一種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成的制作方法
【專利摘要】一種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成，包括護(hù)帽、上接頭、上A1絕緣環(huán)、上A1電極環(huán)、芯軸、上A0絕緣環(huán)、A0電極環(huán)、下A0絕緣環(huán)、下A1電極環(huán)、下A1絕緣環(huán)、骨架組件、下接頭、護(hù)絲，所述的護(hù)帽設(shè)置在上接頭上，上A1絕緣環(huán)、上A1電極環(huán)、上A0絕緣環(huán)、A0電極環(huán)、下A0絕緣環(huán)、下A1電極環(huán)、下A1絕緣環(huán)依次連接設(shè)置在芯軸外部，下A1絕緣墊通過(guò)防轉(zhuǎn)墊連接下接頭，下接頭設(shè)置在芯軸上，護(hù)絲設(shè)置在下接頭底部，骨架組件設(shè)置在芯軸內(nèi)部。本實(shí)用新型的有益效果是：縮短的主電極長(zhǎng)度，增加電極系芯軸內(nèi)徑，可以使分層能力增強(qiáng)，電路骨架組件設(shè)置在電極系芯軸內(nèi)部，省略電路外殼，使整個(gè)裝置體積減小，節(jié)省材料，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用、適合推廣。
【專利說(shuō)明】一種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及石油測(cè)井儀器，尤其涉及一種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成。

【背景技術(shù)】
[0002] 偵彳向測(cè)井是根據(jù)同性電相斥的原理，在主電極的兩端通以相同極性的屏蔽電流， 使主電流垂直井而流入地層測(cè)量其電阻率。目前，普通電阻率測(cè)井在泥漿礦化度很高時(shí)，電 流大部分沿井筒流動(dòng)，流經(jīng)地層的電流小，不能反映地層電阻率，測(cè)得的Ra曲線平緩，不能 用來(lái)分層劃界和計(jì)算地層的真電阻率?，F(xiàn)有的三側(cè)向測(cè)井電極系測(cè)井時(shí)，被插入井下地層 分辨率一股約為〇. 7米左右，對(duì)一些薄地層，這樣的分層能力是不夠的，現(xiàn)有三側(cè)向測(cè)井儀 在分層能力上受到很大限制。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實(shí)用新型的目的在于提供一種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成，縮短儀器串的有效 長(zhǎng)度，加大電極系芯軸內(nèi)徑，縮小電路部分直徑，將電路骨架設(shè)置在電極系芯軸內(nèi)部，取消 電路外殼部分。具有結(jié)構(gòu)精巧、分層能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
[0004] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
[0005] -種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成，包括護(hù)帽、上接頭、上A1絕緣環(huán)、上A1電極環(huán)、 芯軸、上A0絕緣環(huán)、A0電極環(huán)、下A0絕緣環(huán)、下A1電極環(huán)、下A1絕緣環(huán)、骨架組件、下接頭、 護(hù)絲，所述的護(hù)帽設(shè)置在上接頭上，上A1絕緣環(huán)、上A1電極環(huán)、上A0絕緣環(huán)、A0電極環(huán)、下 A0絕緣環(huán)、下A1電極環(huán)、下A1絕緣環(huán)依次連接設(shè)置在芯軸外部，下A1絕緣墊通過(guò)防轉(zhuǎn)墊連 接下接頭，下接頭設(shè)置在芯軸上，護(hù)絲設(shè)置在下接頭底部，骨架組件設(shè)置在芯軸內(nèi)部；
[0006] 所述的上接頭頂部設(shè)置芯母插座，芯軸底部設(shè)置有芯公插頭，下接頭設(shè)置有密封 螺絲。
[0007] 所述的三側(cè)向測(cè)井儀總成長(zhǎng)度為786mm。
[0008] 所述的芯軸內(nèi)徑為56mm。
[0009] 與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：
[0010] 縮短的主電極長(zhǎng)度，增加電極系芯軸內(nèi)徑，可以使分層能力增強(qiáng)，電路骨架組件設(shè) 置在電極系芯軸內(nèi)部，省略電路外殼，使整個(gè)裝置體積減小，節(jié)省材料，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用、適合 推廣。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011] 圖1是本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)圖。
