專(zhuān)利名稱(chēng)：一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備 方法。
背景技術(shù)：
伴隨著信息終端的普及，作為計(jì)算機(jī)用的顯示器，對(duì)平板顯示器的需求不
斷高漲。此外，伴隨著信息化的i^艮，以往以紙介質(zhì)提供的信息改以電子化形 式提供的機(jī)會(huì)增加，作為薄且輕、可以輕便攜帶的便攜用顯示々某體，對(duì)電子文 件或數(shù)字文件的需求不斷高漲。
一般在平板型的顯示裝置中，利用了液晶、有機(jī)EL、電泳等的元件形成顯 示媒體。此外，對(duì)于這樣的顯示媒體，為了確保畫(huà)面輝度的均勻性或畫(huà)面書(shū)寫(xiě) 轉(zhuǎn)換速度等，使用由薄膜晶體管(TFT)構(gòu)成的有源驅(qū)動(dòng)元件作為圖像驅(qū)動(dòng)元件 的技術(shù)已成為主流。
近年來(lái)，使用有機(jī)半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管(OTFT)的開(kāi)發(fā)在加速進(jìn)行。 使用有機(jī)材料，降低了工藝溫度。因此，預(yù)期可在大面積上廉價(jià)制作晶體管。 有機(jī)薄膜晶體管預(yù)計(jì)會(huì)用作超薄顯示器和電子紙、射頻識(shí)別卡(RF. ID)、 IC 卡等的驅(qū)動(dòng)電路。為使有機(jī)薄膜晶體管工作，在源電極接地，漏電極施加漏極 電壓的條件下，對(duì)柵電極施加的電壓要超過(guò)閾值電壓。此時(shí)，有機(jī)薄膜晶體管 的電導(dǎo)率因柵極電場(chǎng)而改變，使得電流在源電極與漏電極間流動(dòng)。因此，作為 開(kāi)關(guān)，就可才艮據(jù)柵壓對(duì)源電極與漏電極間流動(dòng)的電流進(jìn)行通、斷控制。
迄今，已報(bào)導(dǎo)了用Si片之外的材料作為襯底來(lái)制作有機(jī)薄膜晶體管的大量 實(shí)例。然而，幾乎沒(méi)有遷移率超過(guò)O.l cn^/Vs的實(shí)例。當(dāng)在PET上制作晶體 管時(shí)，最高遷移率為0.05 cm2/Vs。但是在Si晶片上做有機(jī)薄膜晶體管， 一般 的工藝是釆用在Si基板上做Si02來(lái)做絕緣層，這需要熱氧化工藝來(lái)完成。這就
需要把Si片置于通有氧氣的高溫環(huán)境內(nèi)(900°C~1200°C )，硅片表面的硅和氧氣 發(fā)生反應(yīng)，形成Si02，氧化在氧化爐管中完成。這個(gè)工藝過(guò)程需要高溫環(huán)境， 和高溫設(shè)備，對(duì)于大規(guī)模制作有機(jī)薄膜晶體管是不利的。因此，改善絕緣層制 作工藝對(duì)是簡(jiǎn)化有機(jī)薄膜晶體管的制作工藝十分重要，對(duì)制作大面積的有4及薄 膜晶體管具有積極的意義。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何提供一種有機(jī)薄膜晶體管及其制備方法， 該晶體管克服了現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，簡(jiǎn)化了有機(jī)薄膜晶體管的制作工藝， 為有機(jī)薄膜晶體管的產(chǎn)業(yè)化降低了成本和工藝要求。
