專利名稱：金凸點(diǎn)或金配線的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用設(shè)定的電解鍍金浴在晶片上形成金凸點(diǎn)(bump)或金配線的方法。更詳細(xì)地講，本發(fā)明涉及抑制起因于鈍化膜的不均勻膜厚而產(chǎn)生的鍍金被膜的層錯(cuò)(臺(tái)階高差)，形成平坦的金凸點(diǎn)或金配線的金凸點(diǎn)或金配線的形成方法。
背景技術(shù)：
使用非氰系或氰系電解鍍金浴形成的鍍金被膜，不僅導(dǎo)電性、熱壓接性等物理特性優(yōu)異，而且耐氧化性、耐化學(xué)品性等化學(xué)特性也優(yōu)異。因此，目前為止適合用于硅晶片上的凸點(diǎn)形成、Ga/As晶片等化合物晶片上的配線形成等。
硅晶片上的凸點(diǎn)形成、Ga/As晶片等化合物晶片上的配線形成所使用的非氰系電解鍍金浴，例如，作為基本浴包括作為金源的亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨，作為穩(wěn)定劑的水溶性胺，作為結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的微量的Tl化合物、Pb化合物或As化合物，作為傳導(dǎo)鹽的亞硫酸鹽和硫酸鹽，以及緩沖劑。
氰系電解鍍金浴，例如，作為基本浴包括作為金源的氰化金堿金屬鹽或氰化金銨，微量的結(jié)晶調(diào)節(jié)劑，作為傳導(dǎo)鹽的磷酸鹽、硼酸鹽等無機(jī)酸鹽、有機(jī)酸(羧酸、羥基羧酸、草酸等)鹽等。
將采用電解鍍金形成了金凸點(diǎn)的晶片的一例示于圖1。
圖1中，1是硅或Ga/As化合物晶片，在其一面上形成有微小的Al電極3。在晶片1及Al電極3的上面形成有被覆晶片和Al電極3的周圍的鈍化膜5。再在鈍化膜5的上面及Al電極3的上部中央部層合金濺射膜7。
在金濺射膜7上層合掩模材料9，利用該掩模材料9形成Al電極3的上方開口的掩模圖形。在掩模材料9的開口部10，采用電解鍍金形成有金凸點(diǎn)11。圖1中，13是金珠或焊錫珠。
在金凸點(diǎn)或金配線電鍍用微細(xì)地形成了圖形的硅晶片乃至Ga/As晶片上，通常為了金濺射膜7與晶片1的絕緣及周邊配線的保護(hù)而形成上述的鈍化膜5。該鈍化膜5，如圖1所示，在Al電極3的周圍部及其中央部產(chǎn)生凹凸(鈍化層錯(cuò)x)。
現(xiàn)有的非氰系或氰系電解鍍金，通?；旧鲜窃?0～65℃的溫度條件下將電流密度保持0.3～1.2A/dm2范圍內(nèi)的一定值進(jìn)行電鍍。在這種條件下進(jìn)行電鍍時(shí)，在掩模材料9的開口部10形成的金凸點(diǎn)11，按照鈍化膜5的凹凸形狀而成為中央部塌陷的形狀。
在該形狀的金凸點(diǎn)11表面放置接合使用的金珠或焊錫珠13時(shí)，金珠或焊錫珠13往往落入凹部15。這種狀態(tài)下，將金配線與金凸點(diǎn)11壓接接合時(shí)，在金配線與金凸點(diǎn)11之間不能得到介由珠的均勻的壓接面。其結(jié)果，金配線與金凸點(diǎn)11不能得到足夠的密合強(qiáng)度，兩者間產(chǎn)生接著不良。
利用電解鍍金形成金凸點(diǎn)的方法本身是公知的。例如，在專利文獻(xiàn)1中記載了采用使用氰化金鉀的鍍金的形成方法。
特開2003-7762號(hào)公報(bào)(段落序號(hào)(0021)、(0022))發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于上述狀況而完成的研究，其目的在于提供在凸點(diǎn)與配線接合時(shí)，為了通過金珠或焊錫珠獲得凸點(diǎn)與配線的足夠的密合強(qiáng)度，抑制起因于不均勻膜厚的鈍化膜產(chǎn)生的金被膜的層錯(cuò)，能形成平坦的金凸點(diǎn)或金配線的金凹膜或金配線的形成方法。
