專利名稱：低慣性多軸多方向機械掃描離子注入系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明整體上涉及一種離子注入系統(tǒng)，并且更具體地，涉及一種在離子注入系統(tǒng) 中掃描工件的系統(tǒng)和方法。
背景技術：
在半導體器件以及其它產(chǎn)品的制造中，離子注入系統(tǒng)被用于將稱為摻雜元素的雜 質注入半導體工件、顯示面板或其它工件中。傳統(tǒng)的離子注入系統(tǒng)或離子注入機用離子束 處理工件，以產(chǎn)生η型或P型摻雜區(qū)域、或在工件內(nèi)形成鈍化層。當用于摻雜半導體時，離 子注入系統(tǒng)注入已選擇的離子種類用于產(chǎn)生所期望的非本征(extrinsic)材料。例如，注 入由諸如銻、砷或磷等源材料產(chǎn)生的離子，導致了 η型非本征材料工件?？商娲?，注入由 諸如硼、鎵或銦等的材料產(chǎn)生的離子在半導體工件中產(chǎn)生了 P型非本征材料部分。傳統(tǒng)的離子注入系統(tǒng)包括離子源，該離子源對期望的摻雜元素進行離子化，該摻 雜元素之后被加速以形成具有指定能量的離子束。離子束被朝向工件表面導引，以將摻雜 元素注入到工件中。離子束的高能離子穿透工件表面，使得它們嵌入工件材料的晶格中以 形成具有期望的導電性的區(qū)域。注入過程典型地在高真空處理腔(process chamber)內(nèi)進 行，該高真空處理腔防止離子束由于與殘留的氣體分子碰撞而發(fā)生分散，且最小化工件受 空氣懸浮微粒污染的風險。傳統(tǒng)地，離子注入過程或者以批量處理的方式進行或者以連續(xù)處理的方式進行， 在批量處理中多個基底被同時處理，在連續(xù)處理中單一基底被單獨地處理。例如，傳統(tǒng)的高 能或高電流批量型離子注入機是可操作的以獲得短的離子束線，其中，大量的工件可被放 置在輪盤或圓盤上，輪盤被同時旋轉并被徑向平移通過離子束，從而使所有的基底表面區(qū) 域在整個過程中多次暴露至所述束。然而，以這種方式處理成批的基底通常使得離子注入 機的尺寸相當大。另一方面，在典型的連續(xù)處理中，離子束或者沿橫過靜止工件的單個軸線進行掃 描，或者工件沿一個方向被平移通過扇形或掃描的離子束。然而，掃描或成形均勻離子束的 過程通常要求復雜的和/或長的束線，該束線通常不期望處于在低能量。而且，通常需要均 勻平移和/或旋轉離子束或工件，以橫過工件提供均勻的離子注入。然而，至少部分地由于 在處理期間與移動傳統(tǒng)裝置和掃描機構相關的相當大的慣性力，難以實現(xiàn)這樣的均勻平移 和/或旋轉。因此，存在對橫過基底掃描離子束的裝置的需求，其中，基底被相對于離子束均勻地平移和/或旋轉，其中，所述裝置具有與之相關的相對低的慣性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過提供用于在離子注入系統(tǒng)內(nèi)掃描工件的設備、系統(tǒng)和方法，克服了現(xiàn) 有技術的缺陷。因此，以下呈現(xiàn)出本發(fā)明的簡要總結，用以提供對本發(fā)明的一些方面的基本 的了解。本總結不是本發(fā)明的詳盡概述。意圖既不是要區(qū)別本發(fā)明的重要的或關鍵的元件， 也不是要限制本發(fā)明的范圍。其的目的是以簡化的形式提出本發(fā)明的一些想法作為之后呈 現(xiàn)的更詳細描述的序言。本發(fā)明整體上涉及用于將離子注入一個或更多的工件的離子注入系統(tǒng)，其中，在 平移一個或更多的工件通過離子束期間，最小化慣性力。在一個示例中，離子注入系統(tǒng)包括 離子源被配置以形成離子束，以及質量分析器被配置以對離子束進行質量分析。末端站也 被提供，其中，末端站包括機器人構造，所述機器人構造具有至少四個自由度。優(yōu)選地，機器 人構造具有六個自由度。末端執(zhí)行器進一步地被可操作地連接至機器人構造，并被配置以 選擇性地抓緊一個或更多的工件，其中，機器人構造被配置以選擇性地使工件平移和/或 旋轉通過離子束，用于獲得所期望的注入規(guī)格。根據(jù)一個示例性的方面，機器人構造包括被可操作地連接至末端站的多個電機， 其中多個電機中的每個電機具有與之相關聯(lián)的旋轉軸。每個旋轉軸的至少一部分大致位于 末端站內(nèi)，其中，多個電機中的每個電機具有還分別與其相關聯(lián)的連桿組件。例如，每個連 桿組件分別包括曲軸臂和支柱，其中，每個連桿組件的曲軸臂被固定地連接至各自的旋轉 軸。每個連桿組件的支柱在各自的第一接頭處還被樞轉地連接至各自的曲軸臂，其中，每個 支柱在第二接頭處還被樞轉地連接至末端執(zhí)行器。在一個示例中，多個電機包括分別可操作地連接至六個連桿組件的六個伺服電 機，其中提供了末端執(zhí)行器的六個自由度的運動。例如，末端執(zhí)行器包括三個樞轉點，其中， 兩個支柱被樞轉地連接至每個樞轉點，其中限定了三對或伺服電機和連桿組件，其被與末 端執(zhí)行器的三個對應的樞轉點相關聯(lián)。在一個示例中，末端執(zhí)行器包括從中心結構輻射出 的三個輻條，并且其中三個樞轉點大體上被限定在每個輻條的末端。例如，三個輻條中的兩 個是大致彼此垂直的，其中長縫的法拉第裝置被分別連接至三個輻條的兩個中的每一個， 所述三個輻條中的兩個輻條大致彼此垂直，其中長縫的法拉第裝置是可操作的以確定離子 束的一個或更多的特性。在另一個示例中，多個輻條從中心結構輻射出，并且還提供了弓形結構，大致圍繞 中心結構，其中三個樞轉點被大致沿弓形結構進行限定。弓形結構可包括封閉環(huán)或開弧。根據(jù)另一個方面，一個或更多的靜電夾盤也被提供，其中，末端執(zhí)行器包括中心結 構，被配置以選擇性地與一個或更多的靜電夾盤中的每一個靜電夾盤接合和分離。例如，離 子注入系統(tǒng)還包括靜電夾盤基底站，其中，一個或更多的靜電夾盤被配置以在靜電夾盤基 底站被加熱和/或冷卻，以及其中中心結構被配置以選擇性地在靜電夾盤基底站與靜電夾 盤中的每一個接合和分離。一個或更多的便攜式法拉第裝置也可被提供，其中中心結構被 進一步配置以選擇性地接合和分離一個或更多的便攜式法拉第裝置與靜電夾盤基底站，用 于選擇性地平移通過離子束。