專利名稱：用于保護布線和集成電路器件的方法和裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明的以下具體實施例一般涉及集成電路。更具體地，這些具體實施例涉及微加工(MEMS)器件。
背景技術：
在集成電路中，通常設置不同的材料層以制造集成電路。該方法是通過沉積鈍化層以保護早先沉積的材料層來實現(xiàn)。而且，通常在集成電路上覆蓋塑性材料以防止其損壞。然而，鑒于有些集成電路由有源機械元件構成的事實，不允許在這些集成電路上覆蓋這樣的鈍化層。 例如，在微加工(MEMS)器件領域，通常提供有源機械元件(例如反射器)，其需要暴露在空氣中。在MEMS器件是由反射器構成的情況下，這些反射器必須能夠接收光傳送信號，以使這些傳送信號能夠通過來自這些反射器的反射適當?shù)匕l(fā)送。類似地，例如，其它元件允許各種光信號的折射或衍射。這些僅僅是例子，因為MEMS器件可由其它有源機械元件構成。由于當這樣的有源機械元件必須自由地移動和接收信號時不能將鈍化材料涂覆到整個電路上這一事實，這樣的MEMS器件使集成電路元件的封裝變得困難。
集成電路制造的一個方面是材料沉積，以形成在整個集成電路中傳送電信號的導體。這通常通過沉積適合在整個集成電路中傳送特定電信號的導電材料來實現(xiàn)。 一種這樣的導電材料是多晶硅，其是導電的，用于集成電路中傳送數(shù)字信號。在正常情況下，當制造傳統(tǒng)的集成電路時，這樣的導電材料可用其它材料并盡可能用鈍化層封裝，以保護導電材料免于暴露在制造工藝中經常出現(xiàn)的外部微粒。然而，在MEMS器件的制造過程中，使用這樣的封裝材料通常是不可能的，原因在于這些有源機械元件不能在不破壞其功能的條件下被封裝。因此，在封裝MEMS器件的過程中，有時有必要沉積暴露在空氣中的導體，其結果是存在的無規(guī)律微粒容易使其短路。 例如，這樣的無規(guī)律微?？梢詢H僅是存在于制造集成電路的空氣中的灰塵微粒。通常，通過使用嚴格的過濾控制將這類微粒從加工環(huán)境中過濾掉，但是，這樣的過濾不可能總是擋住每個微粒。因此， 一些微粒仍然能夠漏過過濾處理，且能夠使暴露的導體短路。
然而，更通常的是，在MEMS器件的多個制造步驟中，制造工藝本身導致硅碎片沒有被完全去除。例如，通常利用接連的材料層沉積以及部分這些材料層的中間去除來完成制造工藝。當這些層相遇時，通常從已經除去其它材料的邊緣得到材料碎片。硅是非常易碎的，因此，在材料層相遇的邊緣的硅片容易脫落，產生漂移至電路的其它部分的自由微粒。這些自由微粒不是計劃中的，但是，它們并不是不常見的。有時，這些微粒被稱之為"縱梁(stringer)"。而且，縱梁可由犧牲微粒產生，該犧牲微粒是在制造工藝過程中釋放的且仍未被該工藝的步驟完全去除的犧牲微粒。例如，有時，本來打算將材料蝕刻掉，但僅被脫離出來，而未從集成電路上去除。因此，這可導致縱梁自由地移動到電路的其它部分。
由于存在固有的灰塵和縱梁，這些微?？稍诩呻娐饭ぷ髌陂g造成導體短路。 MEMS器件常常和典型的集成電路不同。S卩，在電路區(qū)域給定單位內具有暴露導體的高密度 的情況下，MEMS器件經常以非常高的電壓工作。相反，在導體彼此絕緣的情況下，典型的集 成電路(例如，存儲器件)通常以非常低的電壓工作。而且，這樣的典型絕緣集成電路器件 通常不具有在MEMS器件中通常具有的暴露布線密度。結果，由于存在的高壓和以如此高的 電勢差工作的暴露導體的鄰近，MEMS器件容易短路。例如，與在例如一些標準集成電路存 儲器件中使用的5伏信號相比，這樣的電壓可以是數(shù)百伏。 因此，需要一種能夠降低例如由于電短路而造成的MEMS器件損壞的發(fā)生機會的 技術。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一個具體實施例提供了一種減少由集成電路中的外部微粒造成損壞的 發(fā)生的方法和裝置。根據(jù)本發(fā)明的該具體實施例，提供了用于微加工器件的基板；提供了作 為微加工器件的部分的導體，用于在微加工器件工作期間傳導電信號；以及，提供了用于導 體的保護覆蓋物(protective covering)，以便該導體被放置在基板和保護覆蓋物之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施例，微加工器件可被制造，其包括基板；焊盤 (bonding pad);放置在基板上的導體；其中該導體與該焊盤電連接；在該基板上設置有有 源機械元件(activemechanical component)，其中該有源機械元件被配置以相對于基板移 動；以及放置在該導體上的保護覆蓋物，以使導體被放置在保護覆蓋物和基板之間。
