本發(fā)明涉及鍍銀材料及其制造方法，特別涉及作為在車載用或民生用電器布線中使用的連接器、開關(guān)、繼電器等接觸點或端子部件的材料而使用的鍍銀材料及其制造方法。
背景技術(shù)：
迄今，作為連接器或開關(guān)等的接觸點或端子部件等的材料，采用在銅或銅合金或不銹鋼等相對廉價且耐腐蝕性或機械特性等優(yōu)異的原材料上根據(jù)電特性或焊接性等所需特性實施了錫、銀、金等的鍍敷而得到的鍍敷材料。
對銅或銅合金或不銹鋼等原材料實施鍍錫而得到的鍍錫材料價格低廉，但是其在高溫環(huán)境下的耐腐蝕性差。另外，對這些原材料實施鍍金而得到的鍍金材料雖然耐腐蝕性優(yōu)異、可靠性高，但是其成本會變高。另一方面，對這些原材料實施鍍銀而得到的鍍銀材料與鍍金材料相比價格低廉，與鍍錫材料相比耐腐蝕性優(yōu)異。
另外，還要求連接器或開關(guān)等的接觸點或端子部件等的材料具有伴隨連接器的插拔或開關(guān)的滑動的耐磨耗性。
然而，鍍銀材料存在由于重結(jié)晶而使得銀鍍層的晶粒容易增大、由于該晶粒的增大導(dǎo)致硬度降低而耐磨耗性下降的問題(例如，參照專利文獻1)。
為了提高這樣的鍍銀材料的耐磨耗性，已知通過使銀鍍層中含有銻等元素來提高鍍銀材料的硬度的方法(例如，參照專利文獻2)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利特開第2008-169408號公報(段落編號0006)
專利文獻2：日本專利特開第2009-79250號公報(段落編號0003～0004)
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
然而，如果使鍍銀層中含有銻等元素，則存在雖然銀發(fā)生合金化而硬度提高、但是由于銀的純度降低而接觸電阻增加的問題。
所以，本發(fā)明鑒于這樣的以往的問題，其目的在于提供能夠維持高硬度并防止接觸電阻增加的鍍銀材料及其制造方法。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
本發(fā)明人為了解決上述技術(shù)問題而進行了認真研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過下述鍍銀材料的制造方法，能夠制造能維持高硬度并防止接觸電阻的增加的鍍銀材料，從而完成了本發(fā)明，上述鍍銀材料的制造方法為：在包含80～110g/l的銀、70～160g/l的氰化鉀和55～70mg/l的硒的鍍銀液中，將鍍銀液中的氰化鉀的濃度和電流密度的乘積記作y(g·a/l·dm2)，將液溫記作x(℃)，通過以滿足(32.6x-300)≤y≤(32.6x+200)的條件進行電鍍，在原材料上形成由銀構(gòu)成的表層。
即，本發(fā)明的鍍銀材料的制造方法的特征是，在包含80～110g/l的銀、70～160g/l的氰化鉀和55～70mg/l的硒的鍍銀液中，將鍍銀液中的氰化鉀的濃度和電流密度的乘積記作y(g·a/l·dm2)，將液溫記作x(℃)，通過以滿足(32.6x-300)≤y≤(32.6x+200)的條件進行電鍍，在原材料上形成由銀構(gòu)成的表層。
在該鍍銀材料的制造方法中，電鍍優(yōu)選在10～35℃的液溫下進行，且優(yōu)選以3～15a/dm2的電流密度進行。此外，鍍銀液優(yōu)選由包含氰化銀鉀、氰化鉀和硒氰酸鉀的水溶液形成。另外，原材料優(yōu)選由銅或銅合金形成，且優(yōu)選在原材料和表層之間形成由鎳構(gòu)成的基底層。
此外，本發(fā)明的鍍銀材料是在原材料上形成有由銀構(gòu)成的表層的鍍銀材料，其特征是，反射密度為0.3以上，表層的ag純度為99.9質(zhì)量％以上，在大氣中進行以50℃加熱168小時的耐熱試驗后的維氏硬度hv為110以上。在該鍍銀材料中，原材料優(yōu)選由銅或銅合金形成，且優(yōu)選在原材料和表層之間形成有由鎳構(gòu)成的基底層。
另外，本發(fā)明的接觸點或端子部件的特征在于，將上述鍍銀材料作為材料使用。
發(fā)明效果
通過本發(fā)明，可提供能夠維持高硬度并防止接觸電阻增加的鍍銀材料及其制造方法。
附圖的簡要說明
圖1是表示在制造實施例1～21和比較例1～3及6～9的鍍銀材料時的鍍銀液中的氰化鉀的濃度和電流密度的乘積與液溫的關(guān)系的圖。
具體實施方式
在本發(fā)明的鍍銀材料的制造方法的實施方式中，在包含80～110g/l的銀、70～160g/l的氰化鉀和55～70mg/l的硒的鍍銀液中，將鍍銀液中的氰化鉀的濃度和電流密度的乘積記為y(g·a/l·dm2)，將液溫記為x(℃)，通過以滿足(32.6x-300)≤y≤(32.6x+200)、優(yōu)選(32.6x-280)≤y≤(32.6x+180)、更優(yōu)選(32.6x-260)≤y≤(32.6x+150)、最優(yōu)選(32.6x-240)≤y≤(32.6x+100)的條件進行電鍍，在原材料上形成由銀構(gòu)成的表層。通過由此制造鍍銀材料，能維持鍍銀材料的高硬度并防止接觸電阻的增加。
在該鍍銀材料的制造方法的實施方式中，電鍍優(yōu)選以液溫10～35℃進行(更優(yōu)選以液溫12～33℃進行)，優(yōu)選以電流密度3～15a/dm2進行。此外，鍍銀液優(yōu)選由包含氰化銀鉀(kag(cn)2)、氰化鉀(kcn)和硒氰酸鉀(ksecn)的水溶液形成。
此外，鍍銀材料的維氏硬度hv優(yōu)選為110以上，更優(yōu)選為120以上。此外，作為耐熱試驗將鍍銀材料以50℃加熱168小時后的維氏硬度hv優(yōu)選為110以上，更優(yōu)選為120以上。如果像這樣使維氏硬度hv在110以上，則不易產(chǎn)生瑕疵和劃痕，形成耐磨耗性優(yōu)異的鍍銀材料。另外，耐熱試驗前后的維氏硬度hv也可以在160左右以下。
另外，原材料優(yōu)選由銅或銅合金構(gòu)成。另外，由于如果表層的厚度過厚，則不但成本升高，而且會變得容易破裂而使鍍銀材料的加工性降低，而如果厚度過薄，則鍍銀材料的耐磨耗性降低，因此，表層的厚度優(yōu)選為2～10μm，進一步優(yōu)選為3～7μm，最優(yōu)選為4～6μm。
另外，為了提高原材料與由銀構(gòu)成的表層之間的密合性，優(yōu)選在原材料與表層之間形成由鎳構(gòu)成的基底層。如果該基底層的厚度過薄，則無法充分提高原材料與由銀構(gòu)成的表層之間的密合性，而如果厚度過厚，則鍍銀材料的加工性降低，因此該基底層的厚度優(yōu)選為0.3～2.0μm，更優(yōu)選為0.5～1.5μm。為了提高該基底層與由銀構(gòu)成的表層之間的密合性，也可以在基底層與表層之間形成由銀觸擊電鍍形成的中間層。另外，為了防止鍍銀材料的接觸電阻的增加，表層的ag純度優(yōu)選在99質(zhì)量％以上，進一步優(yōu)選在99.5質(zhì)量％以上。
通過上述的鍍銀材料的制造方法的實施方式，可制造下述鍍銀材料，該鍍銀材料在原材料上形成有由銀構(gòu)成的表層，其中，反射密度為0.3以上(優(yōu)選1.0以上)、表層的ag純度為99.9質(zhì)量％以上，在大氣中進行以50℃加熱168小時的耐熱試驗后的維氏硬度hv為110以上。另外，若反射密度不足0.3，則鍍銀材料的外觀(由鏡面變?yōu)榘咨?變得無光澤，在沖壓加工等情況下容易在表面產(chǎn)生瑕疵。
實施例
下面，對本發(fā)明的鍍銀材料及其制造方法的實施例進行詳細說明。
[實施例1]
首先，準備作為原材料(被鍍敷材料)的67mm×50mm×0.3mm的由純銅構(gòu)成的軋板，將該被鍍敷材料與sus板放入堿脫脂液中，以被鍍敷材料作為陰極，sus板作為陽極，在5v的電壓下進行30秒的電解脫脂，用水清洗15秒后，在3％硫酸中進行15秒的酸洗，再用水清洗15秒。
然后，在由含有25g/l的氯化鎳、35g/l的硼酸和540g/l的四水合氨基磺酸鎳的水溶液形成的無光澤鍍鎳液中，以被鍍敷材料作為陰極，鎳電極板作為陽極，一邊利用攪拌器以500rpm進行攪拌，一邊以5a/dm2的電流密度進行85秒的電鍍(無光澤鍍鎳)，形成厚度為1μm的無光澤鍍鎳皮膜后，用水清洗15秒。
接著，在由含有3g/l的氰化銀鉀和90g/l的氰化鉀的水溶液形成的銀觸擊電鍍液中，以被鍍敷材料作為陰極，被鉑被覆的鈦電極板作為陽極，一邊利用攪拌器以500rpm進行攪拌，一邊以2a/dm2的電流密度進行10秒的電鍍(銀觸擊電鍍)后，用水清洗15秒。
然后，在由含有148g/l的氰化銀鉀(kag(cn)2)、70g/l的氰化鉀(kcn)和109mg/l的硒氰酸鉀(ksecn)的水溶液形成的鍍銀液中，以被鍍敷材料作為陰極，銀電極板作為陽極，一邊利用攪拌器以500rpm進行攪拌，一邊在18℃的液溫下、以5a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)直至銀鍍膜的厚度達到5μm為止，之后用水清洗15秒，利用風(fēng)槍通過風(fēng)壓來進行干燥。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為60mg/l，kcn濃度×電流密度為350g·a/l·dm2。
測定這樣制得的鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。
使用顯微硬度試驗機(三豐株式會社(株式會社ミツトヨ)生產(chǎn)的hm-221)，施加10秒10gf的測定負荷，按照jisz2244來測定鍍銀材料的維氏硬度hv。其結(jié)果是，維氏硬度hv為132。
為了評價鍍銀材料的銀鍍膜的結(jié)晶取向，利用x射線衍射(xrd)分析裝置(理學(xué)電器株式會社(理學(xué)電気株式會社)生產(chǎn)的全自動多功能水平型x射線衍射裝置smartlab)，使用cu管球、kβ濾波法，在2θ/θ的掃描范圍內(nèi)進行掃描，從所得到的x射線衍射圖案中，通過用銀鍍膜的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面各自的x射線衍射峰強度(x射線衍射峰的強度)除以記載于jcpds卡號40783上的各相對強度比(粉末測定時的相對強度比)({111}:{200}:{220}:{311}＝100:40:25:26)來進行修正，對這樣修正得到的值(修正強度)以最強的x射線衍射峰的面方位作為銀鍍膜的結(jié)晶取向的方向(優(yōu)先取向面)進行了評價。其結(jié)果是，銀鍍膜的結(jié)晶向{111}面取向(以{111}面朝向鍍銀材料的表面(板面)方向的方式取向)，即，銀鍍膜的優(yōu)先取向面為{111}面。
另外，算出優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度相對于鍍銀材料的{111}面、{200}面、{220}面和{311}面的x射線衍射峰強度的修正強度之和的修正強度百分率(優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比)，結(jié)果為55.0％。
另外，由所得到的x射線衍射圖案算出{111}面的x射線衍射峰的半值寬度，結(jié)果為0.259°。
另外，利用干燥機(亞速旺公司(アズワン社)生產(chǎn)的of450)，在大氣中于50℃下對所得到的鍍銀材料進行168小時(一周)的加熱以進行耐熱試驗后，按照與上述方法相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為140，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為55.8％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.217°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度的比值為0.84。
另外，利用電接觸點模擬器(山崎精密機械研究所(山崎精機研究所)生產(chǎn)的crs-1)，一邊將鋸齒切割(indent)加工成r＝1的半球形的鍍銀材料以300gf的負荷按壓在鍍銀材料的板面上，一邊以100mm/分鐘的滑動速度、5mm的滑動距離進行滑動，測定滑動一次時的接觸電阻，接觸電阻為0.24mω的低值。
另外，作為鍍銀材料的光澤度，使用光密度計(日本電色株式會社(日本電色株式會社)生產(chǎn)的光密度計(デントシメーター)nd-1)，相對于原材料的軋制方向平行地測定鍍銀材料的反射密度，結(jié)果為1.69，光澤度良好。
另外，利用電接觸點模擬器(山崎精密機械研究所生產(chǎn)的crs-1)，一邊將鋸齒切割(indent)加工成r＝1的半球形的鍍銀材料以300gf的負荷按壓在鍍銀材料的板面上，一邊以100mm/分鐘的滑動速度、5mm的滑動距離進行滑動，連續(xù)進行50次往返滑動動作以進行滑動試驗后，利用激光顯微鏡(keyence株式會社(株式會社キーエンス)生產(chǎn)的vk-9710)對(經(jīng)滑動而被刨削的)銀鍍膜上的滑動痕跡的斷面形貌進行分析，以由滑動痕跡的寬度和深度算出的滑動痕跡的截面積作為銀鍍膜的磨耗量。其結(jié)果是，銀鍍膜的磨耗量為260μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。
另外，將鍍銀材料的銀鍍膜溶解于硝酸中形成液體后，調(diào)整溶液的濃度，使用icp發(fā)光光譜分析(icp-oes)裝置(臺精精密株式會社(セイコーインスツル株式會社)生產(chǎn)的sps5100)，利用等離子體光譜分析求得ag的純度，結(jié)果在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例2]
