專利名稱：半導(dǎo)體裝置的單片化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體基板上形成的包含微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的半導(dǎo)體裝置，所謂的MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))芯片的單片化的方法。
背景技術(shù)：
MEMS是利用半導(dǎo)體的微細(xì)加工技術(shù)，在半導(dǎo)體基板上集成微小的機(jī)械結(jié)構(gòu)體和電子電路的系統(tǒng)。一般地，MEMS芯片的單片化，與半導(dǎo)體裝置一樣，是采取借助金剛石刀具等以機(jī)械方式切斷的方法。
半導(dǎo)體裝置的單片化方法，例如，在專利文獻(xiàn)1中有記述。在專利文獻(xiàn)1中記述的半導(dǎo)體裝置的單片化方法是，通過在以晶片狀態(tài)進(jìn)行封裝的WCSP(晶片級芯片尺寸封裝)半導(dǎo)體裝置中，用只切斷密封樹脂的第一步驟和切斷半導(dǎo)體基板的第二步驟這兩個(gè)步驟進(jìn)行單片化的方法。在切斷密封樹脂的第一步驟中，進(jìn)行利用激光等的非接觸加工，而在切斷半導(dǎo)體基板的第二步驟中，進(jìn)行通常的利用金剛石刀具之類的切斷工具的接觸加工。通過進(jìn)行切斷密封樹脂的非接觸加工，可以抑制由于切斷時(shí)的外力產(chǎn)生的密封樹脂的剝離而高質(zhì)量地使半導(dǎo)體裝置單片化。
專利文獻(xiàn)1日本專利特開2001-144035號公報(bào)(第3-4頁，圖1、2)。

發(fā)明內(nèi)容
MEMS具有的機(jī)械結(jié)構(gòu)體，由于對外部振動(dòng)及沖擊非常脆弱，在對MEMS進(jìn)行的單片化的劃片(dicing)工序中，很容易由于其機(jī)械振動(dòng)及清洗水噴淋造成的沖擊等而破損。
在專利文獻(xiàn)1中記述的半導(dǎo)體裝置的單片化方法中，由于在第二步驟中以機(jī)械切斷工具進(jìn)行接觸加工，在切斷時(shí)發(fā)生振動(dòng)和沖擊是不可避免的。所以，將這種制造方法應(yīng)用于MEMS的劃片工序不是優(yōu)選的。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的單片化方法，是使半導(dǎo)體基板單片化的方法，該半導(dǎo)體基板具有具有形成微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的第1區(qū)域、和包圍上述第1區(qū)域且形成劃線的第2區(qū)域的第1面；以及具有與上述第1面對置并與形成上述微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的上述第1區(qū)域相對應(yīng)的第3區(qū)域、和包圍上述第3區(qū)域且與上述第2區(qū)域相對應(yīng)的第4區(qū)域的第2面，其特征在于包括使與在上述第1面的上述第2區(qū)域上形成的劃線(scribing line)相對應(yīng)的上述第2面的上述第4區(qū)域薄膜化的步驟，以及沿著在上述第1面的上述第2區(qū)域上形成的上述劃線切斷上述半導(dǎo)體基板的步驟。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的單片化方法的特征在于切斷半導(dǎo)體基板的步驟是以非接觸的切斷方法進(jìn)行的。
根據(jù)本發(fā)明，通過將與作為單片化時(shí)的切割區(qū)的劃線相對應(yīng)的位置的半導(dǎo)體基板從形成有劃線的面(第1面)的相反面(第2面)薄膜化，使得可以以非接觸的切斷方法，例如，利用激光等的切斷成為可能。因此，可以抑制由于切斷時(shí)的外力造成的MEMS的機(jī)械結(jié)構(gòu)體的破損。


圖1為加速度傳感器裝置的結(jié)構(gòu)圖。
圖2為實(shí)施方式1及實(shí)施方式2的加速度傳感器裝置的制造工序圖。
