專利名稱：Mems微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有屏蔽功能的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)：
MEMS微傳感器是以MEMS技術(shù)為手段設(shè)計、加工并進行封裝的一系列微型傳感器的統(tǒng)稱，其包括壓力傳感器、濕度傳感器、溫度傳感器、加速度傳感器等。MEMS微傳感器的封裝是MEMS傳感器走向市場被客戶接受并廣泛應(yīng)用的最后一步，也是MEMS微傳感器制造中十分關(guān)鍵的一步。由于MEMS微傳感器的不同種類、原理和應(yīng)用范圍，MEMS微傳感器具有多種多樣的封裝形式。例如，目前的壓力傳感器封裝，主要包括壓力傳感器芯片、金屬底座、金屬罩、硅油和彈片。一般通過焊接方式將金屬罩和金屬底座形成密閉腔體，芯片裝在底座上，腔體中注滿硅油，壓力通過彈片和硅油作用在芯片上，然而，這種封裝形式具有制作難度高、成本高及體積大等不足之處。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種屏蔽效果較好、結(jié)構(gòu)簡單可靠的MEMS 微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其適合大批量生產(chǎn)要求制造該MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，包括基板及固定于基板上的蓋體，所述基板與蓋體共同圍成一個腔體，所述基板包括面向腔體的內(nèi)壁及與內(nèi)壁相對的外壁，所述MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)還設(shè)有安裝于內(nèi)壁上且突伸入腔體內(nèi)的MEMS微傳感器芯片；所述基板或蓋體設(shè)有與腔體連通的氣孔，使得外界待測物理信號可通過氣孔進入腔體并被MEMS微傳感器芯片感知及檢測；所述基板及蓋體主要由絕緣材料制成，但是，所述蓋體的內(nèi)表面鍍有圍繞在MEMS微傳感器芯片外圍的第一金屬環(huán)，所述基板的內(nèi)壁在基板與蓋體的結(jié)合處鍍有第二金屬環(huán)，并且所述第一金屬環(huán)與第二金屬環(huán)通過粘接膠實現(xiàn)固定并相互導(dǎo)通以形成金屬屏蔽區(qū)；所述基板還包括與MEMS 微傳感器芯片電性連接的第一金屬化孔及與第二金屬環(huán)電性連接的第二金屬化孔，并且所述基板的外壁設(shè)有覆蓋于第一、第二金屬化孔上且與第一、第二金屬化孔對應(yīng)連接的第一、 第二金屬電極。作為本發(fā)明的進一步改進，所述蓋體包括中空的豎直體及覆蓋于豎直體上且與基板相對的蓋板，其中，所述第一金屬環(huán)覆蓋于豎直體的內(nèi)表面；所述蓋板的內(nèi)表面鍍有作為屏蔽的第三金屬環(huán)，并且所述第一金屬環(huán)與第三金屬環(huán)相互接觸。作為本發(fā)明的進一步改進，所述豎直體與蓋板分開設(shè)置并相互固定在一起，所述蓋板的外表面分別設(shè)有與第三金屬環(huán)電性連接的第三金屬電極及與MEMS微傳感器芯片電性連接的第四金屬電極，所述MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)可選擇性的將第二金屬電極及第三金屬電極中的其中一個，及第一金屬電極及第四金屬電極中的其中一個，共同作為MEMS 微傳感器在安裝時的引出電極。
作為本發(fā)明的進一步改進，所述第三金屬環(huán)設(shè)有在橫向上位于第一金屬環(huán)外側(cè)的延伸部，所述延伸部與第二金屬環(huán)在豎直方向至少部分重疊；所述蓋板設(shè)有與延伸部接觸的第三金屬化孔，所述第三金屬電極覆蓋于第三金屬化孔上且與第三金屬化孔接觸。作為本發(fā)明的進一步改進，所述MEMS微傳感器芯片為壓力傳感器芯片或濕度傳感器芯片或溫度傳感器芯片或化學(xué)傳感器芯片。作為本發(fā)明的進一步改進，所述MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有連接MEMS微傳感器芯片與第一金屬化孔的金屬引線，及包覆于MEMS微傳感器芯片及金屬引線上的灌封膠， 并且外界待測物理信號可穿過灌封膠被MEMS微傳感器芯片感知及檢測。作為本發(fā)明的進一步改進，所述灌封膠完全包覆MEMS微傳感器芯片及金屬引線。作為本發(fā)明的進一步改進，所述絕緣材料為塑料或環(huán)氧樹脂，所述腔體內(nèi)還設(shè)有與MEMS微傳感器芯片配合的信號處理元件。作為本發(fā)明的進一步改進，所述氣孔可以通過設(shè)在基板內(nèi)部或設(shè)在蓋體和基板內(nèi)部的彎折管道來形成。