根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施例，通過在導體上沉積一層材料為導體配置保護覆 蓋物，以形成至少部分在導體周圍的隧道(tunnel)。因此，通過使用覆蓋了導體的大部分長 度的隧道，可防止導體的主要部分電短路。根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施例，在導體周圍可建立基環(huán)(ground ring)?？赏ㄟ^
將導電材料與電路的基板電連接來實現(xiàn)這樣的基環(huán)，以提供作為用于導體的保護覆蓋物的
等電位材料。因此，例如，等勢面可用來使導體與在整個電路中移動的縱梁絕緣。 對于本領域技術人員而言，通過考慮結合附圖的以下描述，其中闡明了用于實施
本發(fā)明的具體實施例的某些方法、裝置、以及制造物品，本發(fā)明的更多具體實施例是顯而易
見的。然而，應當理解，本發(fā)明并不限于所披露的細節(jié)，而是包括在本發(fā)明的精神和所附的
權利要求的范圍內的所有這樣的改變和修改。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的微加工器件的橫截面圖。 圖2是根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的微加工器件的平面圖，示出了焊盤和有源
機械元件以及被保護層覆蓋的導體和具有暴露材料的導體。 圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的集成電路的橫截面圖，顯示覆蓋多于一個 導體的材料保護層。 圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例提供微加工器件的方法的流程圖。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例提供微加工器件的方法的流程圖。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例提供集成電路的方法的流程圖。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例提供集成電路的方法的流程圖。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例在導體上配置等電位阻擋層 (equipotential barrier)的方法的流程圖。








圖9是根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。 圖10是根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。
^個具體實施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。 ^個具體實施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。 ^個具體實施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。 ^個具體實施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。 ^個具體實施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。 ^個具體實施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。 ^個具體實施例的集成電路的制造方法的橫截面圖。 -個具體實施例的集成電路的橫截面圖，說明在保護導體