圖3為實(shí)施方式1及實(shí)施方式2的加速度傳感器裝置的制造工序圖。
圖4為實(shí)施方式1及實(shí)施方式2的加速度傳感器裝置的制造工序圖。
圖5為實(shí)施方式2的加速度傳感器裝置的制造工序圖。
具體實(shí)施例方式
(1)實(shí)施方式1下面，以采用SOI基板制造的壓電電阻型加速度傳感器裝置為例對本發(fā)明的實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置(MEMS)進(jìn)行說明。
圖1為采用SOI基板制造的壓電電阻型加速度傳感器裝置1的結(jié)構(gòu)圖。圖1(a)示出的是加速度傳感器裝置1的俯視圖，圖1(b)是裝置的仰視圖，圖1(c)是沿著圖1(a)的A-A′線的裝置剖視圖。
SOI基板，如圖2(a)所示，是在埋置氧化膜103的兩面上形成了第一Si膜101和第二Si膜102的半導(dǎo)體基板。
如圖1(a)所示，在第一Si膜101上通過凹槽2的劃分，形成質(zhì)量部3、支持部4和梁部5。
質(zhì)量部3，由大致為矩形的中心質(zhì)量部3a和在中心質(zhì)量部3a的四角分別形成一體的大致為矩形的四個(gè)周邊質(zhì)量部3b構(gòu)成。
支持部4，是形成包圍質(zhì)量部3，即中心質(zhì)量部3a和四個(gè)周邊質(zhì)量部3b的大致為矩形的框狀部分。在支持部4的上面，以規(guī)定的間隔配置有用來將壓電電阻元件6發(fā)出的信號引出到外部的電極焊盤7。
梁部5是連接質(zhì)量部3的中心質(zhì)量部3a和支持部4的板狀部分，使中心質(zhì)量部3a和支持部4的各邊的大致中心部分互相連接。形成的梁部5具有撓性，可隨著上下橫向移動(dòng)而發(fā)生撓曲。在梁部5的上面，每隔規(guī)定的間隔形成壓電電阻元件6，由于梁部5在上下橫向發(fā)生撓曲而使壓電電阻元件6的電阻值改變。下面為說明方便起見，省略了連接壓電電阻元件6和電極焊盤7的布線，基于壓電電阻元件6的電阻值的變化的信號從未圖示的布線經(jīng)過電極焊盤7引出到外部。
另外，如圖1(b)所示，在第二Si膜102上通過凹槽8劃分形成錘部9和基座部10。
錘部9，由大致為矩形的中心錘部9a和在中心錘部9a的四角分別形成一體的大致為矩形的四個(gè)周邊錘部9b構(gòu)成。中心錘部9a，如圖1(c)所示，經(jīng)過由埋置氧化膜103構(gòu)成的錘中間膜11固定到中心質(zhì)量部3a的下面。四個(gè)周邊錘部9b也同樣經(jīng)過錘中間膜11分別固定到周邊質(zhì)量部3b的下面。不過，在圖1(c)中，未示出周邊錘部9b。
基座部10，如圖1(c)所示，形成為包圍錘部9即中心錘部9a及四個(gè)周邊錘部9b的大致為矩形的框狀部分。不過，在圖1(c)中，未圖示周邊錘部9b?；?0，經(jīng)過由埋置氧化膜103形成的周邊中間膜12固定到支持部4的下面。并且，在10的底面上形成氧化膜13。在基座部10的底面和錘部9(9a、9b)的底面之間以規(guī)定的距離D1設(shè)置臺階。這是為了防止加速度傳感器裝置1在安裝在框體上的狀態(tài)下，在錘部9位移時(shí)和框體發(fā)生沖撞。
(電氣元件的形成)圖2(a)至(c)，主要以加速度傳感器裝置1的電氣元件，例如，壓電電阻元件、電極焊盤、布線等的形成工序的順序概略示出圖1(a)所示的A-A′的位置的剖面圖。這些電氣元件的作用是將加速度傳感器裝置1的機(jī)械變形變換為電信號。另外，在圖2(a)至(c)中，示出形成于晶片上的多個(gè)加速度傳感器裝置1之中的3個(gè)鄰接的芯片，在各芯片之間畫出假想邊界線LN1及LN2。在后面的工序中，在此假想邊界線LN1及LN2的位置上形成作為單片化的基準(zhǔn)的切割區(qū)，即所謂的劃線。
首先，如圖2(a)所示，制備在埋置氧化膜103的兩面上形成了第一Si膜101和第二Si膜102的SOI基板，在1000℃的加濕氣氛中進(jìn)行熱氧化，在第一Si膜101的表面形成4000埃()的氧化膜104。之后，通過光刻在氧化膜104上形成開口部105，經(jīng)過開口部105使硼熱擴(kuò)散而形成P型擴(kuò)散層。此P型擴(kuò)散層就成為壓電電阻元件6。通常硼的熱擴(kuò)散是在800～1200℃的高溫下進(jìn)行，此時(shí)，在開口部105的表面上同時(shí)熱形成約2000埃()的氧化膜104a。
