專利名稱：自供電、自傳感的磁流變體阻尼器的制作方法
技術領域：
本申請涉及自供電、自傳感的磁流變(MR)阻尼設備，以及涉及用于在MR阻尼設備中從發(fā)電機部件的電壓中提取相對速度信息方法。
背景技術：
對于當今高速發(fā)展的動力系統(tǒng)而言，振動控制至關重要。在磁場應用中，磁流變 (MR)流體是一種智能材料，其能夠在幾毫秒內(nèi)，從自由流動狀態(tài)向半固體狀態(tài)快速、可逆且可調(diào)諧地轉(zhuǎn)變。因為MR流體在電子控件與機械裝置/系統(tǒng)之間提供了簡單且快速的響應界面，所以MR流體非常有望用于半主動振動控制。MR阻尼器的優(yōu)點非常具有吸引力，例如可控的阻尼力、寬的操作溫度范圍、快速響應和低能耗。圖1示出了基于半主動控制系統(tǒng)的典型MR阻尼器。如圖1所示，在現(xiàn)有MR阻尼系統(tǒng)中，需要分離或單獨的電源60和動態(tài)傳感器64。電源60用于激活MR阻尼器62中的電磁線圈向MR流體提供磁場。傳感器64用于測試動態(tài)響應，動態(tài)響應可包括構件(plant) 61 在MR阻尼器62中的位移或速度。系統(tǒng)控制器66使用表示速度的測定信號來確定控制動作。現(xiàn)有MR阻尼系統(tǒng)還包括阻尼器控制器67，阻尼器控制器67基于來自系統(tǒng)控制器66的測定信號生成電壓指令，然后，將所生成的指令施加于電流驅(qū)動器68。在現(xiàn)有MR阻尼系統(tǒng)中，當MR阻尼器67的兩端在外部激勵下相對彼此移動時，來自MR阻尼器的機械能將裝化為熱能，且所轉(zhuǎn)化的熱能將被耗散。例如，在汽車的日常使用中，僅有10-16%的燃料用于驅(qū)動汽車以克服來自道路摩擦和空氣的阻力。當汽車在不規(guī)則的路上行駛時，大量的燃料能被浪費掉。另外，由于分離的電源(電池)的壽命有限，因此需要充電和替換。這還增加了 MR阻尼系統(tǒng)的安裝空間、重量和成本。而且，為了充分利用MR阻尼器的可控阻尼特點，在現(xiàn)有MR阻尼系統(tǒng)中需要額外的速度/位移傳感器來測試MR阻尼器兩端相對速度/位移。通常，額外的傳感器分離地平行于MR阻尼器。額外的動態(tài)傳感器增加了 MR系統(tǒng)的安裝空間、重量和成本。另外，分離傳感器與MR阻尼系統(tǒng)之間的連接器還降低了系統(tǒng)的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N用于振動減緩系統(tǒng)的理想技術方案。在外部激振下，根據(jù)本申請的實施方式的自供電、自傳感的MR阻尼器將自動產(chǎn)生需要的阻尼力，而不需要外部電源和傳感器。在一個實施方式中，提供一種自供電、自傳感的MR阻尼裝置，包括MR阻尼器部件，具有緩沖活塞組件和減震缸，所述緩沖活塞組件能夠在外部激勵下相對于所述減震缸移動；發(fā)電部件，根據(jù)所述緩沖活塞組件的移動產(chǎn)生電壓信號；控制單元，根據(jù)所產(chǎn)生的電壓信號估算所述移動的速度，以基于所估算的速度輸出阻尼驅(qū)動電流；
傳感部件，具有至少一個用于產(chǎn)生MR流體場強的線圈，其中所述傳感部件接收阻尼電流來改變所述場強，從而控制所述MR阻尼器部件以提供可調(diào)節(jié)的阻尼力。根據(jù)上述MR阻尼裝置，來自MR阻尼器的一部分磁能可被轉(zhuǎn)化為用于MR阻尼系統(tǒng)自身的電能，而不是僅僅作為熱能被浪費掉。而且，上述MR阻尼裝置還可在沒有外部傳感器的情況下測試MR阻尼器兩端之間的相對速度/位移。因此，不再需要現(xiàn)有MR阻尼系統(tǒng)中的分離的電源和動態(tài)傳感器。該阻尼系統(tǒng)還可獲得很多優(yōu)點，例如能量存儲、尺寸和重量減小、低成本以及低維護。而且，通過從系統(tǒng)中去掉分離裝置和分離裝置的連接器從而改進該MR阻尼系統(tǒng)的可靠性。另外，本申請通過利用傳感功能還提供系統(tǒng)動力信息。在MR阻尼系統(tǒng)中，動力信息可用于提供控制功能。該傳感功能適用于不同的控制算法。通過使用不同的控制算法， 上述裝置可在寬廣應用范圍中具有優(yōu)異的性能、例如，車輛懸浮、建造和修復。所述MR阻尼器部件、發(fā)電部件和傳感部件不是簡單的組合。相反，這三個部件共用一些空間和構件。上述的技術方案還涉及在三個構件中的運動和磁場干涉。另外，還為磁場干涉設計特定的構件。


