專利名稱：爆破片更換設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種爆破片(burst disc)更換設(shè)備，其類型為(例如)用于 減輕關(guān)于從一超導(dǎo)磁體單元排放的致冷劑所累積的過(guò)大壓力。
背景技術(shù)：
在核磁共4展成像(MRI)的領(lǐng)域中，磁共^展成像系統(tǒng)通常包括一個(gè)超導(dǎo) 磁體、復(fù)數(shù)個(gè)梯度和勵(lì)磁線圈、復(fù)數(shù)個(gè)勻場(chǎng)線圈和一張病床。提供超導(dǎo)磁體 是為了產(chǎn)生較強(qiáng)的均勻的靜態(tài)磁場(chǎng)，稱為B。場(chǎng)，以便極化被測(cè)對(duì)象中的核自 旋。
目前，形成超導(dǎo)磁體的線圈由在非常低的溫度下展現(xiàn)超導(dǎo)性質(zhì)的金屬制 成。為了實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)，因而將超導(dǎo)磁體冷卻到非常低的溫度。 一種已知的致冷 劑冷卻的超導(dǎo)磁體單元包括一個(gè)低溫恒溫器，其包括一個(gè)致冷劑容器。在致
冷劑容器內(nèi)提供經(jīng)冷卻的超導(dǎo)磁體，致冷劑容器保持在 一 個(gè)外部真空腔室 (OVC)內(nèi)。在致冷劑容器與OVC之間的真空空間中提供一個(gè)或一個(gè)以上熱 輻射屏蔽件。在一些已知的布置中， 一個(gè)冷凍機(jī)安裝在位于低溫恒溫器中的 一個(gè)冷凍機(jī)護(hù)套中，提供冷凍機(jī)是為了維持致冷劑容器中所提供的致冷劑的 溫度。冷凍機(jī)有時(shí)還用以冷卻所述輻射屏蔽件中的一者或一者以上。冷凍機(jī) 可以是雙級(jí)冷凍機(jī)，第一冷卻級(jí)熱連接到輻射屏蔽件，以便提供到達(dá)第一溫 度的冷卻，通常在50 K到80 K的區(qū)域中。第二冷卻級(jí)提供致冷劑氣體到達(dá) 低得多的溫度的冷卻，通常在4 K到10 K的區(qū)域中。由于許多不同因素，所使用的致冷劑可能變熱，例如由于致冷劑容器的 加熱或形成線圈的超導(dǎo)電線的所謂的"失超"，且因此所使用的致冷劑的所 謂的"汽化"可能發(fā)生。當(dāng)發(fā)生汽化時(shí)，必須限制超導(dǎo)磁體單元中的致冷劑
爆破片(或有時(shí)被稱為防爆片(mpturedisc))是具有材料膜的片，其充當(dāng)對(duì) 至多達(dá)到指定壓力限度的流體的障壁，但在指定壓力被超過(guò)后破裂，從而允 許流體在其中通過(guò)。然而，對(duì)于超導(dǎo)磁體單元來(lái)說(shuō)， 一旦爆破片已由于過(guò)大 壓力而破裂，致冷劑容器就暴露于大氣，因此存在空氣進(jìn)入的風(fēng)險(xiǎn)。還必須 呼叫服務(wù)工程師以便更換損壞的爆破片。
第2005/198973 Al號(hào)美國(guó)專利公開(kāi)案涉及一種爆破片配置，其包括一對(duì) 平行的爆破片、 一 個(gè)耦合到致冷劑容器且延伸到第 一 爆破片的第 一 流動(dòng)路 徑，以及一個(gè)可選地可耦合到致冷劑容器且延伸到第二爆破片的第二流動(dòng)路 徑。起初，氣流是經(jīng)由第一流動(dòng)路徑到達(dá)第一爆破片。當(dāng)?shù)谝槐破屏褧r(shí)， 氣流經(jīng)由第二流動(dòng)路徑轉(zhuǎn)向到第二未穿通的爆破片。然而，為了使氣流的改 道發(fā)生，必須通知服務(wù)工程師并讓其來(lái)到超導(dǎo)磁^本單元現(xiàn)場(chǎng)以便實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)向。 在這方面，這種類型的壓力釋放機(jī)構(gòu)通常需要為兩個(gè)流動(dòng)路徑中的每一者提 供一個(gè)閥，服務(wù)工程師關(guān)閉對(duì)應(yīng)于失效爆破片的閥，并接著打開(kāi)對(duì)應(yīng)于剩余 的未失效爆破片的閥。 一旦轉(zhuǎn)向已實(shí)施，服務(wù)工程師就可替換失效的爆破片。 此外，上文所描述的配置由于需要增加數(shù)目的接頭而具有額外的潛在泄漏路 徑。
