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石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料及其粉末冶金制備方法

文檔序號(hào):5269390閱讀:233來源:國知局
石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料及其粉末冶金制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料及其粉末冶金制備方法,所述材料包括增強(qiáng)體顆粒與鋁基體,增強(qiáng)體顆粒與鋁基體的復(fù)合界面上含有高導(dǎo)熱石墨烯納米片。所述方法包括:(1)將增強(qiáng)體顆粒用強(qiáng)酸溶液浸泡,然后用去離子水清洗至中性、烘干,去除表面雜質(zhì),得到活化處理的增強(qiáng)體顆粒;(2)將活化處理的增強(qiáng)體顆粒加入到石墨烯分散液中,通過機(jī)械攪拌或超聲分散,在其表面包覆石墨烯納米片,制備石墨烯改性的增強(qiáng)體顆粒;(3)將石墨烯改性的增強(qiáng)體顆粒與鋁基體粉末混合,通過壓坯和燒結(jié),制備石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料。本發(fā)明制備的復(fù)合材料化學(xué)穩(wěn)定性好,熱導(dǎo)率高,可用作大功率半導(dǎo)體元器件的熱管理材料。
【專利說明】石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料及其粉末冶金制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及金屬基復(fù)合材料【技術(shù)領(lǐng)域】,具體地,涉及一種采用石墨烯對(duì)增強(qiáng)體顆 粒進(jìn)行表面改性,進(jìn)而再采用粉末冶金技術(shù)制備高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來,為適應(yīng)電子技術(shù)的發(fā)展需求,用作熱管理材料的高導(dǎo)熱、低膨脹金屬基復(fù) 合材料的研究取得了巨大進(jìn)展。顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料由于具有鋁基體和增強(qiáng)體顆粒輕 質(zhì)、高熱導(dǎo)、低膨脹的綜合優(yōu)點(diǎn),成為未來電子封裝材料的理想選擇。但是,目前選用的增強(qiáng) 體顆粒主要為碳族或含碳類高導(dǎo)熱材料,如:碳化硅、金剛石、片狀石墨顆粒等,這些顆粒與 鋁基體相容性差,因而低溫制備的材料復(fù)合界面無法形成有效結(jié)合,材料綜合性能差、無法 應(yīng)用;而在高溫下處理時(shí),顆粒又易與鋁發(fā)生界面反應(yīng),生成棒狀或片狀A(yù)l 4C3相。一方面, 由于Al4C3熱導(dǎo)率低,該產(chǎn)物相的生成會(huì)顯著降低復(fù)合材料的熱導(dǎo)率;另一方面,Al 4C3化學(xué) 穩(wěn)定性差,遇酸、堿、水甚至醇類時(shí)極易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而分解,導(dǎo)致鋁基復(fù)合材料化學(xué)穩(wěn)定 性降低;此外,Al 4C3脆性大,其一旦在界面處形成連續(xù)膜,極易引起復(fù)合界面開裂而導(dǎo)致材 料失效。由于存在上述問題,高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料在熱管理領(lǐng)域的推廣應(yīng)用受到了嚴(yán)重限 制。因此,既能實(shí)現(xiàn)顆粒與鋁基體良好的界面結(jié)合,同時(shí)又能抑制Al 4C3相的生成,是制備高 導(dǎo)熱顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料的關(guān)鍵。對(duì)顆粒進(jìn)行表面處理,如:表面鍍覆,是解決該問題的 主要研究思路。
[0003] 對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn),在顆粒表面鍍覆W(或其碳化物)、Ti (或其碳 化物)是改善復(fù)合界面結(jié)合、抑制Al4C3相生成的主要技術(shù)手段。