圖ll是根據(jù)本發(fā)明的一' 圖12是根據(jù)本發(fā)明的-圖13是根據(jù)本發(fā)明的一' 圖14是根據(jù)本發(fā)明的-圖15是根據(jù)本發(fā)明的一' 圖16是根據(jù)本發(fā)明的-圖17是根據(jù)本發(fā)明的一' 圖18是根據(jù)本發(fā)明的-
中起隧道作用的防護阻擋層。
具體實施例方式
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的集成電路的橫截面圖。圖1示出微加工 器件100，其具有例如由硅制成的基板140。在圖1中，示出直接沉積在硅層140上的材料 氮化層(nitride layer ofmaterial)。該氮化層充當電絕緣體，同時硅充當導體。而且，圖 1示出沉積在氮化層上的導體120的橫截面圖。該導體適于在集成電路中傳導電信號。例 如，這樣的導體被用于將電信號從芯片的焊盤傳導至MEMS器件上的有源機械元件(active mechanicalcomponent)的輸入端。圖1所示橫截面圖還示出豎立在導體120周圍的保護覆 蓋物IIO。在圖1中，該保護覆蓋物由多晶硅制成，其充當導電體。微加工器件100的有源 機械元件是作為圖1中的方塊160示出。例如，該有源機械元件可以是反射從光導纖維電 纜接收的光信號的反射器。其它有源機械元件可包括但不限于，使光信號衍射或折射的器 件。圖l中示出的有源機械元件被示出能夠移過角度(e)。因此，當集成電路工作時，此有 源機械元件能夠相對于固定基板140移動。在圖1器件160中相交的虛線示出有源機械元 件相對于基板的位置和在圖1中示出的有源機械元件的示范性移動。當然，其它移動同樣 也可完成。本領域的普通技術人員將理解，例如，反射器的定位可通過在氮化層150和有源 機械元件160之間放置另外的材料層而產生。為了簡明起見，這些層未在圖1中示出。
盡管圖1示出集成電路的橫截面圖，可以理解，保護覆蓋物110不需要沿導體120 的整個長度延伸。相反，保護覆蓋物可被配置以便沿導體長度的大部分例如50%或更多、或 甚至70 % 、90 % 、或95 %的長度延伸。 圖1還示出由保護覆蓋物110和基板140形成的基環(huán)。由于保護覆蓋物位于導電 材料112和116的方塊上的事實，在圖1中其與硅層進行電連接，等電位電路則在導體120 的周圍建立起來。這樣，落在保護覆蓋物110上的松散材料(loose material)的任何碎片 在集成電路工作期間將處于地面電壓基準。而且，當被基環(huán)包圍時導體承受到的唯一電壓 將是地面電壓。此外，用基環(huán)包圍導體可有助于減少在導體傳送的信號上的電噪聲(例如電磁干擾)的影響。圖l還示出導體是鄰近材料170。此材料可以是絕緣材料(例如二氧 化硅)或可替換地，如果氧化物材料通過使用，例如，氫氟酸(HF)作為部分制造工藝釋放， 那么材料170可以僅僅是集成電路正在其中工作的空氣。 圖2是集成電路的平面圖，其舉例說明本發(fā)明的各種具體實施例。在圖2中，焊盤 280、282、284、和286被示出。焊盤280與導體220電連接，導體本身又電連接于有源機械 元件260。類似地，焊盤282與導體222進行電連接，導體本身又與有源機械器件262進行 電連接。導體222由保護覆蓋物210保護。此外，焊盤284通過暴露的導體224連接于有 源機械器件264。類似地，焊盤286通過保護導體226連接于有源機械器件266。在圖2中 示出的保護覆蓋物210和214示出配置導體的保護覆蓋物的可選方式。S卩，導體226的保 護覆蓋物示出保護覆蓋物的方形末端。與此相反，保護覆蓋物210示出保護覆蓋物210的 喇叭口或漏斗狀末端。在圖2中喇叭口作為保護覆蓋物210的角狀部分212示出。通過使 保護覆蓋物的末端張開，保護覆蓋物的壁可遠離暴露的導體延伸。這樣，由于縱梁必須足夠 長以觸及喇叭口形壁和暴露的導體這樣一事實，落在集成電路上的縱梁不太可能使材料的 暴露部分短路。通過加寬縱梁必須在暴露的導體和保護覆蓋物的壁之間移動的距離，降低 了使電路短路的可能性。類似地，保護覆蓋物相對于導體的高度可在保護材料層的末端處 增加，以便在垂直方向上實現(xiàn)相同目的。這樣，每個保護覆蓋物的末端的大體的漏斗狀將降 低在保護覆蓋物末端和暴露的導體出現(xiàn)的地方出現(xiàn)短路的可能性?？蛇x地，保護覆蓋物可 僅僅被弄成方形，如保護覆蓋物214和圖1的截面圖所示。這可能是沉積作為保護覆蓋物 的材料的更直接和更容易的方式。