本發(fā)明者為了解決前述課題反復(fù)研究的結(jié)果，想到了使用設(shè)定的非氰系或氰系電解鍍金浴，在0.1A/dm2以下的電流密度下進(jìn)行電鍍直至得到設(shè)定膜厚，然后在0.3～1.2A/dm2的電流密度下進(jìn)行電鍍直至達(dá)到所期望的厚度。采用這種方法，不僅保持均勻且致密而良好的外觀特性和被膜硬度、剪切強(qiáng)度特性，而且可抑制起因于鈍化膜的鍍金的層錯(cuò)，能形成平坦的金被膜的金凸點(diǎn)或金配線。本發(fā)明者獲得了上述方法，從而完成了本發(fā)明。
即，解決上述課題的本發(fā)明是以下所述的發(fā)明。
金凸點(diǎn)或金配線的形成方法，其特征在于是使用含有作為金源的亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨、作為穩(wěn)定劑的水溶性胺、結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、作為傳導(dǎo)鹽的亞硫酸鹽和硫酸鹽、以及緩沖劑的非氰系電解鍍金浴，在形成了圖形的晶片上進(jìn)行電解鍍金的金凸點(diǎn)或金配線的形成方法；包括在晶片上以0.1A/dm2以下的電流密度進(jìn)行至少1次電解鍍金的工序1、和以0.3～1.2A/dm2的電流密度進(jìn)行至少1次電解鍍金的工序2；在晶片上進(jìn)行鍍金使工序1的合計(jì)電鍍厚度為0.1～5μm，工序1與工序2的合計(jì)電鍍厚度為所期望的電鍍厚度。
金凸點(diǎn)或金配線的形成方法，其特征在于是使用含有作為金源的氰化金堿金屬鹽或氰化金銨、結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、作為傳導(dǎo)鹽的無機(jī)酸鹽或有機(jī)酸鹽、以及緩沖劑的氰系電解鍍金浴，在形成了圖形的晶片上進(jìn)行電解鍍金的金凸點(diǎn)或金配線的形成方法；在晶片上的電解鍍金包括以0.1A/dm2以下的電流密度進(jìn)行至少1次電解鍍金的工序1、和以0.3～1.2A/dm2的電流密度進(jìn)行至少1次電解鍍金的工序2；在晶片上進(jìn)行鍍金使工序1的合計(jì)電鍍厚度為0.1～5μm，工序1與工序2的合計(jì)電鍍厚度為所期望的電鍍厚度。
根據(jù)本發(fā)明，由于使用非氰系或氰系電解鍍金浴以設(shè)定的電流密度進(jìn)行電解鍍金直至形成設(shè)定的膜厚，故可以將起因于晶片上所形成的底層(鈍化膜)的不均勻膜厚的金凸點(diǎn)與金配線的層錯(cuò)抑制在1μm以下。
由本發(fā)明形成的金凸點(diǎn)，金配線本身是均勻且致密，具有良好的外觀特性和被膜硬度、剪切強(qiáng)度特性的鍍金被膜。
圖1是表示形成了金凸點(diǎn)的以往的晶片一例的截面圖。
圖2是電鍍前的晶片的截面圖(A)與電鍍后的晶片的截面圖(B)。
符號(hào)說明1、27 晶片3、29Al電極5、25 鈍化膜7、23 金濺射膜9、21 掩模材料10開口部11、31金凸點(diǎn)13珠15凹部具體實(shí)施方式
以下，對(duì)本發(fā)明中使用的非氰系電解鍍金浴、氰系電解鍍金浴的組成進(jìn)行說明。
本發(fā)明中使用的非氰系電解鍍金浴，以包括作為金源的亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨、作為穩(wěn)定劑的水溶性胺、微量的結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、作為傳導(dǎo)鹽的亞硫酸鹽和硫酸鹽、以及緩沖劑的非氰系電解鍍金浴為基本組成。該電鍍?cè)〉慕M成是周知的組成。
(1)亞硫酸金堿金屬鹽、亞硫酸金銨(金源)作為亞硫酸金堿金屬鹽，可沒有限制地使用公知的亞硫酸金堿金屬鹽。作為亞硫酸金堿金屬鹽，例如可舉出亞硫酸金(I)鈉、亞硫酸金(I)鉀等。這些可以單獨(dú)使用1種，或2種以上并用。
