專(zhuān)利名稱(chēng)：制品遠(yuǎn)程探測(cè)的標(biāo)記的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制品遠(yuǎn)程探測(cè)系統(tǒng)如商場(chǎng)中使用的電子防盜系統(tǒng)中使用的標(biāo)記。更具體地說(shuō)，本發(fā)明針對(duì)這樣一種標(biāo)記，它包括具有磁和電特性的細(xì)長(zhǎng)傳感器元件，該傳感器適合于當(dāng)接收到電磁輸入信號(hào)時(shí)，提供一種電磁應(yīng)答信號(hào)，其中細(xì)長(zhǎng)傳感器元件同樣可以響應(yīng)于外部磁調(diào)制場(chǎng)而調(diào)制它自己的電磁應(yīng)答信號(hào)。
得益于上述標(biāo)記中使用的很薄的非晶態(tài)或超微晶線(xiàn)，它們特別適合于“源標(biāo)記”應(yīng)用場(chǎng)合，其中那些制品在生產(chǎn)或包裝的時(shí)候已分別配備有它自己的標(biāo)記。假如有疑問(wèn)的制品是一件衣服，那么，所述很薄的非晶態(tài)或超微晶線(xiàn)就被縫在衣領(lǐng)端或袖口，或被織進(jìn)這件衣服的布料里，附在商標(biāo)上等。或者，這條薄線(xiàn)可以放進(jìn)由紙板或塑料組成的包裝材料里。
通常需要能夠撤銷(xiāo)電子制品監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的標(biāo)記。WO 98/36394公開(kāi)一種撤銷(xiāo)上述類(lèi)型標(biāo)記的方法，其中通過(guò)在傳感器元件上加熱能(最好以微波輻射的形式)，使得非晶態(tài)或超微晶材料的溫度超過(guò)其結(jié)晶溫度而使傳感器元件結(jié)晶，標(biāo)記就被撤銷(xiāo)。但是，只有當(dāng)溫度超過(guò)450℃的時(shí)候，材料才會(huì)發(fā)生這種結(jié)構(gòu)變化。要達(dá)到這種溫度所需的熱能會(huì)引起嚴(yán)重的屏蔽問(wèn)題，以便保護(hù)商場(chǎng)中的職員及顧客免受輻射，因?yàn)槟茉吹陌踩嚯x只有0.5米。這樣就會(huì)在使用這種系統(tǒng)的商場(chǎng)的收費(fèi)臺(tái)引起處理問(wèn)題，屏蔽問(wèn)題也變得很復(fù)雜。
本發(fā)明的一些實(shí)施例的一個(gè)方面是提供上述類(lèi)型的標(biāo)記，它不僅能被安全撤銷(xiāo)，而且可以多次再激活。
上述目的是通過(guò)所附的獨(dú)立權(quán)利要求的標(biāo)記來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
更具體地說(shuō)，上述類(lèi)型的改進(jìn)的標(biāo)記是這樣得到的提供附加裝置，它設(shè)置在標(biāo)記的細(xì)長(zhǎng)非晶態(tài)或超微晶線(xiàn)狀傳感器元件附近。上述裝置適合于響應(yīng)電磁能或磁能的入射，影響細(xì)長(zhǎng)傳感器元件的磁特性或電特性，使電磁應(yīng)答信號(hào)本身或其調(diào)制基本上從激活狀態(tài)變?yōu)槌蜂N(xiāo)狀態(tài)。根據(jù)某些實(shí)施例，該裝置可以是半永磁線(xiàn)、半永磁磁條或半永磁磁帶；用作細(xì)長(zhǎng)傳感器涂層的半永磁粉；含有導(dǎo)電粉末的可熔涂層；或者與導(dǎo)電線(xiàn)、條或帶組合的可熔涂層等，成環(huán)狀或螺旋狀纏繞在敷層傳感器元件上。
本發(fā)明的其他目的、特征及優(yōu)點(diǎn)將由下面不同實(shí)施例的詳細(xì)描述、附圖及各從屬權(quán)利要求書(shū)明示。


圖1示出其中可以使用本發(fā)明標(biāo)記的電子制品監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的示意圖。
圖2示出本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的標(biāo)記的頂視圖。
圖3示出本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的標(biāo)記的頂視圖。
