專利名稱：：低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法。技術(shù)背景目前，低壓鋁箔的腐蝕過程一般分為DC+AC方式和AC+AC方式這兩種方式。DC+AC方式即以直流電源(DC)作為布點(diǎn)工藝的第一道工序，經(jīng)過中間處理后，再以交流電源(AC)作為擴(kuò)孔腐蝕的第二道工序。此方式的DC布點(diǎn)，雖然能夠均勻地布點(diǎn)，很好地解決鋁箔的離散性問題，但對電源設(shè)備要求精度高，投入大而且維修率高，而且還在于對鋁箔施加電流時，必須采用銅輥硬性接觸的供電方式，極易造成接觸不良，打火斷箔現(xiàn)象，使用軟質(zhì)鋁箔能減少打火斷箔的頻次。AC+AC方式即以交流電源(AC)作為布點(diǎn)工藝的第一道工序，經(jīng)過中間處理后，再以交流電源(AC)作為擴(kuò)孔腐蝕的第二道工序。此方式的AC布點(diǎn)，是通過腐蝕液體(軟體)給鋁箔施加電流的，完全解決了打火斷箔的問題，而且電源設(shè)備相當(dāng)簡單，易維護(hù)，使用軟質(zhì)或硬質(zhì)鋁箔都可以，但由于交流電源在傳送電流到鋁箔上的過程存在較嚴(yán)重的"邊緣效應(yīng)"，交流電源頻率越高越明顯，故采用AC方式布點(diǎn)的工藝極易造成鋁箔在橫向(左中右分布)存在嚴(yán)重的離散性。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的布點(diǎn)方法不能同時解決鋁箔的離散性、打火斷箔和設(shè)備成本問題的缺陷，提供一種巧妙綜合利用直流電源和交流電源進(jìn)行布點(diǎn)的優(yōu)點(diǎn)的低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法。本發(fā)明可以通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)一種低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，將鋁箔置于腐蝕溶液中，通入AC交流電源，在交流電源一個半波長內(nèi)，利用帶正電電極處于相對高電位時那部分電壓差產(chǎn)生的直流電流對與帶正電電極相對的鋁箔一側(cè)進(jìn)行腐蝕布點(diǎn)，在交流電源另一個半波長內(nèi)，交流電源對鋁箔該側(cè)不起腐蝕布點(diǎn)作用，從而形成半波直流布點(diǎn)。本發(fā)明所使用的交流電源是10Hz50Hz的正弦波或方波，電源連接到電電極板上，而無需與鋁箔直接接觸，施加的電流密度為0.11.0A/cm2，作用時間為1090s，腐蝕液體的配比為鹽酸520wtX，硫酸O.l2.0wt%，溫度在255(TC之間，使用的鋁箔是硬質(zhì)鋁箔或軟質(zhì)鋁箔。本發(fā)明可以作進(jìn)一步改進(jìn)在進(jìn)行布點(diǎn)腐蝕時，電化學(xué)反應(yīng)在兩個地方進(jìn)行，一個地方利用交流電源的上半周，一個地方利用交流電源的下半周，即每個地方的電化學(xué)反應(yīng)都是半波直流電參與腐蝕。本發(fā)明可以作進(jìn)一步改進(jìn)在進(jìn)行腐蝕布點(diǎn)時，對鋁箔進(jìn)行了各自單面布點(diǎn)，或同時雙面布點(diǎn)。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)一、本發(fā)明是利用交流電源半波上的高電位差那部分來進(jìn)行布點(diǎn)的，能夠均勻地布點(diǎn)，很好地解決鋁箔的離散性問題；二、本發(fā)明是通過腐蝕液體(軟體)給鋁箔施加電流的，完全解決了打火斷箔的問題；三、本發(fā)明的電源設(shè)備相當(dāng)簡單，易維護(hù)，使用鋁箔可以是軟質(zhì)或硬質(zhì)鋁箔。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的直流電源布點(diǎn)圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中的交流電源布點(diǎn)圖；圖3是本發(fā)明的單面布點(diǎn)圖；圖4是本發(fā)明的雙面布點(diǎn)圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明的實(shí)施方式作詳細(xì)描述。