專(zhuān)利名稱(chēng)：一種主從雙空腔結(jié)構(gòu)式汽車(chē)用熱膜空氣流量mems傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種主從雙空腔結(jié)構(gòu)式汽車(chē)用熱膜空氣流量MEMS傳感器，具體的 說(shuō)，是采用MEMS工藝在膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻基底區(qū)域刻蝕一個(gè)主空腔，同時(shí)在膜加熱 電阻和膜測(cè)溫電阻引線(xiàn)基底區(qū)域刻蝕一個(gè)從空腔。
背景技術(shù)：
汽車(chē)用空氣流量傳感器主要應(yīng)用于現(xiàn)代汽車(chē)電子控制燃油噴射系統(tǒng)(EFI)中，一 般安裝在空氣濾清器和節(jié)氣門(mén)體之間，用它來(lái)測(cè)量吸入發(fā)動(dòng)機(jī)中的空氣量的多少，作為決 定基本噴油量的主要參數(shù)。汽車(chē)用空氣流量傳感器根據(jù)測(cè)量原理不同，可以分為旋轉(zhuǎn)翼片 式空氣流量傳感器、卡門(mén)渦游式空氣流量傳感器、熱線(xiàn)式空氣流量傳感器和熱膜式空氣流 量傳感器四種型式。熱膜空氣流量MEMS傳感器是目前國(guó)際上最先進(jìn)的氣體流量檢測(cè)技術(shù)，這種傳感 器的典型結(jié)構(gòu)包括Si空腔、支撐薄膜、加熱電阻和測(cè)溫電阻組成。薄膜下的Si空腔，起 到減少熱容和絕熱的作用，進(jìn)而提高傳感器的響應(yīng)時(shí)間和靈敏度。目前國(guó)際國(guó)內(nèi)采用MEMS 工藝制備的熱膜空氣流量傳感器都是在膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻下面刻蝕一個(gè)空腔，很顯 然，此空腔僅對(duì)空腔上方的熱膜起到減少熱容和絕熱的作用，但是，熱膜電阻的引線(xiàn)部分其 實(shí)也是一層薄膜結(jié)構(gòu)，同樣具有一定的電阻值和發(fā)熱量，其熱容和絕熱的問(wèn)題依舊存在，勢(shì) 必會(huì)降低傳感器的響應(yīng)時(shí)間和靈敏度。本發(fā)明就是通過(guò)在MEMS工藝在膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻基底區(qū)域刻蝕一個(gè)主空 腔，同時(shí)在膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻引線(xiàn)基底區(qū)域刻蝕一個(gè)從空腔。采用這種主從雙空腔 結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步降低膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻引線(xiàn)部分的熱容，進(jìn)一步對(duì)膜加熱電阻和 膜測(cè)溫電阻引線(xiàn)部分絕熱，進(jìn)而進(jìn)一步提高傳感器的響應(yīng)時(shí)間和靈敏度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一種主從雙空腔結(jié)構(gòu)式汽車(chē)用熱膜空氣流量MEMS傳感器，完成如下發(fā)明 內(nèi)容通過(guò)MEMS工藝在膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻基底區(qū)域刻蝕一個(gè)主空腔，同時(shí)在膜 加熱電阻和膜測(cè)溫電阻引線(xiàn)基底區(qū)域刻蝕一個(gè)從空腔。


圖1是主從雙空腔結(jié)構(gòu)式汽車(chē)用熱膜空氣流量MEMS傳感器的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
權(quán)利要求
1.一種主從雙空腔結(jié)構(gòu)式汽車(chē)用熱膜空氣流量MEMS傳感器(100)，是通過(guò)MEMS工藝 在膜加熱電阻(1)和膜測(cè)溫電阻(2)基底區(qū)域刻蝕一個(gè)主空腔(3)，同時(shí)在膜加熱電阻和膜 測(cè)溫電阻引線(xiàn)(4)基底區(qū)域刻蝕一個(gè)從空腔(5)。
2.如權(quán)利要求書(shū)1，一種主從雙空腔結(jié)構(gòu)式汽車(chē)用熱膜空氣流量MEMS傳感器，其特征 在于所述的膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻包括但不限于鉬(Pt)膜。
3.如權(quán)利要求書(shū)1，一種主從雙空腔結(jié)構(gòu)式汽車(chē)用熱膜空氣流量MEMS傳感器，其特征 在于所述的基底區(qū)域包括但不限于硅(Si)片。
4.如權(quán)利要求書(shū)1，一種主從雙空腔結(jié)構(gòu)式汽車(chē)用熱膜空氣流量MEMS傳感器，其特征 在于所述的MEMS工藝刻蝕方式包括干法刻蝕方式和濕法刻蝕方式。
全文摘要
本發(fā)明一種主從雙空腔結(jié)構(gòu)式汽車(chē)用熱膜空氣流量MEMS傳感器(100)，是通過(guò)MEMS工藝在膜加熱電阻(1)和膜測(cè)溫電阻(2)基底區(qū)域刻蝕一個(gè)主空腔(3)，同時(shí)在膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻引線(xiàn)(4)基底區(qū)域刻蝕一個(gè)從空腔(5)。采用這種主從雙空腔結(jié)構(gòu)，可以降低膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻引線(xiàn)部分的熱容，對(duì)膜加熱電阻和膜測(cè)溫電阻引線(xiàn)部分絕熱，進(jìn)而提高傳感器的響應(yīng)時(shí)間和靈敏度。
文檔編號(hào)B81B3/00GK102128655SQ20101057731
公開(kāi)日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月8日
發(fā)明者吳俊輝, 朱小茅, 沈寒冰 申請(qǐng)人:蘇州谷之道軟件科技有限公司