本發(fā)明所提出的技術(shù)問(wèn)題是這樣解決的提供一種有機(jī)薄膜晶體管，包括 基板、柵電極、有機(jī)柵絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層、漏電極和源電極，其特征在于， 所述有機(jī)柵絕緣層材料為紫外固化膠，包括自由基型紫外光固化膠粘劑，陽(yáng)離 子型紫外光固化膠粘劑以及兩者的混合體系；所述有機(jī)半導(dǎo)體層的材料為以下 材料中的一種或者多種并四苯；并五苯；及其具有取代基的衍生物；低聚噻 吩；其包含連接在逸吩環(huán)的第2及5位置的四至八個(gè)瘞吩；茈四曱酸二酐 (PTCDA);萘四甲酸二酐(NTCDA);及其酰亞胺衍生物；金屬化酞菁及其卣 代衍生物，全氟化酞菁銅(F16CuPc);酞菁銅(CuPc);亞噢吩基和1， 2-亞乙 烯基的低共聚物和共聚物；富勒烯(C6。)及其衍生物；菲(Perylene)及其衍生 物；Alpha-六痙汾(a誦Sexithiophene);紅塋烯(Rubrene);聚噢汾(Polythiophene); 聚3-己基逸吩(poly(3-hexyithiophene))。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)柵絕緣層厚 度為1 nm 500 nm，最佳厚度為60 nm。
按照本發(fā)明所提供的薄膜晶體管，其特征在于，所述自由基型紫外光固化 膠粘劑包括基礎(chǔ)樹(shù)脂、單體、光引發(fā)劑和光敏劑以及助劑；所述陽(yáng)離子型紫外 光固化膠粘劑包括陽(yáng)離子單體、稀釋劑和陽(yáng)離子光引發(fā)劑。
按照本發(fā)明所提供的薄膜晶體管，其特征在于，所述基礎(chǔ)樹(shù)脂包括不飽和 聚酯樹(shù)脂、丙烯酸系樹(shù)脂和多硫醇-多烯體系；所述單體包括苯乙烯及其衍生 物、單官能團(tuán)或多官能團(tuán)(曱基)丙烯酸酯；所述光引發(fā)劑包括安息香及其衍
生物安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚和乙酰苯衍生物；光敏劑包括二 苯曱酮、硫雜蒽醌和米貴酮，助劑包括增塑劑、觸變劑、填充劑、防靜電劑、 阻燃劑和偶聯(lián)劑；所述陽(yáng)離子單體包括各種環(huán)氧樹(shù)脂或改性環(huán)氧樹(shù)脂或含氟以 及不含氟的混合樹(shù)脂或者脂肪族和雙酚D -型混合環(huán)氧樹(shù)脂；所述稀釋劑包括各 種活性環(huán)氧樹(shù)脂稀釋劑以及各種環(huán)醚、環(huán)內(nèi)酯、乙烯基醚單體作為光固化樹(shù)脂 的稀釋劑；所述陽(yáng)離子光引發(fā)劑包括二芳基換鎗鹽、三芳基硤鐵鹽、三芳基辟u(mài) 鑰鹽和三芳基硒鑰鹽；自由基型紫外光固化粘膠劑和陽(yáng)離子型紫外光固化粘膠 劑的混合體系包括二苯甲基碘錄六氟磷酸鹽(DPI. PFs)作光引發(fā)劑，引發(fā)雙 酚A環(huán)氧樹(shù)脂E51和丙烯酸酯預(yù)聚物AE的混合樹(shù)脂。
按照本發(fā)明所提供的薄膜晶體管，其特征在于，所述丙烯酸系樹(shù)脂包括聚一 酯-丙烯酸酯、環(huán)氧-丙烯酸酯、氨基曱酸酯-丙烯酸酯和聚醚-丙烯酸酯。
按照本發(fā)明所提供的薄膜晶體管，其特征在于，所述多硫醇-多烯體系包 ^括以下結(jié)構(gòu)式的物質(zhì)
o
CH3(GH2)nC(CH2ofe(CH2)nSH)3 HS(CH2)ntto(GH2CH20)ni(CH2)nSH
其特征在于，所述源電極、漏電極
其特征在于，晶體管結(jié)構(gòu)為頂部接 其中頂部接觸式結(jié)構(gòu)構(gòu)成是部件從 底端到頂端依次為基板、柵電極、有機(jī)柵絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層以及在同一層 面的源電極和漏電極，底部接觸式結(jié)構(gòu)構(gòu)成是部件從底端到頂端依次為基板、 柵電極、有機(jī)柵絕緣層、在同一層面的源電極和漏電極、有機(jī)半導(dǎo)體層，頂部 柵極式結(jié)構(gòu)構(gòu)成是部件從底端到頂端依次為基板、在同 一層面的源電極和漏電 極、有機(jī)半導(dǎo)體層、有機(jī)柵絕緣層、柵電極。