本發(fā)明使用的非氰系電解鍍金浴中，配合作為金源的上述的亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨，其配合量，作為金量通常是1～50g/L，優(yōu)選是8～15g/L。亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨的配合量小于1g/L時(shí)，有時(shí)電鍍被膜的厚度變得不均勻。大于50g/L時(shí)，雖然電鍍被膜的物性等沒有問題，但不經(jīng)濟(jì)。
(2)水溶性胺(穩(wěn)定劑)
作為水溶性胺，例如可以使用1，2-二氨基乙烷、1，2-二氨基丙烷、1，6-二氨基己烷等。這些可以單獨(dú)使用1種，也可以2種以上并用。
水溶性胺的配合量通常是1～30g/L，優(yōu)選是4～20g/L。水溶性胺的配合量大于30g/L時(shí)，金絡(luò)合物鹽的穩(wěn)定性增大。但是，電鍍被膜過度地致密化，有時(shí)接合性變差。小于1g/L時(shí)，有時(shí)極限電流密度降低而導(dǎo)致電鍍粗脆。
(3)Tl化合物、Pb化合物、As化合物(結(jié)晶調(diào)節(jié)劑)作為結(jié)晶調(diào)節(jié)劑，例如可舉出甲酸鉈、丙二酸鉈、硫酸鉈、硝酸鉈等Tl化合物；檸檬酸鉛、硝酸鉛、鏈烷磺酸鉛等Pb化合物；三氧化二砷等As化合物。這些Tl化合物、Pb化合物、As化合物可以單獨(dú)使用1種，也可以2種以上組合使用。
結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的配合量可在不破壞本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適宜地設(shè)定，但作為金屬濃度通常是0.1～100mg/L，優(yōu)選是0.5～50mg/L，特別優(yōu)選是3～25mg/L。結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的配合量小于0.1mg/L時(shí)，有時(shí)均勻電鍍性、電鍍?cè)》€(wěn)定性與耐久性惡化，電鍍?cè)〉臉?gòu)成成分分解。大于100mg/L時(shí)，有時(shí)產(chǎn)生均勻電鍍性惡化及電鍍被膜的外觀不均勻。
(4)亞硫酸鹽、硫酸鹽(傳導(dǎo)鹽)作為傳導(dǎo)鹽使用的亞硫酸鹽、硫酸鹽，例如可舉出亞硫酸鈉、亞硫酸鉀、焦亞硫酸鈉、亞硫酸氫鈉等亞硫酸鹽；硫酸鈉等硫酸鹽。其中，優(yōu)選亞硫酸鈉與硫酸鈉的組合。
作為電解鍍金浴中的上述亞硫酸鹽與硫酸鹽的配合量，可在不破壞本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)定。優(yōu)選為以下的配合量。
亞硫酸鹽，作為SO32-量通常為5～100g/L，優(yōu)選10～80g/L，特別優(yōu)選是20～60g/L。亞硫酸鹽的配合量小于5g/L時(shí)，有時(shí)均勻電鍍性與液體穩(wěn)定性惡化，電解浴產(chǎn)生分解。大于100g/L時(shí)，有時(shí)極限電流密度降低而產(chǎn)生電鍍粗脆。
硫酸鹽作為SO42-量通常為1～120g/L，優(yōu)選是1～60g/L，特別優(yōu)選是1～40g/L。小于1g/L時(shí)，液體穩(wěn)定性惡化，有時(shí)電鍍?cè)‘a(chǎn)生分解。大于120g/L時(shí)，有時(shí)極限電流密度降低而產(chǎn)生電鍍粗脆。
(5)緩沖劑作為緩沖劑，只要是通常電解鍍金浴中使用的緩沖劑則沒有特殊限定。例如可以使用磷酸鹽、硼酸鹽等無機(jī)酸鹽，檸檬酸鹽、苯二甲酸鹽、乙二胺四乙酸鹽等有機(jī)酸(羧酸、羥基羧酸)鹽等。
作為非氰系電解鍍金浴中的緩沖劑的配合量，通常為1～30g/L，優(yōu)選2～15g/L，特別優(yōu)選是2～10g/L。緩沖劑配合量小于1g/L時(shí)，有時(shí)由于pH降低而液體穩(wěn)定性惡化，電鍍?cè)〕煞之a(chǎn)生分解。大于30g/L時(shí)，有時(shí)極限電流密度降低而產(chǎn)生電鍍粗脆。