圖4示出本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施例的標(biāo)記的頂視圖。
圖5示出本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施例的標(biāo)記的頂視圖。
圖6示出本發(fā)明第五個(gè)實(shí)施例的標(biāo)記的頂視圖。
圖7是圖6所示標(biāo)記的示意的截面圖。
圖8是本發(fā)明第六個(gè)實(shí)施例的標(biāo)記的截面圖，以及圖9是本發(fā)明第七個(gè)實(shí)施例的標(biāo)記的截面圖。
本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明圖1說(shuō)明用于檢測(cè)附在物品20上的標(biāo)記30的制品識(shí)別系統(tǒng)。類(lèi)似于圖1所示的系統(tǒng)在文件WO 97/29463、WO 97/29464和WO98/36393有詳細(xì)說(shuō)明，以上文件已全部作為參考附在本文中。發(fā)射機(jī)天線(xiàn)11和接收機(jī)天線(xiàn)12設(shè)置在檢測(cè)區(qū)10。發(fā)射機(jī)天線(xiàn)11工作時(shí)連接到輸出級(jí)13，輸出級(jí)13隨之連接到控制器14。輸出級(jí)包括多個(gè)可在商業(yè)上獲得的驅(qū)動(dòng)及放大電路及裝置，用于產(chǎn)生高頻fHF交變電流，當(dāng)把所述電流輸送到發(fā)射機(jī)天線(xiàn)11的時(shí)候它就在其中來(lái)回流動(dòng)，這時(shí)在發(fā)射機(jī)天線(xiàn)的周?chē)a(chǎn)生高頻電磁場(chǎng)。如下文將要詳細(xì)描述的那樣，這種電磁場(chǎng)用于查詢(xún)檢測(cè)區(qū)10內(nèi)的標(biāo)記30，結(jié)果標(biāo)記在接收到發(fā)射機(jī)天線(xiàn)11的電磁輸入或查詢(xún)信號(hào)50時(shí)，將會(huì)發(fā)射電磁應(yīng)答信號(hào)60，這個(gè)信號(hào)由接收機(jī)天線(xiàn)12接收并轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電信號(hào)70。
接收機(jī)天線(xiàn)12工作時(shí)連接到輸入級(jí)15，它包括放大及信號(hào)處理功能的常用裝置，如帶通濾波及放大電路等。輸入級(jí)15同時(shí)還包括用于解調(diào)已接收信號(hào)70并把這個(gè)信號(hào)作為最后應(yīng)答信號(hào)80提供給控制器14的裝置。
發(fā)射機(jī)天線(xiàn)11和接收機(jī)天線(xiàn)12一樣，它們的目的是為了通過(guò)已知的方式，在高頻電信號(hào)和電磁信號(hào)之間變換。這些天線(xiàn)可以是帶有旋轉(zhuǎn)極化(用于最佳地覆蓋所有方向)的螺旋形天線(xiàn)，或者是傳統(tǒng)的端饋或中點(diǎn)饋電的半波鞭狀天線(xiàn)。但是，其他已知的天線(xiàn)類(lèi)型也是同樣可用的。
而且，檢測(cè)區(qū)10配備有裝置16，如線(xiàn)圈，用于產(chǎn)生磁調(diào)制場(chǎng)Hmod。裝置16通過(guò)驅(qū)動(dòng)級(jí)17連接到控制器14。驅(qū)動(dòng)級(jí)17包括的裝置用于產(chǎn)生調(diào)制電流，提供給裝置16，其中磁調(diào)制場(chǎng)Hmod產(chǎn)生于檢測(cè)區(qū)10的主要區(qū)域。磁調(diào)制場(chǎng)Hmod的頻率約為500-800赫茲，電磁激發(fā)及應(yīng)答信號(hào)在千兆赫波段頻率范圍內(nèi)，例如1.3千兆赫或2.45千兆赫。但是，在這些范圍之外的頻率也可以。
如上所述，制品20在圖1中以箱狀外形示出，配備有本發(fā)明的標(biāo)記30，這將在其余附圖中有更詳細(xì)的說(shuō)明。