根據(jù)另一個方面，中心結構還包括樞轉設備，其中，樞轉設備被配置以相對于中心結構在一個或更多的軸線上選擇性旋轉一個或更多的靜電夾盤。例如，上述的三個樞轉點 大體上限定了中心結構的平面，并且其中樞轉設備被配置以沿著大致平行于和/或垂直于 中心結構的平面的軸線旋轉一個或更多的靜電夾盤中的每一個。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性的方面，末端站還包括沿著離子束路徑大致位于工件 下游的大致中空的圓柱形束流收集器，其中，束流收集器被配置以大致限制至束流收集器 內(nèi)的顆粒污染。例如，束流收集器包括相當長的圓柱形法拉第裝置。根據(jù)另一個方面，離子注入系統(tǒng)還包括控制器被配置以控制離子源、質量分析器 和末端站，其中工件以預定方式通過離子束進行掃描。例如，控制器被配置以基于來自多個 編碼器的反饋控制多個電機，其中靜電夾盤、工件、縫形法拉第裝置和便攜式法拉第裝置中 的一個或更多可以被掃描通過離子束。根據(jù)又一方面，提供了將離子注入工件的方法，其中離子束和工件掃描系統(tǒng)被提 供。例如，工件掃描系統(tǒng)包括上述的機器人構造。工件經(jīng)由末端執(zhí)行器被抓緊，并且末端執(zhí) 行器和工件相對于離子束的空間位置和方位經(jīng)由對多個電機的控制而被控制。因此，工件 可被沿預定掃描路徑通過離子束掃描。而且，工件可以經(jīng)由控制可被從工件傳送點拾取和/ 或被放下。在另一個示例中，一個或更多的靜電夾盤和/或便攜式法拉第裝置可以經(jīng)由控 制在上述的基底站被選擇性地拾取和/或被放下。一個或更多的靜電夾盤的溫度可以被進 一步控制，其中靜電夾盤的交換有利地增加工件的生產(chǎn)量和/或處理。末端執(zhí)行器也可經(jīng) 由選擇性的平移上述的縫形法拉第裝置，而進一步選擇性地通過離子束掃描，用于成型。根 據(jù)另一個示例，對上述多個電機的控制基于來自多個編碼器的反饋。例如，當從工件的平面觀看時，預定的掃描路徑包括多個大致多邊形的離子束掃 描。例如，當從工件的平面觀看時，進行多個大致八邊形的離子束掃描?？商娲鼗蛳嘟Y合 地，當從工件的表面觀看時，預定的掃描路徑也可包括一個或更多的向量、光柵和圓形或弓 形的離子束掃描。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，所述方法還包括提供多個靜電夾盤，其中，多個靜電夾 盤中的每一個是可操作的以選擇性地抓緊工件，以及其中末端執(zhí)行器包括與多個靜電夾盤 相關聯(lián)的中心結構。多個靜電夾盤的一個靜電夾盤經(jīng)由中心結構被選擇性地接合。例如， 工件可以經(jīng)由多個靜電夾盤的一個靜電夾盤被進一步地選擇性地接合，其中工件的接合可 發(fā)生在中心結構與靜電夾盤之間的接合之前、期間或之后。根據(jù)另一個示例，方法還包括在上述的靜電夾盤基底站對多個靜電夾盤進行加熱 和/冷卻，其中，中心結構被配置以在靜電夾盤基底站處基于多個靜電夾盤中的每個靜電 夾盤的期望的處理溫度和條件中的一個或更多個選擇性地與多個靜電夾盤中的一個靜電 夾盤接合和分離。例如，多個靜電夾盤中的每個靜電夾盤的條件包括多個靜電夾盤中的每 個靜電夾盤的溫度。為實現(xiàn)前述的和相關的目的，本發(fā)明包括在權利要求中被全面描述的和特別指出 的此處下文的特征。以下描述和附圖詳細闡述了本發(fā)明的特定的說明性實施例。然而，這 些實施例是用于說明可采用本發(fā)明的原理的各種方式中的一些方式。在結合附圖考慮時， 將從本發(fā)明的下述詳細描述明白本發(fā)明的其它目的、優(yōu)點和新穎的特征。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個方面的示例性離子注入系統(tǒng)的系統(tǒng)級框圖。圖2為根據(jù)本發(fā)明的另一方面的示例性離子注入系統(tǒng)的透視圖。圖3為根據(jù)本發(fā)明的另一方面的示例性離子注入設備的平面視圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明的一個方面的與離子束相關的示例性機器人設備的透視圖。圖5為根據(jù)本發(fā)明的另一示例性方面的示出工件橫斷離子束的圖4中的示例性機 器人設備的平面視圖。圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一方面的圖4和圖5中的示例性機器人設備和深法拉第裝 置的側視圖。圖7為根據(jù)本發(fā)明的另一方面的圖4-圖6中的示例性機器人設備和深法拉第裝 置的另一側視圖。圖8為根據(jù)本發(fā)明的又一方面的在傳送位置處的另一示例性的機器人設備的一 個示例性的末端執(zhí)行器的部分透視圖。圖9A-9B示出根據(jù)本發(fā)明的另一方面的用于提供各種傾斜角度的注入的機器人 設備的各個位置。圖10為根據(jù)本發(fā)明的另一示例性方面的將離子注入一個或更多的工件中的示例 性方法的框圖。
具體實施例方式本發(fā)明通常針對于經(jīng)由離子束將離子注入工件的設備、系統(tǒng)以及方法。更具體地， 所述系統(tǒng)提供了用于掃描和工件處理以及表征離子束的低慣性工件掃描設備。因此，現(xiàn)在 將參考附圖對本發(fā)明進行描述，其中在全文中相似的參考標記用于表示相似的元件。應當 理解，對這些方面的描述僅是說明性的，且它們不應當被視為限制性的意義。在以下的描述 中，為解釋的目的，諸多具體細節(jié)被闡述，用于提供對本發(fā)明的徹底理解。然而，本領域的技 術人員將明白本發(fā)明可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下實施。為獲得更好地理解本發(fā)明，圖1示出了以框圖形式顯示的示例性離子注入系統(tǒng) 100，其中，示例性離子注入系統(tǒng)適于實施本發(fā)明的一個或更多的方面。