1.一種MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括下結(jié)構(gòu)層、形成在所述下結(jié)構(gòu)層上的犧牲層和形成在所述犧牲層上的上結(jié)構(gòu)層，所述上結(jié)構(gòu)層中設(shè)有釋放孔和釋放長度觀察孔，所述釋放孔貫穿上結(jié)構(gòu)層；所述上結(jié)構(gòu)層全部由不透明材料所形成，或者所述上結(jié)構(gòu)層部分由不透明材料所形成；所述釋放長度觀察孔至少貫穿由不透明材料所形成的部分。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述釋放長度觀察孔為沿于犧牲層的平面上的腐蝕方向延伸的一個；或者，所述釋放長度觀察孔為至少兩個，至少兩個所述釋放長度觀察孔沿于犧牲層的平面上的腐蝕方向分布。
3.如權(quán)利要求1所述的MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上結(jié)構(gòu)層為單層或者至少兩層；當(dāng)所述上結(jié)構(gòu)層為單層時，所述上結(jié)構(gòu)層為由不透明材料所形成的不透明層；當(dāng)所述上結(jié)構(gòu)層為至少兩層時，所述上結(jié)構(gòu)層包括至少兩層子結(jié)構(gòu)層，其中至少一層子結(jié)構(gòu)層為由不透明材料所形成的不透明層。
4.如權(quán)利要求3所述的MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)所述上結(jié)構(gòu)層包含至少兩層子結(jié)構(gòu)層時，在至少兩層所述子結(jié)構(gòu)層中所述不透明層位于下層，所述不透明層與所述犧牲層接觸。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述釋放孔和釋放長度觀察孔以外的區(qū)域刻蝕形成有長度標(biāo)尺。
6.如權(quán)利要求1至5項中任意一項所述的MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)還包括形成在所述上結(jié)構(gòu)層的釋放阻擋層，釋放阻擋層為透明層或半透明層，所述釋放阻擋層未覆蓋所述釋放孔。
7.如權(quán)利要求6所述的MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述釋放長度觀察孔內(nèi)覆蓋有釋放阻擋層。
8.一種MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，用以形成如權(quán)利要求1至7項中任意一項所述的MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)，所述制備方法包括如下步驟：
S1：在下結(jié)構(gòu)層上沉積犧牲層；
S2：在所述犧牲層上沉積上結(jié)構(gòu)層，其中，上結(jié)構(gòu)層全部由不透明材料所形成，或者所述上結(jié)構(gòu)層部分由不透明材料所形成；
S3：在所述上結(jié)構(gòu)層上刻蝕形成釋放孔和釋放長度觀察孔，所述釋放孔貫穿上結(jié)構(gòu)層，所述釋放長度觀察孔至少貫穿由不透明材料所形成的部分。
9.如權(quán)利要求8所述的MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括如下步驟：
S4：在所述上結(jié)構(gòu)層上沉積釋放阻擋層，刻蝕掉釋放孔內(nèi)的釋放阻擋層。
10.如權(quán)利要求9所述的MEMS釋放長度檢測結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，在S4中，在刻蝕釋放阻擋層時，除了刻蝕釋放孔內(nèi)的釋放阻擋層，在釋放孔和釋放長度觀察孔以外的區(qū)域刻蝕形成長度標(biāo)尺。