文獻(xiàn)I "Enhanced thermal conductivity in diamond/aluminum composites with a tungsten interface nanolayer"(通過W納米鍍膜提高金剛石/錯(cuò)復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能)(Materials and Design 47(2013) 160-166)通過在金剛石表面鍍覆厚為100-400nm的W納米鍍層改善金剛 石/鋁復(fù)合界面結(jié)合、抑制Al4C 3相生成,其制備的金剛石體積含量為40%的復(fù)合材料熱 導(dǎo)率可由 496W/mK 提高到 599W/mK;文獻(xiàn) 2 "Thermal conductivity and microstructure of Al/diamond composites with Ti-coated diamond particles consolidated by spark plasma sintering"(等離子體燒結(jié)鍍Ti金剛石/錯(cuò)復(fù)合材料的熱導(dǎo)率與顯微結(jié) 構(gòu))(Journal of Composite Materials 46(2012) 1127-1136)通過在金剛石顆粒表面鍛 覆厚度為〇. 5 μ m的Ti金屬層,改善金剛石與鋁的界面結(jié)合,使金剛石體積含量為40% 的復(fù)合材料熱導(dǎo)率由325W/mK提高到433W/mK。然而,文獻(xiàn)3 "A predictive model for interfacial thermal conductance in surface metallized diamond aluminum matrix composites"(表面金屬化金剛石/錯(cuò)復(fù)合材料的界面熱導(dǎo)預(yù)測模型)(Materials and Design 55(2014)257-262)與文獻(xiàn)4 "鍍層厚度對(duì)鍍鈦金剛石/鋁復(fù)合材料熱導(dǎo)率的影 響"(中國有色金屬學(xué)報(bào),23 (2013) 802-808)已分別從理論和試驗(yàn)兩方面證實(shí):復(fù)合材料 熱導(dǎo)率隨界面鍍層厚度增加而急劇下降,金剛石等顆粒表面鍍覆W、Ti等較未鍍覆顆粒雖 能提高復(fù)合材料的界面結(jié)合和熱導(dǎo)率,但其仍與理論值相差較大,其存在的主要問題在于: (1)與顆粒增強(qiáng)體、鋁基體相比,界面層的熱導(dǎo)率太低(如w、Ti分別為178W/mK和21. 9W/ mK) ; (2)鍍層厚度太大(一般高于lOOnm),因鍍層引入而增加的復(fù)合材料界面熱阻較大,導(dǎo) 致復(fù)合材料熱導(dǎo)率與理論值相距很大;(3)顆粒表面鍍層的厚度和均勻性較難控制,界面 改性效果不理想。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷,本發(fā)明的目的是提供一種石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合 材料及其粉末冶金制備方法,能獲得熱導(dǎo)率更高、化學(xué)穩(wěn)定性更好、不含界面反應(yīng)相的高導(dǎo) 熱顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料,便于其在熱管理領(lǐng)域的推廣應(yīng)用。
[0005] 為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0006] 本發(fā)明提供一種石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料,所述復(fù)合材料包括增強(qiáng)體顆 粒與鋁基體,所述增強(qiáng)體顆粒與鋁基體的復(fù)合界面上含有高導(dǎo)熱石墨烯納米片。
[0007] 優(yōu)選的,所述的增強(qiáng)體顆粒為碳化硅、金剛石、片狀石墨顆粒的高導(dǎo)熱材料。
[0008] 優(yōu)選的,所述增強(qiáng)體顆粒的等效粒徑為20-600 μ m。
[0009] 優(yōu)選的,所述增強(qiáng)體顆粒在整個(gè)所述復(fù)合材料中的體積含量為20-65%。進(jìn)一步優(yōu) 選的,所述增強(qiáng)體顆粒的體積含量為40-60%。
[0010] 優(yōu)選的,所述石墨烯納米片為單層或多層石墨烯。
[0011] 優(yōu)選的,所述石墨烯納米片的厚度為〇. 3-20nm。
[0012] 優(yōu)選的,所述石墨烯納米片的片徑為0. 3-20 μ m。
[0013] 優(yōu)選的,所述的鋁基體為純鋁或其合金。
[0014] 本發(fā)明提供一種石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料的粉末冶金制備方法,所述方 法采用石墨烯納米片對(duì)高導(dǎo)熱顆粒進(jìn)行表面改性包覆,獲得石墨烯改性顆粒,由石墨烯改 性顆粒與鋁基體復(fù)合獲得高導(dǎo)熱石墨烯改性顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料;
[0015] 所述方法包括如下步驟:
[0016] (1)將增強(qiáng)體顆粒用強(qiáng)酸溶液浸泡,然后用去離子水清洗至中性、烘干,去除表面 雜質(zhì),得到活化處理的增強(qiáng)體顆粒;