除了在由含有148g/l的氰化銀鉀、130g/l的氰化鉀和109mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，以3a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為130g/l，se的濃度為60mg/l，kcn濃度×電流密度為390g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為126，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為60.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.260°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為132，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為60.7％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.217°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.83。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.05mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.54，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為309μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例3]
除了在由含有148g/l的氰化銀鉀、160g/l的氰化鉀和109mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，以3a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為160g/l，se的濃度為60mg/l，kcn濃度×電流密度為480g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為129，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為59.9％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.284°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為129，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為61.5％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.231°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.81。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.18mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.36，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為250μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例4]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、80g/l的氰化鉀和109mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為80g/l，se的濃度為60mg/l，kcn濃度×電流密度為400g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為131，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為63.7％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.269°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為134，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為63.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.232°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.86。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.19mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.36，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為309μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例5]
除了在由含有203g/l的氰化銀鉀、80g/l的氰化鉀和109mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為110g/l，kcn的濃度為80g/l，se的濃度為60mg/l，kcn濃度×電流密度為400g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為130，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為43.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.231°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為135，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為40.4％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.203°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.88。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.06mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.56，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為251μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例6]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在12℃的液溫下以4a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為280g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為138，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為61.7％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.264°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為145，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.5％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.236°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.90。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.51mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.45，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為166μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例7]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在12℃的液溫下以6a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為420g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為141，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為65.5％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.293°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為144，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為60.9％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.160°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.54。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.25mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.68，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為169μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例8]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在15℃的液溫下以6a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為420g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為146，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為61.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.257°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為148，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為65.0％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.234°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.91。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.55mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.57，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為318μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例9]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在15℃的液溫下以6a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為570g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為141，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.4％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.273°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為145，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為65.8％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.141°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.52。