圖1示出基于半主動控制系統(tǒng)的典型MR阻尼器；圖2示出根據(jù)本申請一個實施方式的自供電、自傳感的MR阻尼器；圖3示出圖2的部分的放大圖，示出其機械結(jié)構的細節(jié)；圖4示出根據(jù)本申請另一實施方式的自供電、自傳感的MR阻尼器；圖5A示出圖3的部分的放大圖，示出其具有槽的多極發(fā)電部件的細節(jié)；圖5B示出根據(jù)本申請一個實施方式的多極無槽的發(fā)電部件；圖6示出根據(jù)本申請一個實施方式的自供電、自傳感的MR阻尼器的電氣部件；圖7示出根據(jù)本申請一個實施方式的速度提取傳感機構；圖8示出根據(jù)本申請一個實施方式的MR阻尼器部件和發(fā)電部件的磁場分布；圖9A示出根據(jù)本申請一個實施方式的基于彈性件的、具有槽的多極發(fā)電部件圖9B示出根據(jù)本申請一個實施方式的基于彈性件多極無槽的發(fā)電部件；圖10示出根據(jù)本申請一個實施方式的具有基于彈性件多極無槽的發(fā)電部件的機械部件和移動間隔片速度傳感部件；圖IlA示出圖10的放大圖，示出根據(jù)本申請一個實施方式的移動間隔片速度傳感部件的細節(jié)；圖IlB示出根據(jù)本申請一個實施方式的移動間隔片速度傳感部件；以及圖12示出根據(jù)本申請一個實施方式的MR阻尼器部件和移動間隔片速度傳感部件的磁場分布。
具體實施例方式下面將參照附圖描述本申請的實施方式。圖2示出了根據(jù)本申請一個實施方式的自供電、自傳感的MR阻尼器79。如圖所示，MR阻尼器79具有單端MR阻尼器結(jié)構，該結(jié)構包括具有槽的多極發(fā)電部件。阻尼器79通過利用速度提取算法來執(zhí)行傳感功能，該速度提取算法從發(fā)電部件的信號中提取速度信息。這意味著MR阻尼器79的傳感部件與MR阻尼器79的發(fā)電部件共用同一機械構件。如圖2所示，MR阻尼器79包括電氣部件76和機械部件78。下面將首先描述機械部件78。參照圖3，在該圖中示出了根據(jù)本申請一個實施方式的機械部件78。機械部件78 可包括MR阻尼器部件84和發(fā)電部件86。發(fā)電部件86可為具有槽的多極線性發(fā)電部件。 如圖所示，發(fā)電部件86與MR阻尼器部件84同心，且徑向地位于MR阻尼器部件84的外側(cè)。 即，MR阻尼器部件84在發(fā)電部件86內(nèi)側(cè)。一方面，與現(xiàn)有的軸向、外側(cè)布局相比，這樣的布局具有更小的軸向尺寸(長度)，從而當軸向安裝空間(長度)有限時，這樣的布局非常有用。另一方面，機械部件78的最有用的部分是用于生成磁場和電場的外部分；且機械部件78的內(nèi)側(cè)通常用于固定，并且沒有外部分重要。由于MR阻尼器部件84設置在內(nèi)側(cè)，因此，相比現(xiàn)有的軸向外側(cè)布局，能更好地利用機械部件78的內(nèi)側(cè)空間，從而使得MR阻尼器部件84的空間和構件得以充分利用。發(fā)電部件86的發(fā)電能力可顯著增加，而僅增加少許尺寸(直徑)。MR阻尼器84可包括液壓缸106，液壓缸106通常由高導磁材料制成，例如低碳鋼。 在該實施方式中，液壓缸106提供圓柱空腔116用來容納流體，例如MR流體、空氣、油和/ 或其他液體或材料/構件。通過在液壓缸106兩端的兩個無磁性罩體100和114使液壓缸 106閉合。這些部件裝配在一起形成部分閉合的組件。