專利名稱：一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)CO₂增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微弧氧化方法。
背景技術(shù)：
鎂合金具有密度小、比強(qiáng)度和比剛度高、減震性好、電磁屏蔽性好等特點(diǎn)，因而越來越廣泛地被應(yīng)用于航空、汽車和電子通訊等工業(yè)領(lǐng)域。但是由于鎂是非?；顫姷慕饘?，極易氧化，而其表面膜疏松多孔，對基體的保護(hù)能力差，不適合使用于大多數(shù)的腐蝕環(huán)境，其耐蝕性差的缺點(diǎn)制約了其進(jìn)一步的應(yīng)用。微弧氧化，又稱等離子體微弧氧化，它是將鎂、鋁、鈦等金屬及其合金置于電解質(zhì)溶液中，在高溫、高壓、熱化學(xué)、等離子體化學(xué)和電化學(xué)等共同作用下使材料的表面產(chǎn)生火花放電生成陶瓷膜層的方法。該技術(shù)具有工藝簡單，環(huán)境污染少、效率高等特點(diǎn)，且微弧氧化陶瓷膜具有膜基結(jié)合力強(qiáng)、耐磨損、耐腐蝕、耐高溫氧化以及絕緣性好等優(yōu)點(diǎn)，因此利用微弧氧化對鎂合金進(jìn)行表面處理具有良好的前景。在微弧氧化過程中，陽極區(qū)會有氣體產(chǎn)生。陽極區(qū)產(chǎn)生的氣體對于微弧氧化放電有重要的意義，進(jìn)而會直接影響到微弧氧化膜層的結(jié)構(gòu)和膜層的性能。常規(guī)微弧氧化過程中，陽極區(qū)產(chǎn)生的氣體僅為氧氣，并沒有別的氣體產(chǎn)生，對微弧氧化膜層結(jié)構(gòu)的控制中，主要是依靠電學(xué)參數(shù)的控制或者電解液濃度變化而實(shí)現(xiàn)，但是這樣會造成有些時候兼顧了放電，兼顧不了性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，既可在陽極區(qū)產(chǎn)生CO2氣體，又可以對膜層表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制。本發(fā)明一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，按以下步驟進(jìn)行一、微弧氧化處理液的配制在室溫下向蒸餾水中加入主成膜劑，不斷攪拌至完全溶解后加入PH值調(diào)節(jié)劑，不斷攪拌至完全溶解后再加入(X)2增強(qiáng)析氣添加劑，然后不斷攪拌至完全溶解，即得到微弧氧化處理液；二、鎂合金表面除油清洗 將鎂合金試件放入濃度為20 100g/L的氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液中清洗2 5min ； 三、水洗接著用50 60°C的蒸餾水清洗鎂合金試件表面；四、微弧氧化處理經(jīng)步驟二和步驟三處理后的鎂合金試件，用鋁線連接后放入電解槽中，用步驟一配制的微弧氧化處理液進(jìn)行微弧氧化，電源參數(shù)為頻率50 2000Hz，占空比5% 50%，開動攪拌系統(tǒng)和冷卻系統(tǒng)，調(diào)節(jié)電流，電流密度為1 20A/dm2，處理過程中微弧氧化處理液溫度控制在10 40°C，工作時間為1 300min，即得到微弧氧化后的鎂合金試件；五、干燥將微弧氧化后的鎂合金試件自然風(fēng)干，即得到微弧氧化陶瓷膜；其中步驟一所述微弧氧化處理液中主成膜劑的濃度為5 80g/L，pH值調(diào)節(jié)劑的濃度為0. 5 4g/L，CO2增強(qiáng)析氣添加劑的濃度為 2 20g/L。
本發(fā)明的反應(yīng)原理如下在未添加碳酸鹽之前陽極產(chǎn)生的主要?dú)怏w為02，其反應(yīng)為:40Γ — 2H20+02+4e ；添加了碳酸鹽之后陽極產(chǎn)生的氣體除A夕卜，還有CO2，產(chǎn)生CO2的反應(yīng)為Mg-2e — Mg2+Mg2++C0: — MgCO3MgCO3 — Mg(HO)2 個反應(yīng)通過MgCO3的瞬間高溫分解逸出CO2,使得在膜層表面留下一定尺寸的孔隙， 達(dá)到改變膜層顯微結(jié)構(gòu)的目的。本發(fā)明在常規(guī)的電解液溶液中添加碳酸鹽添加劑，可以在陽極產(chǎn)生碳酸鹽，碳酸鹽進(jìn)而在微弧氧化放電瞬間高溫下分解產(chǎn)生二氧化碳，該方法改變了常規(guī)微弧氧化陽極區(qū)只有氧氣析出的特性，在氧氣析出的同時有二氧化碳析出，并且通過二氧化碳分解逸出在膜層表面形成一定孔隙，達(dá)到對膜層的孔隙率進(jìn)行調(diào)節(jié)的目的，使得微弧氧化膜層結(jié)構(gòu)可調(diào)，進(jìn)而改變了膜層的性能，具有極其重要的意義。