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)方案一種MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括如下步驟提供第一面板，所述第一面板設(shè)置用以對應(yīng)多個MEMS微傳感器的多個基板；所述基板的內(nèi)壁鍍有第二金屬環(huán)，基板設(shè)置第一金屬化孔及與第二金屬環(huán)接觸的第二金屬化孔，并在基板的外壁上設(shè)置分別與第一、第二金屬化孔連接的第一、第二金屬電極；提供多個MEMS微傳感器芯片，并將這些MEMS微傳感器芯片通過粘接膠固定到每個基板上，使每一個MEMS微傳感器芯片位于對應(yīng)的第二金屬環(huán)內(nèi)，并對粘接膠進行固化；鍵合金屬引線將MEMS微傳感器芯片與第一、第二金屬化孔電性連接；提供第二面板，所述第二面板設(shè)置多個蓋體，并在所述蓋體的內(nèi)表面鍍有第一金屬環(huán)；將第二面板粘接固定到第一面板上，所述基板和蓋體在對應(yīng)第二金屬環(huán)的位置結(jié)合以形成腔體，所述MEMS微傳感器芯片被包圍在腔體中，并且第一金屬環(huán)與第二金屬環(huán)相互接觸；最后，將第一、第二面板進行分割，以得到多個MEMS微傳感器。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明第一金屬環(huán)與第二金屬環(huán)相互導(dǎo)通以形成金屬屏蔽區(qū)， 從而可以實現(xiàn)較好的屏蔽效果；另外，第一金屬環(huán)與第二金屬環(huán)通過粘接膠實現(xiàn)固定，結(jié)構(gòu)簡單可靠。此外，本發(fā)明通過包含多個基板及蓋體單元的第一、第二面板進行組裝，適合于大批量生產(chǎn)。

圖1是本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)第一實施方式的截面圖。圖2是本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)第二實施方式的截面圖。圖3是本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)第三實施方式的截面圖。圖4是本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)第四實施方式的截面圖。圖5是本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)第五實施方式的截面圖。圖6是本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)第六實施方式的截面圖。
圖7是本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)第七實施方式的截面圖。圖8是本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)第八實施方式的截面圖。圖9是本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)制造方法的示意圖。
具體實施方式實施方式一請參圖1所示，本發(fā)明公開了一種MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其包括基板1及固定于基板1上的蓋體2。所述基板1與蓋體2對準粘接固定在一起以共同圍成一個腔體3。 所述基板1包括面向腔體3的內(nèi)壁11及與內(nèi)壁11相對的外壁12。所述基板1的內(nèi)壁11 上安裝有突伸入腔體3內(nèi)的MEMS微傳感器芯片4。所述MEMS微傳感器芯片4為壓力傳感器芯片或濕度傳感器芯片或溫度傳感器芯片或化學(xué)傳感器芯片等?；?包括貫穿內(nèi)壁11 與外壁12的第一金屬化孔13及第二金屬化孔14。所述基板1主要由絕緣材料(如塑料或環(huán)氧樹脂)制成，且基板1的內(nèi)壁11鍍有與第二金屬化孔14連接的第二金屬環(huán)15。另外，基板1的內(nèi)壁11設(shè)有暴露于腔體3內(nèi)且與第一金屬化孔13連接的內(nèi)電極16。所述基板1的外壁12設(shè)有分別與第一、第二金屬化孔13、14對應(yīng)連接的第一、第二金屬電極17、 18。所述MEMS微傳感器芯片4與內(nèi)電極16通過若干金屬引線5相互連接，并通過與MEMS 微傳感器芯片4電性連接的第一金屬電極17，而將最終引出MEMS微傳感器芯片4。所述第一、第二金屬電極17、18用作本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)最終應(yīng)用(如安裝)時的引出電極。所述蓋體2包括中空的豎直體21及覆蓋于豎直體21上且與基板1相對的蓋板22。 所述蓋體2主要也由絕緣材料(如塑料或環(huán)氧樹脂)制成。但是，豎直體21的內(nèi)表面鍍有包圍在MEMS微傳感器芯片4外圍的第一金屬環(huán)23。所述第一金屬環(huán)23與第二金屬環(huán)15 相互接觸以形成金屬屏蔽區(qū)。所述第一金屬環(huán)23與第二金屬環(huán)15通過粘接膠實現(xiàn)固定并相互導(dǎo)通，以方便制作。