技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例涉及具有粗糙金屬抗靜摩擦層以改善靜摩擦特性的MEMS封裝和相關(guān)聯(lián)形成方法。在一些實施例中，所述MEMS封裝包括接合到CMOS?IC的MEMS?IC。所述CMOS?IC具有CMOS襯底及安置在所述CMOS襯底上方的互連結(jié)構(gòu)。所述互連結(jié)構(gòu)包括安置在多個介電層內(nèi)的多個金屬層。所述MEMS?IC接合到所述互連結(jié)構(gòu)的上表面并與所述CMOS?IC合作而圍封所述MEMS?IC與所述CMOS?IC之間的空腔。所述MEMS?IC具有布置在所述空腔中的可移動塊狀物。所述MEMS封裝進一步包括抗靜摩擦層，其安置于所述互連結(jié)構(gòu)的所述上表面之上、在所述可移動塊狀物之下。所述抗靜摩擦層由金屬制成并具有粗糙頂表面。

技術(shù)研發(fā)人員：陳禹睿;王乙翕;李仁鐸;劉人豪
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.04
技術(shù)公布日：2017.08.01