如第2005/088266 Al號(hào)美國(guó)專利公開(kāi)案中所描述的替代解決方案是提 供一個(gè)所謂的失超閥，其通常也配備有爆破片，因?yàn)榇祟愰y容易由于來(lái)自排 放的冷氣體凍結(jié)作用而發(fā)生故障。失超閥能夠在排放流體之后由于輕微的壓力增加而重新密封其本身。然而，如果失超閥內(nèi)的爆破片由于閥未能打開(kāi)而 破裂，那么服務(wù)工程師還必須來(lái)到超導(dǎo)磁體單元現(xiàn)場(chǎng)以便更換破裂的爆破
元因此變?yōu)椴豢捎?，直到爆破片被更換為止。此類閥布置還容易在失超閥未 能正確地重新密封的情況下允許空氣進(jìn)入。
US 6，109,042和US 2003/127132 Al揭示用以使用爆破片排放致冷劑的爆 破片相關(guān)措施。然而，與上述技術(shù)一樣，這些文獻(xiàn)描述需要在爆石皮片石皮裂之 后由服務(wù)工程師更換爆破片的措施。如將了解的那樣，服務(wù)工程師出現(xiàn)場(chǎng)到 部署有超導(dǎo)磁體單元的場(chǎng)所的需要可能是昂貴的，且可能導(dǎo)致操作員無(wú)法使 用超導(dǎo)磁體單元，直到服務(wù)工程師更換破裂的爆破片為止。此外，如上文所 提及，當(dāng)?shù)却S護(hù)工程師時(shí)，致冷劑容器暴露于空氣進(jìn)入的可能性。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種爆破片更換設(shè)備，其包括 一個(gè)片架 (magazine),其承載一個(gè)第 一爆破片和一個(gè)第二爆破片； 一條穿過(guò)所述片架 的流動(dòng)路徑，其用于排放流體，所述第一爆破片位于所述流動(dòng)路徑中，且所 述第二爆破片位于所述流動(dòng)路徑外；以及一個(gè)平移機(jī)構(gòu)，其耦合到所述片架，
且經(jīng)布置以允許手動(dòng)平移所述片架，使得所述第二爆破片在使用中時(shí)移動(dòng)到 所述流動(dòng)路徑中而代替所述第一爆破片。
所述片架可經(jīng)布置以承載包括所述第一爆破片和所迷第二爆破片在內(nèi) 的復(fù)數(shù)個(gè)爆破片。
所述片架可以樞轉(zhuǎn)方式安裝?；蛘?，所述片架可經(jīng)布置以線性平移。 所述第 一爆破片和所述第二爆破片可遵循一弧形平移路徑。 所述片架可經(jīng)布置以便遵循一大體上直的線平移。
6所述片架可經(jīng)布置以至少在一個(gè)第一位置與一個(gè)第二位置之間作往復(fù) 運(yùn)動(dòng)。
所述設(shè)備可進(jìn)一步包括一個(gè)用于防止所述第二爆破片與所述流動(dòng)路徑 不對(duì)準(zhǔn)的機(jī)械止動(dòng)件。
所述片架可界定一個(gè)大體上呈扇形的平面載體。 所迷片架可界定一個(gè)大體上呈矩形的載體。
所述載體可經(jīng)布置以接納一個(gè)更換爆破片以代替所述第一爆破片或所 述第二爆破片。
所述載體可經(jīng)布置以可更換地保持所述第一爆破片和/或所述第二爆破片。
所述設(shè)備可進(jìn)一步包括 一個(gè)入口，其安置在所述片架的一側(cè)上；以及 一個(gè)偏置裝置，其經(jīng)布置以朝所述入口推動(dòng)所述片架。
所述設(shè)備可進(jìn)一步包括 一個(gè)第一表面和一個(gè)第二表面，其經(jīng)布置以協(xié) 作以便克服所述偏置裝置，從而在所迷第二爆破片正移動(dòng)到所述流動(dòng)路徑中 時(shí)移動(dòng)所迷片架，使其遠(yuǎn)離所述入口。
所述設(shè)備可進(jìn)一步包括 一個(gè)出口，其流體耦合到大氣或一個(gè)流體回收 單元，所迷片架密封地耦合到所述出口。