圖1為用不含有碳酸鈉的微弧氧化處理液制備得到的微弧氧化陶瓷膜膜層表面的形貌圖；圖2為具體實(shí)施方式
二十四制備的微弧氧化陶瓷膜膜層表面的形貌圖；圖3為本實(shí)施方式制備的微弧氧化陶瓷膜和用不含有碳酸鈉的微弧氧化處理液制備得到的微弧氧化陶瓷膜膜層的耐腐蝕性能曲線圖；圖4為用不含有碳酸鈉的微弧氧化處理液制備得到的微弧氧化陶瓷膜膜層表面的形貌圖；圖5為具體實(shí)施方式
二十五制備的微弧氧化陶瓷膜膜層表面的形貌圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明技術(shù)方案不局限于以下所列舉具體實(shí)施方式
，還包括各具體實(shí)施方式
間的任意組合。
具體實(shí)施方式
一本實(shí)施方式基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，按以下步驟進(jìn)行一、微弧氧化處理液的配制在室溫下向蒸餾水中加入主成膜劑，不斷攪拌至完全溶解后加入PH值調(diào)節(jié)劑，不斷攪拌至完全溶解后再加入CO2增強(qiáng)析氣添加劑，然后不斷攪拌至完全溶解，即得到微弧氧化處理液；二、鎂合金表面除油清洗將鎂合金試件放入濃度為20 100g/L的氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液中清洗2 5min ；三、水洗接著用50 60°C的蒸餾水清洗鎂合金試件表面；四、微弧氧化處理經(jīng)步驟二和步驟三處理后的鎂合金試件，用鋁線連接后放入電解槽中，用步驟一配制的微弧氧化處理液進(jìn)行微弧氧化，電源參數(shù)為頻率50 2000Hz，占空比5% 50%，開動攪拌系統(tǒng)和冷卻系統(tǒng)，調(diào)節(jié)電流，電流密度為1 20A/dm2，處理過程中微弧氧化處理液溫度控制在10 40°C，工作時間為1 300min，即得到微弧氧化后的鎂合金試件；五、干燥將微弧氧化后的鎂合金試件自然風(fēng)干，即得到微弧氧化陶瓷膜；其中步驟一所述微弧氧化處理液中主成膜劑的濃度為5 80g/L，pH值調(diào)節(jié)劑的濃度為0. 5 4g/L，0)2增強(qiáng)析氣添加劑的濃度為2 20g/L。本實(shí)施方式所述鎂合金試件還可以為鋁合金或鈦合金。
本實(shí)施方式所用的化學(xué)試劑均為分析純。本實(shí)施方式在常規(guī)的電解液溶液中添加碳酸鹽添加劑，可以在陽極產(chǎn)生碳酸鹽， 碳酸鹽進(jìn)而在微弧氧化放電瞬間高溫下分解產(chǎn)生二氧化碳，該方法改變了常規(guī)微弧氧化陽極區(qū)只有氧氣析出的特性，在氧氣析出的同時有二氧化碳析出，并且通過二氧化碳分解逸出在膜層表面形成一定孔隙，達(dá)到對膜層的孔隙率進(jìn)行調(diào)節(jié)的目的，使得微弧氧化膜層結(jié)構(gòu)可調(diào)，進(jìn)而改變了膜層的性能，具有極其重要的意義。
具體實(shí)施方式
二 本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一不同的是步驟一中主成膜劑為磷酸鈉、偏鋁酸鹽或硅酸鹽。其它與具體實(shí)施方式
一相同。
具體實(shí)施方式
三本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一或二不同的是步驟一中PH值調(diào)節(jié)劑為氫氧化鉀。其它與具體實(shí)施方式
一相同。
具體實(shí)施方式
四本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至三之一不同的是步驟一中(X)2 增強(qiáng)析氣添加劑為可溶性碳酸鹽。其它與具體實(shí)施方式
一至三之一相同。
具體實(shí)施方式
五本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至四之一不同的是步驟一中微弧氧化處理液中還加入2 60g/L的常規(guī)微弧氧化添加劑，所述的常規(guī)微弧氧化添加劑為氟化鈉、六偏磷酸鈉或鎢酸鈉。其它與具體實(shí)施方式
一至四之一相同。
具體實(shí)施方式