MR阻尼器部件84還可包括至少一個活塞桿96?；钊麠U96通過在罩體100和114 上的兩個中心孔滑動地裝配入液壓缸106中。活塞桿96是無磁性的。密封件98A位于活塞桿96周圍并為活塞桿96提供支撐，密封件98A可以是墊圈、0形環(huán)、潤滑劑、軸承和/或復合密封器。另外，活塞桿96為可軸向滑動的，且不接觸罩體110和114，并且活塞桿96進一步密封空腔116中的MR流體。MR阻尼器部件84還可包括通過螺栓或焊接連接至活塞桿96的活塞組件104。活塞組件104通過密封件98A的導引可在液壓缸106中軸向移動，并保持在液壓缸106中心， 或?qū)室簤焊?06?；钊M件104優(yōu)選地由高導磁材料制作，并具有至少一個卷軸和線圈繞組。在該實施方式中示出了一個線圈繞組108。MR阻尼器部件84還包括一個桿狀容積補償器。在該實施方式中，采用具有浮動活塞158的蓄電器160。液壓缸106的內(nèi)壁(直徑)與活塞104的外壁(直徑)之間的縫隙形成工作區(qū)域， 即，環(huán)形流體孔109。線圈繞組108產(chǎn)生影響流體孔109中MR流體的磁場。當活塞桿96在外部激勵下移動時，MR流體將流經(jīng)環(huán)形孔109。在該實施方式中，線圈繞組108可形成為螺線管線圈用來產(chǎn)生磁場。線圈繞組108 通過導線92與電氣部件76相互連接。導線92通過活塞104和活塞桿96中的導線孔伸出穿過阻尼器部件。當電流施加至線圈繞組108時，產(chǎn)生磁場從而固化環(huán)形孔109中的MR流體。然后增加環(huán)形孔109中的MR流體的場強，從而增加MR阻尼器部件84的阻尼力。通過調(diào)節(jié)線圈繞組108的輸入電流，可控制MR阻尼器部件84的阻尼力。活塞桿96具有螺桿， 螺桿的端部與上部連接器90A緊密接合。圖4示出根據(jù)本申請另一實施方式的自供電、自傳感MR阻尼器。在該實施方式中， MR阻尼器的、具有槽的多極發(fā)電部件具有雙端MR阻尼器結(jié)構。與圖2和圖3所示的單端MR阻尼器結(jié)構不同，雙端結(jié)構具有兩個活塞桿70和71。作為示例，活塞桿70和71具有相同的直徑，因此包含MR流體的空腔72體積沒有發(fā)生變化。在該實施方式中，不需要桿狀容積補償器、蓄電器或其他相似裝置。發(fā)電部件86可具有至少四種不同的構造。用于示出圖3的部分的圖5A示出了具有槽的多極線性發(fā)電機86。通常，如上所述，發(fā)電機86與MR阻尼器部件84同心且徑向地位于MR阻尼器部件84外側(cè)。術語“多極”是指發(fā)電部件86具有多組特別排列地永磁體和線圈。一方面，多組永磁體和線圈的具體布局使得每個線圈中產(chǎn)生的電力可得到充分利用。 另一方面，該布局可使得磁通量在控制的通路中通過，這樣可減小磁漏并提高磁場的強度。 這兩方面使多極發(fā)電部件86具有高的發(fā)電效率。如圖5A所示，發(fā)電部件86包括內(nèi)部86A和外部86B。內(nèi)部86A包括至少一個極片和永磁體。在圖5A中示出四個永磁體和五個極片。內(nèi)部86A還可包括由無磁性材料形成的磁通屏蔽層154、高導磁系統(tǒng)導引層140和支承板138。內(nèi)部86A的組件通過螺栓或銷 93穿過連接蓋94附接至活塞桿96。因此，內(nèi)部86A的組件可與活塞桿96 —起移動。在該實施方式中，由稀土元素制成的環(huán)形永磁體150A C可被徑向磁化或軸向磁化。相鄰的磁體150A C的磁性相反。出于說明的目的，如圖所示的永磁體150A C被軸向磁化。永磁體150A C成對地堆疊，使得相反的磁動勢驅(qū)動磁通通過在外部86B中分段的間隔片142。永磁體150A C之間配置有安裝在磁通屏蔽層154上的高導磁的極片 152。當環(huán)形磁體被徑向磁化時，相應地，極片152的材料變?yōu)闊o磁性的，磁通屏蔽層IM變?yōu)楦邔Т诺那掖磐▽б龑?40變?yōu)闊o磁性的。