之后，如圖2(b)所示，通過光刻在此氧化膜104a上形成接觸孔106。然后，用濺射淀積鋁膜，通過光刻形成布線107及電極焊盤7。
之后，如圖2(c)所示，利用PRD(等離子反應(yīng)淀積)法淀積作為保護(hù)膜的氮化硅膜108，通過光刻露出電極焊盤7。同時(shí)，也將與劃線(LN1、LN2)相對應(yīng)的區(qū)域的氮化硅膜108去掉。
(機(jī)械元件的形成)圖3(d)至(f)以及圖4(g)至(i)，按機(jī)械元件的制造工序的順序概略示出圖1(a)所示的B-B′的位置的剖面圖。與圖2(a)至(c)一樣，示出在晶片上鄰接的3個(gè)加速度傳感器裝置1，在各芯片之間在與劃線相當(dāng)?shù)奈恢卯嫵黾傧脒吔缇€LN1及LN2。并且，在SOI基板的第一Si膜101上已經(jīng)在上述的步驟中形成電氣元件，為了說明方便起見，在圖3(d)至(f)以及圖4(g)至(i)中只描述作為保護(hù)膜的氮化硅膜108。
首先，如圖3(d)所示，在SOI基板的第二Si膜102的表面上利用CVD(化學(xué)汽相淀積)法淀積氧化膜13。之后，通過光刻將光刻膠去除，但保留作為基座部10的區(qū)域的氧化膜13。另外，利用SOI基板，也有從一開始就在第二Si膜102的表面上形成氧化膜的。此時(shí)由于不需要特意淀積氧化膜13，可以從光刻加工起實(shí)施。
之后，如圖3(e)所示，形成光刻膠圖形109將與凹槽8對應(yīng)的區(qū)域和與劃線(LN1、LN2)對應(yīng)的區(qū)域露出。
之后，利用光刻膠圖形109作為掩模，如圖3(f)所示，利用氣體切斷刻蝕技術(shù)(GCETGas Chopping Etching Technology)對第二Si膜102進(jìn)行刻蝕形成凹槽8，劃分錘部9和基座部10。同時(shí)，也對與劃線(LN1、LN2)對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕形成凹槽110而使劃線薄膜化。此處，在凹槽8和凹槽110的底面上第二Si膜102只保留規(guī)定的膜厚D1。例如，在第二Si膜102的初始膜厚為500μm時(shí)，刻蝕量為480μm，保留約20μm的膜厚D1。
之后，除去光刻膠圖形109，如圖4(g)所示，通過將氧化膜13用作硬掩模進(jìn)行氣體切斷刻蝕，將在凹槽8和凹槽110的底面上殘留的第二Si膜102去掉，露出埋置氧化膜103。在此工序中，劃線(LN1、LN2)區(qū)域的膜厚D2薄膜化達(dá)到5～10μm左右。同時(shí)，錘部9的底面也被刻蝕規(guī)定的距離D1，在錘部9的底面和基座部10的底面之間形成指定膜厚D1的臺階。
之后，如圖4(h)所示，利用光刻將與凹槽2相對應(yīng)的區(qū)域的氮化硅膜108和第一Si膜101去掉。此外，在利用干法刻蝕將凹槽2露出的埋置氧化膜103去掉，在質(zhì)量部3和錘部9之間形成錘中間膜11，同時(shí)，在支持部4和基座部10之間形成周邊中間膜12。
通過以上的工序，就完成包含多個(gè)加速度傳感器裝置1的具有薄膜化的劃線(LN1、LN2)的晶片。
(單片化)如圖4(i)所示，將完成的晶片粘貼到劃片載帶111上，利用非接觸切斷法，例如，激光等，將薄膜化的劃線(LN1、LN2)切斷而使加速度傳感器裝置單片化。一般地，可利用激光切斷的膜厚為大約100μm，而薄膜化的劃線區(qū)域的膜厚D2為5～10μm。因此，可以很容易利用激光切斷。另外，切斷方法并不限定于激光，只要是對加速度傳感器裝置的機(jī)械結(jié)構(gòu)體不會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)和沖擊的切斷方法都可適用。
最后，利用UV(紫外)照射或熱處理等使劃片載帶111的粘接力減弱，就可以將單片化后的加速度傳感器裝置1取下。