六本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至五之一不同的是步驟一中主成膜劑的濃度為20 60g/L。其它與具體實(shí)施方式
一至五之一相同。
具體實(shí)施方式
七本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至五之一不同的是步驟一中主成膜劑的濃度為50g/L。其它與具體實(shí)施方式
一至五之一相同。
具體實(shí)施方式
八本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至七之一不同的是步驟一中PH 值調(diào)節(jié)劑的濃度為1 3g/L。其它與具體實(shí)施方式
一至七之一相同。
具體實(shí)施方式
九本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至七之一不同的是步驟一中pH 值調(diào)節(jié)劑的濃度為2g/L。其它與具體實(shí)施方式
一至七之一相同。
具體實(shí)施方式
十本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至九之一不同的是步驟一中(X)2 增強(qiáng)析氣添加劑的濃度為5 15g/L。其它與具體實(shí)施方式
一至九之一相同。
具體實(shí)施方式
十一本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至九之一不同的是步驟一中 CO2增強(qiáng)析氣添加劑的濃度為10g/L。其它與具體實(shí)施方式
一至九之一相同。
具體實(shí)施方式
十二 本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十一之一不同的是步驟二中將鎂合金試件放入濃度為40 80g/L的氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液中清洗。其它與具體實(shí)施方式
一至十一之一相同。
具體實(shí)施方式
十三本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十一之一不同的是步驟二中將鎂合金試件放入濃度為50g/L的氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液中清洗。其它與具體實(shí)施方式
一至十一之一相同。
具體實(shí)施方式
十四本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十三之一不同的是步驟三中用的蒸餾水清洗鎂合金試件表面。其它與具體實(shí)施方式
一至十三之一相同。
具體實(shí)施方式
十五本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十四之一不同的是步驟四中頻率為500 1500Hz。其它與具體實(shí)施方式
一至十四之一相同。
具體實(shí)施方式
十六本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十四之一不同的是步驟四中頻率為800 1200Hz。其它與具體實(shí)施方式
一至十四之一相同。
具體實(shí)施方式
十七本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十六之一不同的是步驟四中占空比20% 40%。其它與具體實(shí)施方式
一至十六之一相同。
具體實(shí)施方式
十八本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十六之一不同的是步驟四中占空比30%。其它與具體實(shí)施方式
一至十六之一相同。
具體實(shí)施方式
十九本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十八之一不同的是步驟四中電流密度為5 15A/dm2。其它與具體實(shí)施方式
一至十八之一相同。
具體實(shí)施方式
二十本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十八之一不同的是步驟四中電流密度為ΙΟΑ/dm2。其它與具體實(shí)施方式
一至十八之一相同。
具體實(shí)施方式
二十一本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至二十之一不同的是步驟四中微弧氧化處理液溫度控制在20 30°C。其它與具體實(shí)施方式