因此有可能提供一種爆破片更換設(shè)備，其避免了需要服務(wù)工程師在爆破 片破裂之后立刻且在每次爆破片破裂時(shí)出現(xiàn)場(chǎng)到超導(dǎo)磁體單元。因此，與超 導(dǎo)磁體單元相關(guān)的雄修成本降低，且延長(zhǎng)了使用超導(dǎo)磁體單元的系統(tǒng)(例如 磁共4^成像系統(tǒng))的運(yùn)行時(shí)間，因?yàn)樵诜?wù)工程師到來(lái)之前，超導(dǎo)磁體單元 的使用不必停止。此外，有可能提供一種設(shè)備，其使致冷劑容器向大氣的暴 露減到最小，且因此使致冷劑容器的部分和/或與其耦合的部分的結(jié)冰減到最小。


現(xiàn)將參看附圖，僅以實(shí)例的方式描述本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例，附圖中
圖1是構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施例的設(shè)備的示意圖，其耦合到超導(dǎo)磁體單元；
圖2是圖1所示實(shí)施例中所使用的片架的示意圖3是圖2的片架的一部分的側(cè)正視圖4是沿著圖5的線A-A的水平截面；以及
圖5是構(gòu)成本發(fā)明替代實(shí)施例的另一片架的示意圖6是沿著圖4的線B-B的水平截面。
具4本實(shí)施方式
在以下描述中，相同附圖標(biāo)記將始終用于識(shí)別相同部分。 參看圖1,爆破片更換設(shè)備IOO包括一個(gè)具有一條穿過(guò)其中的流動(dòng)路徑 104的爆破片切換器102,流動(dòng)路徑104提供一入口 106與一出口 108之間的 流體連通。入口 106經(jīng)由主排放導(dǎo)管113耦合到一個(gè)超導(dǎo)磁體單元112的容 器的訪問(wèn)塔110。出口108經(jīng)由通風(fēng)管(未圖示)流體耦合到大氣。然而， 所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，出口 108可耦合到一個(gè)致冷劑回收單元(未圖 示)。超導(dǎo)磁體單元112在此實(shí)例中是一個(gè)成4象系統(tǒng)(例如磁共振成像(MRI) 系統(tǒng))的一部分，且尤其包括一個(gè)致冷劑容器(未圖示)，所述容器含有位 于其中的一個(gè)超導(dǎo)磁體(也未圖示)。致冷劑容器填充有致冷劑，例如液氦。 爆破片切換器102包括一個(gè)平移機(jī)構(gòu)，所述平移機(jī)構(gòu)包括一個(gè)承載一第 一爆破片116和一第二爆破片118的片架114。片架114大體上構(gòu)成用于爆 破片的載體，所述載體能夠接納爆破片，且包括一個(gè)用于將爆破片保持在其 中且同時(shí)允許更換所述爆破片中至少一者的合適機(jī)構(gòu)。在此實(shí)例中，片架114 大體上是扇形的，且可旋轉(zhuǎn)地安裝在樞軸點(diǎn)200 (圖2)處，片架114的樞軸
8點(diǎn)200經(jīng)定位以使得由第一爆破片116和第二爆破片118的中心所描繪的弧 穿過(guò)流動(dòng)路徑104的中心。圍繞樞軸點(diǎn)200安置例如彈簧的偏置裝置(未圖 示)。片架114通過(guò)一個(gè)可伸縮的偏置橋接導(dǎo)管(未圖示)耦合到出口108， 以提供流動(dòng)路徑104的一部分。偏置橋接導(dǎo)管在其第一端處通過(guò)一個(gè)動(dòng)態(tài)O 形環(huán)密封件(未圖示)可滑動(dòng)地耦合到出口 ！08,但被朝片架114推動(dòng)。在 橋接導(dǎo)管的第二端提供一個(gè)第一 〇形環(huán)密封件，第一 〇形環(huán)密封件鄰接片 架114的背面120。