非氰系電解鍍金浴中，可在不破壞本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當(dāng)使用pH調(diào)節(jié)劑、穩(wěn)定劑等。
作為pH調(diào)節(jié)劑，例如作為酸可舉出硫酸、亞硫酸水、磷酸等，作為堿可舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水等。作為穩(wěn)定劑，可舉出重金屬(Tl、Pb、As等)離子等。
此外，非氰系電解鍍金浴的pH通常為7.0以上，優(yōu)選是7.2～10.0。電鍍?cè)〉膒H小于7.0時(shí)，有時(shí)電鍍?cè)∶黠@地變得不穩(wěn)定，電鍍?cè)‘a(chǎn)生分解。而pH為10.0以上時(shí)，有時(shí)使作為電鍍材料的掩蔽劑的線型酚醛清漆系正型光致抗蝕劑溶解，而不能形成想要圖形的電鍍被膜。
作為氰系電解鍍金浴，以作為金源的氰化金堿金屬鹽或氰化金銨、微量的結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、傳導(dǎo)鹽、以及緩沖劑為基本組成。這種電鍍?cè)〉慕M成是周知的組成。
(1)氰化金堿金屬鹽、氰化金銨(金源)作為氰化金堿金屬鹽，可以沒限制地使用公知的氰化金堿金屬鹽。例如，可舉出氰化金鉀、氰化金鈉、氰化金銨等。這些可以單獨(dú)使用1種，或者將2種以上并用。
本發(fā)明中使用的氰系電解鍍金浴中，作為金源使用上述的氰化金堿金屬鹽或氰化金銨，其配合量，作為金量通常是1～50g/L，優(yōu)選是8～15g/L。配合量小于1g/L時(shí)，有時(shí)電鍍被膜厚度變得不均勻。大于50g/L時(shí)，雖然電鍍被膜特性等沒問題，但變得不經(jīng)濟(jì)。
(2)Tl化合物、Pb化合物、As化合物(結(jié)晶調(diào)節(jié)劑)作為結(jié)晶調(diào)節(jié)劑，例如可舉出甲酸鉈、丙二酸鉈、硫酸鉈、硝酸鉈等Tl化合物；檸檬酸鉛、硝酸鉛、鏈烷磺酸鉛等Pb化合物；三氧化二砷等As化合物。這些Tl化合物、Pb化合物、As化合物可以單獨(dú)使用1種，也可以將2種以上組合使用。
結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的配合量，可在不破壞本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)定，作為金屬濃度通常為0.1～100mg/L，優(yōu)選0.5～50mg/L，特別優(yōu)選是3～25mg/L。結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的配合量小于0.1mg/L時(shí)，有時(shí)均勻電鍍性、電鍍?cè)》€(wěn)定性與耐久性惡化，電鍍?cè)〉臉?gòu)成成分發(fā)生分解。超過100mg/L時(shí)，有時(shí)產(chǎn)生均勻電鍍性的惡化以及電鍍被膜的外觀不均勻。
(3)無機(jī)酸鹽、有機(jī)酸鹽(傳導(dǎo)鹽)作為傳導(dǎo)鹽使用的無機(jī)酸鹽，例如可舉出磷酸鹽、硼酸鹽等。作為有機(jī)酸鹽、可舉出檸檬酸鹽、草酸鹽等。
作為電解鍍金浴中的無機(jī)酸鹽或有機(jī)酸鹽的配合量，可以在不破壞本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)定，但優(yōu)選為以下的配合量。
無機(jī)酸鹽的配合量通常為50～250g/L，優(yōu)選是100～200g/L。配合量小于50g/L時(shí)，均勻電鍍性與液體穩(wěn)定性惡化，有時(shí)產(chǎn)生電鍍?cè)〉姆纸?，大?50g/L時(shí)，有時(shí)極限電流密度降低而產(chǎn)生電鍍粗脆。