如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中直流電源布點(diǎn)圖。在鋁箔電解容器1中，直流電源3的正極接在鋁箔2上，其負(fù)極接到電極板4上。在鋁箔2和電極板4間產(chǎn)生電壓差，利用該電壓差通過液體6中的帶電離子的移動形成直流電流，鋁箔原子中的電子隨著電流從原子中流走，使鋁原子變成鋁離子，最后溶于溶液6中，從而對鋁箔2起腐蝕布點(diǎn)作用。如圖2所示，為現(xiàn)有技術(shù)中的交流電源布點(diǎn)圖。在鋁箔電解容器l中，交流電源3直接通入到兩電極板4上，并在兩電極板4間形成交流電流。利用電極板4處于電位相對高時正離子向鋁箔2側(cè)聚集產(chǎn)生的吸引力，使鋁箔2兩側(cè)的鋁原子失去電子變成鋁離子，并融于溶液6中，從而形成對鋁箔2進(jìn)行腐蝕布點(diǎn)。由于兩電極板4間的電流是隨著交流電源3的循環(huán)而發(fā)生周期性方向變化，因此，在鋁箔2兩側(cè)上形成的腐蝕布點(diǎn)具有不均衡性，就不能形成均勻布占。八、、o如圖3所示，為本發(fā)明的單面布點(diǎn)圖。該電解容器1與現(xiàn)有的容器的不同之處在于在右邊電極板4-2與鋁箔2之間放置有一塊隔板7，只利用交流電源3的半個波長來對鋁箔2進(jìn)行腐蝕布點(diǎn)。在鋁電解容器1中，交流電源3直接通入到兩電極板4上。當(dāng)左邊電極板4-l帶電正時，則從左邊電極板4-1與右邊電極板4-2之間形成正向直流電流。當(dāng)左邊電極板4-l的電位相對低時，鋁箔2本身不腐蝕，僅起到傳導(dǎo)電流的作用，傳到另一部分；當(dāng)左邊電極板4-1電位相對高時，由于正離子大量聚集鋁箔2的左側(cè)，使左側(cè)鋁原子中的電子在正離子的吸引力作用下離開鋁原子，鋁原子失去電子變成鋁離子融于溶液6中，從而在鋁箔2的左側(cè)形成腐蝕布點(diǎn)。當(dāng)右邊電極板4-2帶正電時，則從右邊電極板4-2與左邊電極板4-1之間形成正向直流電流，當(dāng)右邊電極板4-2電位相對低時，鋁箔2本身不腐蝕，僅起到傳導(dǎo)電流的作用，傳到另一部分；當(dāng)右邊電極板4-2電位相對高時，由于隔板7的作用，使得大量的帶正電離子不在鋁箔2的右側(cè)聚集，因而不對鋁箔2右側(cè)起腐蝕布點(diǎn)作用。如圖4所示，為本發(fā)明的雙面布點(diǎn)圖。此鋁箔電解容器1與圖3所示的鋁箔電解容器相比作了一步改進(jìn)該鋁箔電解容器l中有四塊電極板4，并在中間兩塊電極板4之間放置一塊隔板7，且左邊兩塊電極板4-1通過電線相連，右邊兩塊電極板4-2也通過電線相連。在鋁電解容器1中，交流電源3直接通入到兩電極板4上。當(dāng)左邊兩塊電極板4-1帶電正時，則從左邊電極板4-1到右邊電極板4-2間通過液體介質(zhì)6和鋁箔2形成正向直流電流。當(dāng)左邊兩塊電極板4-l電位相對低時，鋁箔2本身不腐蝕，僅起到傳導(dǎo)電流的作用，傳到右邊鋁箔2-2部分；當(dāng)左邊兩塊電極板4-l相對電位高時，由于正離子大量聚集左邊鋁箔2-l的兩側(cè)，使左邊鋁箔2-l兩側(cè)原子中的電子在正離子的吸引力作用下離開鋁原子，鋁原子失去電子變成鋁離子融于溶液6中，從而在左邊鋁箔2-l的兩側(cè)形成腐蝕布點(diǎn)，而右邊鋁箔2-2不進(jìn)行腐蝕布點(diǎn)。當(dāng)右邊兩塊電極板4-2帶正電時，則在右邊鋁箔2-2的兩側(cè)形成腐蝕布點(diǎn)，而左邊鋁箔2-l不進(jìn)行腐蝕布點(diǎn)。下面對上述四種布點(diǎn)方法的布點(diǎn)效果進(jìn)行試樣比較，所用的裝置是新疆眾和ZHD4型號的7(Him厚的低壓光箔，液體選用鹽酸15wt^，硫酸lwt^的配比，電極板選用右墨電極板，其厚度為65mm，電極間距離為60mm，電極板寬度為510mm，浸入到液面下有效長度為500mm。