在本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的第一實施方式中，所述豎直體21與蓋板22 是一體設(shè)置的，并且所述蓋板22的內(nèi)表面也設(shè)有與第一金屬環(huán)23接觸的第三金屬環(huán)M，以增大金屬屏蔽區(qū)。所述蓋板22設(shè)有與腔體3連通的氣孔6，使得外界待測物理信號可通過該氣孔6進入腔體3并被MEMS微傳感器芯片4感知及檢測。所述第一、第二及第三金屬環(huán) 23,15,24連接到第二金屬電極18上實現(xiàn)接地，以屏蔽外界電磁信號之干擾。實施方式二 請參圖2所示，本實施方式所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)與實施方式一所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于本實施方式中蓋體2的豎直體21與蓋板 22是分開設(shè)置然后相互粘貼固定在一起。所述第三金屬環(huán)M設(shè)有在橫向上位于第一金屬環(huán)23外側(cè)的延伸部M1，所述延伸部241與第二金屬環(huán)15在豎直方向至少部分重疊。如此設(shè)置，所述第一、第二及第三金屬環(huán)23、15、M連接到第二金屬電極18上實現(xiàn)接地，同樣可以實現(xiàn)較好的屏蔽效果。實施方式三請參圖3所示，本實施方式所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)與實施方式二所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于本實施方式中的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有完全包覆MEMS微傳感器芯片4及金屬引線5上的灌封膠41。所述灌封膠41應(yīng)具有收縮率低及應(yīng)力小等特性，如硅橡膠等，其用于保護MEMS微傳感器芯片4，同時外界待測物理信號可穿過灌封膠41被MEMS微傳感器芯片4感知及檢測。實施方式四請參圖4所示，本實施方式所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)與實施方式二所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于本實施方式中的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)還設(shè)有與MEMS微傳感器芯片4連接的信號處理元件42，所述信號處理元件42通過金屬引線5連接到內(nèi)電極16上。實施方式五請參圖5所示，本實施方式所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)與實施方式二所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于本實施方式中的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)在其蓋板22的外表面上分別設(shè)有與第三金屬環(huán)M電性連接的第三金屬電極25及與 MEMS微傳感器芯片4電性連接的第四金屬電極沈。所述蓋板22設(shè)有貫穿的第三、第四金屬化孔27、28，并且所述第三、第四金屬電極25 J6分別對應(yīng)覆蓋于第三、第四金屬化孔27、 28上。其中，第三金屬化孔27連接第三金屬環(huán)M的延伸部241與第三金屬電極25，使所述第三金屬電極25與第二金屬電極18的功能相同。同理，所述第四金屬電極沈與第一金屬電極17的功能也相同。也就是說，所述MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)可選擇性的將第二金屬電極18及第三金屬電極27中的其中一個，及第一金屬電極17及第四金屬電極觀中的其中一個，共同作為MEMS微傳感器在安裝時的引出電極，使得本實施方式中的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)可以滿足雙面貼裝的要求，從而提高應(yīng)用靈活性。實施方式六請參圖6所示，本實施方式所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)與實施方式二所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于本實施方式中的氣孔6設(shè)置于基板1上而不是蓋板22，使得外部待測信號可通過背面進入腔體3并被MEMS微傳感器芯片4感知及檢測。實施方式七請參圖7所示，本實施方式所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)與實施方式二所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于本實施方式中的氣孔6是由設(shè)置在基板1 及蓋體2內(nèi)的彎折管道形成的。