，具有第3檢測元件、以及與所述第3檢測元件的圖形長度方向不同、而且與所述第3檢測元件在電路上串聯(lián)連接的第4檢測元件。
8.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，用CoPt合金及鐵氧化的某一種材料構(gòu)成所述第1及第2偏磁施加單元。
9.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，用SiO2構(gòu)成所述絕緣層。
10.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，使所述第1及第2偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場強度為50e及以上和200e以下。
11.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，還包括包圍第1檢測電路及第2檢測電路的至少一方的周圍偏磁施加單元。
12.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，將所述第1檢測電路及第2檢測電路設(shè)置在所述基板的互相不同的主表面。
13.如權(quán)利要求1所述的方位傳感器，其特征在于，所述基板在主表面上具有玻璃油層。
14.一種方位傳感器的制造方法，其特征在于，包括下述工序1)在基板的主表面上形成第1檢測電路及第2檢測電路的工序、2)在與所述第1檢測電路相對的位置形成第1偏磁施加單元、并在與所述第2檢測電路相對的位置形成第2偏磁施加單元的工序，使得所述第1偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場方向與所述第2偏磁施加單元產(chǎn)生的磁場方向不同。
15.如權(quán)利要求14所述的方位傳感器的制造方法，其特征在于，還包括形成覆蓋所述第1檢測電路及所述第2檢測電路的至少一方的絕緣層的工序
16.如權(quán)利要求15所述的方位傳感器的制造方法，其特征在于，所述工序2，具有在所述絕緣層的所述第1及第2偏磁施加單元非形成部位形成抗蝕劑的工序、在所述絕緣層的整個表面配置構(gòu)成所述第1及第2偏磁施加單元的磁性材料的工序、以及除去所述抗蝕劑的工序。
17.如權(quán)利要求14所述的方位傳感器的制造方法，其特征在于，還包括設(shè)定所述第1及第2偏磁施加單元的磁場方向的工序。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種方位傳感器，具有設(shè)置在基板主表面、其長度方向互相垂直而且串聯(lián)連接的分別具有至少2個檢測元件的第1及第2橋式電路，還具有分別在與該第1及第2橋式電路相對位置設(shè)置的第1及第2偏磁施加單元。該偏磁施加單元的磁場方向互相不同。該方位傳感器由于不用支架及線圈，因此能夠小型化。
文檔編號G01R33/06GK1608197SQ0282622
公開日2005年4月20日 申請日期2002年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月27日
發(fā)明者尾中和弘 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社