有機(jī)酸鹽的配合量通常為50～250g/L，優(yōu)選是100～200g/L。小于50g/L時(shí)，有時(shí)液體穩(wěn)定性惡化，產(chǎn)生電鍍?cè)〉姆纸猓笥?50g/L時(shí)，有時(shí)極限電流密度降低而產(chǎn)生電鍍粗脆。
(4)緩沖劑作為緩沖劑，只要是通常電解鍍金浴中使用的緩沖劑則沒有特殊限定，例如可以使用磷酸鹽、硼酸鹽等無機(jī)酸鹽，檸檬酸鹽、苯二甲酸鹽、乙二胺四乙酸鹽等有機(jī)酸(羧酸、羥基羧酸)鹽等。
作為緩沖劑的配合量通常為1～30g/L，優(yōu)選2～15g/L，特別優(yōu)選是2～10g/L。緩沖劑配合量小于1g/L時(shí)，有時(shí)由于pH降低而使液體穩(wěn)定性惡化，產(chǎn)生電鍍?cè)〕煞值姆纸猓笥?0g/L時(shí)，有時(shí)極限電流密度降低而產(chǎn)生電鍍粗脆。
氰系電解鍍金浴中，可在不破壞本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當(dāng)使用pH調(diào)節(jié)劑、穩(wěn)定劑等。
作為pH調(diào)節(jié)劑，例如作為酸可舉出硫酸、磷酸等無機(jī)酸，檸檬酸、草酸等有機(jī)酸，作為堿可舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水等。作為穩(wěn)定劑可舉出重金屬(Tl、Pb、As等)離子等。
此外，氰系電解鍍金浴的pH通常為3.0以上，優(yōu)選是4.0～7.0。
本發(fā)明的金凸點(diǎn)或金配線的形成方法，使用上述的非氰系電解鍍金浴、或氰系電解鍍金浴，采用以下所述的工序1、工序2進(jìn)行電解鍍金。
工序1是以0.1A/cm2以下、優(yōu)選0.01～0.05A/cm2的低電流密度使金凸點(diǎn)或金配線形成膜厚0.1～5μm的工序。
工序2是以0.3～1.2A/cm2的電流密度使金凸點(diǎn)或金配線形成直至所期望的目標(biāo)厚度的工序。
工序1可以進(jìn)行到鍍金被膜的膜厚達(dá)到0.1～5μm、優(yōu)選0.5～3μm、更優(yōu)選1～2μm。工序1所形成的電鍍膜厚可根據(jù)鈍化層錯(cuò)的大小、底層金屬的狀態(tài)、處理狀態(tài)在上述的范圍內(nèi)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇。
從電鍍開始到結(jié)束之間使電流密度為0.1A/cm2以下的工序1的次數(shù)可以是1次，也可以是多次。
工序2與工序1同樣地可以是1次，也可以分成多次進(jìn)行。
本發(fā)明中的電解鍍金，至少各一次地交替進(jìn)行工序1與工序2，其順序可以任何一方在先。
從電鍍開始到電鍍結(jié)束多次地采用工序1實(shí)施鍍金時(shí)，各次的電流密度，在其每次鍍金時(shí)，只要是不破壞大量生產(chǎn)時(shí)的產(chǎn)量的上述范圍內(nèi)則沒有特殊限制。例如，可以使第1次的工序1的電流密度變?yōu)?.02A/dm2，使第2次的工序1的電流密度變?yōu)?.05A/dm2。
鈍化層錯(cuò)是0.5μm以下小的場(chǎng)合，使用上述的鍍金浴采用工序1形成金被膜時(shí)，相反被膜上表面成為凸?fàn)?，估?jì)成為接合上問題。而鈍化層錯(cuò)大于3μm大的場(chǎng)合，工序1形成的金被膜膜厚為1μm以下時(shí)，鍍金被膜上表面的層錯(cuò)并不低于1μm，即使鍍金后有時(shí)層錯(cuò)也沒有充分地被消除。
另外，設(shè)定工序1的電流密度極低，并且工序1形成的金被膜膜厚的合計(jì)厚度厚，電鍍?cè)馗叩膱?chǎng)合，有時(shí)金被膜表面的顆粒過于粗大化。
形成金凸點(diǎn)、金配線時(shí)的電鍍?cè)囟韧ǔ?0～65℃，優(yōu)選是45～60℃。