[0012] 圖2是本實(shí)用新型頂部結(jié)構(gòu)圖。
[0013] 圖3是本實(shí)用新型上接頭至上A1電極環(huán)部分結(jié)構(gòu)圖。
[0014] 圖4是本實(shí)用新型芯軸及骨架組件部分結(jié)構(gòu)圖。
[0015] 圖5是本實(shí)用新型上A0絕緣環(huán)到下A1絕緣環(huán)部分結(jié)構(gòu)圖。
[0016] 圖6是本實(shí)用新型底部結(jié)構(gòu)圖。
[0017] 1-護(hù)帽2-上接頭3-上A1絕緣環(huán)4-上A1電極環(huán)5-芯軸6-上A0絕緣環(huán)7-A0 電極環(huán)8-下A0絕緣環(huán)9-下A1電極環(huán)10-下A1絕緣環(huán)11-骨架組件12-下接頭13-護(hù) 絲14-骨架組件15-芯公插頭16-芯母插座17-定位鍵18-密封螺絲

【具體實(shí)施方式】
[0018] 下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)一步說(shuō)明：
[0019] 如圖1所示，一種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成，包括護(hù)帽1、上接頭2、上A1絕緣環(huán) 3、上A1電極環(huán)4、芯軸5、上A0絕緣環(huán)6、A0電極環(huán)7、下A0絕緣環(huán)8、下A1電極環(huán)9、下A1 絕緣環(huán)10、骨架組件11、下接頭12、護(hù)絲13,所述的護(hù)帽1設(shè)置在上接頭2上，上A1絕緣環(huán) 3、上A1電極環(huán)4、上A0絕緣環(huán)6、A0電極環(huán)7、下A0絕緣環(huán)8、下A1電極環(huán)9、下A1絕緣環(huán) 10依次連接設(shè)置在芯軸5外部，下A1絕緣環(huán)10通過(guò)防轉(zhuǎn)墊連接下接頭12,下接頭12設(shè)置 在芯軸5上，護(hù)絲13設(shè)置在下接頭12底部，骨架組件11設(shè)置在芯軸5內(nèi)部；
[0020] 所述的上接頭2頂部設(shè)置芯母插座16,芯軸5底部設(shè)置有芯公插頭15,下接頭12 設(shè)置有密封螺絲18。
[0021] 所述的三側(cè)向測(cè)井儀總成長(zhǎng)度為786mm。
[0022] 所述的芯軸5內(nèi)徑為56mm。
[0023] 本實(shí)用新型的儀器串長(zhǎng)度為786mm，加大了電極系芯軸長(zhǎng)度，由原來(lái)的42mm，加大 到56mm，并縮小電路部分直徑為55mm，可以使分層能力增強(qiáng)，電路骨架組件設(shè)置在電極系 芯軸內(nèi)部，省略電路外殼，使整個(gè)裝置體積減小，節(jié)省材料，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用、適合推廣。
【權(quán)利要求】
1. 一種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成，包括護(hù)帽、上接頭、上A1絕緣環(huán)、上A1電極環(huán)、芯 軸、上A0絕緣環(huán)、A0電極環(huán)、下A0絕緣環(huán)、下A1電極環(huán)、下A1絕緣環(huán)、骨架組件、下接頭、護(hù) 絲，其特征在于，所述的護(hù)帽設(shè)置在上接頭上，上A1絕緣環(huán)、上A1電極環(huán)、上A0絕緣環(huán)、A0 電極環(huán)、下A0絕緣環(huán)、下A1電極環(huán)、下A1絕緣環(huán)依次連接設(shè)置在芯軸外部，下A1絕緣環(huán)通 過(guò)防轉(zhuǎn)墊連接下接頭，下接頭設(shè)置在芯軸上，護(hù)絲設(shè)置在下接頭底部，骨架組件設(shè)置在芯軸 內(nèi)部； 所述的上接頭頂部設(shè)置芯母插座，芯軸底部設(shè)置有芯公插頭，下接頭設(shè)置有密封螺絲。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成，其特征在于，所述的三側(cè) 向測(cè)井儀總成長(zhǎng)度為786mm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高分辨率三側(cè)向測(cè)井儀總成，其特征在于，所述的芯軸 內(nèi)徑為56mm。
【文檔編號(hào)】E21B49/00GK203867563SQ201420185019
【公開(kāi)日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年4月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月16日
【發(fā)明者】董哲, 陳波 申請(qǐng)人:鞍山申闊機(jī)械制造有限公司