[0017] (2)將活化處理的增強(qiáng)體顆粒加入到石墨烯分散液中,通過機(jī)械攪拌或超聲分散, 在增強(qiáng)體顆粒表面包覆石墨烯納米片,制備石墨烯改性的增強(qiáng)體顆粒;
[0018] (3)將石墨烯改性的增強(qiáng)體顆粒與鋁基體粉末混合,通過壓坯和燒結(jié),制備石墨烯 改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料。
[0019] 優(yōu)選的,所述的鋁基體為純鋁或其合金,初始所述鋁基體粉末的等效粒徑為 20-600 μ m〇
[0020] 本發(fā)明的原理:
[0021] 高導(dǎo)熱材料的增強(qiáng)體顆粒經(jīng)過強(qiáng)酸腐蝕活化處理后,顆粒表面雜質(zhì)被去除并生成 一定數(shù)量的活性質(zhì)點(diǎn);而采用機(jī)械攪拌或超聲分散,在水或乙醇介質(zhì)中添加適量的表面改 性劑后,石墨烯納米片可由團(tuán)聚態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榫鶆蚍稚⒌膩喎€(wěn)態(tài),石墨烯納米片與分散介質(zhì)形 成亞穩(wěn)態(tài)分散液;亞穩(wěn)態(tài)分散液中的石墨烯納米片具有較高的失穩(wěn)趨勢(shì),與活化處理后的 增強(qiáng)體顆?;旌虾?,輔以機(jī)械攪拌或超聲振蕩,亞穩(wěn)態(tài)遭到破壞,而添加的表面改性劑可抑 制石墨烯納米片相互之間的團(tuán)聚,促使石墨烯納米片失穩(wěn)、附著在活化處理后的增強(qiáng)體顆 粒表面,并被顆粒表面的活性點(diǎn)吸附釘扎,石墨烯納米片被牢固地吸附在強(qiáng)酸活化顆粒表 面,即制備出石墨烯改性的增強(qiáng)體顆粒。石墨烯納米片特殊的片狀結(jié)構(gòu)與納米尺寸,輔以表 面改性劑對(duì)其之間重新團(tuán)聚的抑制作用,使石墨烯納米片易于在顆粒表面分散均勻、厚度 均一;通過調(diào)整所用的石墨烯納米片的厚度以及表面改性劑種類、石墨烯改性顆粒的處理 次數(shù)等,可靈活調(diào)控顆粒表面包覆石墨烯納米片的厚度。采用壓坯和燒結(jié)方法,將石墨烯改 性顆粒與純鋁或鋁合金復(fù)合,即可制備出高導(dǎo)熱石墨烯改性的高導(dǎo)熱顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材 料。由于石墨烯在高溫下具有極高的化學(xué)穩(wěn)定性,在常規(guī)制備技術(shù)條件下很難與金屬鋁發(fā) 生化學(xué)反應(yīng),在金剛石表面引入一層石墨烯納米片,可避免高導(dǎo)熱顆粒與鋁的直接接觸,從 而避免其與鋁基體的界面反應(yīng);同時(shí)由于石墨烯具有極高的熱導(dǎo)率(3000-5200W/mK),因 此與未引入石墨烯或采用傳統(tǒng)金屬鍍膜的顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料相比,石墨烯的引入可顯 著降低復(fù)合界面熱阻,提高復(fù)合材料熱導(dǎo)率。
[0022] 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下的有益效果:
[0023] (1)石墨烯改性的增強(qiáng)體顆粒既可避免其與鋁的反應(yīng),又能降低復(fù)合界面熱阻,使 復(fù)合材料具有較高的熱導(dǎo)率;
[0024] (2)石墨烯特殊的片狀結(jié)構(gòu)與納米尺寸,使其易于在顆粒表面均勻分散和吸附,石 墨烯的厚度和均勻性容易調(diào)控。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025] 通過閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述,本發(fā)明的其它特征、 目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0026] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例的制備工藝流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。以下實(shí)施例將有助于本領(lǐng)域的技術(shù) 人員進(jìn)一步理解本發(fā)明,但不以任何形式限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn)。這些都屬于本發(fā)明 的保護(hù)范圍。