系統(tǒng)100包括離子 注入設備101，該離子注入設備101包括離子源102，用于產(chǎn)生可操作的用于沿離子束路徑 P行進的一定量的離子，從而限定了將離子注入工件104(例如，半導體工件、顯示面板等) 的離子束103。例如，離子源102通常包括等離子體腔105、處理氣體源106和電源108，其 中，通過施加來自電源的功率在等離子體腔中由處理氣體產(chǎn)生帶正電的離子。處理氣體源 106可以包括源材料，例如可電離的氣體或被蒸發(fā)的固體源材料或之前已被蒸發(fā)的種類。例 如，對于進入工件104內(nèi)的η型注入，源材料可包括諸如硼、鎵或銦。例如，對于ρ型注入， 源材料可包括砷、磷或銻。離子源102還包括與之相關聯(lián)的引出組件109，其中在施加引出電壓Vgia至其上 時從離子源引出帶電離子。引出電源110是可操作的用于提供引出電壓Vgia，其中引出電 壓還必須被進一步地調(diào)節(jié)。束線組件112還被提供在離子源102的下游，其中束線組件通 常接收帶電離子。例如，束線組件112包括一個或更多的部件114，例如束引導件116、質量 分析器118和縫隙120，其中，一個或更多的部件是可操作的以形成且成形離子束103。
例如，質量分析器118還包括場產(chǎn)生部件(諸如，磁體(未顯示))，其中質量分析 器通常提供跨過離子束103的磁場，從而根據(jù)離子的荷質比在變化的軌跡上從離子束偏轉 離子。例如，行進穿過磁場的離子經(jīng)受沿束路徑P引導具有期望的荷質比的單獨的離子且 偏轉具有不被期望的荷質比的離子遠離束路徑的力。如果穿過質量分析器118，離子束103 被引導通過縫隙120，其中離子束通常被限制，以產(chǎn)生用于注入工件104中的簡潔的束。離子注入系統(tǒng)100還包括末端站124，工件104大致位于其中。在集成電路器件、 顯示面板以及其它產(chǎn)品的制造中，通常期望跨過工件104的整個表面均勻地注入摻雜種 類。例如，離子注入設備101被配置以將離子注入單個工件104中(例如，“連續(xù)型”離子注 入機)，其中工件大致駐留在機器人構造1 上位于末端站124內(nèi)的底座或夾盤(未顯示) 上，如下文所述。機器人構造被配置以使工件104以預定方式平移通過離子束103。應當注 意，可操作的以從離子源引出離子的并將它們注入一個或更多的工件中的任何離子注入設 備都被考慮成落入到本發(fā)明的范圍內(nèi)。在一個例子中，離子注入設備101還包括深法拉第裝置128，其通常沿離子束103 的路徑P位于工件104的下游的位置。在一個例子中，深法拉第裝置1 大致駐留在末端 站內(nèi)，并且包括大致中空的構件。例如，深法拉第裝置1 是可操作的以大致限定其中的離 子束103，在其中大致最小化在末端站124內(nèi)的顆粒污染。例如，當沿離子束103的路徑P 沒有出現(xiàn)工件104時，深法拉第裝置1 被配置以大致捕獲或限制離子束103。深法拉第裝 置或深法拉第1 可用于一個或更多的目的，例如大體上限制離子束103和/或提供用于 分析離子束的測量部件。離子注入系統(tǒng)100還包括控制器130，其中，控制器可操作以控制離子注入設備 101。例如，控制器130是可操作的用于控制產(chǎn)生離子的電源108，以及引出電源110，其中， 離子束路徑P被大致控制。此外，控制器130可進一步操作以調(diào)節(jié)與質量分析器118相關 的磁場的強度和方向。在另一個示例中，來自深法拉第裝置1 的反饋被饋送至控制器1 以進一步控制離子注入設備101?？刂破?30還被配置，以控制機器人構造126，用于通過離 子束103掃描工件104和處理工件。應該認識到，控制器1 可包括處理器、計算機系統(tǒng)和 /或對系統(tǒng)100進行總體控制的操作者(例如，結合由操作者進行的輸入的計算機系統(tǒng))。 圖2示出了圖1中的示例性離子注入系統(tǒng)100的透視圖?，F(xiàn)在參考圖3，示例性離子注入設備200被示出(例如圖1和2中的設備101)，其 中示例性離子注入設備被更詳細地示出。應當再次注意，雖然離子注入設備200被示出作 為一個示例，但是本發(fā)明可以通過使用各種其它類型的離子注入設備和系統(tǒng)而被實施，例 如高能系統(tǒng)、低能系統(tǒng)或其它注入系統(tǒng)，且所有這些系統(tǒng)被認為是落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，圖3的離子注入系統(tǒng)200包括終端212、束線組件214和末端站216，其中終 端包括由電源供給裝置222供電的離子源220。終端212還包括由引出電源供給裝置2 供電的引出組件224以從離子源220引出離子，從而將引出的離子束210提供至束線組件 214。例如，與束線組件214結合的引出組件224是可操作的，為了在給定的能量水平進行 對其的注入而將離子引導朝向位于末端站216中的末端執(zhí)行器2 上的工件228。在一個示例中，離子源220包括等離子體腔(未顯示)，其中處理氣體或種類的離 子被在高的正電勢V11T激勵。應當注意，通常正離子被產(chǎn)生，盡管本發(fā)明也可以適用于由 源220產(chǎn)生負離子的系統(tǒng)。引出組件2 還包括等離子體電極230和一個或更多的引出電極232，其中等離子體電極被相對于一個或更多的引出電極偏壓，但相對于離子源220內(nèi)的 等離子體是浮動的(float)(例如，相對于工件2 而處于120kV的等離子體電極，其中工 件典型被接地)。例如，一個或更多的引出電極232被偏壓到小于等離子體電極230的電壓 (例如，O-IOOkV的引出電壓Vgia)。在一個或更多的引出電極232處的相對于等離子體的 負相對電勢產(chǎn)生靜電場，該靜電場是可操作的引出和加速正離子離開離子源220。例如，一 個或更多的引出電極232具有與之相關的一個或更多的引出縫隙234，其中，帶正電的離子 通過一個或更多的引出縫隙離開離子源220以形成離子束210，其中被引出的離子的速度 大致由被提供給一個或更多的引出電極的電勢Vgia確定。