一至二十之一相同。
具體實(shí)施方式
二十二 本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至二十一之一不同的是步驟四中工作時間為100 200min。其它與具體實(shí)施方式
一至二i^一之一相同。
具體實(shí)施方式
二十三本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至二十一之一不同的是步驟四中工作時間為150min。其它與具體實(shí)施方式
一至二i^一之一相同。
具體實(shí)施方式
二十四本實(shí)施方式基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，按以下步驟進(jìn)行一、微弧氧化處理液的配制在室溫下向蒸餾水中加入磷酸鈉，不斷攪拌至完全溶解后加入氫氧化鉀，不斷攪拌至完全溶解后再加入碳酸鈉，然后不斷攪拌至完全溶解，即得到微弧氧化處理液；二、鎂合金表面除油清洗將鎂合金試件放入濃度為30g/L的氫氧化鈉溶液中清洗aiiin ；三、水洗接著用55°C的蒸餾水清洗鎂合金試件表面；四、微弧氧化處理經(jīng)步驟二和步驟三處理后的鎂合金試件， 用鋁線連接后放入電解槽中，用步驟一配制的微弧氧化處理液進(jìn)行微弧氧化，電源參數(shù)為 頻率500Hz，占空比10%，開動攪拌系統(tǒng)和冷卻系統(tǒng)，調(diào)節(jié)電流，電流密度為5A/dm2，處理過程中微弧氧化處理液溫度控制在20°C，工作時間為7min，即得到微弧氧化后的鎂合金試件；五、干燥將微弧氧化后的鎂合金試件自然風(fēng)干，即得到微弧氧化陶瓷膜；其中步驟一所述微弧氧化處理液中磷酸鈉的濃度為10g/L，氫氧化鉀的濃度為lg/L，碳酸鈉的濃度為 10g/L。圖1為用不含有碳酸鈉的微弧氧化處理液制備得到的微弧氧化陶瓷膜膜層表面的形貌圖，圖2為本實(shí)施方式制備的微弧氧化陶瓷膜膜層表面的形貌圖，由圖1和圖2可以看出，在基礎(chǔ)微弧氧化處理液中添加碳酸鈉之后，膜層表面的孔隙較未添加前尺寸明顯減小，孔隙數(shù)目增多，膜層孔隙率提高。圖3為本實(shí)施方式制備的微弧氧化陶瓷膜和用不含有碳酸鈉的微弧氧化處理液制備得到的微弧氧化陶瓷膜膜層的耐腐蝕性能曲線(Tafel曲線)圖，其中曲線a為本實(shí)施方式制備的微弧氧化陶瓷膜膜層的Tafel曲線，曲線b為用不含有碳酸鈉的微弧氧化處理液制備得到的微弧氧化陶瓷膜膜層的Tafel曲線。由圖3可以看出，在添加了碳酸鈉之后， 微弧氧化陶瓷膜膜層的腐蝕電流與未添加相比有所下降，膜層總體耐蝕性能提高。
具體實(shí)施方式
二十五本實(shí)施方式基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，按以下步驟進(jìn)行一、微弧氧化處理液的配制在室溫下向蒸餾水中加入磷酸鈉，不斷攪拌至完全溶解后加入氫氧化鉀，不斷攪拌至完全溶解后再加入碳酸鈉，然后不斷攪拌至完全溶解，另外再加入10g/L的六偏磷酸鈉，即得到微弧氧化處理液；二、鎂合金表面除油清洗將鎂合金試件放入濃度為30g/L的氫氧化鈉溶液中清洗aiiin ；三、水洗接著用60°C的蒸餾水清洗鎂合金試件表面；四、微弧氧化處理經(jīng)步驟二和步驟三處理后的鎂合金試件，用鋁線連接后放入電解槽中，用步驟一配制的微弧氧化處理液進(jìn)行微弧氧化，電源參數(shù)為頻率500Hz，占空比10%，開動攪拌系統(tǒng)和冷卻系統(tǒng)， 調(diào)節(jié)電流，電流密度為2A/dm2，處理過程中微弧氧化處理液溫度控制在30°C，工作時間為 lOmin，即得到微弧氧化后的鎂合金試件；五、干燥將微弧氧化后的鎂合金試件自然風(fēng)干， 即得到微弧氧化陶瓷膜；其中步驟一所述微弧氧化處理液中磷酸鈉的濃度為20g/L，氫氧化鉀的濃度為2g/L，碳酸鈉的濃度為12g/L。 圖4為用不含有碳酸鈉的微弧氧化處理液制備得到的微弧氧化陶瓷膜膜層表面的形貌圖，圖5為本實(shí)施方式制備的微弧氧化陶瓷膜膜層表面的形貌圖，由圖4和圖5可以看出，在基礎(chǔ)微弧氧化處理液中添加碳酸鈉之后，膜層表面的孔隙較未添加前尺寸明顯減小，孔隙數(shù)目增多，膜層孔隙率提高。
權(quán)利要求
