一種晶圓級封裝的保護封蓋的表面處理方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶圓級封裝的保護封蓋的表面處理方法，本發(fā)明屬于半導體封裝技術領域。
【背景技術】
[0002]晶圓級封裝一般要對晶圓背部進行互聯(lián)工藝，包括減薄，研磨，刻蝕及切割等工藝，很容易傷害晶圓的正面區(qū)域，因此在晶圓級封裝之前，會先用一層玻璃之類的封蓋鍵合在晶圓的正面，一是起到保護晶圓正面的作用，二是為后面的研磨和切割工藝提供負載作用。
[0003]但是隨著人們對芯片的功能要求越來越嚴格，對于很多高靈敏度的芯片來說，這層封蓋多少會影響到正常的工作能力。例如當影像傳感器像素超過500萬以后，像素尺寸變小，這樣就需要其光響應能力增強，此時在外面加一層玻璃封蓋則會影響到芯片的保真能力。而對于某些MEMS傳感器來說，在其外面加一層封蓋會影響其敏感度，尤其是對于氣體感應類的傳感器來說，則完全不能有封蓋遮擋。因此對于晶圓級封裝來說，在封裝的最后流程中使晶粒和封蓋分離就成為必要程序。
[0004]因為封蓋是以打膠的方式跟晶圓臨時鍵合在一起的，對該封蓋進行分離，一般采用激光類對膠進行去鍵合作業(yè)，利用激光的高能量將膠的化學鍵打斷，使其喪失粘合能力。但是激光能量很高，像圖像傳感器和MEMS這樣具有高靈敏度感應區(qū)域的芯片，一旦其感應區(qū)域被激光掃到，就會產(chǎn)生無法修復的損傷。因此在去鍵合時，封蓋打膠的區(qū)域要能夠透過激光，這樣才能正常去鍵合，同時該封蓋對于芯片的感應區(qū)域又要有防止激光透過的能力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術中存在的不足，提供一種。
[0006]按照本發(fā)明提供的技術方案，所述一種晶圓級封裝的保護封蓋的表面處理方法包括以下步驟:
al、在保護封蓋的上表面做上呈間隔設置的光阻薄膜，相鄰兩片光阻薄膜之間形成間隙；
bl、在對應相鄰兩片光阻薄膜之間的間隙內(nèi)的保護封蓋的上表面做出支撐墻；
Cl、在支撐墻的墻頂涂鍵合膠，將晶圓的下表面和支撐墻的墻頂通過鍵合膠鍵合在一起；
dl、在晶圓的背面做完背部工藝，用激光對鍵合膠進行去粘性作業(yè)，然后將保護封蓋連同光阻薄膜和支撐墻一起取下。
[0007]按照本發(fā)明提供的技術方案，所述一種晶圓級封裝的保護封蓋的表面處理方法包括以下步驟:
a2、在保護封蓋的上表面做上呈間隔設置的光阻薄膜，相鄰兩片光阻薄膜之間形成間隙； b2、在晶圓的下表面做出呈間隔設置的支撐墻；
c2、在支撐墻的墻底涂鍵合膠，將保護封蓋的上表面與支撐墻的墻底通過鍵合膠鍵合在一起，每個支撐墻的墻底與相對應的相鄰兩片光阻薄膜之間的間隙內(nèi)的保護封蓋的上表面鍵合；
d2、在晶圓的背面做完背部工藝，用激光對鍵合膠進行去粘性作業(yè)，將保護封蓋連同光阻薄膜一起取下，最后將支撐墻去除。
[0008]按照本發(fā)明提供的技術方案，所述一種晶圓級封裝的保護封蓋的表面處理方法包括以下步驟:
a3、在保護封蓋的下表面做上呈間隔設置的光阻薄膜，相鄰兩片光阻薄膜之間形成間隙；
b3、在保護封蓋的上表面對應相鄰兩片光阻薄膜之間的間隙的位置做出支撐墻； c3、在支撐墻的墻頂涂鍵合膠，將晶圓的下表面和支撐墻的墻頂通過鍵合膠鍵合在一起；
d3、在晶圓的背面做完背部工藝，用激光對鍵合膠進行去粘性作業(yè)，然后將保護封蓋連同光阻薄膜和支撐墻一起取下。
[0009]按照本發(fā)明提供的技術方案，所述一種晶圓級封裝的保護封蓋的表面處理方法包括以下步驟:
