專利名稱：高頻測量用的探測頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于高頻測量的探測頭，它有一個接觸端，用于平面結(jié)構(gòu)的接觸，還有一個同軸電纜端，用于同一根同軸電纜相連，依此，在接觸端和同軸電纜端之間，按照權(quán)利要求1的前序部分，設(shè)置了一個至少配有兩個導(dǎo)體的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明還涉及一種方法，用于制造一種高頻測量用的探測頭，該探測頭有一個接觸端，以之用于平面結(jié)構(gòu)的接觸，有一個同軸電纜端，以之用于同一根同軸電纜相連，依此，按照權(quán)利要求8的前序部分，在接觸端和同軸電纜端之間，設(shè)置了一個至少具有兩個導(dǎo)體的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
為了檢測例如晶片上所制造的電子開關(guān)的功能作用及其電特性，通常都使用探測頭，它們機(jī)械地放置在被測電子開關(guān)的相應(yīng)接觸位置上。這種待測的電子開關(guān)也不斷增多地產(chǎn)生或處理高頻信號，從而對探測頭產(chǎn)生一種應(yīng)加以相應(yīng)重視的阻抗。換言之，探測頭必須具有一種對同被測電開關(guān)的接觸相適配的阻抗，因為否則如所周知的，在誤配情況下會產(chǎn)生相應(yīng)的反射，這種反射會以非所希望的方式影響到測量結(jié)果，或者甚至?xí)箿y量根本不可能進(jìn)行。即使在探測頭本身上也不應(yīng)產(chǎn)生阻抗變化，這是因為這種阻抗躍遷也產(chǎn)生相應(yīng)的反射點(diǎn)之故。
為此，US 4 697 143公開了一種探測頭，為了從一測量電纜到一接觸點(diǎn)獲得一個穩(wěn)定的阻抗，該探測頭具有一種共面的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，于此，一個信號導(dǎo)體和一個接地導(dǎo)體是這樣彼此相隔離的，使得能產(chǎn)生一個合乎希望的穩(wěn)定的阻抗。然而，這種裝置有它的缺點(diǎn)，就是由于使用一種氧化鋁基片之故，需要一種昂貴的屏蔽來避免更高級次的模。此外，這種探測頭很復(fù)要，很昂貴，因而生產(chǎn)成本高。由于相應(yīng)偏差的緣故，不是生產(chǎn)出來的每個探測頭都能滿足預(yù)定的參數(shù)，所以在生產(chǎn)中有很高的廢品率，從而使這種探測頭又附帶地增價了。此外，由于共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)特別配有三個或更多導(dǎo)體，總體上是剛性裝置，從而產(chǎn)生一個接觸問題，這是因為在晶片上的尺寸條件下出于對探測頭、接觸點(diǎn)和探測頭機(jī)械定位的相應(yīng)容差的要求，從機(jī)械學(xué)上說，幾乎不可能做到在把探測頭安置到接觸點(diǎn)上時使探測頭的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所有導(dǎo)體都精確地處于接觸點(diǎn)的平面中。因此，一些導(dǎo)體能較好地接觸到它們各自的接觸點(diǎn)，而另一些導(dǎo)體則接觸較差，或者也許根本不接觸。
因此本發(fā)明的目的是提出上述那種改進(jìn)的探測頭，及這種探測頭所用的一種制造方法，依此，在獲得優(yōu)良接觸質(zhì)量的同時，可實(shí)現(xiàn)簡單而成本合算的批量生產(chǎn)。
上述目的是通過具有權(quán)利要求1中所指出的特征的上述那種探測頭和通過具有權(quán)利要求8中所指出的特征的上述那種方法實(shí)現(xiàn)的。本發(fā)明的各項有利的結(jié)構(gòu)由各項從屬權(quán)利要求給出。
依本發(fā)明，在上述那種探測頭上做了如下設(shè)定在共面的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上，在同軸電纜端和接觸端之間的一個預(yù)定的區(qū)段內(nèi)至少在一邊，特別在兩邊，安置了一個支承著共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的介電體，于此，在介電體和接觸端之間，這樣設(shè)計了探測頭，使得共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各導(dǎo)體是懸空地或者針對起支承作用的介電體而言有彈力地安置的。
這一設(shè)定的優(yōu)點(diǎn)在于可供使用的探測頭帶有阻抗控制裝置，成本合算而且精密，又可以批量生產(chǎn)，所以在同平面的結(jié)構(gòu)接觸時所產(chǎn)生的反射很微小，符合測量目的的要求。本發(fā)明提出的裝置的特征是工作頻率可高達(dá)40至60GHz，在此情況下，在整個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的阻抗根據(jù)本發(fā)明提出的設(shè)計基本上是無分散的，亦即與工作頻率無關(guān)。由于在介電體和同軸電纜端之間共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體的自由彈動布置，所以在共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所有導(dǎo)件和一個被檢測裝置的相應(yīng)接觸點(diǎn)之間，就保證了高接觸質(zhì)量，于此，接觸質(zhì)量對探測頭在接觸點(diǎn)上的倒置是不敏感的。