所述彎折管道包括設(shè)置于基板1內(nèi)的U形管道61、設(shè)置于豎直體21 —側(cè)且與U形管道61 —端對齊的第一豎直管道62、及貫穿蓋板22且與第一豎直管道62對齊的第二豎直管道63。外部待測信號可通過彎折管道進入腔體3并被MEMS微傳感器芯片4感知及檢測。實施方式八請參圖8所示，本實施方式所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)與實施方式六所揭示的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的主要區(qū)別在于本實施方式中的氣孔6為Z形且延伸穿過基板1的外壁12。通過靈活放置氣孔6在基板1外壁12的位置，以提高MEMS微傳感器的適用性。圖9揭示了本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的整板制作的原理。所述基板1和蓋體2是以單元7的形式分別制作在不同面板上，所述基板1所在的面板與蓋體2所在面板通過位于面板角落的定位點9進行定位對準粘接。并利用定位孔8通過相應(yīng)夾具固定后通過加熱等方式對導(dǎo)電粘接劑進行固化。所述定位點9還可用作在MEMS微傳感器芯片4 及信號處理元件42的貼裝及相應(yīng)鍵合金屬引線5的工藝中實現(xiàn)定位。具體地，本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括如下步驟提供第一面板，所述第一面板設(shè)置用以對應(yīng)多個MEMS微傳感器的多個基板1 ；所述基板1的內(nèi)壁11鍍有第二金屬環(huán)15，基板1設(shè)置第一金屬化孔13及與第二金屬環(huán)15接觸的第二金屬化孔14，并在基板1的外壁12上設(shè)置分別與第一、第二金屬化孔13、14連接的第一、第二金屬電極17、18;提供多個MEMS微傳感器芯片4，并將這些MEMS微傳感器芯片4通過粘接膠固定到每個基板1上，使每一個MEMS微傳感器芯片4位于對應(yīng)的第二金屬環(huán)15內(nèi)(即被第二金屬環(huán)15包圍)，并對粘接膠進行固化(如加熱)；鍵合金屬引線5將MEMS微傳感器芯片4與第一金屬化孔13電性連接；提供第二面板，所述第二面板設(shè)置多個蓋體2，并在所述蓋體2的內(nèi)表面鍍有第一金屬環(huán)23 ；將第二面板粘接固定到第一面板上，所述基板1和蓋體2在對應(yīng)第二金屬環(huán)15的位置結(jié)合以形成腔體3，所述MEMS微傳感器芯片4被完全包圍在腔體3中，并且第一金屬環(huán) 23與第二金屬15環(huán)相互接觸；最后，將第一、第二面板進行分割，以得到封裝好的多個MEMS微傳感器。本發(fā)明MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)是一種通用的封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)形式可用于壓力傳感器、濕度傳感器、化學(xué)傳感器等多種MEMS微傳感器芯片的封裝，且封裝結(jié)構(gòu)具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、使用靈活方便、適宜自動化生產(chǎn)等優(yōu)點。綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，不應(yīng)以此限制本發(fā)明的范圍，即凡是依本發(fā)明權(quán)利要求書及發(fā)明說明書內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，包括基板及固定于基板上的蓋體，所述基板與蓋體共同圍成一個腔體，所述基板包括面向腔體的內(nèi)壁及與內(nèi)壁相對的外壁，所述MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)還設(shè)有安裝于內(nèi)壁上且突伸入腔體內(nèi)的MEMS微傳感器芯片；所述基板或蓋體設(shè)有與腔體連通的氣孔，使得外界待測物理信號可通過氣孔進入腔體并被MEMS微傳感器芯片感知及檢測；其特征在于所述基板及蓋體主要由絕緣材料制成，但是，所述蓋體的內(nèi)表面鍍有圍繞在MEMS微傳感器芯片外圍的第一金屬環(huán)，所述基板的內(nèi)壁在基板與蓋體的結(jié)合處鍍有第二金屬環(huán)，并且所述第一金屬環(huán)與第二金屬環(huán)通過粘接膠實現(xiàn)固定并相互導(dǎo)通以形成金屬屏蔽區(qū)；所述基板還包括與MEMS微傳感器芯片電性連接的第一金屬化孔及與第二金屬環(huán)電性連接的第二金屬化孔，并且所述基板的外壁設(shè)有覆蓋于第一、第二金屬化孔上且與第一、第二金屬化孔對應(yīng)連接的第一、第二金屬電極。