如圖2所示，標(biāo)記30的第一實(shí)施例包括細(xì)長(zhǎng)傳感器元件34，它設(shè)置在一層薄的非磁襯底31上(例如紙或塑料)，由一根非晶態(tài)或超微晶富含鈷的金屬合金的薄電線(xiàn)構(gòu)成，如本文開(kāi)頭列為參考的專(zhuān)利公開(kāi)所述。因此，細(xì)長(zhǎng)傳感器元件34具有磁特性和電特性。傳感器元件34用于通過(guò)磁調(diào)制場(chǎng)Hmod的頻率調(diào)制接收電磁輸入信號(hào)50并提供經(jīng)過(guò)調(diào)制的應(yīng)答信號(hào)60。電磁應(yīng)答信號(hào)60振幅的調(diào)制向檢測(cè)區(qū)10中的標(biāo)記30提供信號(hào)，這個(gè)信號(hào)可以由控制器14通過(guò)接收到的信號(hào)70和80進(jìn)行檢測(cè)，如上所述。
如上述涉及的專(zhuān)利公開(kāi)所解釋那樣，當(dāng)線(xiàn)狀傳感器元件34暴露給電磁輸入信號(hào)50的時(shí)候，線(xiàn)狀傳感器元件34將產(chǎn)生交變電流。得益于傳感器元件34的非晶態(tài)或超微晶金屬合金的磁特性，金屬合金的導(dǎo)磁率可以通過(guò)磁調(diào)制場(chǎng)Hmod控制。更具體地說(shuō)，電磁應(yīng)答信號(hào)60的振幅可以通過(guò)非晶態(tài)或超微晶傳感器元件材料的巨—磁致阻抗效應(yīng)或趨膚深度效應(yīng)進(jìn)行控制。線(xiàn)狀傳感器元件34的電阻抗取決于非晶態(tài)或超微晶金屬合金的導(dǎo)磁率和電阻率，以及電磁輸入信號(hào)50的頻率。由于阻抗取決于導(dǎo)磁率，而導(dǎo)磁率又在磁調(diào)制場(chǎng)Hmod中變化，所以，電流通過(guò)線(xiàn)狀傳感器元件34的振幅同樣會(huì)受磁調(diào)制場(chǎng)Hmod的作用而發(fā)生變化。這樣，最終在傳感器元件34中流通的電流產(chǎn)生的電磁應(yīng)答信號(hào)60將被磁調(diào)制場(chǎng)Hmod調(diào)制，并顯示在檢測(cè)區(qū)10存在標(biāo)記30的信號(hào)或指示。
傳感器元件34的非晶態(tài)或超微晶材料從磁的角度看是非常柔軟的，而且有獨(dú)特的磁各向異性，這將使它的磁狀態(tài)易于在交流磁偏置場(chǎng)Hmod中被調(diào)制。因此，包括細(xì)長(zhǎng)傳感器元件34的標(biāo)記在所有時(shí)間內(nèi)將正常激活(也就是說(shuō)，響應(yīng)于電磁查詢(xún)信號(hào)50的入射)，如上述先有技術(shù)的標(biāo)記那樣。
再參考圖2，在襯底31上設(shè)置有半永磁線(xiàn)40，設(shè)置在鄰近傳感器元件34的地方(最好與之平行)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，細(xì)長(zhǎng)傳感器34可以激活或撤銷(xiāo)，這取決于鄰近的半永磁線(xiàn)40被磁化或消磁。假定最初半永磁線(xiàn)40沒(méi)有被磁化，標(biāo)記30在正常的工作狀態(tài)下被激活，從而響應(yīng)于檢測(cè)區(qū)10中的電磁輸入信號(hào)50。但是，如果標(biāo)記30暴露于連續(xù)的磁場(chǎng)(例如由外部永久磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng))，半永磁線(xiàn)40將被磁化?；蛘?，可以通過(guò)把標(biāo)記30暴露于短暫磁脈沖而使線(xiàn)40磁化。在移走外部永久磁體后(或短暫磁脈沖結(jié)束后)，線(xiàn)40將繼續(xù)保持磁化，其中屬于軟磁的非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34將被磁屏蔽，因而對(duì)磁調(diào)制場(chǎng)Hmod不敏感。撤銷(xiāo)后的標(biāo)記30將仍然產(chǎn)生電磁應(yīng)答信號(hào)60，但是，這個(gè)信號(hào)將不再由磁調(diào)制場(chǎng)Hmod調(diào)制。通過(guò)半永磁線(xiàn)40的消磁可以使標(biāo)記30再激活。這可以通過(guò)以下方法得到把標(biāo)記30引入振幅緩慢降低的交流磁場(chǎng)，例如，使標(biāo)記30遠(yuǎn)離磁場(chǎng)源。或者，標(biāo)記30可以暴露于磁的消磁信號(hào)中。一旦半永磁線(xiàn)40被消磁，傳感器元件34將再次受磁調(diào)制場(chǎng)Hmod的影響，從而產(chǎn)生正常的調(diào)制電磁應(yīng)答信號(hào)60。
