本發(fā)明實(shí)施例涉及油氣勘探中的測(cè)井?dāng)?shù)據(jù)處理領(lǐng)域，尤其涉及一種三探頭密度測(cè)井的圍巖校正方法及裝置。

背景技術(shù)：

對(duì)三個(gè)探頭都在正源距范圍內(nèi)的密度測(cè)井儀器，可以利用類(lèi)似于傳統(tǒng)的雙探頭密度測(cè)井的“脊-肋圖”方法來(lái)獲取地層的密度值，式(1)是雙探頭密度測(cè)井的補(bǔ)償公式。

式中，N₁、N₂分別為長(zhǎng)、中、短三個(gè)探頭中任意兩個(gè)探頭的計(jì)數(shù)率，且N₁對(duì)應(yīng)的探頭源距比N₂對(duì)應(yīng)的探頭源距大；A₁、A₂、B₁、K和B₂為刻度系數(shù)。

式(1)可以簡(jiǎn)單表示為

ρ_b＝ρ₁+Δρ (2)

其中，Δρ＝a(ρ₁-ρ₂)，a是與儀器有關(guān)的常數(shù)。

這種泥餅影響及泥餅補(bǔ)償方法前提條件是地層的目的層均勻、厚度無(wú)限大，沒(méi)有鄰近地層對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。當(dāng)泥餅為輕泥餅時(shí)，泥餅密度小于地層密度，長(zhǎng)源距探頭探測(cè)深度深，受泥餅的影響比短源距小，長(zhǎng)源距探頭測(cè)量得到的地層密度值大于短源距得到的地層密度值，于是式(2)中Δρ>0，此時(shí)，長(zhǎng)、中、短探頭分別得到的密度值為ρ_L、ρ_M、ρ_S，關(guān)系是ρ_L>ρ_M>ρ_S。反之，當(dāng)泥餅為重泥餅時(shí)，式(2)中Δρ<0，三個(gè)探頭密度值關(guān)系為ρ_L<ρ_M<ρ_S。

但是，當(dāng)目的層厚度較小時(shí)，圍巖地層將對(duì)測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生影響，在一定厚度范圍內(nèi)，三個(gè)探頭計(jì)數(shù)率將出現(xiàn)較大變化，求取的地層密度相應(yīng)也會(huì)發(fā)生變化。當(dāng)泥餅為輕泥餅時(shí)，ρ_L>ρ_M>ρ_S的條件以及當(dāng)泥餅為重泥餅時(shí)，ρ_L<ρ_M<ρ_S的條件都有可能不復(fù)存在，如果繼續(xù)利用式(1)進(jìn)行補(bǔ)償求取地層密度，就會(huì)出現(xiàn)“過(guò)度”補(bǔ)償，使得測(cè)量值偏離地層真值更遠(yuǎn)。這就需要對(duì)圍巖的影響進(jìn)行校正。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提出一種三探頭密度測(cè)井的圍巖校正方法及裝置。該方法包括：分析無(wú)泥餅和有泥餅條件下圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響規(guī)律；根據(jù)密度測(cè)井儀器三探頭測(cè)量的密度值大小，選擇相對(duì)應(yīng)情況下的圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正；由三個(gè)校正后的密度值得到儀器對(duì)地層測(cè)量密度值；本發(fā)明可以在不同的圍巖厚度和有無(wú)泥餅的條件下校正圍巖對(duì)地層密度測(cè)井的影響，從而得到更準(zhǔn)確的地層密度測(cè)井值。

為達(dá)到此目的，本發(fā)明實(shí)施例采用以下技術(shù)方案：

第一方面，一種三探頭密度測(cè)井的圍巖校正方法，所述方法包括：

分析無(wú)泥餅和有泥餅條件下圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響規(guī)律；

根據(jù)密度測(cè)井儀器三探頭測(cè)量的密度值大小，選擇相對(duì)應(yīng)情況下的圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正；

由三個(gè)校正后的密度值得到儀器對(duì)地層測(cè)量密度值。

優(yōu)選的，所述分析無(wú)泥餅和有泥餅條件下圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響規(guī)律，包括：

無(wú)泥餅、圍巖密度小于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度小于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度小于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

無(wú)泥餅、圍巖密度大于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度大于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度大于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響。

優(yōu)選的，根據(jù)密度測(cè)井儀器三探頭測(cè)量的密度值大小，選擇相對(duì)應(yīng)情況下的圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正，包括：