為了保證在探測頭上有一個穩(wěn)定的波阻抗，在共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的每兩個導(dǎo)體之間，從同軸電纜端至接觸端分別相應(yīng)地設(shè)計一個間隙，于此，特別是在介電體的區(qū)域中的那個間隙設(shè)計得比在沒有介電體的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)區(qū)域中的間隙較寬。
在一個優(yōu)選的實(shí)施形式中，介電體是作為至少一個石英部件設(shè)計的。
為了在共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和介電體部件之間建立固定的連接，介電體部件在一個與共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的連接邊上有一個用后者基本上遮蓋的金屬層。
為了抑制超過所希望的工作頻率的更高級次的模，介電體在一個背向共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的邊上是全面積地金屬化的。此外，這樣在介電體的范圍內(nèi)還得到一個封閉的、被屏蔽的結(jié)構(gòu)。
為了特定用途，在同軸電纜端上設(shè)置了一個平面開關(guān)，特別是一個電的、電子的或有源的開關(guān)，或者至少是一個有源的開關(guān)元件。這樣，附屬的開關(guān)或附屬的開關(guān)元件就直接處在探測頭和在探測頭的接觸端上一個被測試的開關(guān)之間的接觸點(diǎn)近旁。
根據(jù)本發(fā)明，依前面述及的那一種方法，做了如下設(shè)定共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體都是利用一種石版印刷-電鍍(lithiographisch-galvanoplastischen)法制造出來的。
其優(yōu)點(diǎn)在于可以按簡單的、成本合算的、對批量生產(chǎn)可重復(fù)的方式制造出一種探測頭，其尺寸小，具有精確預(yù)定的波阻抗，從而具有低的高頻反射和相應(yīng)大的頻帶寬度。
為了實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，采用照相制版工藝在硅晶片上制造出至少一個特別是多個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
不用昂貴的裝置，直到最終裝配，獲得共面波導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各導(dǎo)體的機(jī)械穩(wěn)定性，為達(dá)到此目的所采取的措施是采用石版印刷-電鍍工藝如此制造出共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，使得各導(dǎo)體在一個邊上彼此相連。
按一個優(yōu)選的實(shí)施形式，該工藝方法包括以下步驟(a)對一硅晶片蒸鍍金屬層，(b)涂敷光敏漆，(c)通過掩模使光敏漆曝光，該掩?；旧舷喈?dāng)于至少一個待制造的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個結(jié)構(gòu)負(fù)片，(d)使光敏漆顯影成一個具有溝槽的結(jié)構(gòu)，以相應(yīng)于待制造的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，(e)使用一種導(dǎo)電材料以電鍍法填充那些溝槽，
(f)除去金屬層，并從晶片上取下共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，(g)在一邊或兩邊將各個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和處于同軸電纜端和接觸端之間的一個載體部連接起來，(h)將共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和同軸電纜連接起來。
舉例來說，步驟(a)中述及的金屬層包括鈦、銀、鉻和/或金；步驟(e)中的導(dǎo)電材料是任選的鎳。步驟(g)的載體部例如是一個介電體，特別是一個石英部件。此外，在下一個步驟中，最好將共面的波導(dǎo)體連同載體部安放在一個外殼中。這樣，在石英部件的范圍內(nèi)就會產(chǎn)生一個在四周起屏蔽作用的隧道。
為了實(shí)現(xiàn)共面的波結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體的相應(yīng)固定，按步驟(a)至(e)，每個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)都是帶有一個橋接部制造出來的，該橋接部將一個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所有導(dǎo)體特別是在同軸電纜端的導(dǎo)體彼此連接起來。上述橋接部最好在安裝完載體部之后或者在與共軸電纜連接之前就撤去。
為了獲得更大的穩(wěn)定性，橋接部還附帶地包括一個包圍著共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的框架。
