技術(shù)特征：

1.一種用于控制氧化鋁向通過電解熔融鹽生產(chǎn)鋁的電解池中進(jìn)料的方法，所述方法包括：測(cè)量電解池的電極之間的電阻值；以固定時(shí)間間隔記錄所測(cè)量的電阻值；評(píng)估氧化鋁濃度；與理論氧化鋁進(jìn)料速率相比，以欠量進(jìn)料模式和過量進(jìn)料模式按照設(shè)定速率進(jìn)料氧化鋁；欠量進(jìn)料和過量進(jìn)料階段交替，所述方法特征在于保持電解熔體中的氧化鋁濃度等于或接近飽和值，其中，根據(jù)電解熔體中的氧化鋁濃度選擇欠量進(jìn)料階段的持續(xù)時(shí)間，并且根據(jù)記錄的一個(gè)或多個(gè)以下電解池參數(shù)的變化來確定過量進(jìn)料階段的持續(xù)時(shí)間：降低電壓U、偽電阻R、降低電壓的變化速率dU/dt、和偽電阻的變化速率dR/dt，并且其中通過移位陽極組件在任何進(jìn)料階段期間調(diào)節(jié)陽極-陰極距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在欠量進(jìn)料階段，相對(duì)氧化鋁進(jìn)料速率V₁設(shè)定為電解期間理論氧化鋁進(jìn)料速率的0～80％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在過量進(jìn)料階段，相對(duì)氧化鋁進(jìn)料速率V₂設(shè)定為電解期間理論氧化鋁進(jìn)料速率的110％～400％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，由持續(xù)時(shí)間為τ₁的欠量進(jìn)料階段和持續(xù)時(shí)間為τ₂的過量進(jìn)料階段構(gòu)成的進(jìn)料循環(huán)i以欠量進(jìn)料階段開始，隨后是過量進(jìn)料階段，其中在過量進(jìn)料階段記錄第一降低電壓U_initial，并且在以下情況下終止過量進(jìn)料階段：

(dU/dt)>k₁，其中

k₁是過量進(jìn)料階段中降低電壓的變化速率的閾值；或者

在時(shí)刻τ_x，U>U_initial+ΔU，其中

ΔU是過量進(jìn)料階段中降低電壓的變化的閾值；或者

τ₂>τ₁(V_max–V₁)/(V₂–V_max)，其中

V_max是確定過量進(jìn)料階段最長持續(xù)時(shí)間的最大氧化鋁進(jìn)料速率。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在過量進(jìn)料階段開始時(shí)，記錄第一偽電阻值R_initial，其中在以下情況下終止過量進(jìn)料階段：

(dR/dt)>k₂，其中

k₂是過量進(jìn)料階段的偽電阻變化速率的閾值；或者

在時(shí)刻τ_x，R>R_initial+ΔR，其中

ΔR是過量進(jìn)料階段中偽電阻變化的閾值；或者

τ₂>τ₁(V_max–V₁)/(V₂–V_max)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在過量進(jìn)料階段開始時(shí)，如果滿足以下條件，則檢查過量進(jìn)料階段的終止條件：

τ₂≥τ₁(V_min–V₁)/(V₂–V_min)，

其中V_min是確定過量進(jìn)料階段的最短持續(xù)時(shí)間的最小氧化鋁進(jìn)料速率。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，選擇欠量進(jìn)料階段的持續(xù)時(shí)間τ₁，使得一旦電解熔體中的氧化鋁濃度降低了0.5重量％～5重量％的Al₂O₃，則根據(jù)工藝要求轉(zhuǎn)變到過量進(jìn)料階段。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于V₂的值，在過量進(jìn)料階段完成時(shí)，如果滿足以下條件，則自動(dòng)調(diào)整循環(huán)i+1中的過量進(jìn)料階段為循環(huán)i的過量進(jìn)料階段：

τ₂>τ₁((V+ΔV)–V₁)/(V₂–(V+ΔV))且V_2(i)+ΔV<400％，則V_2(i+1)＝V_2(i)+ΔV；或者

τ₂<τ₁((V–ΔV)–V₁)/(V₂–(V–ΔV))且V_2(i)–ΔV>110％，則V_2(i+1)＝V_2(i)–ΔV，

其中V是接近實(shí)際值的電解池中的氧化鋁進(jìn)料速率的標(biāo)稱值；

ΔV是參數(shù)V₂、ΔU和ΔR調(diào)整的非靈敏區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于ΔU的值，在過量進(jìn)料階段完成時(shí)，如果滿足以下條件，則自動(dòng)調(diào)整循環(huán)i+1中的過量進(jìn)料階段為循環(huán)i的過量進(jìn)料階段：

τ₂>τ₁((V+ΔV)–V₁)/(V₂–(V+ΔV))且ΔU_i–u>ΔU_min，則ΔU_i+1＝ΔU_i-u；或者

τ₂<τ₁((V–ΔV)–V₁)/(V₂–(V–ΔV))且ΔU_i+u<ΔU_max，則ΔU_i+1＝ΔU_i+u，

其中u是參數(shù)ΔU調(diào)整的增量；

ΔU_min是參數(shù)ΔU的最小值；

ΔU_max是參數(shù)ΔU的最大值。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于ΔR的值，在過量進(jìn)料階段完成時(shí)，如果滿足以下條件，則自動(dòng)調(diào)整循環(huán)i+1中的過量進(jìn)料階段為循環(huán)i的過量進(jìn)料階段：

τ₂>τ₁((V+ΔV)–V₁)/(V₂–(V+ΔV))且ΔR_i–r>ΔR_min，則ΔR_i+1＝ΔR_i–r，或

τ₂<τ₁((V–ΔV)–V₁)/(V₂–(V–ΔV))且ΔR_i+r<ΔR_max，則ΔR_i+1＝ΔR_i+r，

其中r是參數(shù)ΔR調(diào)整的增量；

ΔR_min是參數(shù)ΔR的最小值；

ΔR_max是參數(shù)ΔR的最大值。

11.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，當(dāng)在過量進(jìn)料階段期間陽極組件移位完成時(shí)，根據(jù)受控制的參數(shù)自動(dòng)調(diào)整過量進(jìn)料階段的第一降低電壓U_initial或第一偽電阻值R_initial：

U_initial＝U_initial+(U_2–U₁)，或

R_initial＝R_initial+(R₂–R₁)，

其中U₁和U₁分別是陽極組件移位之前和之后的降低電壓值；

R₁和R₂分別是陽極組件移位之前和之后的偽電阻值。