獲取無(wú)泥餅情況下的圍巖校正公式；

獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式；

利用獲取圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正。

優(yōu)選的，獲取無(wú)泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L＝ρ_M＝ρ_S時(shí)：

三探頭密度值均不需要圍巖校正，地層密度值可以是三個(gè)探頭任意一個(gè)探頭密度值，也可以是三個(gè)探頭兩兩補(bǔ)償密度值或三個(gè)探頭密度平均值；其中ρ_L、ρ_M、ρ_S分別為長(zhǎng)、中、短探頭按一般密度測(cè)井公式求取的密度值；

當(dāng)ρ_L<ρ_M<ρ_S時(shí)：

中、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式為：

ρ_b1＝ρ_ML+a₁Δρ_ML

其中，ρ_b1是中、長(zhǎng)探測(cè)器經(jīng)過(guò)圍巖校正后的密度值；ρ_ML為利用中探測(cè)器和長(zhǎng)探測(cè)器進(jìn)行補(bǔ)償密度測(cè)量得到的密度值；Δρ_ML為利用中、長(zhǎng)源距測(cè)量的密度值之差，即Δρ_ML＝ρ_M-ρ_L；系數(shù)a₁可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、中探測(cè)器的圍巖校正公式為：

ρ_b2＝ρ_SM+a₂Δρ_SM

其中，ρ_b1是段、中探測(cè)器經(jīng)過(guò)圍巖校正后的密度值；ρ_SM為利用短探測(cè)器和中探測(cè)器進(jìn)行補(bǔ)償密度測(cè)量得到的密度值；Δρ_SM為利用短、中源距測(cè)量的密度值之差，即Δρ_SM＝ρ_S-ρ_M；系數(shù)a₂可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式為：

ρ_b3＝ρ_SL+a₃Δρ_SL

其中，ρ_b3是段、中探測(cè)器經(jīng)過(guò)圍巖校正后的密度值；ρ_SL為利用短探測(cè)器和中探測(cè)器進(jìn)行補(bǔ)償密度測(cè)量得到的密度值；Δρ_SL為利用短、中源距測(cè)量的密度值之差，即Δρ_SL＝ρ_S-ρ_L；系數(shù)a₃可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

最終地層密度值可以是ρ_b1、ρ_b2、ρ_b3中的一個(gè)，也可以是三者中的平均值。

優(yōu)選的，獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí),目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域I內(nèi)，只用傳統(tǒng)的密度補(bǔ)償方法就可以得到地層密度，無(wú)需做圍巖校正；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí),目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域II內(nèi)，采用中、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí)，目的層厚度大于短探頭源距而小于中探頭源距的區(qū)域III內(nèi)，采用短、中探測(cè)器的圍巖校正公式或者短長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí)，地層厚度在小于短探頭源距的區(qū)域IV區(qū)域，可采用中、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式，短、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式以及短、中探測(cè)器的圍巖校正公式的任意一種。

第二方面，一種三探頭密度測(cè)井的圍巖校正裝置，其特征在于，所述裝置包括：

圍巖影響規(guī)律分析模塊，用于分析無(wú)泥餅和有泥餅條件下圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響規(guī)律；

圍巖校正模塊，用于根據(jù)密度測(cè)井儀器三探頭測(cè)量的密度值大小，選擇相對(duì)應(yīng)情況下的圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正；

地層密度獲取模塊，用于由三個(gè)校正后的密度值得到儀器對(duì)地層測(cè)量密度值；

優(yōu)選的，所述圍巖影響因素分析模塊具體用于：

無(wú)泥餅、圍巖密度小于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度小于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度小于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

無(wú)泥餅、圍巖密度大于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度大于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度大于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響。

優(yōu)選的，所述圍巖校正模塊具體用于：

獲取無(wú)泥餅情況下的圍巖校正公式；

獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式；

利用獲取圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正。

優(yōu)選的，獲取無(wú)泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L＝ρ_M＝ρ_S時(shí)：

三探頭密度值均不需要圍巖校正，地層密度值可以是三個(gè)探頭任意一個(gè)探頭密度值，也可以是三個(gè)探頭兩兩補(bǔ)償密度值或三個(gè)探頭密度平均值；其中ρ_L、ρ_M、ρ_S分別為長(zhǎng)、中、短探頭按一般密度測(cè)井公式求取的密度值；