一種有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟
0
C(CH2o!i(CH2)nSH))4 HS(CH2CH20)nCH2CH2SH
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)薄膜晶體管， 和柵電極為金屬或者導(dǎo)電薄膜。
按照本發(fā)明所提供的有機(jī)薄膜晶體管:
觸式、底部接觸式和頂部柵極式中的一種:
① 先對(duì)皿進(jìn)行徹底的清洗，清洗后干燥；
② 在基板的表面制備柵電極；
③ 形成柵電極的圖形；
④ 在鍍有柵電極的l^的上制備有4;i^絕緣層；
⑤ 對(duì)形成的有機(jī)柵絕緣層進(jìn)行處理；
⑥ 在已形成柵電極，以及已覆蓋有機(jī)柵絕緣層的基板制備有機(jī)半導(dǎo)體膜；
⑦ 然后制備源電極和漏電極；
⑧ 形成源電極，漏電極圖案。
本發(fā)明所提供的有機(jī)薄膜晶體管，結(jié)構(gòu)新穎，絕緣層粘結(jié)性增強(qiáng)與有才幾半導(dǎo) 體層薄膜之間的連接度，提高了器件結(jié)構(gòu)之間的附著能力；對(duì)絕緣層進(jìn)行適當(dāng) 的固化處理，使其形成致密結(jié)構(gòu)，能更加有效的阻隔水氧ii^器件內(nèi)部，提高 器件的性能和壽命；有機(jī)半導(dǎo)體層的好處是具有好的栽流子傳輸能力，制備工 藝簡(jiǎn)單，可以采用旋涂的方法制備，有機(jī)材料容易剪裁加工，多樣性明顯；采 用本發(fā)明中提供的制備方法能夠有效的提高薄膜的性能，并采用旋涂工藝制備 薄膜，從而降低生產(chǎn)成本，可制成柔性器件；器件超薄，體積小，重量輕，制 備方法合理簡(jiǎn)單，易于操作。此工藝對(duì)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的制作工藝有重要意義。


圖1是本發(fā)明所提供的頂部接觸式有機(jī)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明所提供的底部接觸式有機(jī)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本發(fā)明所提供的頂部柵極式有機(jī)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)示意圖。 其中，1、基板，2、柵電極，3、有機(jī)柵絕緣層，4、有機(jī)半導(dǎo)體層，5、源
電才及，6、漏電才及。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖以及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
本發(fā)明的技術(shù)方案是提供一種有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管，如圖1、 2、 3所示，器件的 結(jié)構(gòu)包括基板l，柵電極2，有機(jī)柵絕緣層3，有機(jī)半導(dǎo)體層4，源電極5，漏電 極6。
本發(fā)明中基板1為電極和有機(jī)薄膜層的依托，有一定的防水汽和氧氣滲透的能力，有較好的表面平整性，它是硅基板、玻璃或柔性基片，柔性基片采用 聚酯類(lèi)、聚酞亞胺化合物中的一種材料或者較薄的金屬或者玻璃。
本發(fā)明中源電極5、漏電極6和柵電極2為金屬或者導(dǎo)電薄膜，如A1金屬、 Au金屬、Cu金屬、Cr金屬等，或者是具有良好的物理性質(zhì)、化學(xué)性質(zhì)和與例 如氧化銦錫(ITO)或氧化鋅錫(IZO)等導(dǎo)電薄膜。
本發(fā)明中有機(jī)柵絕緣層3是以下紫外固化膠粘劑的一種或者幾種，自由基
型紫外光固化膠粘劑包括基礎(chǔ)樹(shù)脂、單體、光引發(fā)劑和光敏劑以及助劑，基礎(chǔ)