作為平面圖的圖2還示出保護覆蓋物可覆蓋暴露的導體 的大部分。類似地，圖2示出保護覆蓋物可為可選導體而非所有導體而制造。圖2中示出 的導體僅為示范性的?？深A見很多導體將不會直接從焊盤沿直線移動到有源器件。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施例的集成電路的橫截面圖。在圖3中，保 護覆蓋物310被用于覆蓋多于一個的導體，即導體322、324、和326。這樣，在圖3中，保護 覆蓋物310可用來保護多于一個的導體。在圖3的示例中，基板340用絕緣材料350覆蓋。 保護覆蓋物通過沉積材料312和314連接于基板340。因此，保護覆蓋物材料可以是連接于 硅基板的多晶硅。絕緣體材料可以是氮化物或氮氧化物的結合物。將保護覆蓋物連接于基 板的中間材料可以是多晶硅或金屬，其可同樣用于被保護的導體。 圖4示出用于實施根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例的方法的流程圖400。在方塊410 中，提供基板以用于微加工器件。在方塊420中，提供導體作為微加工器件的部分。在方塊 430中，提供用于導體的保護覆蓋物，以便導體被置于基板和保護覆蓋物之間。
在圖5中，流程圖500示出根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施例的方法。在方塊510 中，提供基板以用于微加工器件。在方塊520中，提供導體作為微加工器件的一部分。在方 塊530中，提供用于導體的保護覆蓋物，以便導體被置于基板和保護覆蓋物之間。在方塊 540中，基板與保護覆蓋物電連接。在方塊550中，配置保護覆蓋物以便在導體上形成隧道。 在方塊560中，完成微加工器件的制造而沒有在預先沉積的材料層上使用鈍化層。
圖6是流程圖600，其描述根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例在集成電路中保護導體 的方法。在圖6的方塊610中，提供基板。方塊620示出焊盤是置于基板之上，而方塊630 示出導體被置于基板之上，同時導體與焊盤進行電連接。方塊640示出有源機械元件被置 于基板之上，其中該有源機械元件被配置以相對于基板移動。在方塊650中，保護覆蓋物被置于導體之上，以便導體被置于保護覆蓋物和基板之間。 圖7是流程圖700，其描述根據(jù)本發(fā)明的另一個具體實施例的方法。在圖7中，方 塊710示出焊盤被提供為微加工裝置的一部分。根據(jù)方塊720，有源機械元件被提供和配 置以在微加工裝置工作期間移動。在方塊730中，導體被沉積在有源機械元件和焊盤之間。 在方塊740中，放置在機械元件和焊盤之間的導體被保護。 圖8示出為集成電路中的導體提供等電位阻擋層的本發(fā)明的具體實施例。S卩，在 方塊810中，基板被提供。如方塊820中所示，導體是放置在基板之上。并且，在方塊830 中，等電位阻擋層被配置以至少部分在導體周圍延伸。 通過沉積保護材料以覆蓋導體的大部分，可保護導體免于電短路，而不需沉積鈍 化層。這樣，可完成微加工器件的制造，而不需在其它被用于制造集成電路的預先沉積的材 料層之上沉積材料的鈍化層。 圖9至圖18示出根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例制造用于導體的保護層的工藝。在 圖9中，硅基板900被示出。在此硅層之上，氧化物例如二氧化硅910被示出已被沉積。而 且，氮化物層920被示出已被沉積。氮氧化物層形成氮氧化物疊層(stack)。這樣，硅基板 具有導電體的性質，而氮氧化物層充當電絕緣體。 圖IO說明掩?？捎糜谠诘趸飳又挟a生通道1010和1020。用于實現(xiàn)此目的的
掩模在圖io頂部示出。 圖11示出導電材料1100的沉積層。例如，在圖11中，多晶硅可用作導電材料。此 多晶硅層被沉積在氮化物層之上以便給先前在圖10中形成的通道加襯里(line)。
在圖12中，蝕刻步驟可通過使用掩模來進行。掩模在圖12頂部示出。此工藝移 去多晶硅層，留下多晶硅層1230、1210、和1220的殘余物。片段(segment) 1230和1220用 來給先前形成的通道加襯里，而剩余物1210則被掩模配置以起導體的作用。被沉積和被蝕 刻掉的多晶硅通常被稱為polyO。 圖13示出絕緣層1300例如二氧化硅的沉積。在圖13中示出的二氧化硅層充當 犧牲氧化物層。 圖14示出通過使用另一掩模，犧牲氧化物層可被蝕刻掉。這在圖14中示出，其中