當(dāng)ρ_L<ρ_M<ρ_S時(shí)：

中、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式為：

ρ_b1＝ρ_ML+a₁Δρ_ML

其中，ρ_b1是中、長(zhǎng)探測(cè)器經(jīng)過(guò)圍巖校正后的密度值；ρ_ML為利用中探測(cè)器和長(zhǎng)探測(cè)器進(jìn)行補(bǔ)償密度測(cè)量得到的密度值；Δρ_ML為利用中、長(zhǎng)源距測(cè)量的密度值之差，即Δρ_ML＝ρ_M-ρ_L；系數(shù)a₁可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、中探測(cè)器的圍巖校正公式為：

ρ_b2＝ρ_SM+a₂Δρ_SM

其中，ρ_b1是段、中探測(cè)器經(jīng)過(guò)圍巖校正后的密度值；ρ_SM為利用短探測(cè)器和中探測(cè)器進(jìn)行補(bǔ)償密度測(cè)量得到的密度值；Δρ_SM為利用短、中源距測(cè)量的密度值之差，即Δρ_SM＝ρ_S-ρ_M；系數(shù)a₂可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式為：

ρ_b3＝ρ_SL+a₃Δρ_SL

其中，ρ_b3是段、中探測(cè)器經(jīng)過(guò)圍巖校正后的密度值；ρ_SL為利用短探測(cè)器和中探測(cè)器進(jìn)行補(bǔ)償密度測(cè)量得到的密度值；Δρ_SL為利用短、中源距測(cè)量的密度值之差，即Δρ_SL＝ρ_S-ρ_L；系數(shù)a₃可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

最終地層密度值可以是ρ_b1、ρ_b2、ρ_b3中的一個(gè)，也可以是三者中的平均值。

優(yōu)選的，獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí),目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域I內(nèi)，只用傳統(tǒng)的密度補(bǔ)償方法就可以得到地層密度，無(wú)需做圍巖校正；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí),目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域II內(nèi)，采用中、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí)，目的層厚度大于短探頭源距而小于中探頭源距的區(qū)域III內(nèi)，采用短、中探測(cè)器的圍巖校正公式或者短長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式；

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí)，地層厚度在小于短探頭源距的區(qū)域IV區(qū)域，可采用中、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式，短、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式以及短、中探測(cè)器的圍巖校正公式的任意一種。

本發(fā)明實(shí)施例提供的三探頭密度測(cè)井的圍巖校正方法及裝置，通過(guò)分析無(wú)泥餅和有泥餅條件下圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響規(guī)律，根據(jù)密度測(cè)井儀器三探頭測(cè)量的密度值大小，選擇相對(duì)應(yīng)情況下的圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正，以及由三個(gè)校正后的密度值得到儀器對(duì)地層測(cè)量密度值，在不同的圍巖厚度和有無(wú)泥餅的條件下校正圍巖對(duì)地層密度測(cè)井的影響，從而得到更準(zhǔn)確的地層密度測(cè)井值。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一種三探頭密度測(cè)井的圍巖校正方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種三探頭密度測(cè)井圍巖影響的模型示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的無(wú)泥餅時(shí)圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三個(gè)探頭密度值的影響；

圖4是是本發(fā)明實(shí)施例提供的重泥餅對(duì)長(zhǎng)、中、短三個(gè)探頭密度值的影響；

圖5A是本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)際互層井A的圍巖校正成果圖；

圖5B是本發(fā)明實(shí)施例提供的實(shí)際互層井B的圍巖矯正成果圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種三探頭密度測(cè)井的圍巖校正方法的裝置的功能模塊示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明實(shí)施例相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

參考圖1，圖1是本發(fā)明實(shí)施例一種三探頭密度測(cè)井的圍巖校正方法的流程示意圖；。

如圖1所示，所述三探頭密度測(cè)井的圍巖校正方法包括：

步驟101，分析圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響規(guī)律。

三探頭密度測(cè)井圍巖影響的裝置示意圖如圖2所示。圖2中，三探頭密度測(cè)井儀器緊貼井壁；目的層的密度高于圍巖密度，上、下圍巖密度可相同也可不同；井壁在目的層處可能有泥餅也可能無(wú)泥餅，如果有輕泥餅，設(shè)泥餅的密度低于目的層和圍巖的密度；如果有重泥餅，設(shè)泥餅的密度大于地層和圍巖的密度。