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，束線組件214包括束引導件235和質量分析器幻8，該束引 導件具有在離子源220附近的(例如，與引出縫隙2；34相關的)入口和具有分辨板236的出 口，質量分析器238接收被弓I出的離子束210并產(chǎn)生雙極磁場，以僅將具有合適的荷質比或其 的范圍的離子(例如，具有期望質量范圍的離子的經(jīng)質量分析的離子束)傳送至位于末端站 216內(nèi)的工件228。在離子源220內(nèi)的源材料的電離產(chǎn)生具有期望原子質量的帶正電離子的 種類。然而，除了期望的離子種類之外，另外電離過程也將產(chǎn)生一定比例的具有其它原子質量 的離子。原子質量高于或低于合適的原子質量的離子不適用于注入，且被稱為非被期望的種 類。由質量分析器238產(chǎn)生的磁場通常使離子束210內(nèi)的離子沿曲線軌跡運動，因此磁場被 建立使得僅原子質量等于期望的離子種類的原子質量的離子穿過束路徑P到達末端站216。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性的方面，離子注入設備200包括與之相連接的深法拉第 裝置239，其中深法拉第裝置沿離子束210的路徑P大致位于工件228的下游，并且當工件 不與路徑相交時，其是可操作的與離子束路徑相交，如圖6和7所示。因此，深法拉第裝置 239被配置以測量離子束的特性和/或大體地將離子束210限制在工件下游的末端站216 內(nèi)。例如，深法拉第裝置239可以被可操作地連接至圖1的控制器128，其中控制器是可操 作的以確定離子束的特性對于離子注入是否是滿意的。例如，圖4的深法拉第裝置239包 括襯有石墨的大致中空圓筒，其中圓筒是相當深的，使得離子束基本上被捕獲在深法拉第 裝置內(nèi)，從而基本上降低了在具有淺法拉第裝置的傳統(tǒng)系統(tǒng)內(nèi)所見到的顆粒污染。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，在圖2中的束引導件235的出口處的分辨板236與質量 分析器238 —起操作，以從離子束210消除不被期望的離子種類，所述離子種類具有與期望 離子種類的原子質量相近的但不同的原子質量。例如，分辨板236也由玻璃質的石墨或諸 如鎢或鉭的另外的材料構成，且包括一個或更多的細長的縫隙或孔M0，其中離子束210內(nèi) 的離子在它們離開束引導件235時穿過縫隙。在分辨板236處，離子與離子束210的路徑P 的分散(例如，在標記P’所顯示的)位于其的最小值，其中離子束的寬度(P’ -P’ )最小， 此時離子束210通過分辨縫隙M0。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性的方面，機器人構造250被提供用于相對于離子束210 在多個方向上機械地掃描工件，用于優(yōu)化注入的均勻性且最小化總的注入時間。掃描包 括向量、光柵、弓形和圓形掃描模式，以單獨地或它們的組合的方式產(chǎn)生對劑量均勻性、注 入時間以及熱量管理的最佳控制。根據(jù)本發(fā)明，機器人構造是可操作的以為工件228的 運動提供至少四個自由度，更有選地是六個自由度，且加速度小于3Gs，以及還對直徑超過 450mm的工件提供可量測性。圖4-7示出了根據(jù)本發(fā)明的各個方面的圖3中的離子注入系統(tǒng)200的機器人構造250的各種視圖和示例性配置。例如，圖3中的各種連桿組件252被提供以大致限定末端執(zhí) 行器2 相對于離子束210的方位和位置，在其中允許低慣性的還是機械剛性的系統(tǒng)。因 此，與之前的兩軸線的機械掃描系統(tǒng)相比提供了更快的掃描速度，且沒有不被期望的振動 引起的沖量。例如，快的掃描速度對于生產(chǎn)量和均勻性的考慮來說通常是被期望的，因此本 發(fā)明提供了實現(xiàn)這種考慮的系統(tǒng)。與本發(fā)明相關聯(lián)的低慣性大致消除了在其它的傳統(tǒng)系統(tǒng)中所見到的平衡力，其中 本發(fā)明提供工業(yè)可接受水平的最小機械沖量。本發(fā)明還提供在工件平面內(nèi)通過離子束210 掃描工件228的靈活性以及成角度的注入的靈活性，在成角度的注入中工件被對于掃描方 向傾斜，并且對于下文所描述的掃描機構這兩種類型的注入都是可行的。本發(fā)明還允許利 用簡單的可旋轉的饋入裝置(feed-throughs)以將機械運動引入到真空系統(tǒng)中。可替代 地，驅動電機和連桿組件可以被放置在真空內(nèi)。掃描機構可包括Mewart平臺或Delta機器人，其中，多軸線的運動產(chǎn)生末端執(zhí)行 器的運動。例如，Delta機器人使用三套平行四邊形類型的連桿，該連桿通過各個接頭與公 共的末端執(zhí)行器相連，其中獨立的旋轉電機產(chǎn)生X、Y和Z方向上的運動。例如，Stewart平 臺結合在公共基底與末端執(zhí)行器之間連接的六個線性致動器，且用于提供相似的運動但具 有更多的自由度，例如末端執(zhí)行器可在三個垂直的X、Y和Z軸線上運動，以及在可旋轉的偏 轉、俯仰(pitch)和滾動中移動，從而涵蓋六個空間維數(shù)或自由度。然而，本發(fā)明的掃描機構提供新的機器人構造，以產(chǎn)生具有六個空間自由度的極 低慣性的掃描系統(tǒng)，從而提供比^ewart平臺所提供的更多自由度的運動，同時不具有與 線性致動器相關聯(lián)的不利問題。在本發(fā)明中所見到的低慣性源于連接末端執(zhí)行器與其電機 的連桿的類型。六個旋轉電機裝配有與六個低質量的連桿或支柱相連接的六個曲軸臂，其 中支柱在末端執(zhí)行器2 上的六個不同點處被連接。本發(fā)明的末端執(zhí)行器229由連桿組件 252完全限制，從而允許所有的六個自由度或運動。根據(jù)本發(fā)明的例子，如圖4所示，機器人構造250包括可操作地連接至末端站216 的多個電機254，其中，多個電機中的每個電機具有與之相關聯(lián)的旋轉軸256。每個旋轉軸 256的至少一部分大致位于圖2和3中的末端站216內(nèi)，其中多個電機2M中的每個電機具 有進一步地與之分別相關聯(lián)的連桿組件252。