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.39mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.57，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為254μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例10]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在18℃的液溫下以6a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為570g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為141，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.4％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.239°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為145，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為65.8％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.219°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.92。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.28mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.47，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為254μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例11]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在18℃的液溫下以7a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為490g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為143，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為56.9％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.244°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為145，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.8％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.231°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.95。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.34mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.52，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為306μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例12]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在18℃的液溫下以7a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為665g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為144，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.3％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.265°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為143，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為65.4％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.154°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度對耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.58。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.17mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.65，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為285μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例13]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在21℃的液溫下以6a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為570g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為155，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為41.0％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.219°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為146，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為61.8％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.214°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度對耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.98。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.18mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.37，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為247μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例14]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在21℃的液溫下以8a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為760g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為142，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為63.5％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.255°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為143，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為66.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.191°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度對耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.75。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.16mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.56，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為234μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例15]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、120g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在24℃的液溫下以6a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為120g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為720g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為141，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為57.0％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.223°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為139，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為65.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.197°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.88。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.38mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.44，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為350μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例16]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、120g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在24℃的液溫下以7a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為120g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為840g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為142，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.1％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.234°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為141，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為66.3％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.184°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度對耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.79。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.31mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.58，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為346μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例17]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在12℃的液溫下以3a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為210g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為124，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為63.0％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.182°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為140，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為53.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.174°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.95。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.43mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為0.41，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為753μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例18]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在24℃的液溫下以8a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為560g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為131，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為85.8％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.196°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為134，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為86.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.192°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.98。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.27mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為0.38，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為843μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例19]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在18℃的液溫下以8a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為760g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為142，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.3％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.287°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為144，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.099°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.35。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.24mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.61，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為498μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例20]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在24℃的液溫下以10a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為950g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為131，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為66.5％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.203°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為125，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為62.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.092°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.46。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.17mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.47，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為536μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例21]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在12℃的液溫下以6a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為570g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為143，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為62.3％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.318°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為132，優(yōu)先取向面為{200}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為86.5％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.091°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.29。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.35mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.71，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為521μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例22]
除了在由含有147g/l的氰化銀鉀、120g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在30℃的液溫下以9a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為120g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為1080g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為130，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為50.1％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.238°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為131，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為48.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.195°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.82。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.32mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.58，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為183μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例23]
除了在由含有203g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在30℃的液溫下以14a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為110g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為980g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為133，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為49.3％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.249°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為139，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為49.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.210°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.84。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.28mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.66，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為285μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例24]
除了在由含有147g/l的氰化銀鉀、120g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在33℃的液溫下以10a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為120g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為1200g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為130，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為43.1％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.235°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為129，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為45.4％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.196°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.84。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.27mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.40，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為258μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[實施例25]