犧牲氧化物層立刻在多晶硅片段上被蝕刻掉，而不是在多晶硅導體上。 圖15示出第二多晶硅層1500的沉積。在圖15中此多晶硅層被沉積在先前施加
的犧牲層上。在圖15中此多晶硅層被連接到先前沉積的多晶硅層，其將第二多晶硅層連接
于硅基板。 在圖16中，又一掩模被用于蝕刻掉部分先前施加的多晶硅層。這樣，如圖16中所 示，沉積的多晶硅層被示出存在于導體上，但在犧牲氧化物層上被移去。
在圖17中，施加了兩個額外的犧牲氧化物層。首先沉積犧牲氧化物層1700，隨后 是犧牲氧化物層1710。如可在圖17中示出的具體實施例中所看到的，第二犧牲氧化物層 1710比第一犧牲氧化物層1700要厚。這些犧牲氧化物層可用于定位有源機械元件。在沉 積犧牲氧化物層和制造電路的其它元件之后，例如通過使用氫氟酸，可釋放這些犧牲氧化 物層。氫氟酸的使用除去了材料的氧化物層，但是未去除多晶硅或氮化物層。這樣，如圖18 中所示，犧牲氧化物層的去除留下被保護覆蓋物1810a保護的導體1820。在圖18中基板 1840被氧化物層1845和氮化物層1850覆蓋。保護覆蓋物1810通過polyO材料1830和1832與硅基板1840電連接。這樣，制造工藝允許形成至少部分用保護覆蓋物覆蓋的導體。
保護覆蓋物可以多種方式沉積。例如，其可被施加為單層，由于下面的層的布局， 其可在導體周圍形成隧道。這樣的隧道在圖1的橫截面圖中示出。此隧道可沿導體的長度 延伸。如先前指出的，此隧道可部分地在導體周圍延伸，又與其它導電材料進行電連接，以 便在導體周圍形成接地電路(ground circuit)。這樣，此接地電路可延伸隧道的長度。而 且，可以預見，保護覆蓋物可由多于一種的材料組成。 根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例，等電位阻擋層可通過使用多晶硅作為等電位阻擋 層的材料來制造。而且，此多晶硅材料可與基板進行電連接以便形成等位環(huán)。此外，基板可 用信號地(circuit ground)電連接于例如與信號地連接的焊盤，以便在正被保護的導體周 圍建立基環(huán)。 制造工藝已被描述為在另一材料層"之上"設置材料層，例如保護層。詞"之上"是 指在參考層之上，例如，當基板定位在支持表面上時的基板層。然而，不要求這兩層是接連 的材料層。在這兩個參考層之間可存在中間的材料層。而且，"等位環(huán)"被理解為是指相對 于參考電壓的環(huán)的電壓在整個環(huán)內大體上相等。人們認識到，由于在集成電路器件的制造 中使用的一些材料的電阻性能(resistive properties)，在整個基環(huán)內電壓將不是精確地 相等。然而，如本領域的普通技術人員將理解的，由該材料所引入的這種可忽略的差別并不 認為從等位環(huán)的定義中除去這樣的結構。 盡管本發(fā)明的各種具體實施例已被描述為用于實施本發(fā)明的方法或裝置，應當理 解的是，一些具體實施例可通過結合至計算機的代碼例如駐留在計算機上的或可通過計算 機存取的代碼類似地實現(xiàn)。例如，軟件和數(shù)據(jù)庫可用來實施上述的許多方法。這樣，除了其 中本發(fā)明是通過硬件實現(xiàn)的具體實施例以外，還需要指出，也可通過使用一種包括計算機 可用介質(其具有包含在其中的可機讀程序代碼)的制造物品來實現(xiàn)這些具體實施例，其 能夠實現(xiàn)本描述中披露的功能。因此，希望本發(fā)明的具體實施例在其程序代碼方式也被認 為受此專利的保護。 還需要指出，本文中所列舉的許多結構、材料、和作用可被講述為用于實現(xiàn)功能或 用于實現(xiàn)功能的步驟的裝置。因此，應當理解，這樣的語言有權覆蓋在本說明書內所披露的 所有這樣的結構、材料、或作用及其等價物。 除了其中本發(fā)明是通過硬件實現(xiàn)的具體實施例以外，還需要指出，也可通過使用
一種包括計算機可用介質(其具有包含在其中的可機讀程序代碼)的制造物品來實現(xiàn)這
些具體實施例，其能夠實現(xiàn)本說明書中披露的硬件的功能和/或制造。例如，如本領域的
普通技術人員將理解的，這可以通過使用硬件描述語言(HDL)、寄存器傳遞語言(RTL)、