片架114的外圍202包括一個(gè)傾斜的圓周表面形成物，其大體上垂直于 片架114的一個(gè)平面而延伸。在這方面，所述表面形成物是一個(gè)安置在第一 爆破片116與第二爆破片118中間的斜坡長(zhǎng)度204。在此實(shí)例中，斜坡長(zhǎng)度 204從片架114的平面(靠近一條穿過(guò)第一爆破片116中心的想象的徑向線 與外圍202相交之處)上升，且在靠近(并在此之前) 一條穿過(guò)第二爆破片 118中心的想象的徑向線與外圍202相交之處下降。 一旦斜;皮長(zhǎng)度204已上 升到最大高度，斜坡就回落，以在徑向點(diǎn)之間的預(yù)定距離之后與片架114的 表面齊平。在爆破片切換器102的與片架114外圍202相對(duì)的內(nèi)表面上提供 對(duì)應(yīng)的隨動(dòng)件122。圖3中展示斜坡長(zhǎng)度204的剖面。
一根杠桿206附接到片架114 ，以使得能夠使用機(jī)械優(yōu)點(diǎn)來(lái)平移片架114 。
入口 106具有一外圍密封唇緣(未圖示)，且每一爆破片116、 118具有 一外圍0形環(huán)密封件208 (僅在圖2中展示)。
一個(gè)與第一爆破片116相關(guān)聯(lián)的爆破檢測(cè)傳感器(未圖示)耦合到一個(gè) 控制系統(tǒng)(未圖示)。
而且，訪問(wèn)塔110中的一個(gè)壓力傳感器用于感測(cè)致冷劑容器內(nèi)的壓力， 有時(shí)被稱為"失超壓力"。壓力傳感器也耦合到控制系統(tǒng)。
9在操作中，片架1M起初位于一第一位置，且第一爆破片116在流動(dòng)路 徑104中，O形環(huán)密封件208由偏置裝置以密封方式推動(dòng)以"t氐靠入口 106。
在制成致冷劑容器內(nèi)超導(dǎo)磁體的超導(dǎo)材料失超的情況下， 一些致冷劑變 熱且變相，例如進(jìn)入氣相且作為氦氣(在此實(shí)例中)經(jīng)由訪問(wèn)塔110而排放。
往回參看圖l,氦氣沿著主排放導(dǎo)管113行進(jìn)，且鄰近于安置在流動(dòng)路 徑104中的第一爆破片116而累積。 一旦主排放導(dǎo)管113中(且因此鄰近于 第一爆破片116處)的壓力超過(guò)與第一爆破片116的破裂點(diǎn)相關(guān)聯(lián)的預(yù)定額 定壓力，第一爆破片116就破裂，氦氣經(jīng)由出口 108和通風(fēng)管安全地排放到 大氣或排放到致冷劑回收系統(tǒng)(未圖示)。
第一爆破片116的破裂由爆破檢測(cè)傳感器感測(cè)，且因此控制系統(tǒng)向包括 超導(dǎo)磁體單元112的成像系統(tǒng)的用戶產(chǎn)生警"f艮，以通知用戶第一爆破片已破 裂。致冷劑容器中導(dǎo)致破裂的升高的壓力也由壓力傳感器檢測(cè)，致冷劑容器 中的壓力太高以致無(wú)法安全使用超導(dǎo)磁體。因此，控制系統(tǒng)使超導(dǎo)磁體單元 112的壓縮機(jī)斷電，且向用戶發(fā)出警報(bào)，所迷警報(bào)通知用戶壓力過(guò)高。另夕卜， 因?yàn)槌瑢?dǎo)磁體已失超，所以超導(dǎo)磁體不穩(wěn)定且超導(dǎo)磁體不再產(chǎn)生磁場(chǎng)。用戶 因此等待，直到壓力已減小且壓力警報(bào)消除為止，接著可安全更換破裂的第 一爆破片116。
一旦失超壓力已減小到安全水平，用戶或其他人員就可操作杠桿206， 以便使片架114圍繞樞軸點(diǎn)200樞轉(zhuǎn)。在拉動(dòng)杠桿206時(shí)，片架114遵循一 弧形路徑平移。在片架114平移時(shí)，隨動(dòng)件122與斜坡長(zhǎng)度204協(xié)作，致使 斜坡表面204跨坐在隨動(dòng)件122上，從而軸向推動(dòng)片架114^吏其遠(yuǎn)離入口 106, 從而克服偏置裝置的力，且因此破壞第一爆破片116的O形環(huán)密封件208與 入口 106的外圍密封唇緣之間的密封。片架114接著繼續(xù)以隨動(dòng)件122與斜坡長(zhǎng)度204的最高部分之間的相互 作用所規(guī)定的最大軸向距離平移。第一爆破片116因此從流動(dòng)路徑104中移 動(dòng)出來(lái)，且繼續(xù)遠(yuǎn)離流動(dòng)路徑而移動(dòng)。