電鍍?cè)囟瘸?0～65℃的范圍時(shí)，有時(shí)電鍍被膜難析出，鈍化層錯(cuò)的消除變得不充分，而且電鍍被膜外觀異常，電鍍?cè)∽兊貌环€(wěn)定而分解，電鍍?cè)≈挟a(chǎn)生沉淀。
采用本發(fā)明形成金凸點(diǎn)或金配線用電鍍被膜時(shí)，為了高效率地消除鈍化層錯(cuò)而使金凸點(diǎn)或金配線的層錯(cuò)為1μm以下，優(yōu)選將電鍍?cè)卦O(shè)定在50～60℃左右，采用工序1形成作為基礎(chǔ)的金被膜后，采用工序2形成金被膜。
此外，工序1、工序2產(chǎn)生的合計(jì)電鍍厚度為1～30μm，特別優(yōu)選是1～25μm。
本發(fā)明如果是鍍前表面用金屬被覆而導(dǎo)電的晶片則不選被鍍物，但特別優(yōu)選適用于使用例如線型酚醛清漆系正型光致抗蝕劑、丙烯酸系負(fù)型正抗蝕劑等形成了圖形的硅晶片上的凸點(diǎn)形成、Ga/As晶片等化合物晶片上的配線形成。
實(shí)施例1～12、比較例1～4按表1～3所示的配方調(diào)制非氰系電解鍍金浴或氰系電解鍍金浴。各原料的配合濃度單位只要沒有特殊說明則是g/L。使用各電鍍?cè)?，按工序A～E或F～K的順序，在各工序所述的電流密度下，進(jìn)行電解鍍金直至表中所述的膜厚。
作為被鍍物，使用具有利用線型酚醛清漆系正型光致抗蝕劑形成了圖形的凸點(diǎn)開口部的硅晶片(鍍前晶片截面組成為金濺射膜/TiW/SiO2)。將其截面圖示于圖2(A)。圖2中，21是光致抗蝕劑，23是金濺射膜，25是鈍化膜(TiW)，27是硅晶片，29是Al電極。將被鍍物浸漬在制得的非氰系電解鍍金浴或氰系電解鍍金浴1L中，通過實(shí)施通電形成具有15μm膜厚的電鍍被膜。
形成具有設(shè)定膜厚的鍍金被膜后，對(duì)所得被膜表面的層錯(cuò)程度、電鍍?cè)》€(wěn)定性、電鍍被膜外觀、被膜硬度(未熱處理與300℃下熱處理30分鐘后)、Au濺射膜的使用碘系蝕刻劑的蝕刻性按下述方法與標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。把結(jié)果一起示于表1～3。
如圖2(A)所示使用觸針式輪廓儀，測(cè)定使用線型酚醛清漆系正型光致抗蝕劑21形成了圖形的凸點(diǎn)圖形的鈍化層錯(cuò)a，結(jié)果是1.5μm。
使用非氰系或氰系電解鍍金浴形成金凸點(diǎn)后，使用作為專用溶劑的甲乙酮溶解線型酚醛清漆系正型光致抗蝕劑。將電鍍后的晶片的截面圖示于圖2(B)。將凸點(diǎn)31的邊緣部的最大高度值與中央的最小高度值的差b視為電鍍后層錯(cuò)(μm)，使用觸針式輪廓儀測(cè)量層錯(cuò)。應(yīng)予說明，通常作為凸點(diǎn)所要求特性的層錯(cuò)是1μm以下。
觀察在表1～3的電鍍條件下對(duì)被鍍物實(shí)施了電鍍后的電鍍?cè)〉臓顟B(tài)，按下述標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
分解電鍍液發(fā)生了分解。
×以肉眼判斷的水平觀察到電鍍?cè)≈杏薪鸬某恋怼?br>
△發(fā)現(xiàn)電鍍?cè)≈杏猩倭拷鸬某恋?。是使?.2μm膜濾器過濾能夠觀察到的水平。
○電鍍?cè)≈袥]有觀察到金的沉淀。
觀察被鍍物上電鍍的金凸點(diǎn)的表面被膜外觀，按下述標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
×色調(diào)紅，能看到樹枝狀析出，發(fā)現(xiàn)不均勻或產(chǎn)生電鍍粗脆。
△沒有異常析出，是光澤外觀。
○色調(diào)呈檸檬黃，是無～半光澤均勻外觀。
利用被鍍物上形成的特定的角落凸點(diǎn)(corner bump)部位，使用維氏硬度計(jì)測(cè)定其被膜硬度(未熱處理與300℃熱處理30分鐘后)。
作為通常凸點(diǎn)電鍍用途要求的特性，退火后的被膜硬度是60Hv以下。再者，測(cè)定條件采用以25gf負(fù)荷將測(cè)定壓頭保持10秒鐘的條件。