除了在由含有203g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在33℃的液溫下以15a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為110g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為1050g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為123，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為56.8％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.239°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為127，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為59.9％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.227°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.95。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.28mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.66，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為298μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例1]
除了在由含有148g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和109mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，以3a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為60mg/l，kcn濃度×電流密度為210g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為112，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為32.9％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.133°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為108，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為36.4％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.131°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.98。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.14mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為0.07，光澤度不佳。另外，銀鍍膜的磨耗量為969μm2，鍍銀材料的耐磨耗性不佳。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例2]
除了在由含有148g/l的氰化銀鉀、160g/l的氰化鉀和109mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為160g/l，se的濃度為60mg/l，kcn濃度×電流密度為800g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為124，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為56.0％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.345°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為95，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為75.3％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.091°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.26。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.44mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.58，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為524μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例3]
除了在由含有148g/l的氰化銀鉀、160g/l的氰化鉀和109mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，以7a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為160g/l，se的濃度為60mg/l，kcn濃度×電流密度為1120g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為120，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為55.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.365°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為104，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為84.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.090°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.25。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.19mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.65，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為393μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例4]
除了在由含有138g/l的氰化銀鉀、140g/l的氰化鉀和11mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為75g/l，kcn的濃度為140g/l，se的濃度為6mg/l，kcn濃度×電流密度為700g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為131，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為82.7％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.265°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為84，優(yōu)先取向面為{200}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為77.3％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.081°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.31。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.12mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.63，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為602μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例5]
除了在由含有55g/l的氰化銀鉀、150g/l的氰化鉀、3mg/l的二氧化硒和1794mg/l的三氧化銻的水溶液形成的鍍銀液中，在15℃的液溫下以3a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為30g/l，kcn的濃度為150g/l，se的濃度為2mg/l，sb的濃度為750mg/l，且kcn濃度×電流密度為450g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為161，優(yōu)先取向面為{200}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為66.3％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.375°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為166，優(yōu)先取向面為{200}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為68.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.350°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度對耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.93。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為10.56mω的高值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.81，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為165μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度為98.4質(zhì)量％。