同時(shí)，第二爆破片118接近流動(dòng)路徑 104,隨動(dòng)件122到達(dá)斜坡長(zhǎng)度204的在此平移方向上下降的斜面。片架114 因此由偏置裝置往回朝入口 106推動(dòng)，使得在第二爆破片118變?yōu)榕c入口 106 軸向?qū)?zhǔn)且移動(dòng)成與入口 106配準(zhǔn)時(shí)，第二爆破片118的O形環(huán)密封件208 與入口 106的外圍密封唇緣密封嚙合。因此，第二爆破片118移動(dòng)到流動(dòng)路 徑104中的適當(dāng)位置，而不會(huì)使第二爆破片118的O形環(huán)密封件絞纏。
因此片架114現(xiàn)已標(biāo)引出一個(gè)位置，且已用完全密封且完整的第二爆破 片118更換第一破裂爆破片116,使得成像系統(tǒng)準(zhǔn)備好繼續(xù)操作。標(biāo)引片架 114的過(guò)程且因此第一爆破片116的更換已完成，而無(wú)需服務(wù)工程師的任何 干預(yù)。當(dāng)然，需要呼叫服務(wù)工程師來(lái)更換第一爆破片116,但不需要服務(wù)工 程師立即出現(xiàn)，且在過(guò)渡期間，成像系統(tǒng)仍可使用，因?yàn)橥耆芊獾母鼡Q爆 破片處于適當(dāng)位置。
在另一實(shí)施例(圖4和圖5)中，片架114包括第一爆破片116和第二 爆破片118。然而，片架114的形狀大體上是矩形，且片架114是平移機(jī)構(gòu) 的一部分，平移機(jī)構(gòu)使片架114能夠遵循第一位置與第二位置之間的一條大 體上直的線作往復(fù)運(yùn)動(dòng)。在這方面，提供一條上部軌道和一條下部軌道，片 架可沿所迷軌道平移。
片架U4包括一組上部橫向滑道和一組下部橫向滑道。為了清楚起見(jiàn)， 圖5中僅展示那組下部橫向滑道220、 222。參看圖6，該組下部橫向滑道包 括位于片架114第一側(cè)上的一對(duì)固定的橫向滑道220以及位于片架114第二 側(cè)上的一對(duì)偏置的橫向滑道222。該對(duì)偏置的橫向滑道222推動(dòng)該對(duì)固定的
11橫向滑道220，使其抵靠下部軌道224的第一側(cè)223。在這方面，該對(duì)偏置的 橫向滑道222包括通過(guò)一對(duì)相應(yīng)的偏置裝置228耦合到片架114的一對(duì)滑道 226。
還關(guān)于平移機(jī)構(gòu)的上部軌道提供上述結(jié)構(gòu)。
在此實(shí)例中，片架114的(與布置有那對(duì)偏置的橫向滑道220的一側(cè)相 對(duì)的) 一側(cè)包括一上部邊緣襯條230和一下部邊緣襯條232，上部邊緣襯條 230和下部邊緣襯232中的每一者承載一對(duì)相應(yīng)的間隔開(kāi)的斜坡長(zhǎng)度204。平 移機(jī)構(gòu)的內(nèi)部表面的上部和下部部分每 一 者也7 t載 一 對(duì)相應(yīng)的間隔開(kāi)的隨 動(dòng)件122。片架114還《(載一個(gè)把手234以供用戶致動(dòng)。
在此實(shí)例中， 一旦失超壓力已減小到安全水平，用戶或其他人員就可操 作把手234，以便(例如)通過(guò)推動(dòng)片架114而以大體上直的線平移片架114。 在推動(dòng)把手234時(shí)，片架114遵循大體上直的路徑而平移，隨動(dòng)件122與相 應(yīng)的相對(duì)斜坡長(zhǎng)度204協(xié)作，從而致使斜坡表面204跨坐在隨動(dòng)件112上并 軸向推動(dòng)片架114，使其遠(yuǎn)離入口 106。因此片架114克服滑道的偏置裝置 228的力，且因此破壞第一爆破片116的 形環(huán)密封件208與入口 106的外 圍密封唇緣之間的密封。