下面將參照附圖對本發(fā)明做更詳細(xì)的說明。這些附圖表示

圖1按照本發(fā)明的一種探測頭的第一個優(yōu)選的實(shí)施形式的透視圖，圖2按照本發(fā)明的一種探測頭的第二個優(yōu)選的實(shí)施形式的透視圖，圖3按照本發(fā)明的一種探測頭的第三個優(yōu)選的實(shí)施形式的俯視圖，圖4至7按照本發(fā)明的工藝方法的先后步驟圖示，圖8按照本發(fā)明的一種探測頭所用模擬計算的S-參數(shù)曲線圖。
圖1表示本發(fā)明提出的一種探測頭100的第一個優(yōu)選的實(shí)施形式，包含一個帶有居中信號導(dǎo)體12的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10和兩個共面相鄰于該信號導(dǎo)體12布置的接地導(dǎo)體14。在信號導(dǎo)體12和每個接地導(dǎo)體14之間設(shè)計了一個預(yù)定的間隙16。共面的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10從同軸電纜端18延伸到接觸端20；間隙16在共面的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的整個長度上是如此設(shè)計成形的，使得能產(chǎn)生一個恒定的、預(yù)定的波阻抗。在同軸電纜端18上，共面的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10與一同軸電纜22相連，依此，信號導(dǎo)體12接觸同軸電纜的一個內(nèi)導(dǎo)體24，而接地導(dǎo)體14則接觸同軸電纜的一個外導(dǎo)體26。
在同軸電纜端18和接觸端20之間的中部區(qū)段內(nèi)，在共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的兩邊分別安置了石英部件28形式的介電體。于此，兩個石英部件28和共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10相互疊成一種夾層式結(jié)構(gòu)。石英部件28同共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10牢固地相連，并在各自朝向共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的一邊載有一金屬化層，該金屬化層基本上與石英部件28范圍中共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的形式相適應(yīng)。這樣就可在石英部件28和共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的導(dǎo)體12、14之間實(shí)現(xiàn)特別良好地保持的和緊密的連接。由于同介電體28的電磁關(guān)系之故，間隙16在石英部件28的范圍中被擴(kuò)大了，所以在從同軸電纜端18至接觸端的整個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10上總的產(chǎn)生一個恒定的波阻抗。兩個石英部件28的各自的金屬化層經(jīng)過合適的嵌裝技術(shù)而符合目的地彼此導(dǎo)電性地相連。這樣，對石英部件的兩邊都產(chǎn)生一個具有相應(yīng)恒等屏蔽功能的恒等電位級。
如從圖1可以直接看出的，在起支承作用的石英部件28和接觸端20之間的一個區(qū)域29中的導(dǎo)體12、14是懸空地安置的，所以每個導(dǎo)體12、14可各自針對支持的情況在石英部件28上彈動。如果這時該探測頭100的接觸端20被機(jī)械地壓到一個被測電開關(guān)的相應(yīng)接觸點(diǎn)上，則對共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的每個導(dǎo)體12、14的自由彈動的可能性便限定每個導(dǎo)體12、14對為之分別配置的接觸點(diǎn)有一最佳接觸。將之機(jī)械地壓緊在接觸點(diǎn)上時探測頭100的意外翻倒以及在導(dǎo)體12、14本身上和在接觸點(diǎn)的表面上可能出現(xiàn)的偏差，都可通過各個導(dǎo)體12、14的彈動加以補(bǔ)償。這樣，在每次將導(dǎo)體12、14機(jī)械地放置在相應(yīng)的接觸點(diǎn)上時總會實(shí)現(xiàn)相同的和確定的接觸，所以利用本發(fā)明提出的探測頭100可獲得最佳測量結(jié)果。
探測頭100連同三個導(dǎo)體12、14在接地-信號-接地或g-s-g(g＝接地；s＝信號)配置上的圖示僅是舉例而已。不言而喻，只具有兩個導(dǎo)體12、14或者具有三個以上的導(dǎo)體12、14的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)也是可能的，其信號導(dǎo)體和接地導(dǎo)體的分配按以下方式g-s-g-s-g-s-g…或g-s-g-g-s-g-g-s-g-g…或相似方式。依此方式，被測電開關(guān)也可以同具有多個共面信號導(dǎo)體的單個探測頭接觸。