試樣過程如下接入電流密度為0.3A/cr^的電流，將寬度500mm厚的光箔放置在4(TC的液體里作用20s，然后取出試樣鋁箔并取其兩端靠邊10mm分別表示為左邊樣和右邊樣，再加上正中間的樣，以20Vfe小樣化成后，檢測其比容，根據(jù)比容計(jì)算其離散率。離散率的計(jì)算方法為(Cmax—Cmin)+CaveX100%，計(jì)算結(jié)果見表l。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>從上表的數(shù)據(jù)可明顯看出，本發(fā)明的低壓鋁箔半波腐蝕布點(diǎn)工藝方法，鋁箔不需要與電源硬接觸，而通過半波直流達(dá)到純直流布點(diǎn)的效果。權(quán)利要求1、一種低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，其特征在于將鋁箔置于腐蝕溶液中，通入AC交流電源，在交流電源一個半波長內(nèi)，利用帶正電電極處于相對高電位時那部分電壓差產(chǎn)生的直流電流對與帶正電電極相對的鋁箔一側(cè)進(jìn)行腐蝕布點(diǎn)，在交流電源另一個半波長內(nèi)，交流電源對鋁箔該側(cè)不起腐蝕布點(diǎn)作用，從而形成半波直流布點(diǎn)。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，其特征在于所述的交流電源是10Hz50Hz的正弦波或方波。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，其特征在于所述的電源連接到電極板上，而無需與鋁箔直接接觸。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，其特征在于所述的施加電流密度為0.11.0A/cm2，作用時間為1090s。5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，其特征在于所述的腐蝕液體的配比為鹽酸520wt%，硫酸0.l2.0wt%，溫度在255(TC之間。6、根據(jù)權(quán)利要求5所述的低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，其特征在于所述的鋁箔是硬質(zhì)鋁箔或軟質(zhì)鋁箔。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，其特征在于在進(jìn)行布點(diǎn)腐蝕時，電化學(xué)反應(yīng)在兩個地方進(jìn)行，一個地方利用交流電源的上半周，一個地方利用交流電源的下半周，即每個地方的電化學(xué)反應(yīng)都是半波直流電參與腐蝕。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，其特征在于在進(jìn)行腐蝕布點(diǎn)時，對鋁箔進(jìn)行了各自單面布點(diǎn)或同時雙面布點(diǎn)。全文摘要本發(fā)明公開了一種低壓鋁箔腐蝕的半波直流布點(diǎn)方法，將鋁箔置于腐蝕溶液中，通入AC交流電源，在交流電源一個半波長內(nèi)，利用帶正電電極處于相對高電位時那部分電壓差產(chǎn)生的直流電流對與帶正電電極相對的鋁箔一側(cè)進(jìn)行腐蝕布點(diǎn)，在交流電源另一個半波長內(nèi)，交流電源對鋁箔該側(cè)不起腐蝕布點(diǎn)作用，從而形成半波直流布點(diǎn)。本發(fā)明是利用交流電源半波上的高電位差那部分來進(jìn)行布點(diǎn)的，能夠均勻地布點(diǎn)，很好地解決鋁箔的離散性問題；同時，本發(fā)明是通過腐蝕液體(軟體)給鋁箔施加電流的，完全解決了打火斷箔的問題；另外，本發(fā)明的電源設(shè)備相當(dāng)簡單，易維護(hù)，使用鋁箔可以是軟質(zhì)或硬質(zhì)鋁箔。文檔編號C25F7/00GK101255596SQ20071003228公開日2008年9月3日申請日期2007年12月7日優(yōu)先權(quán)日2007年12月7日發(fā)明者成頑強(qiáng),王文寶,程永剛,譚惠忠申請人:肇慶華鋒電子鋁箔有限公司