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述蓋體包括中空的豎直體及覆蓋于豎直體上且與基板相對的蓋板，其中，所述第一金屬環(huán)覆蓋于豎直體的內(nèi)表面；所述蓋板的內(nèi)表面鍍有作為屏蔽的第三金屬環(huán)，并且所述第一金屬環(huán)與第三金屬環(huán)相互接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述豎直體與蓋板分開設(shè)置并相互固定在一起，所述蓋板的外表面分別設(shè)有與第三金屬環(huán)電性連接的第三金屬電極及與MEMS微傳感器芯片電性連接的第四金屬電極，所述MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)可選擇性的將第二金屬電極及第三金屬電極中的其中一個，及第一金屬電極及第四金屬電極中的其中一個，共同作為MEMS微傳感器在安裝時的引出電極。
4.如權(quán)利要求3所述的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第三金屬環(huán)設(shè)有在橫向上位于第一金屬環(huán)外側(cè)的延伸部，所述延伸部與第二金屬環(huán)在豎直方向至少部分重疊；所述蓋板設(shè)有與延伸部接觸的第三金屬化孔，所述第三金屬電極覆蓋于第三金屬化孔上且與第三金屬化孔接觸。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述MEMS微傳感器芯片為壓力傳感器芯片或濕度傳感器芯片或溫度傳感器芯片或化學(xué)傳感器芯片。
6.如權(quán)利要求1所述的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)設(shè)有連接MEMS微傳感器芯片與第一金屬化孔的金屬引線，及包覆于MEMS微傳感器芯片及金屬引線上的灌封膠，并且外界待測物理信號可穿過灌封膠被MEMS微傳感器芯片感知及檢測。
7.如權(quán)利要求6所述的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述灌封膠完全包覆 MEMS微傳感器芯片及金屬引線。
8.如權(quán)利要求1所述的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣材料為塑料或環(huán)氧樹脂，所述腔體內(nèi)還設(shè)有與MEMS微傳感器芯片配合的信號處理元件。
9.如權(quán)利要求1所述的MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述氣孔可以通過設(shè)在基板內(nèi)部或設(shè)在蓋體和基板內(nèi)部的彎折管道來形成。
10.一種MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括如下步驟提供第一面板，所述第一面板設(shè)置用以對應(yīng)多個MEMS微傳感器的多個基板；所述基板的內(nèi)壁鍍有第二金屬環(huán)，基板設(shè)置第一金屬化孔及與第二金屬環(huán)接觸的第二金屬化孔，并在基板的外壁上設(shè)置分別與第一、第二金屬化孔連接的第一、第二金屬電極；頁提供多個MEMS微傳感器芯片，并將這些MEMS微傳感器芯片通過粘接膠固定到每個基板上，使每一個MEMS微傳感器芯片位于對應(yīng)的第二金屬環(huán)內(nèi)，并對粘接膠進行固化； 鍵合金屬引線將MEMS微傳感器芯片與第一、第二金屬化孔電性連接； 提供第二面板，所述第二面板設(shè)置多個蓋體，并在所述蓋體的內(nèi)表面鍍有第一金屬環(huán)；將第二面板粘接固定到第一面板上，所述基板和蓋體在對應(yīng)第二金屬環(huán)的位置結(jié)合以形成腔體，所述MEMS微傳感器芯片被包圍在腔體中，并且第一金屬環(huán)與第二金屬環(huán)相互接觸；最后，將第一、第二面板進行分割，以得到多個MEMS微傳感器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述MEMS微傳感器的封裝結(jié)構(gòu)包括基板及固定于基板上的蓋體，所述基板與蓋體共同圍成一個腔體，所述基板包括面向腔體的內(nèi)壁、與內(nèi)壁相對的外壁及安裝于內(nèi)壁上且突伸入腔體內(nèi)的MEMS微傳感器芯片；所述基板及蓋體主要由絕緣材料制成，所述蓋體的內(nèi)表面鍍有圍繞在MEMS微傳感器芯片外圍的第一金屬環(huán)，所述基板的內(nèi)壁在基板與蓋體的結(jié)合處鍍有第二金屬環(huán)，并且所述第一金屬環(huán)與第二金屬環(huán)相互接觸以形成金屬屏蔽區(qū)，用以屏蔽外界電磁信號之干擾。
文檔編號B81C1/00GK102275859SQ20101020023
公開日2011年12月14日 申請日期2010年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月13日
發(fā)明者梅嘉欣, 陶永春 申請人:蘇州敏芯微電子技術(shù)有限公司