圖2中所示的按照本發(fā)明的探測頭200的第二個優(yōu)選的實(shí)施形式，基本上與圖1所示的相當(dāng)，在這里，相同部分均以相同的參考數(shù)字代號標(biāo)出，所以對它們的描述可參閱以上涉及圖1所做的說明。與結(jié)構(gòu)形式100的不同之處在于石英部件28在背向共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的一邊具有全面積金屬化層30。該金屬化層一方面可導(dǎo)致對離開所希望的工作頻率的非所希望的較高級次的模的抑制，與此同時還可在共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的一個預(yù)定的范圍內(nèi)創(chuàng)造一個封閉的系統(tǒng)。
圖3中所示的按照本發(fā)明的探測頭300的第三個優(yōu)選的實(shí)施形式，表明按本發(fā)明提出的方法在一硅晶片上制成探測頭300后的狀態(tài)。在圖3中也一樣，相同的部分都用相同參考數(shù)字代號標(biāo)出，所以對它們的解釋可參閱以上關(guān)于圖1和2的描述。在圖3所示的探測頭300上，共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的導(dǎo)體12、14首先在采用一種下面將詳細(xì)加以說明的石版印刷-電鍍法(LiGa法)制成之后，經(jīng)過一個橋接部分32而彼此機(jī)械地連接起來。在橋接部分32上設(shè)計了一個整體框架34，該框架將共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10完全包圍在一個平面內(nèi)。利用該框架34，就可對共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10實(shí)施相應(yīng)的手工操作，直到最終完成探測頭，不必去接觸共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10本身的導(dǎo)體12、14，以避免傷害導(dǎo)體12、14的相應(yīng)危險。在采用印刷-電鍍法在一硅晶片上形成圖3中所示帶有橋接部分32和框架34的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10之后，就可將這一布置10、32、34從硅晶片取下，并在被擴(kuò)大的間隙16的相應(yīng)區(qū)域上下，例如利用膠合劑將石英部分28固定在共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10上。從這時起，共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10通過利用石英部分28提供的支持便具有自身穩(wěn)定性，所以共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10和橋接部分32之間同框架34的連接便可加以分離。這一點(diǎn)例如是在一條示意地繪出的線36的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)的。橋接部分32和共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10之間的分離最好如此實(shí)現(xiàn)，使得兩個靠外的接地導(dǎo)體14的外端38處在同軸電纜端18的上方，從而實(shí)現(xiàn)一條準(zhǔn)備與共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10相連接的同軸電纜的自動定中心。
在接觸端20上，共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的導(dǎo)體12、14逐漸縮小而形成導(dǎo)體12、14的布置，這種布置相應(yīng)地符合于一被測電開關(guān)的待接觸的接觸點(diǎn)。為了建立一種恒定的波阻抗，在接觸端20上的區(qū)域29中，間隙16相應(yīng)地沿接觸端20的方向逐漸變小。
如圖1至3所示的本發(fā)明提出的探測頭的一個特別突出的特性在于利用間隙16所調(diào)定的阻抗在整個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10之上基本上都是無擴(kuò)散的，這就是說，阻抗和相位速度基本上與工作頻率無關(guān)。
下面將參照圖4至7所示意的，對按照本發(fā)明的制造本發(fā)明的探測頭所用的方法做更詳細(xì)說明。在第一個步驟中，將一硅晶片38蒸鍍一金屬層40(圖4)。金屬層40例如包括鈦、銀、鉻或金。在下一步驟中，如圖5所示，在金屬層40上涂敷一種光敏漆42。該光敏漆通過一掩模而被曝光。為此，該掩模是這樣設(shè)計的如圖3中所示，該掩模與一定數(shù)目的須在硅晶片38上制成的具有各自橋接部分32和各自框架34的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10相對應(yīng)。如圖3所示，在此情況下相鄰的框架是機(jī)械地彼此相連的。于此，特別適宜的是在硅晶片上并列地和相疊地制出多個具有橋接部分32和框架34的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10，如圖3所示。這樣，利用一種光刻法使漆42獲得一種形狀，該形狀相當(dāng)于被制取的分別具有橋接部分32和框架34的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的一個負(fù)片。于此，該漆以相應(yīng)方式加以顯影。