片架114接著繼續(xù)以隨動(dòng)件122與斜坡長(zhǎng)度204的最高部分之間的相互 作用所規(guī)定的最大軸向距離平移。第一爆破片116因此從流動(dòng)路徑104中移 動(dòng)出來(lái)，且繼續(xù)移動(dòng)以遠(yuǎn)離流動(dòng)路徑。同時(shí)，第二爆破片118接近流動(dòng)路徑 104，隨動(dòng)件122到達(dá)斜坡長(zhǎng)度204的在此平移方向上下降的相應(yīng)斜面。片架 114因此由偏置的橫向滑道222的偏置裝置228往回朝入口 106推動(dòng)，使得 在第二爆破片118變?yōu)榕c入口 106軸向?qū)?zhǔn)且移動(dòng)成與入口 106配準(zhǔn)時(shí)，第 二爆破片118的O形環(huán)密封件208與入口 106的外圍密封唇緣密封嚙合。因
12此，第二爆破片118移動(dòng)到流動(dòng)路徑104中的適當(dāng)位置，而不會(huì)使第二爆破 片118的O形環(huán)密封件絞纏。
因此片架114現(xiàn)已標(biāo)引出一個(gè)位置，且已用完全密封且完整的第二爆破 片118更換第一破裂爆破片116,使得成像系統(tǒng)準(zhǔn)備好繼續(xù)操作。
盡管已在水平實(shí)施方案的上下文中描迷了以上實(shí)例，但所屬領(lǐng)域的技術(shù) 人員應(yīng)了解，平移機(jī)構(gòu)和片架1H的其它定向是可能的，例如垂直定向。
應(yīng)了解，盡管已在一個(gè)第一爆破片116和一個(gè)第二爆破片118的上下文 中描述了以上實(shí)例，但片架114可具備一個(gè)或一個(gè)以上額外的爆破片，且以 類似于上文所述的方式提供更多數(shù)目的斜坡長(zhǎng)度。
如果需要的話，上述實(shí)施例可具備末端止動(dòng)件以限制片架114的平移且 /或防止爆破片與流動(dòng)路徑104不對(duì)準(zhǔn)。
盡管上文所迷的用于標(biāo)引片架1H的技術(shù)是純機(jī)械實(shí)施方案，但所屬領(lǐng) 域的技術(shù)人員應(yīng)了解，可使用電動(dòng)機(jī)、液壓裝置、氣壓裝置或任何其它合適 的動(dòng)力驅(qū)動(dòng)實(shí)施方案來(lái)使片架122旋轉(zhuǎn)。
雖然已在將氦用作致冷劑選擇的上下文中描述了以上實(shí)施例，但所屬領(lǐng) 域的技術(shù)人員應(yīng)了解，氦并非強(qiáng)制性的，可使用其它致冷劑。而且，雖然在 MRI系統(tǒng)的上下文中描述了以上實(shí)施例，但可相對(duì)于任何合適的斷層攝影系 統(tǒng)而4吏用所述實(shí)施例。
權(quán)利要求
1. 一種爆破片更換設(shè)備，包括一個(gè)片架，其承載一第一爆破片和一第二爆破片；一條穿過(guò)所述片架的流動(dòng)路徑，其用于排放流體，所述第一爆破片位于所述流動(dòng)路徑中，且所述第二爆破片位于所述流動(dòng)路徑外；以及一個(gè)平移機(jī)構(gòu)，其耦合到所述片架，且經(jīng)布置以允許平移所述片架，使得所述第二爆破片在使用中時(shí)移動(dòng)到所述流動(dòng)路徑中，以代替所述第一爆破片。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述片架經(jīng)布置以承載包括所迷第 一爆破片和所述第二爆破片在內(nèi)的復(fù)數(shù)個(gè)爆破片。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l或權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述片架以樞轉(zhuǎn)方式安裝。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l或權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述片架經(jīng)布置以線性平移。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所迷第一爆破片和所述第二爆破片遵循一弧形平移路徑。