樹(shù)脂包括不飽和聚酯樹(shù)脂、丙烯酸系樹(shù)脂和多硫醇-多烯體系，丙烯酸系樹(shù)脂
包括聚酯-丙烯酸酯、環(huán)氧-丙烯酸酯、氛基甲酸酯-丙烯酸酯和聚醚-丙烯
酸酯，多硫醇-多烯體系，包括<formula>formula see original document page 8</formula>
C(CH2oli(CH2)nSH))4 CH3(CH2)nC(CH2o)l(CH2)nSH)3
HS(CH2CH20)nCH2CH2SH HS(CH2)jio(CH2CH20)nli(CH2)nSH 常用的多元烯丙基類(lèi)化合物有CH^CHC 0(CHsCHsChbO)nChbCH-CH2 、三烯丙
基異氰脲酸酯CH3(CH2)nC(CH20(U-CH2)3, HS(CH2CH20)2CH2CH2SH的一種或者
多種，單體包括苯乙烯及其衍生物、單官能團(tuán)或多官能團(tuán)(曱基)丙烯酸酯， 如曱基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙二醇酯、丙烯酸正丁酯，光引發(fā)劑 包括安息香及其衍生物安息香曱醚、安息香乙醚、安息香異丙醚和乙酰苯^"生 物，光敏劑有二苯甲酮、硫雜蒽醌和米蚩酮，助劑包括增塑劑、觸變劑、填充 劑、防靜電劑、阻燃劑、偶聯(lián)劑，如硅偶聯(lián)劑CH2=CHSi(OCH2CH2OCH3)3;陽(yáng) 離子型紫外光固化膠粘劑包括單體，如各種環(huán)氧樹(shù)脂或改性環(huán)氧樹(shù)脂或含氟以 及不含氟的混合樹(shù)脂或者脂肪族和雙酚D-型混合環(huán)氧樹(shù)脂，各種活性環(huán)氧樹(shù) 脂稀釋劑以及各種環(huán)醚、環(huán)內(nèi)酯、乙烯基醚單體作為光固化樹(shù)脂的稀釋劑，陽(yáng) 離子光引發(fā)劑有二芳基碘錄鹽、三芳基碘鐵鹽、三芳基硫鐵鹽、三芳基硒鑰鹽； 它們的混合體系包括自由基型和陽(yáng)離子型紫外固化膠的混合，如二苯甲基碘鑰
六氟磷酸鹽(DPI. PF6)作光引發(fā)劑，引發(fā)雙酚A環(huán)氧樹(shù)脂Esi和丙烯酸酯預(yù)聚物 AE的混合樹(shù)脂。
本發(fā)明中有機(jī)半導(dǎo)體層4是以下材料中的一種或者多種并四苯、并五苯， 及其具有取代基的衍生物；低聚噻吩，其包含連接在噻吩環(huán)的第2、 5位置的四 至八個(gè)噢吩；茈四甲酸二酐(PTCDA)，萘四曱酸二酐(NTCDA)，及其酰亞胺 衍生物；金屬化酞菁及其卣代衍生物fluorinated copper phthalocyanine F,6CuPc 、 酞膂銅CuPc;亞噻吩基和l， 2-亞乙烯基的低共聚物和共聚物；富勒烯C6o及其 衍生物、菲Perylene及其書(shū)亍生物、PTCDI-R、 NTCDI隱R、 poly(benzamidazobenzo phenanthroline) BBL 、 11， 11， 12， 12-tetracyanonaphtho-2， 6-quinodimethane TCKfNQ 、 a,o)-diperfluorohexyloligothiophenes (DFH-nT) ; Alpha-六蓬4 a誦Sexithiophene, 5，6，11,12畫(huà)tetraphenylnaphthacene Rubrene，聚瘞汾Polythiophene， 聚3-己基噢吟poly(3-hexyithiophene)。
其典型的分子式如下
<formula>formula see original document page 9</formula><formula>formula see original document page 10</formula>
Six畫(huà)thiophene
以下是本發(fā)明的具體實(shí)施例 實(shí)施例1