在下一步驟中，在該漆上如圖5所示地制成的溝槽43用一種導(dǎo)電材料44例如鎳以電鍍法加以填充，見圖6所示。對圖6所示的這種構(gòu)造進(jìn)行磨削，除去漆42，從而得到圖7所示的一種結(jié)構(gòu)。于此，導(dǎo)電材料44形成所希望的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的結(jié)構(gòu)，連同一個相關(guān)的橋接部分32和一個相關(guān)的框架34，如圖3中所示。最后，將在導(dǎo)電材料44和硅晶片38之間起分離層作用的金屬層除去，并從硅晶片38上取下由彼此相疊和彼此并列的帶有橋接部分和框架的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所形成的結(jié)構(gòu)。下一步，將框架34內(nèi)的各個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10在兩邊相應(yīng)的部位上配備石英部分28，最后將橋接部分32連同框架34都從共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10上分離下來。最終，共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10在同軸電纜端18上與一條同軸電纜相連接。
在實(shí)施本發(fā)明提出的方法時應(yīng)特別注意的是共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10的各個導(dǎo)體12、14在安裝時決不可將之彼此對準(zhǔn)。導(dǎo)體12、14的彼此相對布置從制造過程的開始到結(jié)束都是預(yù)定的和固定的。這樣，在按制造工藝進(jìn)行各單個導(dǎo)體12、14的機(jī)械裝配時就可避免可能出現(xiàn)的偏差。
如圖8所示，本發(fā)明的探測頭具有特別良好的頻率性能。圖8表示針對本發(fā)明提出的探測頭的由模擬計算得出的一條信號參數(shù)曲線(S-參數(shù)曲線)。在圖中的水平軸線46上繪出以GHz為單位的頻率，在垂直軸線48上繪出以dB為單位的信號參數(shù)(S-參數(shù))。如從圖8所示的曲線圖中可以直接看出的，根據(jù)這一模擬計算，本發(fā)明提出的探測頭可以應(yīng)用于高達(dá)60GHz的頻率。與此同時，還能夠以低廢品率、低成本實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
權(quán)利要求
1.用于高頻測量的探測頭(100、200、300)，它具有一個接觸端(20)，用于接觸平面結(jié)構(gòu)；一個同軸電纜端(18)，用于連接同軸電纜(22)，于此，在接觸端(20)和同軸電纜端(18)之間設(shè)置了一個至少配有兩個導(dǎo)體(12、14)的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)，其特征在于在共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)上，在同軸電纜端(19)和接觸端(20)之間的一個預(yù)定的區(qū)段上至少在一邊，特別在兩邊，安置了一個支承共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的介電體(28)，在介電體(28)和接觸端(20)之間如此設(shè)計了探測頭(100、200、300)，使得共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的導(dǎo)體(12、14)是懸空地、針對起支承作用的介電體(28)有彈力地布置的。
2.按權(quán)利要求1所述的探測頭(100、200、300)，其特征在于，在共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的每兩個導(dǎo)體(12、14)之間，從同軸電纜端(18)至接觸端(20)分別如此設(shè)計成形一個間隙(16)，使得從同軸電纜端(18)至接觸端(20)能產(chǎn)生一種恒定的波阻抗。
3.按權(quán)利要求2所述的探測頭(100、200、300)，其特征在于在介電體(28)的范圍中各間隙(16)比在沒有介電體(28)的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的范圍中較寬。
4.按權(quán)利要求1至3中的任一項所述的探測頭(100、200、300)，其特征在于介電體是至少作為一個石英部件(28)設(shè)計成形的。
5.按以上權(quán)利要求中的任一項所述的探測頭(100、200、300)，其特征在于介電體(28)在與共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)相連接的一邊，具有一個以后者基本上覆蓋的金屬層。
6.按以上權(quán)利要求中的任一項所述的探測頭(200)，其特征在于介電體(28)在其背向共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個邊上是全面積地加以金屬化的。
7.按以上權(quán)利要求中的任一項所述的探測頭，其特征在于在同軸電纜端(18)上安置了一個平面開關(guān)，特別是一個電的、電子的開關(guān)或有源開關(guān)，或者至少是一個有源開關(guān)元件。