[0028] 本發(fā)明以下提供一種石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料及其粉末冶金制備方法, 該方法采用石墨烯納米片對(duì)高導(dǎo)熱顆粒進(jìn)行表面改性包覆,獲得石墨烯改性顆粒,由石墨 烯改性顆粒與鋁基體復(fù)合獲得高導(dǎo)熱石墨烯改性的鋁基復(fù)合材料。由于石墨烯化學(xué)穩(wěn)定 性高、厚度小、熱導(dǎo)率高,能有效防止高導(dǎo)熱增強(qiáng)體顆粒(如碳化硅、金剛石、片狀石墨顆粒 等)與鋁基體發(fā)生化學(xué)反應(yīng),避免生成Al 4C3等有害界面反應(yīng)產(chǎn)物,保證增強(qiáng)體顆粒與鋁基 體之間具有高界面熱導(dǎo)。所以,制備的復(fù)合材料化學(xué)穩(wěn)定性好,熱導(dǎo)率高,可用作大功率半 導(dǎo)體元器件的熱管理材料。
[0029] 以下實(shí)施例中,采用的所述的石墨烯分散液的濃度為5. Omg/ml,石墨烯、增強(qiáng)體 顆粒及鋁基體的詳細(xì)參數(shù)如表1所示。壓坯可采用模壓、等靜壓等現(xiàn)有技術(shù)在50-400MPa 壓力下壓制,燒結(jié)可采用真空燒結(jié)、真空壓力燒結(jié)、保護(hù)氣氛燒結(jié)、氣氛壓力燒結(jié)、等離子體 燒結(jié)、微波燒結(jié)等現(xiàn)有技術(shù)在450-650°C溫度下或同時(shí)加載30-300MPa軸向壓力進(jìn)行,制 備的樣品尺寸為Φ12. 7X3. Omm,用于熱導(dǎo)率測試。材料的室溫?zé)釋?dǎo)率(TC)由公式λ = α X P Xe計(jì)算得出,其中:α為室溫?zé)釘U(kuò)散系數(shù),采用德國耐馳公司LFA447設(shè)備通過激 光閃射法測得;P為材料的密度,采用阿基米德排水法測得;c為復(fù)合材料的比熱容。實(shí)施 例中給出的熱導(dǎo)率均為室溫測試結(jié)果。表1給出的是各實(shí)施例中的工藝參數(shù)和最終材料性 能。
[0030] 表1各實(shí)施例中的工藝參數(shù)和材料導(dǎo)熱性能

【權(quán)利要求】
1. 一種石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料,其特征在于所述復(fù)合材料包括增強(qiáng)體顆粒 與鋁基體,所述增強(qiáng)體顆粒與鋁基體的復(fù)合界面上含有高導(dǎo)熱石墨烯納米片。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料,其特征在于所述的增強(qiáng) 體顆粒為碳化硅、金剛石、片狀石墨顆粒的高導(dǎo)熱材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料,其特征在于所述增強(qiáng)體 顆粒的等效粒徑為20-600 μ m。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料,其特征在于所述增強(qiáng)體 顆粒在整個(gè)所述復(fù)合材料中的體積含量為20-65%。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料,其特征在于所述增強(qiáng)體 顆粒的體積含量為40-60%。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料,其特征在于所 述石墨烯納米片為單層或多層石墨烯。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料,其特征在于所述石墨烯 納米片的厚度為〇.3-20nm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料,其特征在于所述石墨烯 納米片的片徑為〇. 3-20 μ m。
9. 一種權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料的粉末冶金制備 方法,其特征在于,所述方法包括如下步驟: (1) 將增強(qiáng)體顆粒用強(qiáng)酸溶液浸泡,然后用去離子水清洗至中性、烘干,去除表面雜質(zhì), 得到活化處理的增強(qiáng)體顆粒; (2) 將活化處理的增強(qiáng)體顆粒加入到石墨烯分散液中,通過機(jī)械攪拌或超聲分散,在增 強(qiáng)體顆粒表面包覆石墨烯納米片,制備石墨烯改性的增強(qiáng)體顆粒; (3) 將石墨烯改性的增強(qiáng)體顆粒與鋁基體粉末混合,通過壓坯和燒結(jié),制備石墨烯改性 的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種石墨烯改性的高導(dǎo)熱鋁基復(fù)合材料的粉末冶金制 備方法,其特征在于,所述的鋁基體為純鋁或其合金,初始所述鋁基體粉末的等效粒徑為 20-600 μ m〇
【文檔編號(hào)】B82Y40/00GK104264000SQ201410446798
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月3日
【發(fā)明者】譚占秋, 李志強(qiáng), 范根蓮, 張荻 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)
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