例如，每個連桿組件252分別包括曲軸臂258 和支柱沈0，其中每個連桿組件的曲軸臂與各自的旋轉軸256固定連接。每個連桿組件252 的支柱260還在各自的第一接頭262處與各自的曲軸臂258樞轉連接，其中每個支柱還在 第二接頭264處與末端執(zhí)行器2 樞轉連接。根據(jù)一個示例，末端站216基本上與外部環(huán)境266密封，其中多個電機2M完全位 于圖3中的末端站216內(nèi)?？商娲兀瑘D4中的多個電機254中的每個電機的軸256穿過 圖3中的末端站216的一個或更多的壁沈8，其中多個電機中的每個電機的其余部分大致位 于外部環(huán)境沈6內(nèi)。例如，多個電機2M可包括整體冷卻和真空密封(未顯示)的高真空 電機。在另一個示例中，多個電機包括各自的多個編碼器(未顯示)，其中多個電機的控制 基于來自多個編碼器的反饋。在一個示例中，多個電機2M包括六個伺服電機270，該伺服電機分別可操作地連 接至六個連桿組件252，其中提供了末端執(zhí)行器229的六個自由度的運動。例如，第一和第 二接頭262和264中的每一個包括萬向接頭(gimbal)、球形和/或通用接頭。例如，末端執(zhí)行器2 包括三個樞轉點272，其中兩個支柱260與每個樞轉點樞轉連接，其中限定了三對 或伺服電機270和連桿組件252，其與末端執(zhí)行器的三個各自的樞轉點相關聯(lián)，如圖4-8所示。在另一個示例中，圖4-8中的末端執(zhí)行器2 包括多個從中心結構276輻射出的 輻條274。例如，在圖4-7中，兩個輻條274從中心結構276輻射出，其中輻條以彼此相對的 預定角度從中心結構輻射出。例如，如圖8所示，末端執(zhí)行器2 包括三個輻條274A-274C， 其中三個輻條中的兩個輻條274A和274B大致彼此垂直，其中長縫的法拉第裝置278連接 至彼此大致垂直的兩個輻條中的至少一個。在一個示例中，長縫的法拉第裝置278被提供 到每個輻條274A和274B上?？商娲?，一個長縫的法拉第裝置278可被提供。例如，一個 或更多的長縫的法拉第裝置278是可操作的以經(jīng)由對機器人構造250的控制通過使一個或 更多的長縫的法拉第裝置穿過離子束210來原位地確定圖3和4中所示的離子束的一個或 更多的特性。另外，通過對電機2M的控制可以實現(xiàn)末端執(zhí)行器229的“擺動”，用于由長縫 的法拉第裝置278獲得離子束角度數(shù)據(jù)。例如，擺動軸可以是與適當?shù)拈L縫的法拉第裝置 278的平面共面且與縫的垂直中心線同軸的軸線。因此，對于精確地表征離子束210來說， 無需分離的“掃描型法拉第裝置”。如圖3-8所示，弓形結構觀0也被提供，大致圍繞中心結構276，其中三個樞轉點 272大致被沿弓形結構進行限定，其中弓形結構大致增強了末端執(zhí)行器2 的剛度。弓形結 構280可包括封閉環(huán)(如圖所示)或開弧。例如，多個輻條274中的一個或更多個被配置 以承載各自的長縫的法拉第裝置278中的一個或更多個，如上所述。在另一個示例中，三個 樞轉點272通常被限定在每個輻條274(未顯示)的末端，其中未提供弓形結構(例如，彼 此間隔120度的三個輻條)。例如，可能與離子束210對齊的多個輻條274和其它部件還可以包括一個或更多 的護罩(未顯示)，其中護罩基本上防止由離子束的撞擊而被污染。根據(jù)另一個方面，還提供了一個或更多的靜電夾盤觀2(例如，至少在圖8中所示 出的)，其中中心結構276被配置成選擇性地與一個或更多的靜電夾盤中的每個靜電夾盤 接合和分離。例如，圖2和圖3中的離子注入系統(tǒng)還包括靜電夾盤基底站觀4，其中一個或 更多的靜電夾盤282被配置成在靜電夾盤基底站處被加熱和/或冷卻，并且其中，圖4中的 中心結構276被配置以在靜電夾盤基底站處與每個靜電夾盤選擇性地接合和分離。一個或 更多的便攜式法拉第裝置(未顯示)也還被提供，其中，中心結構276還被配置成選擇性地 接合和分離一個或更多的便攜式法拉第裝置與圖2和圖3中的靜電夾盤基底站觀4，用于為 了表征離子束而選擇性地平移通過離子束210。靜電夾盤觀2的交換提供了在熱和冷夾盤表面之間快速地且合理地變化的能力。 例如，圖4中的工件2 被放置在末端站216或真空環(huán)境中的第一 ESC 282上。例如，在拾 取工件之前，第一ESC 282可保持在預定溫度。多個ESC 282可被提供到末端站216內(nèi)(例 如四個ESC)，其中每個ESC的溫度可被單獨地控制。例如，每個ESC 282位于末端站216內(nèi) 的(與靜電夾盤基底站相關聯(lián)的，未顯示)冷卻板上，其中在冷卻板周圍設置有密封，并且 其中ESC被冷卻以移除由離子束所導致的束能量或熱量。冷卻板與ESC 282被密封，且可 以進一步引入分壓氣體以輔助冷卻板與ESC之間的冷卻。算法也被提供用于控制圖4-8中的電機254，其中圖1中的控制器130是可操作的以同時運行所有的電機并使它們保持同步。工件228的受控路徑被確定，以及對電機2M 的控制可通過反向運動學來解決。提供在控制算法中所設置的第七軸線，來實現(xiàn)離子束210 內(nèi)的故障(glitch)恢復，以作為故障發(fā)生時跟蹤工件2 和電機位置的計數(shù)器，使得當故 障發(fā)生時，基于故障發(fā)生時電機2M所在的位置重新產(chǎn)生所述位置。根據(jù)另一個示例性的方面，中心結構276還包括再次如圖8中所示的樞轉設備 觀6，其中，樞轉設備被配置成在一個或更多的軸線上相對于中心結構276選擇性地旋轉靜 電夾盤觀2。例如，如上所述和圖4所示的三個樞轉點272大體上限定了中心結構276的平 面，并且其中，圖8中的樞轉設備286被配置成沿著大致平行于中心結構的平面的軸線旋轉 每個靜電夾盤觀2。另外地或可替代地，樞轉設備286被配置以使靜電夾盤282沿大致垂直 于中心結構276的平面的軸線旋轉。諸如圖9A和9B所示，這種樞轉允許各種傾斜角度的注 入以及工件處理，其中工件2 可以被從水平的表面拾取和被放置到水平的表面上。例如， 樞轉設備286提供了旋轉90度進行四分之一圓周的注入的能力。