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l、 2或4所述的設(shè)備，其中所述片架經(jīng)布置以便遵循一大體上直的線平移。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述片架經(jīng)布置以至少在一第一位置與一第二位置之間作往復(fù)運(yùn)動(dòng)。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所迷的設(shè)備，其進(jìn)一步包括一個(gè)用于防止所述第二爆破片與所述流動(dòng)路徑不對(duì)準(zhǔn)的機(jī)械止動(dòng)件。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述片架界定一大體上呈扇形的平面載體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l、 2、 4或5所述的設(shè)備，其中所述片架界定一大體上呈矩形的載體。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9或權(quán)利要求IO所述的設(shè)備，其中所述載體經(jīng)布置以接納一更換爆破片，以代替所述第一爆破片或所述第二爆破片。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括一個(gè)入口，其安置在所述片架的一側(cè)上；以及一個(gè)偏置裝置，其經(jīng)布置以朝所述入口推動(dòng)所述片架。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括 一第一表面和一第二表面，其經(jīng)布置以協(xié)作以便克服所述偏置裝置，從而在所迷第二爆破片正移動(dòng)到所述流動(dòng)路徑中時(shí)，移動(dòng)所迷片架遠(yuǎn)離所迷入口 。
14. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所迷的設(shè)備，其進(jìn)一步包括一個(gè)出口，其流體耦合到大氣或一個(gè)流體回收單元，所述片架密封地耦合到戶斤迷出口。
15. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備，其中所述平移機(jī)構(gòu)經(jīng)布置以允許手動(dòng)平移所述片架。
16. —種磁共4展成像系統(tǒng)，其包括才艮據(jù)前述4又利要求中任一權(quán)利要求所述的爆破片更換設(shè)備。
17. —種大體上如上文中參看附圖所描述的爆破片更換設(shè)備。
全文摘要
一種爆破片更換設(shè)備(102)，包括一個(gè)片架(114)，其承載一第一爆破片(116)和一第二爆破片(118)。所述設(shè)備還包括一條穿過(guò)所述片架(114)的流動(dòng)路徑(104)，其用于排放流體。所述第一爆破片(116)位于所述流動(dòng)路徑(104)中，且所述第二爆破片(118)位于所述流動(dòng)路徑(104)外。還提供一個(gè)平移機(jī)構(gòu)，其耦合到所述片架(114)，且經(jīng)布置以允許手動(dòng)平移所述片架(114)，使得所述第二爆破片(118)在使用中時(shí)移動(dòng)到所述流動(dòng)路徑(104)中以代替所述第一爆破片(116)。
文檔編號(hào)F17C13/12GK101509601SQ200910005839
公開(kāi)日2009年8月19日 申請(qǐng)日期2009年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月15日
發(fā)明者特雷弗·B·赫斯本德, 菲利普·A·C·沃爾頓, 馬修·霍布斯 申請(qǐng)人:西門(mén)子磁體技術(shù)有限公司