a4、在保護封蓋的下表面做上呈間隔設置的光阻薄膜，相鄰兩片光阻薄膜之間形成間隙；
b4、在晶圓的下表面做出呈間隔設置的支撐墻；
c4、在支撐墻的墻底涂鍵合膠，將保護封蓋的上表面與支撐墻的墻底通過鍵合膠鍵合在一起，每個支撐墻的墻底與相對應的相鄰兩片光阻薄膜之間的間隙內(nèi)的保護封蓋的上表面鍵合；
d4、在晶圓的背面做完背部工藝，用激光對鍵合膠進行去粘性作業(yè)，將保護封蓋連同光阻薄膜一起取下，最后將支撐墻去除。
[0010]作為優(yōu)選:所述保護封蓋為能被激光穿過的材質為有機玻璃、無機玻璃、樹脂、半導體材料、氧化物晶體、陶瓷、金屬、有機塑料、無機氧化物或者陶瓷材料的薄片，保護封蓋的厚度為100~500 μπι。
[0011]作為優(yōu)選:所述光阻薄膜為能阻擋激光穿過的材質為金屬、光阻、玻璃、無機玻璃、樹脂、半導體材料、氧化物晶體、陶瓷、金屬、有機塑料、無機氧化物或者陶瓷材料的薄膜，光阻薄膜的厚度為20~200 μπι。
[0012]作為優(yōu)選:所所述鍵合膠為環(huán)氧樹脂、有機硅膠、酸性玻璃膠或者酚醛樹脂，鍵合膠的涂布方式為噴涂、掛膠或者滾膠，鍵合膠的厚度為10~100μπι，且鍵合膠的鍵合方式為熱壓鍵合或者輻射方式鍵合。
[0013]作為優(yōu)選:所述支撐墻是正光阻或者負光阻通過光阻涂布、曝光、或者顯影過程產(chǎn)生的圖形，然后固化形成的光阻線，所述支撐墻為單層的或者多層的，支撐墻的高度在10um?200um。
[0014]作為優(yōu)選:所述支撐墻是直接粘附、涂布或者沉積的材質為聚丙烯酸酯或者聚異戊二烯橡膠的薄膜，該薄膜通過黃光和刻蝕工藝形成的線條，且支撐墻為單層的或者多層的，支撐墻的高度在10um~200um。
[0015]本發(fā)明通過增加一道鍍膜工藝使封蓋上面對應芯片感應區(qū)域的位置有光阻薄膜覆蓋，這樣后續(xù)激光去鍵合時這層光阻薄膜就能夠有效防止激光損傷到芯片感應區(qū)域，封蓋移除光阻薄膜后可以重復利用，且可以作為不同產(chǎn)品的封蓋使用。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1是本發(fā)明實施例1中步驟al得到的封裝體的結構圖。
[0018]圖2是本發(fā)明實施例1中步驟bl得到的封裝體的結構圖。
[0019]圖3是本發(fā)明實施例1中步驟Cl得到的封裝體的結構圖。
[0020]圖4是本發(fā)明實施例1中步驟dl得到的封裝體的結構圖。
[0021]圖5是本發(fā)明實施例2中步驟a2得到的封裝體的結構圖。
[0022]圖6是本發(fā)明實施例2中步驟b2得到的封裝體的結構圖。
[0023]圖7是本發(fā)明實施例2中步驟c2得到的封裝體的結構圖。
[0024]圖8是本發(fā)明實施例2中步驟d2得到的封裝體的結構圖。
[0025]圖9是本發(fā)明實施例3中步驟a3得到的封裝體的結構圖。
[0026]圖10是本發(fā)明實施例3中步驟b3得到的封裝體的結構圖。
[0027]圖11是本發(fā)明實施例3中步驟c3得到的封裝體的結構圖。
[0028]圖12是本發(fā)明實施例3中步驟d3得到的封裝體的結構圖。
[0029]圖13是本發(fā)明實施例4中步驟a4得到的封裝體的結構圖。
[0030]圖14是本發(fā)明實施例4中步驟b4得到的封裝體的結構圖。
[0031]圖15是本發(fā)明實施例4中步驟c4得到的封裝體的結構圖。
[0032]圖16是本發(fā)明實施例4中步驟d4得到的封裝體的結構圖。