半永磁線(xiàn)40磁化及消磁之間的循環(huán)可以重復(fù)多次，其中標(biāo)記30也可以被激活或撤銷(xiāo)相應(yīng)的次數(shù)。
半永磁線(xiàn)40最好由含有鈷、鎳、錳和鐵的金屬合金構(gòu)成。線(xiàn)40的半永磁材料，例如，有0.1特斯拉的剩余磁化強(qiáng)度和大概為1,000安/米的矯頑磁力。
在撤銷(xiāo)狀態(tài)下的非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34的“磁封閉”是通過(guò)以下的技術(shù)效果得到的。
非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34具有大抵環(huán)形的磁疇結(jié)構(gòu)，起點(diǎn)在它的外部表面。這樣的結(jié)構(gòu)是由在這個(gè)元件的準(zhǔn)備階段時(shí)就引入的磁的各向異性決定的。磁調(diào)制場(chǎng)Hmod產(chǎn)生環(huán)形的磁化變量，當(dāng)標(biāo)記激活時(shí)，這個(gè)變量被用電磁方法檢測(cè)到，如上所述。
在撤銷(xiāo)時(shí)，當(dāng)相鄰的半永磁線(xiàn)40把傳感器元件暴露于DC磁場(chǎng)的時(shí)候，且這個(gè)磁場(chǎng)大于環(huán)形各向異性場(chǎng)的時(shí)候，傳感器元件34的磁化就從環(huán)形方向旋轉(zhuǎn)至半永磁線(xiàn)40的DC磁場(chǎng)方向。在這種情況下，非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34對(duì)磁調(diào)制場(chǎng)Hmod不敏感，傳感器元件被認(rèn)為是“磁封閉”(標(biāo)記被撤銷(xiāo))。然后，在重新激活時(shí)，來(lái)自鄰近的半永磁線(xiàn)40的DC磁場(chǎng)的消失導(dǎo)致傳感器元件34回復(fù)到最初的磁疇結(jié)構(gòu)狀態(tài)(標(biāo)記被再次激活)。
標(biāo)記30的第二個(gè)實(shí)施例示于圖3。這里，通過(guò)把半永磁線(xiàn)分離為兩條單獨(dú)的短線(xiàn)42a和42b提高了半永磁材料的效果，這兩條短線(xiàn)依然設(shè)置在鄰近非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34的襯底31上。測(cè)試證明，半永磁線(xiàn)42a和42b之間的距離最好為非晶態(tài)傳感器元件34的長(zhǎng)度L的1/5，如圖3所示。
類(lèi)似的實(shí)施例示于圖4，但是，這里包括三條單獨(dú)的半永磁線(xiàn)44a，44b和44c，它們之間的距離大約為傳感器元件34的長(zhǎng)度L的1/5。
就圖2至圖4所示的實(shí)施例來(lái)說(shuō)，通過(guò)控制與非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34相關(guān)的磁特性、半永磁線(xiàn)的長(zhǎng)度及其位置，就可以控制分別使標(biāo)記激活或撤銷(xiāo)的外部磁調(diào)制場(chǎng)Hmod的磁影響的必要值。通過(guò)仔細(xì)選擇這些參數(shù)，就可以避免由于鄰近標(biāo)記30存在永久磁場(chǎng)的偽源而使標(biāo)記意外撤銷(xiāo)。
圖5示出標(biāo)記30的第四個(gè)實(shí)施例。圖5的標(biāo)記30配備有半永磁條或帶46，取代了線(xiàn)狀的半永磁材料40、42和44。條或帶46設(shè)置在鄰近與前述實(shí)施例一樣的傳感器元件34的襯底31上。條或帶46可以用前述實(shí)施例的半永磁線(xiàn)的相同或類(lèi)似材料做成。