VERIL0G、 VHDL、或類似編程工具來完成。因此可以預見，如上所述由本發(fā)明實現(xiàn)的功能可
在核心中表現(xiàn)，該核心可用在編程代碼中并可轉變?yōu)橛布?，作為集成電路生產的一部分。因
此，希望上述的具體實施例在其程序代碼方式也被認為受本專利的保護。 應當認為，從本說明書將理解本發(fā)明的具體實施例及其許多附帶優(yōu)點，并且顯而
易見的是，可對其部分的形式、結構、和安排作出各種變化，而不偏離本發(fā)明的精神和范圍
或犧牲其所有實質性優(yōu)點，以上描述的本文的形式僅是其示范性的具體實施例。
權利要求
一種保護微加工器件中的導體的方法，所述方法包括提供用于微加工器件的基板；提供作為所述微加工器件的部分的導體，用于在所述微加工器件工作期間傳導電信號；提供用于所述導體的保護覆蓋物，以便所述導體被放置在所述基板和所述保護覆蓋物之間。
2. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述保護覆蓋物包括多晶硅。
3. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述提供保護覆蓋物包括沉積作為材料層的所述保護覆蓋物。
4. 根據(jù)權利要求3所述的方法，其中，所述材料層保護多個導體。
5. 根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括不在所述微加工器件的有源機械元件上沉積鈍化層。
6. —種微加工器件，包括基板；導體，其被配置為所述微加工器件的部分；保護覆蓋物，其被放置在所述導體之上，以便所述導體被放置在所述基板和所述保護覆蓋物之間。
7. 根據(jù)權利要求6所述的器件，其中，所述保護覆蓋物包括多晶硅。
8. 根據(jù)權利要求6所述的器件，其中，所述保護覆蓋物被沉積為材料層。
9. 根據(jù)權利要求8所述的器件，其中，所述材料層保護多個導體。
10. 根據(jù)權利要求6所述的器件，其中，所述器件被配置以在沒有鈍化層放置在所述導體之上的情況下工作。
11. 一種保護微加工器件中的導體的方法，所述方法包括提供包括基板的微加工器件；提供作為所述微加工器件的部分的導體；提供作為所述微加工器件的部分的保護覆蓋物，其中所述導體被放置在所述微加工器件的所述保護覆蓋物和所述基板之間。
12. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述提供保護覆蓋物包括將多晶硅用作所述保護覆蓋物。
13. 根據(jù)權利要求11所述的方法，其中，所述提供所述保護覆蓋物包括將所述保護覆蓋物沉積為材料層。
14. 根據(jù)權利要求13所述的方法，其中，所述材料層保護多個導體。
15. 根據(jù)權利要求11所述的方法，還包括不在所述微加工器件的有源機械元件上沉積鈍化層。
16. —種微加工裝置，包括基板；焊盤；導體，其被放置在所述基板上，其中所述導體與所述焊盤電連接；有源機械元件，其被放置在所述基板上，其中所述有源機械元件被配置以相對于所述基板移動；保護覆蓋物，其被放置在所述導體上，以使所述導體被放置在所述保護覆蓋物和所述基板之間。
17. 根據(jù)權利要求16所述的裝置，其中，所述有源機械元件包括反射器。
18. 根據(jù)權利要求17所述的裝置，其中，所述反射器包括硅。
19. 根據(jù)權利要求16所述的裝置，其中，所述有源機械元件在所述裝置工作期間被暴露在空氣中。
20. 根據(jù)權利要求16所述的裝置，其中，所述導體的一部分在所述裝置工作期間被暴露在空氣中。
21. 根據(jù)權利要求16所述的裝置，其中，所述保護覆蓋物包括多晶硅。
22. 根據(jù)權利要求16所述的裝置，其中，當至少100伏特的電壓被施加于所述保護覆蓋物時，所述保護覆蓋物可用于保護所述導體免于電短路。
23. 根據(jù)權利要求16所述的裝置，其中，所述裝置被配置以進行工作，而不沉積鈍化層。
24. —種提供微加工裝置的方法，所述方法包括提供基板；在所述基板之上放置焊盤；在所述基板之上放置導體，其中所述導體與所述焊盤電連接；在所述基板之上放置有源機械元件，其中所述有源機械元件被配置以在所述微加工裝置工作期間相對于所述基板移動；在所述導體之上放置保護覆蓋物，以使所述導體被放置在所述保護覆蓋物和所述基板之間。