如圖1所示結(jié)構(gòu)中，基板1釆用Si村底，柵電極2采用DC磁控濺射的ITO 透明導(dǎo)電薄膜，采用紫外固化膠作為有機(jī)柵絕緣層3，源電極5采用Cr金屬薄 膜作為電極層，漏電極6也采用Cr金屬薄膜作為電極層，有機(jī)半導(dǎo)體層4采用 并五苯pentance。
制備方法如下所示
① 先對(duì)Si基板進(jìn)行徹底的清洗，清洗后用干燥氮?dú)獯蹈桑?br> ② 在Si基板的表面通過(guò)DC磁控'減射的方法蒸鍍柵電極；
③ 通過(guò)光刻的方法刻蝕ITO柵電極圖形；
④ 在鍍有柵電極的Si基板上通過(guò)旋涂的方法旋涂上紫外固化膠有機(jī)柵絕緣
層；
⑤ 對(duì)形成的有機(jī)柵絕緣層進(jìn)行紫外固化并加熱烘烤；
⑥ 把已形成有機(jī)柵絕緣膜的Si基板放入真空蒸鍍有機(jī)半導(dǎo)體膜并五苯；
⑦ 然后在有機(jī)半導(dǎo)體膜上蒸鍍Cr金屬源電極和Cr金屬漏電極；
⑧ 通過(guò)光刻形成源電極，漏電極圖案。
實(shí)施例2
如圖1所示結(jié)構(gòu)中，基板1采用Si村底，柵電極2采用DC ^茲控濺射的ITO 透明導(dǎo)電薄膜，采用紫外固化膠作為有機(jī)柵絕緣層3，源電極5采用Cr金屬薄 膜作為電極層，漏電極6也采用Cr金屬薄膜作為電極層，有機(jī)半導(dǎo)體層4采用 CuPc。
器件的制備流程與實(shí)施例l相似。 實(shí)施例3
如圖2所示結(jié)構(gòu)中，基板1采用Si村底，柵電極2采用DC》茲控濺射的ITO 透明導(dǎo)電薄膜，采用紫外固化膠作為有機(jī)柵絕緣層3，源電極5采用Cr金屬薄 膜作為電極層，漏電極6也采用Cr金屬薄膜作為電極層，有機(jī)半導(dǎo)體層4采用 并五苯。
'制備方法如下所示
① 先對(duì)Si基板進(jìn)行徹底的清洗，清洗后用干燥氮?dú)獯蹈桑?br> ② 在Si基板的表面通過(guò)DC磁控濺射的方法蒸鍍柵電極；
③ 通過(guò)光刻的方法刻蝕ITO柵電極圖形；
④ 在鍍有柵電極的Si基板上通過(guò)旋涂的方法旋涂上紫外固化膠有機(jī)柵絕緣
層；
⑤ 對(duì)形成的有機(jī)柵絕緣層進(jìn)行紫外固化并加熱烘烤；
⑥ 然后在有機(jī)半導(dǎo)體膜上蒸鍍Cr金屬源電極和Cr金屬漏電極；
⑦ 通過(guò)光刻形成源電極，漏電極圖案；
⑧ 把已形成柵電極，源電極，漏電極以及已覆蓋有機(jī)柵絕緣膜的Si基板放 入真空蒸鍍有機(jī)半導(dǎo)體膜并五苯。
實(shí)施例4
如圖2所示結(jié)構(gòu)中，基板1采用Si襯底，柵電極2采用DC磁控濺射的ITO 透明導(dǎo)電薄膜，采用紫外固化膠作為有機(jī)柵絕緣層3，源電極5采用Cr金屬薄 膜作為電極層，漏電極6也采用Cr金屬薄膜作為電極層，有機(jī)半導(dǎo)體層4采用 CuPc。
器件的制備流程與實(shí)施例3相似。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)薄膜晶體管，包括基板、柵電極、有機(jī)柵絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層、漏電極和源電極，其特征在于，所述有機(jī)柵絕緣層材料為紫外固化膠，包括自由基型紫外光固化膠粘劑，陽(yáng)離子型紫外光固化膠粘劑以及兩者的混合體系；所述有機(jī)半導(dǎo)體層的材料為以下材料中的一種或者多種并四苯；并五苯；及其具有取代基的衍生物；低聚噻吩；其包含連接在噻吩環(huán)的第2及5位置的四至八個(gè)噻吩；茈四甲酸二酐；萘四甲酸二酐；及其酰亞胺衍生物；金屬化酞菁及其鹵代衍生物；酞菁銅；亞噻吩基和1，2-亞乙烯基的低共聚物和共聚物；富勒烯C60及其衍生物；苝Perylene及其衍生物；阿爾法-六噻吩；紅螢烯Rubrene；聚噻吩；聚3-己基噻吩。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述有機(jī)柵絕緣 層厚度為1 nrn 500跳