圖6示出標(biāo)記30的第五個(gè)實(shí)施例。這里，襯底31配備有敷層線(xiàn)狀元件50，它將詳細(xì)示于圖7的截面圖。線(xiàn)狀元件50由非晶態(tài)或超微晶富含鈷的軟磁材料構(gòu)成的磁心34組成，等效于前述實(shí)施例的細(xì)長(zhǎng)傳感器元件34。磁心或傳感器元件34覆蓋有半永磁粉和適當(dāng)?shù)恼澈蟿┙M合52。最好，這半永磁粉是鐵氧體或類(lèi)似的材料。與前述實(shí)施例對(duì)應(yīng)的是，圖6和圖7的實(shí)施例同樣可以分別通過(guò)涂層52的半永磁粉磁化或消磁而分別激活或撤銷(xiāo)。
圖8的截面圖示出了一個(gè)不同的實(shí)施例。襯底31與前述實(shí)施例相同或等效，線(xiàn)狀元件50設(shè)置在襯底31上，與圖7所示實(shí)施例相同。但是，這里線(xiàn)狀元件50包括蠟狀材料的第一涂層54，它具有相對(duì)較低的熔點(diǎn)(例如150°左右)并包含例如金屬粉之類(lèi)的導(dǎo)電粉。線(xiàn)狀元件50還具有外層或第二層涂層56，它包括例如非硬化泡沫聚乙烯之類(lèi)的可收縮材料。通過(guò)把標(biāo)記30暴露于外部能源，非晶態(tài)或超微晶磁心(傳感器)34將吸收能量并被加熱。由傳感器元件34產(chǎn)生的熱能將融化臘質(zhì)涂層54并且收縮外層56，其中在內(nèi)層54中包含的導(dǎo)電粉將擠在已收縮的外層和非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34之間。由于趨膚效應(yīng)及檢測(cè)系統(tǒng)中涉及的高頻率，所有電流或大部分電流將從實(shí)際傳感器元件34周?chē)膶?dǎo)電粉中流過(guò)，使傳感器元件34對(duì)磁調(diào)制場(chǎng)Hmod不敏感，從而將標(biāo)記30撤銷(xiāo)。
最好，用于熔化涂層54的外部熱能為微波輻射，例如，具有在檢測(cè)區(qū)10中正常使用時(shí)一樣的頻率。很明顯，使標(biāo)記30撤銷(xiāo)的時(shí)候，必須采用一種高出正常范圍的信號(hào)振幅進(jìn)行微波輻射。但是，或者可以用電能源或磁能源來(lái)加熱標(biāo)記。
圖8實(shí)施例的替代方案示于圖9。這里導(dǎo)電線(xiàn)、帶或條60取代了導(dǎo)電粉，環(huán)繞在非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34及內(nèi)部蠟質(zhì)涂層58的周?chē)?。?dǎo)電元件60可以沿著傳感器元件34和蠟質(zhì)涂層58纏繞多次，或者做成一個(gè)圓環(huán)，置于蠟質(zhì)涂層58的外面。蠟質(zhì)涂層58如圖8所示的類(lèi)型相似(但沒(méi)有任何導(dǎo)電粉)，它通過(guò)把標(biāo)記暴露于外部能源，在溫度為如150°左右時(shí)被熔化。當(dāng)蠟質(zhì)涂層58被熔化后，導(dǎo)電線(xiàn)、條或帶60將與非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34電接觸。
上述至少一些實(shí)施例的改進(jìn)在于在這些元件上覆以電介質(zhì)材料，因?yàn)檫@些涂層的電介質(zhì)荷載效應(yīng)而使標(biāo)記所需的長(zhǎng)度減小。合適的涂層元件可以是如塑料或硅石等。
另一種改進(jìn)是圍繞所述元件旋繞大量的人造織物纖維，隨之進(jìn)行侵漆處理。這樣做的目的是，具有很薄的非晶態(tài)或超微晶并且組合有薄涂層或外加半永磁元件的標(biāo)記是非常小的，在生產(chǎn)過(guò)程中很難處理。侵漆纖維將使導(dǎo)電元件或磁元件定位，從而保證標(biāo)記處于撤銷(xiāo)狀態(tài)。
還有另外一種改進(jìn)就是，可以提供兩個(gè)涂層，其中外部涂層的功能是保持非晶態(tài)或超微晶傳感器元件34與半永磁元件的恒接觸，在標(biāo)記處于撤銷(xiāo)狀態(tài)的時(shí)候，可以避免標(biāo)記在不必要的情況下再激活。
在實(shí)際應(yīng)用中，根據(jù)上述任何實(shí)施例的最終標(biāo)記可用如紙張、天然或合成纖維、玻璃及塑料等非磁性材料進(jìn)行覆蓋或整合。
以上已經(jīng)參考一些實(shí)施例描述了本發(fā)明。但是，只要不超出本發(fā)明所附的獨(dú)立專(zhuān)利權(quán)利要求所述的范圍，在此描述的實(shí)施例之外的其他實(shí)施例同樣可用。
權(quán)利要求