在本例中，長(zhǎng)、中、短三個(gè)探測(cè)器的源距分別為11cm、21cm和39cm。得到的無(wú)泥餅和輕泥餅時(shí)圍巖對(duì)三個(gè)探測(cè)器密度的影響分別如圖3和圖4所示。由于圖3和圖4的縱坐標(biāo)是歸一化密度值，因此，獲取圖3和圖4可以用實(shí)際儀器在模型井中測(cè)量得到，也可以根據(jù)實(shí)際儀器，由數(shù)值模擬計(jì)算得到。

步驟102，根據(jù)密度測(cè)井儀器三探頭測(cè)量的密度值大小，選擇相對(duì)應(yīng)情況下的圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正，包括：

獲取無(wú)泥餅情況下的圍巖校正公式；

獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式；

利用獲取圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正；

優(yōu)選地，獲取無(wú)泥餅情況下的圍巖校正公式為：

圖3顯示了沒(méi)有泥餅時(shí)，三種圍巖情況下，長(zhǎng)、中、短源距密度變化值均隨著地層厚度的增加而增加；當(dāng)目的層厚度大于相應(yīng)探頭源距時(shí)，其密度不再變化，處于一恒定值，該恒定值就是真實(shí)地層密度值。

從圖3看，當(dāng)目的層厚度較大，大于長(zhǎng)探頭源距大小以后，也就地層厚度大于儀器的縱向分辨率，三個(gè)探頭密度值都不受?chē)鷰r影響，于是出現(xiàn)

ρ_b＝ρ_L＝ρ_M＝ρ_S (3)

這種情況下，不需要做圍巖校正，地層密度值很容易求得，可以是三個(gè)探頭任意一個(gè)探頭求取的密度值，也可以是兩兩補(bǔ)償密度值或三個(gè)探頭密度的平均值。

當(dāng)目的層厚度小于長(zhǎng)探頭源距時(shí)，由于長(zhǎng)探頭縱向分辨率差，受?chē)鷰r影響最大，短源距探頭縱向分辨率高，受?chē)鷰r影響最小，于是出現(xiàn)

ρ_L<ρ_M<ρ_S (4)

這種情況下，若按傳統(tǒng)的密度補(bǔ)償公式(1)，就會(huì)出現(xiàn)Δρ<0，補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)果只能使薄層的視密度值離地層真實(shí)密度值相差更遠(yuǎn)，單純的泥餅補(bǔ)償不能準(zhǔn)確求取地層密度，這時(shí)就需要進(jìn)行圍巖影響校正，可以按下式進(jìn)行圍巖影響校正，校正值為

Δρ_ML＝ρ_M-ρ_L (5)

Δρ_SM＝ρ_S-ρ_M (6)

Δρ_SL＝ρ_S-ρ_L (7)

地層密度值分別為

ρ_b1＝ρ_ML+a₁Δρ_ML (8)

ρ_b2＝ρ_SM+a₂Δρ_SM (9)

ρ_b3＝ρ_SL+a₃Δρ_SL (10)

式中系數(shù)a₁、a₂、a₃可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到，ρ_ML、ρ_SM、ρ_SL分別為長(zhǎng)和中、中和短、長(zhǎng)和短探頭兩兩采用式(1)得到的密度值。最終的地層密度值可以是ρ_b1、ρ_b2、ρ_b3的三個(gè)密度值中的任意一個(gè)，也可以是這三個(gè)密度值的平均值。

優(yōu)選地，所述獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式為：

圖4顯示了有輕泥餅時(shí)，三種圍巖情況下，ρ_L，ρ_M，ρ_S隨目的層厚度的變化情況?？梢?jiàn)，在一定的目的層厚度范圍內(nèi)，ρ_L，ρ_M，ρ_S均隨著地層厚度的增加而逐漸增加；當(dāng)目的層厚度超過(guò)一定的數(shù)值后，三個(gè)密度值均不在隨地層厚度而變化。由于受?chē)鷰r和泥餅的影響程度不同，三個(gè)探頭得到的地層密度值隨著地層厚度的曲線將出現(xiàn)三個(gè)交點(diǎn)，由此可將它們之間的相互關(guān)系分為I、II、III和IV四個(gè)區(qū)域。