25. 根據(jù)權利要求24所述的方法，其中，所述有源機械元件包括反射器。
26. 根據(jù)權利要求24所述的方法，其中，所述反射器包括硅。
27. 根據(jù)權利要求24所述的方法，其中，所述有源機械元件在所述微加工裝置工作期間被暴露在空氣中。
28. 根據(jù)權利要求24所述的方法，其中，所述導體的一部分在所述微加工裝置工作期間被暴露在空氣中。
29. 根據(jù)權利要求24所述的方法，其中，所述保護覆蓋物包括多晶硅。
30. 根據(jù)權利要求24所述的方法，其中，所述保護覆蓋物是可操作的，以便當至少100伏特的電壓被施加于所述保護覆蓋物時保護所述導體免于電短路。
31. 根據(jù)權利要求24所述的方法，還包括不在所述微加工裝置的有源機械元件上沉積鈍化層。
32. —種配置微加工裝置的方法，所述方法包括提供作為所述微加工裝置的部分的焊盤；提供有源機械元件，其中所述有源機械元件被配置以在所述微加工裝置工作期間移動；在所述有源機械元件和所述焊盤之間放置導體；用材料保護層保護所述導體的至少一部分，所述導體被放置在所述有源機械元件和所述焊盤之間，而所述材料保護層可用于保護所述導體免于電短路。
33. 根據(jù)權利要求32所述的方法，其中，所述提供有源機械元件包括提供反射器。
34. 根據(jù)權利要求32所述的方法，還包括配置所述有源機械元件以便其在所述微加工裝置工作期間被暴露在空氣中。
35. 根據(jù)權利要求32所述的方法，其中，當至少100伏特的電壓被施加于所述材料保護層時，所述材料保護層可保護所述導體。
36. 根據(jù)權利要求32所述的方法，還包括不在所述有源機械元件之上沉積鈍化層。
37. —種微加工裝置，包括焊盤；有源機械元件，被配置以在所述微加工裝置工作期間移動；導體，被放置在所述有源機械元件和所述焊盤之間；覆蓋物，被配置以保護放置在所述焊盤和所述有源機械元件之間的至少部分所述導體免于電短路。
38. 根據(jù)權利要求37所述的微加工裝置，其中所述有源機械元件包括反射器。
39. 根據(jù)權利要求37所述的微加工裝置，其中所述導體的一部分在所述微加工裝置工作期間被暴露在空氣中。
40. 根據(jù)權利要求37所述的微加工裝置，其中所述覆蓋物被配置以便當至少100伏特的電壓被施加于所述覆蓋物時保護所述導體。
41. 根據(jù)權利要求37所述的微加工裝置，其中所述微加工裝置被配置，而不沉積鈍化層。
42. —種方法，包括提供基板；在所述基板之上放置導體，其可用于傳導電信號；至少部分地在所述導體周圍配置等電位阻擋層，其可用于保護所述導體免于電短路。
43. 根據(jù)權利要求42所述的方法，其中所述配置等電位阻擋層包括在所述導體上沉積多晶硅；以及將所述多晶硅與所述基板電連接以便形成等位環(huán)。
44. 根據(jù)權利要求43所述的方法，還包括將所述等位環(huán)電連接于信號地。
45. 根據(jù)權利要求42所述的方法，還包括將所述等電位阻擋層電連接于信號地。
46. —種裝置，包括基板；導體，放置在所述基板之上，所述導體可用于傳導電信號；等電位阻擋層，至少部分地在所述導體周圍配置，且可用于保護所述導體免于電短路。
47. 根據(jù)權利要求46所述的裝置，其中所述等電位阻擋層包括多晶硅；以及其中所述多晶硅與所述基板電連接以便形成等位環(huán)。
48. 根據(jù)權利要求47所述的裝置，其中所述等位環(huán)被配置，以在所述裝置工作期間連接于信號地。
49.根據(jù)權利要求46所述的裝置，其中所述等電位阻擋層被配置，以在所述裝置工作期間連接于信號地。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種用于保護集成電路中的導體的方法和裝置。保護覆蓋物可沿導體放置在其大部分長度之上，同時允許導體的一部分被暴露。該保護覆蓋物可被配置為隧道，該隧道沿導體延伸到其大部分長度，且可用于防止集成電路工作期間發(fā)生電短路。根據(jù)本發(fā)明的一個具體實施例，集成電路可被配置為具有暴露在空氣中的有源機械元件的微加工器件。
文檔編號B81C1/00GK101792113SQ20101014948
公開日2010年8月4日 申請日期2003年8月11日 優(yōu)先權日2002年8月9日
發(fā)明者大衛(wèi)·雷耶斯, 羅伯特·L·安德森 申請人:阿爾特拉公司