外部86B可包括至少一個線圈繞組和至少一個間隔片。圖5示出了i^一個線圈繞組144和十二個間隔片。線圈繞組144間配置有高導磁的間隔片142。線圈繞組144和間隔片142形成外部86B中的有槽結(jié)構。外部86B的內(nèi)壁與內(nèi)部86A的外壁之間的縫隙形成發(fā)電部件86的工作區(qū)域。間隔片142用于增加工作游隙151的磁通密度，從而產(chǎn)生高電能。外部86B通過螺栓135附接至MR阻尼器部件84的汽缸蓋114。因此，外部86B的組件可與液壓缸106 —起移動。在一個實施方式中，外部86B還可包括高導磁殼體136和鎖扣裝置156。特別設計的磁通屏蔽層154和磁通導引層140用于使發(fā)電部件86的磁場和阻尼器部件84的相互干擾減至最小，從而解決發(fā)電機86和阻尼器部件84之間的集成問題。導軌112連接至罩體114，且表面光潔度低。導軌112滑動地裝配入內(nèi)部組件86A， 且當導軌112與活塞桿96 —起移動時，確保內(nèi)部組件86A位于適當?shù)闹行摹D5A中用虛線示出磁通路。因為內(nèi)部組件86A和外部組件86B分別連接至活塞桿96和MR阻尼器部件84的液壓缸106，因此，在激振器作用下，活塞桿96和液壓缸106之間的相對運動還可導致內(nèi)部組件86A和外部組件86B之間的相對線性運動。外部組件86B 中的線圈繞組144和磁體150A C之間的相對運動將提供穿過線圈繞組144的變化的磁鏈，從而在其中產(chǎn)生電能。不同類別或形狀的線圈繞組可根據(jù)每個線圈繞組的電壓方向相互連接以得到最大的電能。通過導線102將電能輸出至電氣部件76。圖5B示出發(fā)電部件的另一種構造，多極無槽的發(fā)電部件180。多極無槽的線性發(fā)電機180和如圖5A所示的具有槽的多極線性發(fā)電機86的區(qū)別在于，在無槽構造中兩個相鄰線圈之間沒有間隔片142。對于多極無槽線性發(fā)電機180而言，線圈182和184依次排
7列，而沒有被具有高導磁的間隔片分隔。磁通量將直接穿過線圈182。對于圖5A所示的有槽發(fā)電機86，磁通量將穿過間隔片142。與有槽發(fā)電機86相比，該無槽發(fā)電機180具有較低的發(fā)電能力、簡單結(jié)構和較小的齒槽定位力。下面，將參照圖6和圖7描述電氣部件76。圖6示出根據(jù)本申請一個實施方式的自供電、自傳感的MR阻尼器79的電氣部件 76。根據(jù)機械部件78生成電氣部件76的輸入AC電壓。輸出可為用于阻尼線圈108的驅(qū)動電流，用以激活用于固化MR流體的磁場。電氣部件76包括MR阻尼驅(qū)動電路、傳感處理電路、能量獲取電路和控制器，下面將進行描述。能量獲取電路可包括電源調(diào)節(jié)電路494、能量存儲裝置490和智能調(diào)節(jié)器488。電源調(diào)節(jié)電路494耦合至能源存儲裝置490，并且具有至少三個功能。一個功能是通過橋式整流器和/或例如三倍頻器的電壓倍增器將AC電壓調(diào)整為DC電壓。第二功能是升高輸入電壓從而高于二極管的正向電壓降。第三功能是匹配能源存儲裝置490的充電曲線。例如， 如果充電電壓超過超級電容的額定電壓，則超級電容可能失效。能源存儲裝置490可為可充電電池、電容或超級電容。如果獲取的電能太小，那么能源存儲裝置490積累獲取能源， 用于間歇使用。利用智能調(diào)節(jié)器488將接收的電壓調(diào)節(jié)至適于存儲的值，且其中的物理電路可是DC-DC電路?？刂破?86為電氣部件76的重要構件?？刂破?86接收來自傳感估算器244 (稍后進行描述)的速度傳感信號。對于復雜的應用，控制器486還可接收一些外部傳感信號。 控制器486采用一些容易且有效的測試來運行特定控制算法，并生成電壓指令，該電壓指令可感應MR阻尼器期望的阻尼力?？刂破?86還控制電源切換模塊484的狀態(tài)。