然而，樞轉設備觀6的運 動不僅可用于四分之一圓周的注入，而且還可用于工件228的連續(xù)360度旋轉(注入)。例如，樞轉設備286包括與末端執(zhí)行器2 的中心結構276相連接的旋轉電機，從 而允許靜電夾盤282相對于中心結構旋轉。樞轉設備286可被用于使ESC 282在整個離子 注入中按預定的增量或者可替代地以連續(xù)旋轉的方式旋轉。ESC 282和工件228的旋轉可 能是有利的，這是因為可在通過離子束210的工件掃描之間實現(xiàn)大的步長，因此減少掃描 線的數(shù)量，同時保持均勻性。換句話說，疊加在粗掃描之上(例如，在光柵掃描、多邊形掃描 或弓形掃描之上)的工件228的自旋(spinning)可允許粗步進在掃描中被實現(xiàn)。另外，通 過使用這種較粗的步進，工件的自旋可提供更好的均勻性，該均勻性在其它方式中將被損 失。根據(jù)另一個示例，例如圖2和圖3的末端站216基本上與外部環(huán)境266密封，其中 圖4中的多個電機2M完全位于末端站的大致真空的環(huán)境內(nèi)?？商娲?，多個電機254的 軸256穿過末端站(未顯示)的一個或更多的壁，其中多個電機中的每個電機的其余部分 大致位于外部環(huán)境沈6中。例如，軸密封(未顯示，如鐵質流體密封、差分泵抽吸密封，或唇 形密封)，可被實施以使得電機254的軸256穿過一個或更多的壁。例如，多個電機2M包括具有一體冷卻和真空密封的高真空伺服電機。在另一個 示例中，多個電機2M包括各自的多個編碼器(未顯示)，其中對多個電機的控制基于來自 多個編碼器的反饋。根據(jù)另一個方面，圖1中的離子注入系統(tǒng)100的控制器130被配置以控制圖4中 的機器人構造250，其中，工件228以預定方式被掃描通過離子束210。例如，控制器130被 配置以基于來自多個編碼器(未顯示)的反饋對多個電機2M進行控制，其中，一個或更多 的靜電夾盤觀2、工件228、長縫的法拉第裝置278和便攜式法拉第裝置(未顯示)可被掃 描通過離子束210。根據(jù)又一方面，圖10示出了將離子注入工件的示例性方法300。雖然示例性方法 在此處被顯示且描述成一系列的動作或事件，但應意識到本發(fā)明并不受這些動作或事件的 所顯示的順序的限制，這是因為根據(jù)本發(fā)明一些步驟可以不同的順序發(fā)生和/或與除此處 所顯示和描述的之外的其它步驟同時發(fā)生。此外，并非所有被示出的步驟都是必須的用以 實施根據(jù)本發(fā)明的方法。而且，應當理解，方法可與此處顯示和描述的系統(tǒng)以及未被顯示的
13其它系統(tǒng)一起被實施。如圖92所示，方法300以在動作305中提供離子注入系統(tǒng)和工件掃描系統(tǒng)開始， 其中，離子注入系統(tǒng)和工件掃描系統(tǒng)被配置以經(jīng)由離子束將離子注入一個或更多的工件， 如圖1-圖91中任一個所顯示的。在動作310中，第一工件和/或第一靜電夾盤經(jīng)由末端 執(zhí)行器被抓緊，以及末端執(zhí)行器(和第一工件/ESC)相對于離子束的空間位置和方位在動 作315中被控制，其中，動作310和315至少經(jīng)由對多個電機的控制而被執(zhí)行。因此，工件 可沿預定掃描路徑被掃描通過離子束。在動作320中，再次如上所述的在對多個電機的控 制下，第一工件和/或靜電夾盤可被換成第二工件和/或靜電夾盤，第二工件在動作315中 被掃描通過離子束。在動作310和320中，工件可以經(jīng)由對電機的控制從工件傳送點被拾取和/或被 放下。在另一個示例中，一個或更多的靜電夾盤和/或便攜式法拉第裝置可以經(jīng)由在動作 310和320中對電機的控制而在基底站處被選擇性地拾取和/或放下。末端執(zhí)行器也可以 經(jīng)由在動作315中選擇性地平移上述的縫形的法拉第裝置，被選擇性地掃描通過離子束用 于成型(profiling)。根據(jù)另一個示例，在上述的動作310-320中對多個電機的控制基于來 自多個編碼器的反饋。例如，當從工件的平面觀看時，預定掃描路徑包括多個大致多邊形的離子束掃描。 例如，當從工件的平面觀看時，可以進行多個大致八邊形的離子束掃描。當從工件的平面觀 看時，預定掃描路徑還可以或可替代地包括多個向量、光柵、圓形和弓形的離子束掃描中的 一個或更多個。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，方法300可包括提供多個靜電夾盤，其中，多個靜電夾 盤中的每一個是可操作的以選擇性地抓緊工件，并且其中末端執(zhí)行器包括與多個靜電夾盤 相關聯(lián)的中心結構。多個靜電夾盤中的一個被經(jīng)由中心結構選擇性地進行接合。例如，工 件還可經(jīng)由多個靜電夾盤中的一個而被選擇性地接合，其中，工件的接合可以發(fā)生在中心 結構與靜電夾盤之間的接合之前、期間或之后。根據(jù)另一個示例，方法300還包括在上述的靜電夾盤基底站處對多個靜電夾盤進 行加熱和/或冷卻，其中，中心結構被配置以基于多個靜電夾盤中的每一個的期望的處理 溫度和條件中的一個或更多個、在靜電夾盤基底站處選擇性地與多個靜電夾盤中的一個接 合和分離。例如，多個靜電夾盤中的每一個的條件包括多個靜電夾盤中的每一個的溫度。雖然已經(jīng)相對于特定的優(yōu)選實施例顯示和描述了本發(fā)明，但是在閱讀和理解本發(fā) 明的說明書和附圖時，本領域的其它技術人員將想到等同的改變和修改，這是顯而易見的。 尤其是對于由上述的部件(組件、裝置、電路等)所執(zhí)行的各種功能，用于描述這些部件的 術語(包括對“工具”的表示)意圖是與執(zhí)行所描述的部件(即，也就是功能上等同)的特 定功能的任何部件相對應，即使在結構上不等同于執(zhí)行此處顯示的本發(fā)明的示例性實施例 中的功能的所公開的結構；除非另有說明。此外，雖然本發(fā)明的特定特征僅相對于幾個實施 例中的一個被公開，但是這樣的特征可以與其它實施例中的一個或更多的其它特征組合， 如對于任何給定的或特殊的應用是期望的和有利的。
權利要求