根據(jù)實(shí)施方式1的半導(dǎo)體裝置的單片化方法，通過從里面對作為單片化時(shí)的切割區(qū)的劃線(LN1、LN2)進(jìn)行薄膜化，就可以利用激光等非接觸方法切斷。因此，可以抑制由于切斷時(shí)的外力造成的MEMS(加速度傳感器裝置)的機(jī)械結(jié)構(gòu)體的破損。另外，由于劃線(LN1、LN2)的薄膜化，可以與MEMS的制造工序的一部分，例如，在本實(shí)施方式中的形成凹槽8劃分錘部9和基座部10的工序(圖3(f))，同時(shí)進(jìn)行，在加工過程上非常簡便。
利用本發(fā)明，由于在半導(dǎo)體基板很厚的場合也可以應(yīng)用非接觸切斷方法，在利用整個(gè)半導(dǎo)體基板形成MEMS的所謂的整體(bulk)微機(jī)械制造中會(huì)成為特別有效的方法。
(2)實(shí)施方式2在實(shí)施方式2中，劃線的薄膜化與實(shí)施方式1相同，并且在MEMS(加速度傳感器裝置)的制造工序的一部分中一直進(jìn)行到切斷。
與實(shí)施方式1的加速度傳感器裝置1一樣(圖1(a)至圖1(c))。
(電氣元件的形成)與實(shí)施方式1一樣，通過圖2(a)至(c)的工序，在SOI基板的第一Si膜101上形成電氣元件。
(機(jī)械元件的形成和單片化)與實(shí)施方式1一樣，經(jīng)過圖3(d)至(f)以及圖4(g)的工序，形成凹槽8和凹槽110，使埋置氧化膜103露出。
之后，如圖5(j)所示，在另外制備的半導(dǎo)體基板或石英基板等的支持基板112的表面上粘貼雙面粘接帶作為劃片載帶113，直到圖4(g)的工序把已結(jié)束了的晶片粘結(jié)在其上。在此階段，通過劃片載帶113，將晶片固定到支持基板112上，當(dāng)在以后的工序中切斷劃線(L1、L2)時(shí)，可以避免加速度傳感器裝置1由于單片化而散落。
之后，如圖5(k)所示，利用光刻將與凹槽2相對應(yīng)的區(qū)域的氮化硅膜108去掉。在去掉光刻膠之后，再次利用光刻將與凹槽2相對應(yīng)的區(qū)域及與劃線(L1、L2)相對應(yīng)的區(qū)域的第一Si膜101去掉。接著，利用干法刻蝕將在凹槽2及劃線(L1、L2)區(qū)域中露出的埋置氧化膜103去掉，在質(zhì)量部3和錘部9之間形成錘中間膜11，在支持部4和基座部10之間形成周邊中間膜12。通過這一干法刻蝕工序可切斷劃線，使加速度傳感器裝置1單片化。
最后，利用UV(紫外)照射或熱處理等使劃片載帶113的粘接力減弱，就可以將單片化的加速度傳感器裝置1取下。
根據(jù)實(shí)施方式2的半導(dǎo)體裝置的單片化方法，由于MEMS(加速度傳感器裝置)的單片化，可以與MEMS的制造工序的一部分，例如，在本實(shí)施方式中的利用干法刻蝕去掉埋置氧化膜103的工序(圖5(k))，同時(shí)進(jìn)行，在加工過程上非常簡便。并且，由于利用干法刻蝕進(jìn)行非接觸切斷，可以抑制由于切斷時(shí)的外力造成的MEMS的機(jī)械結(jié)構(gòu)體的破損。
利用本發(fā)明，由于在半導(dǎo)體基板很厚的場合也可以應(yīng)用非接觸切斷方法，在利用整個(gè)半導(dǎo)體基板形成MEMS的所謂的整體微機(jī)械制造中會(huì)成為特別有效的方法。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的單片化方法，是把半導(dǎo)體基板單片化的方法，該半導(dǎo)體基板具有具有形成微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的第1區(qū)域、和包圍上述第1區(qū)域且形成劃線的第2區(qū)域的第1面；以及具有與上述第1面對置并與形成上述微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的上述第1區(qū)域相對應(yīng)的第3區(qū)域、和包圍上述第3區(qū)域且與上述第2區(qū)域相對應(yīng)的第4區(qū)域的第2面，其特征在于該方法包括使與在上述第1面的上述第2區(qū)域上形成的上述劃線相對應(yīng)的上述第2面的上述第4區(qū)域薄膜化的步驟，以及沿著在上述第1面的上述第2區(qū)域上形成的上述劃線切斷上述半導(dǎo)體基板的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的單片化方法，其特征在于使上述第2面的上述第4區(qū)域薄膜化的步驟是與形成上述微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的步驟同時(shí)進(jìn)行的。