電流驅(qū)動器482通過電源切換器484接收電壓輸出指令。電源切換器484將打開或關閉所生成的電能和電流驅(qū)動器482之間的連接。操作電流驅(qū)動器482將來自控制器486的模擬電壓形式的輸入指令轉(zhuǎn)換為相應的電流。將電流驅(qū)動器482的輸出電流應用于線圈108。傳感估算器244接收來自發(fā)電部件86的AC電力信號或來自機械部件78的傳感電壓，并輸出MR阻尼器78的兩端的相對速度。如果傳感估算器244接收來自機械部件78 的與相對速度成比例的傳感電壓，那么傳感估算器244可為模擬放大器?？蛇x地，如果傳感估算器244接收來自發(fā)電部件的AC電力信號，則傳感估算器244可為運行估算算法242的數(shù)字處理器，并且具有A/D和/或D/A轉(zhuǎn)換器。圖7示出了根據(jù)本申請一個實施方式配置在傳感估算器對4中的速度傳感算法 2420速度提取機構240將發(fā)電部件的電壓的一部分用作初始傳感電壓，然后傳感估算器 244利用該算法242處理該電壓。速度提取機構240可利用來自具有槽的多極發(fā)電機86或多極無槽發(fā)電機180的電壓。為了說明的目的，在此采用圖5A所示的具有槽的、多極線性發(fā)電機。自供電、自傳感MR阻尼器兩端之間的相對速度與內(nèi)部86A與外部86B之間的相對速度相同。兩個相鄰線圈141和144的生成電壓可用于速度提取，根據(jù)下列等式獲得內(nèi)部 86A和外部86B之間的相對速度
權利要求
1.一種自供電、自傳感的MR阻尼裝置，包括MR阻尼器部件，具有緩沖活塞組件和減震缸，所述緩沖活塞組件能夠在外部激勵下相對于所述減震缸移動；發(fā)電部件，根據(jù)所述緩沖活塞組件的移動產(chǎn)生電壓信號；控制單元，根據(jù)所產(chǎn)生的電壓信號估算所述移動的速度，以基于所估算的速度輸出阻尼驅(qū)動電流；以及傳感部件，具有至少一個用于產(chǎn)生MR流體場強的線圈，其中所述傳感部件接收所述阻尼驅(qū)動電流來改變所述場強，從而控制所述MR阻尼器部件提供可調(diào)節(jié)的阻尼力。
2.如權利要求1所述的裝置，其中所述MR阻尼器部件位于所述發(fā)電部件的內(nèi)側(cè)。
3.如權利要求2所述的裝置，其中，所述發(fā)電部件與所述MR阻尼器部件同心，且位于所述MR阻尼器部件的外側(cè)。
4.如權利要求1所述的裝置，其中，所述發(fā)電部件包括內(nèi)部組件和外部組件，所述內(nèi)部組件和所述外部組件分別連接至所述緩沖活塞組件和所述減震缸。
5.如權利要求1所述的裝置，其中，在所述發(fā)電部件和所述MR阻尼器部件之間設置有磁場互動組件。
6.如權利要求1所述的裝置，其中，所述控制單元進一步包括 傳感估算器，從所述電壓信號中提取速度信息；以及控制單元，根據(jù)所提取的速度信息產(chǎn)生指令電壓。
7.如權利要求1所述的裝置，其中，所述MR阻尼器部件提供空腔，其中，所述空腔和所述緩沖活塞組件的位置被設計成能夠限定出至少一個工作區(qū)域。
8.如權利要求7所述的裝置，其中所述活塞組件具有至少一個磁場發(fā)生器，用于產(chǎn)生作用于MR流體的磁場。
9.如權利要求5所述的裝置，其中，所述磁場互動組件進一步包括無磁性磁通屏蔽層和高導磁磁通導引層。
10.如權利要求1所述的裝置，其中，所述發(fā)電部件進一步包括 內(nèi)部組件，具有至少一組環(huán)形永磁體和極片；以及外部組件，具有至少一組線圈繞組和高導磁間隔片以形成具有槽的結(jié)構。
11.如權利要求10所述的裝置，其中所述外部組件進一步包括位于所述線圈繞組外側(cè)的高導磁殼體以及高導磁間隔片。
12.如權利要求1所述的裝置，其中，所述發(fā)電部件進一步包括 內(nèi)部組件，具有至少一組環(huán)形永磁體和極片；以及外部組件，具有至少一組線圈繞組以形成無槽結(jié)構，所述外部組件進一步具有位于所述線圈繞組外側(cè)的高導磁殼體。