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述自由基型紫 外光固化膠粘劑包括基礎(chǔ)樹(shù)脂、單體、光引發(fā)劑和光敏劑以及助劑。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，基礎(chǔ)樹(shù)脂包括不 飽和聚酯樹(shù)脂、丙烯酸系樹(shù)脂和多硫醇-多烯體系；單體包括苯乙烯及其衍生 物、單官能團(tuán)和多官能團(tuán)丙烯酸酯；光引發(fā)劑包括安息香及其衍生物安息香曱 醚、安息香乙醚、安息香異丙醚和乙酰笨衍生物；光敏劑包括二苯甲酮、疏雜 蒽醌和米貴酮；助劑包括增塑劑、觸變劑、填充劑、防靜電劑、阻燃劑和偶聯(lián) 劑。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的有機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，所述源電極、漏 電極和柵電極為金屬或者導(dǎo)電薄膜。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1 5任一所迷的機(jī)薄膜晶體管，其特征在于，晶體管結(jié)構(gòu) 為頂部接觸式、底部接觸式和頂部柵極式中的一種，其中頂部接觸式結(jié)構(gòu)構(gòu)成 是部件從底端到頂端依次為基板、柵電極、有機(jī)柵絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層以及 在同一層面的源電極和漏電極，底部接觸式結(jié)構(gòu)構(gòu)成是部件從底端到頂端依次 為基板、柵電極、有機(jī)柵絕緣層、在同一層面的源電極和漏電極、有機(jī)半導(dǎo)體 層，頂部柵極式結(jié)構(gòu)構(gòu)成是部件從底端到頂端依次為基板、在同一層面的源電 極和漏電極、有機(jī)半導(dǎo)體層、有機(jī)柵絕緣層、柵電極。
7、 一種有機(jī)薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟① 先對(duì)141進(jìn)行徹底的清洗，清洗后干燥；② 在基板的表面制備柵電極；③ 形成柵電極的圖形；④ 在鍍有柵電極的基板的上制備有機(jī)柵絕緣層；⑤ 對(duì)形成的有機(jī)柵絕緣層進(jìn)行處理；⑥ 在已形成柵電極，以及已覆蓋有機(jī)柵絕緣層的基板制備有機(jī)半導(dǎo)體膜；⑦ 然后制備源電極和漏電極；⑧ 形成源電極，漏電極圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)薄膜晶體管，包括基板、柵電極、絕緣層、有機(jī)半導(dǎo)體層、漏電極和源電極，結(jié)構(gòu)組成為頂部接觸式、底部接觸式和頂部柵極式中的一種，其特征在于所述絕緣層是需要紫外固化的一種或者多種材料的組合。本發(fā)明的目的是優(yōu)化有機(jī)薄膜晶體管的制作工藝，提高有機(jī)薄膜晶體管的性能，大幅降低有機(jī)薄膜晶體管的成本，為有機(jī)薄膜晶體管的產(chǎn)業(yè)化大幅度降低工藝要求和生產(chǎn)成本，并且提高晶體管的良品率。
文檔編號(hào)H01L51/30GK101359719SQ20081004602
公開(kāi)日2009年2月4日 申請(qǐng)日期2008年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月11日
發(fā)明者于軍勝, 磊 張, 璐 李, 蔣亞?wèn)| 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)