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的單片化方法，其特征在于切斷上述半導(dǎo)體基板的步驟是利用非接觸切斷方法進(jìn)行的。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的單片化方法，其特征在于上述非接觸切斷方法是利用激光進(jìn)行的。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的單片化方法，其特征在于上述非接觸切斷方法利用干法刻蝕且是與形成上述微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的步驟同時(shí)進(jìn)行的。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的單片化方法，其特征在于上述切斷半導(dǎo)體基板的步驟是通過劃片載帶將上述半導(dǎo)體固定到支持基板上進(jìn)行的。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的單片化方法，其特征在于上述半導(dǎo)體基板是SOI基板。
8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括制備半導(dǎo)體基板的步驟，該半導(dǎo)體基板具有具有形成微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的第1區(qū)域、和包圍上述第1區(qū)域且形成劃線的第2區(qū)域的第1面；以及具有與上述第1面對置并與形成上述微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的上述第1區(qū)域相對應(yīng)的第3區(qū)域、和包圍上述第3區(qū)域且與上述第2區(qū)域相對應(yīng)的第4區(qū)域的第2面；在上述半導(dǎo)體基板的上述第1面的上述第1區(qū)域及上述第2面的上述第3區(qū)域上形成包含微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的半導(dǎo)體裝置的步驟；使與在上述第1面的上述第2區(qū)域上形成的上述劃線相對應(yīng)的上述第2面的上述第4區(qū)域薄膜化的步驟；以及沿著在上述第1面的上述第2區(qū)域上形成的上述劃線切斷上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行單片化的步驟。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于使上述第2面的上述第4區(qū)域薄膜化的步驟是與形成上述微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的步驟同時(shí)進(jìn)行的。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于切斷上述半導(dǎo)體基板進(jìn)行單片化的步驟是利用非接觸切斷方法進(jìn)行的。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述非接觸切斷方法是利用激光進(jìn)行的。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述非接觸切斷方法利用干法刻蝕且是與形成上述微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的步驟同時(shí)進(jìn)行的。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述切斷半導(dǎo)體基板進(jìn)行單片化的步驟是通過劃片載帶將上述半導(dǎo)體固定到支持基板上進(jìn)行的。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于上述半導(dǎo)體基板是SOI基板。