13.如權利要求1所述的裝置，其中所述傳感部件進一步包括 高導磁外部缸體；徑向磁化環(huán)形磁體，附接至所述外部缸體；纏線筒，附接至所述外部缸體、并具有置于所述變化的場強中的線圈； 高導磁桿，相對所述外部缸體可移動； 高導磁間隔片，同心地安裝在所述桿上；以及無磁性磁通屏蔽段，安裝在所述桿和所述MR阻尼器部件之間。
14.如權利要求1所述的裝置，其中，所述發(fā)電部件進一步包括 內(nèi)部組件，具有至少一組環(huán)形永磁體和極片；以及外部組件，具有至少一組線圈繞組和高導磁間隔片以形成具有槽的結(jié)構，所述外部組件在所述線圈-間隔片組的外側(cè)還具有高導磁殼體。
15.如權利要求1所述的裝置，其中，所述發(fā)電部件進一步包括 內(nèi)部組件，具有至少一組環(huán)形永磁體和極片；以及外部組件，具有至少一組線圈繞組以形成無槽結(jié)構，并具有位于所述線圈繞組外側(cè)的高導磁殼體。
16.如權利要求1所述的裝置，其中，所述發(fā)電部件進一步包括 內(nèi)部組件，具有至少一組環(huán)形永磁體和極片；無磁性彈性件，連接至所述內(nèi)部組件；以及外部組件，具有至少一組線圈繞組和高導磁間隔片以形成具有槽的結(jié)構，所述外部組件在所述線圈-間隔片組的外側(cè)還具有高導磁殼體。
17.如權利要求1所述的裝置，其中，所述發(fā)電部件進一步包括 內(nèi)部組件，具有至少一組環(huán)形永磁體和極片；無磁性彈性件，連接至所述內(nèi)部組件；以及外部組件，具有至少一組線圈繞組以形成無槽結(jié)構，并具有位于所述線圈繞組外側(cè)的高導磁殼體。
18.如權利要求1所述的裝置，其中所述傳感部件進一步包括 高導磁外部缸體；高導磁桿，能夠相對所述外部缸體移動；纏線筒，附接至所述外部缸體、并具有置于所述變化的場強中的線圈；高導磁圈，同心地安裝在所述高導磁桿上；以及無磁性磁通屏蔽段，安裝在所述高導磁桿和所述MR阻尼器部件之間。
19.一種電路，包括傳感估算器，被配置以接收電壓信號，并從所接收的電壓信號提取速度信息；以及控制單元，被配置以根據(jù)所提取的速度信息產(chǎn)生指令電壓。
20.一種用于從發(fā)電部件的電壓中提取相對速度信息的方法，其中，所述發(fā)電部件包括第一組件和第二組件，所述方法包括使所述第一組件相對于所述第二組件移動以產(chǎn)生模擬電壓； 將所述模擬電壓轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號；以及從所述數(shù)字信號中提取相對速度信息。
21.如權利要求20所述的方法，其中，所述發(fā)電部件包括多極線性電磁發(fā)電部件。
22.如權利要求21所述的方法，其中，所述提取的步驟進一步包括 從所述數(shù)字信號中獲得所述速度的絕對值；假設每個所述絕對值具有兩個不同的符號以獲得兩個可能速度；以及從所述可能速度中選擇一個速度。
全文摘要
公開一種自供電、自傳感的MR阻尼裝置，包括MR阻尼器部件，具有緩沖活塞組件和減震缸，所述緩沖活塞組件能夠在外部激勵下相對于所述減震缸移動；發(fā)電部件，根據(jù)所述緩沖活塞組件的移動產(chǎn)生電壓信號；控制單元，根據(jù)所產(chǎn)生的電壓信號估算所述移動的速度，以基于所估算的速度輸出阻尼驅(qū)動電流；以及，傳感部件，具有至少一個用于產(chǎn)生MR流體場強的線圈，其中所述傳感部件接收阻尼驅(qū)動電流來改變所述場強，從而控制MR阻尼器部件提供可調(diào)節(jié)的阻尼力。
文檔編號F16F9/53GK102374255SQ201010257348
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月5日 優(yōu)先權日2010年8月5日
發(fā)明者廖維新, 陳超 申請人:香港中文大學