8.高頻測量用的探測頭的制造方法，該探測頭具有一個接觸端，用于接觸平面結(jié)構(gòu)，還有一同軸電纜端，用于連接同軸電纜，在接觸端和同軸電纜端之間設(shè)置了至少配備兩個導(dǎo)體的一種共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體都是采用石版印刷-電鍍法制成的。
9.按權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于采用一種光刻法在一硅晶片上制造出至少一個，特別是多個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
10.按權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是按石版印刷-電鍍法如此制成的，使得在一邊的導(dǎo)體彼此連接起來。
11.按以上權(quán)利要求中的任一項所述的方法，其特征在于以下的步驟(a)硅晶片上蒸鍍一金屬層，(b)涂敷一種光敏漆，(c)通過掩模使光敏漆曝光，該掩?；旧舷喈?dāng)于結(jié)構(gòu)的至少是一個待制取的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一個負(fù)片，(d)使漆顯影成具有溝槽的一種結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于待制取的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，(e)用一種導(dǎo)電材料按電鍍法填充那些溝槽，(f)除去金屬層，從硅片上取下共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，(g)在一邊或兩邊將各個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)同處于同軸電纜端和接觸端之間的支承部分連接起來，(h)將共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與同軸電纜連接起來。
12.按權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于步驟(a)中的金屬層包括鈦、銀、鉻和/或金。
13.按權(quán)利要求11或12所述的方法，其特征在于步驟(e)中的導(dǎo)電材料是鎳。
14.按權(quán)利要求11至13中的任一項所述的方法，其特征在于步驟(g)中的支承部分是一種介電體，特別是一個石英部件。
15.按權(quán)利要求11至14中的任一項所述的方法，其特征在于在下一步驟中，將共面波導(dǎo)體連同一個或多個支承部分安裝在一個外殼中。
16.按權(quán)利要求11至15中的任一項所述的方法，其特征在于；在步驟(a)至(e)中制成的每個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)都帶有一橋接部分，該橋接部分將一個共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所有導(dǎo)體，特別是在同軸電纜端上彼此連接起來。
17.按權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于橋接部分附帶地還包括一個包圍著共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的框架。
18.按權(quán)利要求15或17所述的方法，其特征在于步驟(g)之前的附加步驟，(g0)在與同軸電纜連接之前卸去共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體的橋接部分。
19.按權(quán)利要求11至18中的任一項所述的方法，其特征在于步驟(b)至(d)是采用一種光刻法完成的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于高頻測量的探測頭(100),它具有一個接觸端(20),用于平面結(jié)構(gòu)的接觸;還具有一個同軸電纜端(18),用于與一同軸電纜(22)相連接,于此,在接觸端(20)和同軸電纜端(18)之間設(shè)置了一個具有至少兩個導(dǎo)體(12、14)的共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)。依此,在共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)上,在同軸電纜端(18)和接觸端(20)之間的一個預(yù)定的區(qū)段內(nèi),至少在一邊特別在兩邊設(shè)置了一個支承著共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的介電體(28)。于此,在介電體(28)和接觸端(20)之間,探測頭(100)是如此設(shè)計成形的,使得共面導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的導(dǎo)體(12、14)是懸空地和針對起支承作用的介電體(28)有彈力地加以布置的。
文檔編號G01R31/26GK1373853SQ00812867
公開日2002年10月9日 申請日期2000年9月18日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月21日
發(fā)明者邁克爾·沃利特策 申請人:羅森貝格爾高頻技術(shù)兩合公司