[比較例6]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在12℃的液溫下以1a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為70g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為121，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為36.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.128°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為117，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為32.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.122°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.95。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.19mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為0.07，光澤度不佳。另外，銀鍍膜的磨耗量為898μm2，鍍銀材料的耐磨耗性不佳。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例7]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在12℃的液溫下以8a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為760g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為138，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為50.4％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.342°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為95，優(yōu)先取向面為{200}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.3％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.092°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.27。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.25mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為0.6，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為527μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例8]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在24℃的液溫下以6a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為420g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為120，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為32.5％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.131°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為109，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為33.1％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.126°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.96。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.25mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為0.09，光澤度不佳。另外，銀鍍膜的磨耗量為970μm2，鍍銀材料的耐磨耗性不佳。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例9]
除了在由含有175g/l的氰化銀鉀、95g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在24℃的液溫下以12a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為95g/l，kcn的濃度為95g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為1140g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為135，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為65.0％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.294°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為106，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為64.9％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.090°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度對耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.31。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.45mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.58，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為446μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例10]
除了在由含有147g/l的氰化銀鉀、120g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在30℃的液溫下以15a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為120g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為1800g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為127，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為60.9％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.308°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為95，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為63.5％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.086°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.28。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.21mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.80，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為450μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例11]
除了在由含有203g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在30℃的液溫下以9a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為110g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為630g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為118，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為63.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.157°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為113，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為55.9％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.140°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.89。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.31mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為0.23，光澤度不佳。另外，銀鍍膜的磨耗量為845μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例12]
除了在由含有147g/l的氰化銀鉀、120g/l的氰化鉀和100mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在33℃的液溫下以18a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為80g/l，kcn的濃度為120g/l，se的濃度為55mg/l，kcn濃度×電流密度為2160g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為131，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為54.6％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.336°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為107，優(yōu)先取向面為{111}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為48.4％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.089°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.27。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.30mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為1.82，光澤度良好。另外，銀鍍膜的磨耗量為550μm2，鍍銀材料的耐磨耗性良好。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
[比較例13]
除了在由含有203g/l的氰化銀鉀、70g/l的氰化鉀和128mg/l的硒氰酸鉀的水溶液形成的鍍銀液中，在33℃的液溫下以10a/dm2的電流密度進行電鍍(鍍銀)以外，按照與實施例1相同的方法來制作鍍銀材料。另外，所使用的鍍銀液中，ag的濃度為110g/l，kcn的濃度為70g/l，se的濃度為70mg/l，kcn濃度×電流密度為700g·a/l·dm2。
對于這樣制得的鍍銀材料，利用與實施例1相同的方法，測定維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為110，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為37.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.139°。
另外，利用與實施例1相同的方法，在進行了耐熱試驗后，測定鍍銀材料的維氏硬度hv，并且對銀鍍膜的結(jié)晶取向進行評價。其結(jié)果是，維氏硬度hv為110，優(yōu)先取向面為{220}面，優(yōu)先取向面的x射線衍射峰強度比為37.2％，{111}面的x射線衍射峰的半值寬度為0.125°，且耐熱試驗后的{111}面的x射線衍射峰的半值寬度相對于耐熱試驗前的半值寬度的比值為0.90。
另外，利用與實施例1相同的方法，測定鍍銀材料的接觸電阻和反射密度、以及銀鍍膜的磨耗量，并且求出ag的純度。其結(jié)果是，鍍銀材料的接觸電阻為0.27mω的低值。另外，鍍銀材料的反射密度為0.11，光澤度不佳。另外，銀鍍膜的磨耗量為975μm2，鍍銀材料的耐磨耗性不佳。另外，ag的純度在99.9質(zhì)量％以上。
這些實施例和比較例的鍍銀材料的制造條件和特性示于表1～表6。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
由表1～表6可知，實施例1～25中制造的鍍銀材料能維持高硬度并防止接觸電阻的增加。
另外，制造實施例1～25和比較例1～3及6～13的鍍銀材料(由包含80～110g/l的銀、70～160g/l的氰化鉀和55～70mg/l的硒的鍍銀液制造的鍍銀材料)時的鍍銀液中的氰化鉀的濃度和電流密度的乘積與液溫的關(guān)系示于圖1。如圖1所示，在實施例1～25中，當將(kcn濃度×電流密度)記作y(g·a/l·dm2)、將液溫記作x(℃)，以最小二乘法計算y和x的關(guān)系時，結(jié)果為y＝32.6x-45，如果使(kcn濃度×電流密度)y和液溫x的關(guān)系在y＝32.6x-300和y＝32.6x+200之間，即滿足(32.6x-300)≤y≤(32.6x+200)，則可制造能維持高硬度并防止接觸電阻的增加的鍍銀材料。