(1)當(dāng)目的層厚度較大，在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在I區(qū)域內(nèi)，中、短探頭均只受泥餅的影響，不受?chē)鷰r影響，短探頭受泥餅影響最大；長(zhǎng)探頭既受泥餅影響又受?chē)鷰r影響，但此時(shí)，長(zhǎng)探頭受泥餅影響最小，同時(shí)受?chē)鷰r影響很小，所以出現(xiàn)ρ_L>ρ_M>ρ_S，這滿足泥餅補(bǔ)償公式(1)的條件，只用傳統(tǒng)的密度補(bǔ)償方法就可以得到地層密度，無(wú)需做圍巖校正。

(2)在地層厚度大于中探頭源距一定范圍內(nèi)即在II區(qū)域，長(zhǎng)探頭受泥餅和圍巖的雙重影響，雖然在三個(gè)探頭中，長(zhǎng)探頭受泥餅影響最小，但同時(shí)受一定程度圍巖影響；而中探頭和短探頭只受泥餅影響，其中中探頭受泥餅影響較短探頭小。于是出現(xiàn)ρ_L<ρ_M>ρ_S或ρ_M>ρ_L＞ρ_S。此時(shí)，中探頭對(duì)長(zhǎng)探頭進(jìn)行補(bǔ)償時(shí)，Δρ<0，這就需要做圍巖校正，可按式(5)和式(8)進(jìn)行校正。

(3)在地層厚度大于短探頭源距而小于中探頭源距區(qū)域即在III區(qū)域，長(zhǎng)、中探頭均受泥餅和圍巖的雙重影響，而短探頭只受泥餅的影響，于是出現(xiàn)ρ_L<ρ_S<ρ_M，此時(shí)，短探頭對(duì)長(zhǎng)探頭或中探頭對(duì)長(zhǎng)探頭進(jìn)行密度補(bǔ)償時(shí)，Δρ<0，需要做圍巖校正?？砂词?6)、式(7)、式(9)和式(10)進(jìn)行校正。

(4)在地層厚度小于短探頭源距的區(qū)域也即IV區(qū)域，長(zhǎng)、中、短探頭均受?chē)鷰r和泥餅雙重影響，但長(zhǎng)探頭受泥餅影響最小，而短探頭受泥餅影響最大。這時(shí)有ρ_L<ρ_M<ρ_S，這時(shí)可以按上面方法進(jìn)行校正。但由于地層太薄，測(cè)量結(jié)果已嚴(yán)重失真，做圍巖校正已沒(méi)有意義。

步驟103，由三個(gè)校正后的密度值得到儀器對(duì)地層測(cè)量密度值；

利用上述圍巖校正方法對(duì)兩口砂泥巖互層井A和B的三探頭密度測(cè)井曲線進(jìn)行了處理，結(jié)果如圖5A及圖5B所示。圖中DEN和DENC分別是圍巖校正前和校正后的密度值。處理結(jié)果表明，圍巖校正前后的密度值在多個(gè)層段出現(xiàn)差別，甚至較大差別，實(shí)驗(yàn)的結(jié)果表明，圍巖校正后的密度值更接近真實(shí)地層密度值，因此上述圍巖校正方法是有效的。

參考圖6，圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種三探頭密度測(cè)井的圍巖校正裝置的功能模塊示意圖。

如圖6所示，所述裝置包括：

圍巖影響規(guī)律分析模塊601，用于分析無(wú)泥餅和有泥餅條件下圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響規(guī)律；

圍巖校正模塊602，用于根據(jù)密度測(cè)井儀器三探頭測(cè)量的密度值大小，選擇相對(duì)應(yīng)情況下的圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正；

地層密度獲取模塊603，用于由三個(gè)校正后的密度值得到儀器對(duì)地層測(cè)量密度值；

優(yōu)選地，所述圍巖影響規(guī)律分析模塊601，其具體用于：

無(wú)泥餅、圍巖密度小于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度小于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度小于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

無(wú)泥餅、圍巖密度大于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

輕泥餅、圍巖密度大于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

重泥餅、圍巖密度大于目的層密度時(shí)，圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響；

優(yōu)選地，所述圍巖校正模塊602，其具體用于：

獲取無(wú)泥餅情況下的圍巖校正公式；

獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式；

利用獲取圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正；

優(yōu)選地，所述獲取無(wú)泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L＝ρ_M＝ρ_S時(shí)(其中ρ_L、ρ_M、ρ_S分別為長(zhǎng)、中、短探頭按一般密度測(cè)井公式求取的密度值)：