1.一種離子注入系統(tǒng)，所述離子注入系統(tǒng)包括離子源，所述離子源被配置以形成離子束；質量分析器，所述質量分析器被配置以對所述離子束進行質量分析；和末端站，其中所述末端站包括具有至少四個自由度的機器人構造；以及末端執(zhí)行器，所述末端執(zhí)行器被可操作地連接至所述機器人構造且被配置以選擇性地 抓緊工件，其中，所述機器人構造被配置以選擇性地使所述工件平移通過所述離子束。
2.根據(jù)權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述機器人構造包括被改進的^ewartD ο
3.根據(jù)權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述機器人構造包括被改進的delta機 器人。
4.根據(jù)權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述機器人構造包括多個電機，所述多個電機被可操作地連接至所述末端站，其中，所述多個電機中的每個 電機具有與之相關聯(lián)的旋轉軸，其中，每個旋轉軸的至少一部分大致位于所述末端站內(nèi)，并 且其中所述多個電機中的每個電機分別具有與之相關聯(lián)的連桿組件，其中每個連桿組件分 別包括曲軸臂和支柱，其中每個連桿組件的曲軸臂被固定地連接至所述各自的旋轉軸，以 及其中每個連桿組件的支柱在第一接頭處被樞轉地連接至各自的曲軸臂，并在第二接頭處 被可樞轉地連接至所述末端執(zhí)行器。
5.根據(jù)權利要求4所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述多個電機由被可操作地連接至六 個連桿組件的六個伺服電機構成，其中提供了所述末端執(zhí)行器的六個自由度的運動。
6.根據(jù)權利要求5所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述末端執(zhí)行器包括三個樞轉點，其中 兩個支柱被樞轉地連接至每個樞轉點。
7.根據(jù)權利要求6所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述末端執(zhí)行器包括從中心結構輻射 出的三個輻條，并且其中所述三個樞轉點被大致限定在每個輻條的末端。
8.根據(jù)權利要求7所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述三個輻條中的兩個輻條大致彼此 垂直。
9.根據(jù)權利要求8所述的離子注入系統(tǒng)，還包括兩個長縫的法拉第裝置，其中，所述 兩個長縫的法拉第裝置分別與所述三個輻條中的兩個輻條連接，所述兩個輻條大致彼此垂直。
10.根據(jù)權利要求6所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述末端執(zhí)行器包括多個輻條，所述輻條從中心結構輻射出；和弓形結構，所述弓形結構大致圍繞所述中心結構，其中所述三個樞轉點被大致沿所述 弓形結構限定，其中所述弓形結構大致增加了所述末端執(zhí)行器的剛度。
11.根據(jù)權利要求8所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述弓形結構包括封閉環(huán)。
12.根據(jù)權利要求10所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述多個輻條由三個輻條構成，其 中，所述三個輻條中的兩個輻條大致彼此垂直。
13.根據(jù)權利要求12所述的離子注入系統(tǒng)，還包括兩個長縫的法拉第裝置，其中，所述 兩個法拉第裝置分別連接至大致彼此垂直的所述三個輻條中的所述兩個輻條。
14.根據(jù)權利要求6所述的離子注入系統(tǒng)，還包括一個或更多的靜電夾盤，其中所述末 端執(zhí)行器包括中心結構，所述中心結構被配置以選擇性地與所述一個或更多的靜電夾盤中的每個靜電夾盤接合和分離。
15.根據(jù)權利要求14所述的離子注入系統(tǒng)，還包括靜電夾盤基底站，其中所述一個或 更多的靜電夾盤被配置以在所述靜電夾盤基底站處被加熱和/或冷卻，并且其中所述中心 結構被配置以在所述靜電夾盤基底站處選擇性地與所述靜電夾盤中的每一個靜電夾盤接 合和分離。
16.根據(jù)權利要求14所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述中心結構還包括樞轉設備，其 中，所述樞轉設備被配置以在一個或更多的軸線上選擇性地旋轉所述一個或更多的靜電夾盤。
17.根據(jù)權利要求16所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述三個樞轉點大致限定了所述中 心結構的平面，并且其中所述樞轉設備被配置以沿著大致平行于所述中心結構的所述平面 的軸線旋轉所述一個或更多的靜電夾盤。
18.根據(jù)權利要求16所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述三個樞轉點大致限定了所述中 心結構的平面，并且其中所述樞轉設備被配置以沿著大致垂直于所述中心結構的所述平面 的軸線旋轉所述一個或更多的靜電夾盤。
19.根據(jù)權利要求16所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述樞轉設備被配置以沿著一個或 更多的軸線相對于所述中心結構旋轉所述一個或更多的靜電夾盤。
20.根據(jù)權利要求4所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述末端站基本上被與外界環(huán)境密 封，并且其中所述多個電機完全位于所述末端站內(nèi)。
21.根據(jù)權利要求20所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述多個電機包括具有一體冷卻和 真空密封的高真空電機。
22.根據(jù)權利要求4所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述多個電機包括各自的多個編碼 器，其中對所述多個電機的控制基于來自所述多個編碼器的反饋。