1.一種用于制品(20)遠(yuǎn)程檢測(cè)的標(biāo)記(30)，它包括細(xì)長(zhǎng)非晶態(tài)或超微晶線(xiàn)狀傳感器元件(34)，后者具有磁和電特性、適合于在接收到電磁輸入信號(hào)(50)的時(shí)候提供電磁應(yīng)答信號(hào)(60)，所述細(xì)長(zhǎng)傳感器元件能夠響應(yīng)于外部磁調(diào)制場(chǎng)(Hmod)而調(diào)制電磁應(yīng)答信號(hào)，其特征在于裝置(40；50)，它設(shè)置在所述標(biāo)記30中所述細(xì)長(zhǎng)傳感器元件(34)附近，所述裝置適合于響應(yīng)電磁能或磁能的入射而影響所述細(xì)長(zhǎng)傳感器元件(34)的磁特性或電特性、使得所述電磁應(yīng)答信號(hào)(60)本身或它的調(diào)制基本上從激活狀態(tài)變?yōu)槌蜂N(xiāo)狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其特征在于所述裝置(40)包括至少一條半永磁線(xiàn)(40；42a-b；44a-c)、條或帶(46)，它們?cè)O(shè)置在所述細(xì)長(zhǎng)傳感器元件(34)的附近、最好與之平行。
3.如權(quán)利要求2所述的標(biāo)記，其特征在于所述至少一條半永磁線(xiàn)(40；42a-b；44a-c)、條或帶(46)由包括鈷、鎳、錳和鐵的金屬合金制成。
4.如權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其特征在于所述裝置(50)包括涂層(52)，后者設(shè)置在所述細(xì)長(zhǎng)傳感器(34)周?chē)⑶野胗来欧勰?br> 5.如權(quán)利要求4所述的標(biāo)記，其特征在于所述涂層(52)還包含用于所述半永磁粉末的粘合劑。
6.如權(quán)利要求4或5所述的標(biāo)記，其特征在于所述半永磁粉末包括鐵氧體。
7.如權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其特征在于所述裝置(50)包括涂層(54)，后者設(shè)置在所述細(xì)長(zhǎng)傳感器(34)周?chē)⑶野ň哂邢鄬?duì)較低熔點(diǎn)的第一非磁不導(dǎo)電元件和導(dǎo)電的第二元件。
8.如權(quán)利要求7所述的標(biāo)記，其特征在于所述第二元件包括導(dǎo)電粉末。
9.如權(quán)利要求8所述的標(biāo)記，其特征在于還包括在所述第一和第二元件(54)外部的第三元件(56)，所述第三元件包括熱收縮材料。
10.如權(quán)利要求1所述的標(biāo)記，其特征在于所述裝置(50)包括涂層(58，60)，后者在所述傳感器元件(34)的周?chē)⑶野埸c(diǎn)較低的第一非磁不導(dǎo)電元件(58)和導(dǎo)電線(xiàn)、條或帶形式的、成環(huán)形或螺旋形繞在所述第一元件上的第二元件(60)。
11.如權(quán)利要求7-10中任一個(gè)所述標(biāo)記，其特征在于所述第一元件包括臘。
全文摘要
一種用于制品的遠(yuǎn)程檢測(cè)的標(biāo)記(30)，它包括具有磁和電特性的細(xì)長(zhǎng)傳感器元件(34)。所述細(xì)長(zhǎng)傳感器元件在接收到電磁輸入信號(hào)時(shí)提供電磁應(yīng)答信號(hào)，所述細(xì)長(zhǎng)傳感器元件響應(yīng)外部磁調(diào)制場(chǎng)而調(diào)制所述電磁應(yīng)答信號(hào)。所述標(biāo)記(30)還具有位于該標(biāo)記(30)中所述細(xì)長(zhǎng)傳感器元件(34)附近的裝置(40)。所述裝置適合于響應(yīng)入射的電磁能或磁能而影響所述細(xì)長(zhǎng)傳感器元件(34)的磁特性或電特性、使得所述電磁應(yīng)答信號(hào)本身或它的調(diào)制基本上從激活狀態(tài)轉(zhuǎn)變到撤銷(xiāo)狀態(tài)。
文檔編號(hào)G01V15/00GK1454374SQ0081961
公開(kāi)日2003年11月5日 申請(qǐng)日期2000年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月7日
發(fā)明者C·泰倫, H·E·倫奧 申請(qǐng)人:Rso股份有限公司