三探頭密度值均不需要圍巖校正，地層密度值可以是三個(gè)探頭任意一個(gè)探頭密度值，也可以是三個(gè)探頭兩兩補(bǔ)償密度值或三個(gè)探頭密度平均值。

當(dāng)ρ_L<ρ_M<ρ_S時(shí)：

中、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式為：

ρ_b1＝ρ_ML+a₁Δρ_ML

其中，ρ_b1是中、長(zhǎng)探測(cè)器經(jīng)過(guò)圍巖校正后的密度值；ρ_ML為利用中探測(cè)器和長(zhǎng)探測(cè)器進(jìn)行補(bǔ)償密度測(cè)量公式(1)得到的密度值；Δρ_ML為利用中、長(zhǎng)源距測(cè)量的密度值之差，即Δρ_ML＝ρ_M-ρ_L；系數(shù)a₁可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、中探測(cè)器的圍巖校正公式為：

ρ_b2＝ρ_SM+a₂Δρ_SM

其中，ρ_b1是段、中探測(cè)器經(jīng)過(guò)圍巖校正后的密度值；ρ_SM為利用短探測(cè)器和中探測(cè)器進(jìn)行補(bǔ)償密度測(cè)量公式(1)得到的密度值；Δρ_SM為利用短、中源距測(cè)量的密度值之差，即Δρ_SM＝ρ_S-ρ_M；系數(shù)a₂可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

短、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式為：

ρ_b3＝ρ_SL+a₃Δρ_SL

其中，ρ_b3是段、中探測(cè)器經(jīng)過(guò)圍巖校正后的密度值；ρ_SL為利用短探測(cè)器和中探測(cè)器進(jìn)行補(bǔ)償密度測(cè)量公式(1)得到的密度值；Δρ_SL為利用短、中源距測(cè)量的密度值之差，即Δρ_SL＝ρ_S-ρ_L；系數(shù)a₃可以由刻度的數(shù)據(jù)擬合得到；

最終地層密度值可以是ρ_b1、ρ_b2、ρ_b3中的一個(gè)，也可以是三者中的平均值。

優(yōu)選地，所述獲取有泥餅情況下的圍巖校正公式，包括：

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí),目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域I內(nèi)，只用傳統(tǒng)的密度補(bǔ)償方法就可以得到地層密度，無(wú)需做圍巖校正。

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí),目的層厚度在大于中探頭源距大小的一定范圍內(nèi)，即在區(qū)域II內(nèi)，采用中、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式。

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí)，目的層厚度大于短探頭源距而小于中探頭源距的區(qū)域III內(nèi)，采用短、中探測(cè)器的圍巖校正公式或者短長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式。

當(dāng)ρ_L>ρ_M>ρ_S時(shí)，地層厚度在小于短探頭源距的區(qū)域IV區(qū)域，可采用中、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式，短、長(zhǎng)探測(cè)器的圍巖校正公式以及短、中探測(cè)器的圍巖校正公式的任意一種。但由于地層太薄，測(cè)量結(jié)果已嚴(yán)重失真，做圍巖校正已沒(méi)有意義。

本發(fā)明提供了一種三探頭密度測(cè)井的圍巖校正方法及裝置。該方法包括：分析無(wú)泥餅和有泥餅條件下圍巖對(duì)長(zhǎng)、中、短三探測(cè)器密度的影響規(guī)律；根據(jù)密度測(cè)井儀器三探頭測(cè)量的密度值大小，選擇相對(duì)應(yīng)情況下的圍巖校正公式對(duì)測(cè)量的三個(gè)密度值分別進(jìn)行圍巖校正；由三個(gè)校正后的密度值得到儀器對(duì)地層測(cè)量密度值；本發(fā)明可以在不同的圍巖厚度和有無(wú)泥餅的條件下校正圍巖對(duì)地層密度測(cè)井的影響，從而得到更準(zhǔn)確的地層密度測(cè)井值。

以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本發(fā)明實(shí)施例的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本發(fā)明實(shí)施例保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉?zhuān)绢I(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本發(fā)明實(shí)施例的其它具體實(shí)施方式，這些方式都將落入本發(fā)明實(shí)施例的保護(hù)范圍之內(nèi)。