23.根據(jù)權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述末端站還包括大致中空的圓柱形 束流收集器，所述束流收集器沿著所述離子束路徑大致位于所述工件的下游，其中所述束 流收集器被配置以大致限制對所述束流收集器內(nèi)的顆粒污染。
24.根據(jù)權利要求23所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述束流收集器包括圓柱形法拉第 裝置。
25.根據(jù)權利要求23所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述束流收集器的內(nèi)表面由石墨構成。
26.根據(jù)權利要求1所述的離子注入系統(tǒng)，還包括控制器，所述控制器被配置以控制所 述機器人構造，其中所述工件以預定方式被掃描通過所述離子束。
27.一種用于通過離子束掃描工件的工件掃描系統(tǒng)，所述工件掃描系統(tǒng)包括處理腔，所述處理腔與所述離子束相關聯(lián)；多個電機，所述電機被可操作地連接至所述處理腔，其中所述多個電機中的每個電機 具有與之關聯(lián)的旋轉軸，其中每個旋轉軸的至少一部分大致位于所述處理腔內(nèi)；連桿組件，所述連桿組件與所述多個電機中的每個電機相關聯(lián)，其中每個連桿組件分 別包括被固定地連接至所述旋轉軸的所述至少一部分的曲軸臂和樞轉地連接至所述曲柄 軸的支柱；末端執(zhí)行器，所述末端執(zhí)行器被可操作地連接至每個連桿組件的支柱；和控制器，所述控制器是可操作的以經(jīng)由對所述多個電機的控制對所述工件相對于所述 離子束的位置進行控制。
28.根據(jù)權利要求27所述的工件掃描系統(tǒng)，其中，所述末端執(zhí)行器包括可操作的用于 支撐位于其上的所述工件的靜電夾盤。
29.根據(jù)權利要求觀所述的工件掃描系統(tǒng)，還包括多個靜電夾盤和靜電夾盤基底站， 其中所述末端執(zhí)行器包括中心結構，所述中心結構被配置以選擇性地將所述多個靜電夾盤 中的每一個與所述靜電夾盤基底站接合和分離。
30.根據(jù)權利要求四所述的工件掃描系統(tǒng)，其中，所述靜電夾盤被配置以在所述靜電 夾盤基底站處被加熱和/或冷卻。
31.一種將離子注入工件的方法，所述方法包括提供離子束；提供工件掃描系統(tǒng)，所述工件掃描系統(tǒng)包括多個電機，所述電機被可操作地連接至末 端站，其中所述多個電機中的每個電機具有與之相關聯(lián)的旋轉軸，其中每個旋轉軸的至少 一部分大致位于所述末端站內(nèi)，并且其中所述多個電機中的每個電機具有分別與之相關聯(lián) 的連桿組件，其中每個連桿組件分別包括曲軸臂和支柱，其中每個連桿組件的曲軸臂被固 定地連接至所述各自的旋轉軸，并且其中每個連桿組件的支柱在第一接頭處被樞轉地連接 至所述各自的曲軸臂，并且其中每個支柱也在第二接頭處被樞轉地連接至末端執(zhí)行器；經(jīng)由所述末端執(zhí)行器抓緊所述工件；和經(jīng)由對所述多個電機的控制來控制所述末端執(zhí)行器和工件相對于所述離子束的空間 位置和方位，其中所述工件被沿預定的掃描路徑通過離子束進行掃描。
32.根據(jù)權利要求31所述的方法，其中，當從所述工件的平面觀看時，所述預定掃描路 徑包括多個大致多邊形的離子束掃描。
33.根據(jù)權利要求31所述的方法，其中，當從所述工件的平面觀看時，所述預定掃描路 徑包括多個大致八邊形的離子束掃描。
34.根據(jù)權利要求31所述的方法，其中，當從所述工件的平面觀看時，所述預定掃描路 徑包括多個向量、光柵、弓形和圓形的離子束掃描中的一個或更多個。
35.根據(jù)權利要求31所述的方法，其中，所述多個電機包括各自的多個編碼器，其中對 所述多個電機的控制基于來自所述多個編碼器的反饋。
36.根據(jù)權利要求31所述的方法，還包括提供多個靜電夾盤，其中所述多個靜電夾盤中的每個靜電夾盤是可操作的以選擇性地 抓緊所述工件，并且其中所述末端執(zhí)行器包括與所述多個靜電夾盤相關聯(lián)的中心結構；經(jīng)由所述中心結構選擇性地接合所述多個靜電夾盤中的一個靜電夾盤；和經(jīng)由所述多個靜電夾盤中的所述一個靜電夾盤選擇性地接合所述工件。
37.根據(jù)權利要求36所述的方法，還包括在靜電夾盤基底站處對所述多個靜電夾盤進 行加熱和/或冷卻，其中所述中心結構被配置以在靜電夾盤基底站處，基于所述多個靜電 夾盤中的每個靜電夾盤的期望的處理溫度和條件中的一個或更多個，選擇性地與所述多個 靜電夾盤中的一個靜電夾盤接合和分離。
38.根據(jù)權利要求37所述的方法，其中，所述多個靜電夾盤中的每個靜電夾盤的條件 包括所述多個靜電夾盤中的每個靜電夾盤的溫度。
全文摘要
提供了一種被配置用于制造離子束(210)的離子注入系統(tǒng)(100)，其中，末端站(216)具有機器人構造(250)，所述機器人構造(250)具有至少四個自由度。被可操作地連接至機器人構造的末端執(zhí)行器(229)選擇性地抓緊工件(228)以及使工件(228)平移通過離子束。機器人構造具有可操作地連接至末端站的多個電機(254)，每個電機具有旋轉軸(256)。每個旋轉軸的至少一部分通常位于末端站內(nèi)，多個電機中的每個電機具有分別與之相關聯(lián)的連桿組件(252)，其中每個連桿組件分別具有曲軸臂(258)和支柱(260)。每個連桿組件的曲軸臂被固定地連接至各自的旋轉軸，以及每個連桿組件的支柱在第一接頭(262)處被樞轉地連接至各自的曲軸臂，并且在第二接頭(264)處被樞轉地連接至末端執(zhí)行器。
文檔編號F16M11/18GK102067270SQ200980123733
公開日2011年5月18日 申請日期2009年6月23日 優(yōu)先權日2008年6月25日
發(fā)明者保羅·艾德, 杰弗里·萊丁, 織田簡, 羅納德·霍納, 西奧多·斯米克, 馬文·法利 申請人:艾克塞利斯科技公司