在常溫下充分?jǐn)嚢璧牡庀滴g刻劑中將被鍍物浸漬90秒鐘后，使用醇系淋洗液沖洗，進(jìn)行乙醇噴霧，用干燥機(jī)進(jìn)行干燥。
然后，使用金屬顯微鏡以50～150倍的倍率觀察被鍍物上所形成的全部凸點(diǎn)的表面狀態(tài)，按下述標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
×在50％以上的凸點(diǎn)的表面觀察到不均勻。
△在有限的一部分區(qū)域的凸點(diǎn)表面觀察到不均勻。
○在被鍍物上的全部凸點(diǎn)的表面沒有觀察到不均勻。
由上述各評(píng)價(jià)結(jié)果，按下述評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
×在有關(guān)所形成的鍍金被膜(金凸點(diǎn))與電鍍處理后的鍍金浴的上述評(píng)價(jià)結(jié)果中包含不優(yōu)選的結(jié)果。
△有關(guān)所形成的鍍金被膜(金凸點(diǎn))與電鍍處理后的鍍金浴的上述評(píng)價(jià)結(jié)果，雖然全部是良好的結(jié)果，但如果考慮幅度(margin)認(rèn)為不能判斷為良好的情況。
○有關(guān)所形成的鍍金被膜(金凸點(diǎn))與電鍍處理后的鍍金浴的上述評(píng)價(jià)結(jié)果全部是良好的結(jié)果。
表1
表2
表3
權(quán)利要求
1.金凸點(diǎn)或金配線的形成方法，其特征在于是使用含有作為金源的亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨、作為穩(wěn)定劑的水溶性胺、結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、作為傳導(dǎo)鹽的亞硫酸鹽和硫酸鹽、以及緩沖劑的非氰系電解鍍金浴，在形成了圖形的晶片上進(jìn)行電解鍍金的金凸點(diǎn)或金配線的形成方法；包括在晶片上以0.1A/dm2以下的電流密度進(jìn)行至少1次電解鍍金的工序1、和以0.3～1.2A/dm2的電流密度進(jìn)行至少1次電解鍍金的工序2；在晶片上進(jìn)行鍍金使工序1的合計(jì)電鍍厚度為0.1～5μm，工序1與工序2的合計(jì)電鍍厚度為所期望的電鍍厚度。
2.金凸點(diǎn)或金配線的形成方法，其特征在于是使用含有作為金源的氰化金堿金屬鹽或氰化金銨、結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、作為傳導(dǎo)鹽的無機(jī)酸鹽或有機(jī)酸鹽、以及緩沖劑的氰系電解鍍金浴，在形成了圖形的晶片上進(jìn)行電解鍍金的金凸點(diǎn)或金配線的形成方法；在晶片上的電解鍍金包括在0.1A/dm2以下的電流密度下進(jìn)行至少1次電解鍍金的工序1、和進(jìn)行了工序1后在0.3～1.2A/dm2的電流密度下進(jìn)行至少1次電解鍍金的工序2；在晶片上進(jìn)行鍍金使工序1的合計(jì)電鍍厚度為0.1～5μm，工序1與工序2的合計(jì)電鍍厚度為所期望的電鍍厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供抑制起因于不均勻膜厚的鈍化膜產(chǎn)生的鍍金的層錯(cuò)，能夠形成平坦的金被膜的金凸點(diǎn)或金配線的金凸點(diǎn)或金配線的形成方法。金凸點(diǎn)或金配線的形成方法，其特征在于是在形成了圖形的晶片上，使用非氰系電解鍍金浴或氰系電解鍍金浴進(jìn)行電解鍍金的金凸點(diǎn)或金配線的形成方法；在晶片上的電解鍍金包括在0.1A/dm
文檔編號(hào)C25D7/12GK1940147SQ200610141428
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者中村宏 申請(qǐng)人:恩伊凱慕凱特股份有限公司