1.一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，按以下步驟進(jìn)行一、微弧氧化處理液的配制在室溫下向蒸餾水中加入主成膜劑，不斷攪拌至完全溶解后加入PH值調(diào)節(jié)劑，不斷攪拌至完全溶解后再加入(X)2增強(qiáng)析氣添加劑，然后不斷攪拌至完全溶解，即得到微弧氧化處理液；二、鎂合金表面除油清洗將鎂合金試件放入濃度為20 100g/L的氫氧化鈉溶液或氫氧化鉀溶液中清洗2 5min ；三、 水洗接著用50 60°C的蒸餾水清洗鎂合金試件表面；四、微弧氧化處理經(jīng)步驟二和步驟三處理后的鎂合金試件，用鋁線連接后放入電解槽中，用步驟一配制的微弧氧化處理液進(jìn)行微弧氧化，電源參數(shù)為頻率50 2000Hz，占空比5% 50%，開動攪拌系統(tǒng)和冷卻系統(tǒng)，調(diào)節(jié)電流，電流密度為1 20A/dm2，處理過程中微弧氧化處理液溫度控制在10 40°C， 工作時間為1 300min，即得到微弧氧化后的鎂合金試件；五、干燥將微弧氧化后的鎂合金試件自然風(fēng)干，即得到微弧氧化陶瓷膜；其中步驟一所述微弧氧化處理液中主成膜劑的濃度為5 80g/L，pH值調(diào)節(jié)劑的濃度為0. 5 4g/L，CO2增強(qiáng)析氣添加劑的濃度為2 20g/L。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于步驟一中主成膜劑為磷酸鈉、偏鋁酸鹽或硅酸鹽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于步驟一中PH值調(diào)節(jié)劑為氫氧化鉀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于步驟一中(X)2增強(qiáng)析氣添加劑為可溶性碳酸鹽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于步驟一中微弧氧化處理液中還加入2 60g/L的常規(guī)微弧氧化添加劑，所述的常規(guī)微弧氧化添加劑為氟化鈉、六偏磷酸鈉或鎢酸鈉。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于步驟一中主成膜劑的濃度為20 60g/L。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于步驟一中PH值調(diào)節(jié)劑的濃度為1 3g/L。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于步驟一中(X)2增強(qiáng)析氣添加劑的濃度為5 15g/L。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于步驟四中步驟四中占空比20 % 40 %。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)(X)2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，其特征在于步驟四中頻率為500 1500Hz。
全文摘要
一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)CO2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，涉及一種微弧氧化方法。本發(fā)明提供一種基于碳酸鹽添加劑誘導(dǎo)CO2增強(qiáng)析氣對膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制的鎂合金微弧氧化方法，既可在陽極區(qū)產(chǎn)生CO2氣體，又可以對膜層表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)制。方法一、微弧氧化處理液的配制；二、鎂合金表面除油清洗；三、水洗；四、微弧氧化處理；五、干燥，即得到微弧氧化陶瓷膜。本發(fā)明在氧氣析出的同時有二氧化碳析出，并通過二氧化碳分解逸出在膜層表面形成一定孔隙，達(dá)到對膜層的孔隙率進(jìn)行調(diào)節(jié)的目的，進(jìn)而調(diào)整膜層結(jié)構(gòu)。應(yīng)用于材料表面處理技術(shù)領(lǐng)域。
文檔編號C25D11/30GK102191530SQ201110107410
公開日2011年9月21日 申請日期2011年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月27日
發(fā)明者鞏春志, 楊士勤, 王曉波, 田修波 申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)