【具體實施方式】
[0033]下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。
[0034]以下將結合附圖所示的【具體實施方式】對本發(fā)明進行詳細描述。但這些實施方式并不限制本發(fā)明，本領域的普通技術人員根據(jù)這些實施方式所做出的結構、方法、或功能上的變換均包含在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
[0035]此外，在不同的實施例中可能使用重復的標號或標示。這些重復僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間具有任何關聯(lián)性。
[0036]本發(fā)明的各實施方式中提到的有關于步驟的標號，僅僅是為了描述的方便，而沒有實質上先后順序的聯(lián)系。各【具體實施方式】中的不同步驟，可以進行不同先后順序的組合，實現(xiàn)本發(fā)明的發(fā)明目的。
[0037]實施例1
一種晶圓級封裝的保護封蓋的表面處理方法包括以下步驟: al、在保護封蓋I的上表面做上呈間隔設置的光阻薄膜2相鄰兩片光阻薄膜2之間形成間隙，保護封蓋I的材質為有機玻璃且厚度為100 μ m，光阻薄膜2的材質為無機玻璃且厚度為光阻薄膜的厚度為20 μ m，如圖1所示；
bl、在對應相鄰兩片光阻薄膜2之間的間隙內(nèi)的保護封蓋I的上表面做出支撐墻3，支撐墻的高度在10um，如圖2所示；
Cl、在支撐墻3的墻頂涂鍵合膠，鍵合膠為環(huán)氧樹脂，鍵合膠的涂布方式為常規(guī)的噴涂方式，鍵合膠的厚度為10nm，將晶圓4的下表面和支撐墻3的墻頂通過鍵合膠以常規(guī)的熱壓鍵合鍵合在一起，如圖3所示；
dl、在晶圓4的背面(即晶圓4的上表面)做完背部工藝，用激光對鍵合膠進行去粘性作業(yè)，然后將保護封蓋I連同光阻薄膜2和支撐墻3 —起取下，如圖4所示。
[0038]實施例2
一種晶圓級封裝的保護封蓋的表面處理方法包括以下步驟:
a2、在保護封蓋I的上表面做上呈間隔設置的光阻薄膜2，相鄰兩片光阻薄膜2之間形成間隙，保護封蓋I的材質為無機玻璃且厚度為100 μ m，光阻薄膜2的材質為有機塑料且厚度為光阻薄膜的厚度為20 μ m，如圖5所示；
b2、在晶圓4的下表面做出呈間隔設置的支撐墻3，支撐墻的高度在70um，如圖6所示；c2、在支撐墻3的墻底涂鍵合膠，鍵合膠為有機硅膠，鍵合膠的涂布方式為常規(guī)的掛膠方式，鍵合膠的厚度為lOOnm，將保護封蓋I的上表面與支撐墻3的墻底通過鍵合膠以常規(guī)的熱壓鍵合在一起，每個支撐墻3的墻底與相對應的相鄰兩片光阻薄膜2之間的間隙內(nèi)的保護封蓋I的上表面鍵合，如圖7所示；
d2、在晶圓4的背面(即晶圓4的上表面)做完背部工藝，用激光對鍵合膠進行去粘性作業(yè)，將保護封蓋I連同光阻薄膜2 —起取下，最后將支撐墻3去除，如圖8所示。
[0039]實施例3
一種晶圓級封裝的保護封蓋的表面處理方法包括以下步驟:
a3、在保護封蓋I的下表面做上呈間隔設置的光阻薄膜2，相鄰兩片光阻薄膜2之間形成間隙，如圖9所示；
b3、在保護封蓋I的上表面對應相鄰兩片光阻薄膜2之間的間隙的位置做出支撐墻3，支撐墻的高度在140um，如圖10所示；
c3、在支撐墻3的墻頂涂鍵合膠，鍵合膠為酸性玻璃膠，鍵合膠的涂布方式為常規(guī)的滾膠方式，鍵合膠的厚度為I μ m，將晶圓4的下表面和支撐墻3的墻頂通過鍵合膠以常規(guī)的輻射方式鍵合在一起，如圖11所示；