15.一種MEMS的制造方法，其特征在于包括制備多層基板的第1步驟，該多層基板具有第1層、第2層和第3層，上述各層具有具有形成MEMS的第1區(qū)域、和包圍上述第1區(qū)域且形成劃線的第2區(qū)域的第1面；以及具有與上述第1面對置且與形成上述MEMS的上述第1區(qū)域相對應(yīng)的第3區(qū)域、和包圍上述第3區(qū)域且與上述第2區(qū)域相對應(yīng)的第4區(qū)域的第2面，使各個(gè)第1面向著同一方向且將上述第1層作為最上層按照該順序從上方層疊而形成上述多層基板；將上述第3層部分地去掉，以在上述第3層的上述第1區(qū)域和上述第3區(qū)域上形成錘部和包圍在上述錘部的周圍的基座部的第2步驟；與上述第2步驟同時(shí)，在上述第1層的上述第2區(qū)域上形成的上述劃線相對應(yīng)的上述第4層上，使上述第3層薄膜化的第3步驟；將上述第1層部分地去掉，以在上述第1層的上述第1區(qū)域和上述第3區(qū)域上形成將上述錘部固定的質(zhì)量部、包圍在上述質(zhì)量部的周圍且支持上述基座部的支持部、以及連接上述質(zhì)量部和上述支持部的梁部的第4步驟；在上述第1區(qū)域和上述第3區(qū)域中去掉從上述第1層和上述第3層露出的上述第2層而形成通孔的第5步驟；以及沿著在上述第1層的上述第2區(qū)域上形成的上述劃線使上述多層基板單片化的第6步驟。
16.如權(quán)利要求15所述的MEMS的制造方法，其特征在于上述第6步驟是非接觸切斷方法。
17.如權(quán)利要求16所述的MEMS的制造方法，其特征在于上述非接觸切斷方法是利用激光進(jìn)行的。
18.如權(quán)利要求15所述的MEMS的制造方法，其特征在于上述第4步驟還包含在上述第2區(qū)域和上述第4區(qū)域中去掉上述第1層的步驟；上述第5步驟還包含在上述第2區(qū)域和上述第4區(qū)域中去掉從上述第1層和上述第3層中露出的上述第2層的步驟；且上述第6步驟是與上述第5步驟同時(shí)進(jìn)行的。
19.如權(quán)利要求18所述的MEMS的制造方法，其特征在于上述第5步驟是利用干法刻蝕進(jìn)行的。
20.如權(quán)利要求19所述的MEMS的制造方法，其特征在于上述第5步驟是通過劃片載帶將上述多層基板固定到支持基板上進(jìn)行的。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體裝置的單片化方法，不會(huì)對在半導(dǎo)體基板上形成的MEMS的機(jī)械結(jié)構(gòu)體造成振動(dòng)、沖擊。該方法是使半導(dǎo)體基板單片化的方法，該半導(dǎo)體基板具有具有形成微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的第1區(qū)域、和包圍上述第1區(qū)域且形成劃線的第2區(qū)域的第1面；以及具有與上述第1面對置并與形成上述微小機(jī)械結(jié)構(gòu)體的上述第1區(qū)域相對應(yīng)的第3區(qū)域、和包圍上述第3區(qū)域且與上述第2區(qū)域相對應(yīng)的第4區(qū)域的第2面，其特征在于該半導(dǎo)體裝置的單片化方法包括使與在上述第1面的上述第2區(qū)域上形成的劃線相對應(yīng)的上述第2面的上述第4區(qū)域薄膜化的步驟，以及沿著在上述第1面的上述第2區(qū)域上形成的上述劃線切斷上述半導(dǎo)體基板的步驟。
文檔編號B81C1/00GK1740087SQ200510008200
公開日2006年3月1日 申請日期2005年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月25日
發(fā)明者小澤信男 申請人:沖電氣工業(yè)株式會(huì)社