基座中感應(yīng)二級磁場，并且其中智能基座相對于SMA致動器定位以使二級磁場在SMA致動器內(nèi)感應(yīng)額外禍流。
[0042]6.條款I(lǐng)的系統(tǒng)，其中感應(yīng)加熱線圈包括具有多個單獨的匝的大體上圓柱形的主體，所述匝產(chǎn)生通道，并且其中SMA致動器定位在感應(yīng)加熱線圈的通道內(nèi)。
[0043 ] 7.條款I(lǐng)的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于將交流電供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈的電流源，其中控制模塊與電流源信號通訊。
[0044]8.條款I(lǐng)的系統(tǒng)，其中交流電被供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈持續(xù)預(yù)定時間間隔以將SMA致動器加熱至轉(zhuǎn)變溫度。
[0045]9.條款8的系統(tǒng)，其中預(yù)定時間間隔取決于以下至少一個:SMA致動器的使用要求、構(gòu)成智能基座的合金的類型、供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈的電流的量、交流電的頻率、SMA致動器的幾何結(jié)構(gòu)、變形前SMA致動器克服的力、和SMA致動器的變形的量。
[0046]10.用于加熱形狀記憶合金(SMA)致動器的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括:
[0047]SMA致動器，其選擇性地加熱至轉(zhuǎn)變溫度；
[0048]智能基座；
[0049]多個感應(yīng)加熱線圈，其配置為接收交流電并基于交流電生成磁場，磁場在至少SMA致動器中感應(yīng)渦流和在智能基座中感應(yīng)二級磁場，并且其中智能基座可相對于SMA致動器定位以使二級磁場在SMA致動器內(nèi)感應(yīng)額外禍流;和
[0050]控制模塊，其配置為驅(qū)動交流電供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈。
[0051 ] 11.條款10的系統(tǒng)，其中智能基座與SMA致動器的至少一個敷層熱接觸。
[0052]12.條款10的系統(tǒng)，其中智能基座選擇性地加熱至居里溫度，并且其中居里溫度大約等于轉(zhuǎn)變溫度。
[0053]13.條款10的系統(tǒng)，其中SMA致動器包括具有內(nèi)敷層和外敷層的大體上管狀的主體。
[0054]14.條款13的系統(tǒng)，其中智能基座與SMA致動器的內(nèi)敷層熱接觸。
[0055]15.條款10的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于將交流電供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈的電流源，其中控制模塊與電流源信號通訊。
[0056]16.條款1的系統(tǒng)，其中交流電被供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈持續(xù)預(yù)定時間間隔以將SMA致動器加熱至轉(zhuǎn)變溫度。
[0057]17.條款16的系統(tǒng)，其中預(yù)定時間間隔取決于以下至少一個:SMA致動器的使用要求、構(gòu)成智能基座的合金的類型、供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈的電流的量、交流電的頻率、SMA致動器的幾何結(jié)構(gòu)、變形前SMA致動器克服的力、和SMA致動器的變形的量。
[0058]18.制造形狀記憶合金感應(yīng)加熱系統(tǒng)的方法，該方法包括:
[0059]提供形狀記憶合金(SMA)致動器，SMA致動器具有至少一個敷層；
[0060]放置智能基座與SMA致動器的至少一個敷層熱接觸；
[0061]提供多個感應(yīng)加熱線圈，其配置為接收交流電并基于交流電生成磁場，磁場在SMA致動器和智能基座中的至少一個中產(chǎn)生渦流以將SMA致動器加熱至轉(zhuǎn)變溫度;和
[0062]提供控制模塊，其配置為驅(qū)動交流電供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈。
[0063]19.條款18的方法，進(jìn)一步包括提供用于將交流電供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈的電流源，其中控制模塊與電流源信號通訊。
[0064]20.條款18的方法，其中SMA致動器包括具有內(nèi)敷層和外敷層的大體上管狀的主體，并且其中智能基座與SMA致動器的內(nèi)敷層熱接觸。
[0065]雖然本文描述的裝置和方法的形式構(gòu)成本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明不限于這些精確形式的裝置和方法，并且可在其中做出改變，而不背離本發(fā)明的范圍。
【主權(quán)項】
1.用于加熱形狀記憶合金(SMA)致動器(20)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括: SMA致動器，其具有至少一個敷層(32、34 )，所述SMA致動器選擇性地加熱至轉(zhuǎn)變溫度； 智能基座(40)，其與所述SMA致動器的所述至少一個敷層熱接觸； 多個感應(yīng)加熱線圈(22)，其配置為接收交流電并基于所述交流電生成磁場(B)，所述磁場在所述SMA致動器和所述智能基座的至少一個中產(chǎn)生渦流(E)以將所述SMA致動器加熱至所述轉(zhuǎn)變溫度;和 控制模塊(26)，其配置為驅(qū)動所述交流電供應(yīng)至所述感應(yīng)加熱線圈。2.權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述智能基座(40)選擇性地加熱至居里溫度，并且其中所述居里溫度大約等于所述轉(zhuǎn)變溫度。3.前述權(quán)利要求任一項所述的系統(tǒng)，其中所述SMA致動器(20)包括具有內(nèi)敷層(34)和外敷層(32)的大體上管狀的主體。4.權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述智能基座(40)與所述SMA致動器(20)的所述內(nèi)敷層(34)熱接觸。5.前述權(quán)利要求任一項所述的系統(tǒng)，其中所述磁場(B)在所述智能基座(40)中感應(yīng)二級磁場，并且其中所述智能基座相對于所述SMA致動器(20)定位以使所述二級磁場在所述SMA致動器內(nèi)感應(yīng)額外渦流。6.前述權(quán)利要求任一項所述的系統(tǒng)，其中所述感應(yīng)加熱線圈(22)包括具有多個單獨的匝的大體上圓柱形的主體，所述匝產(chǎn)生通道，并且其中所述SMA致動器(20)定位在所述感應(yīng)加熱線圈的所述通道內(nèi)。7.前述權(quán)利要求任一項所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括用于將所述交流電供應(yīng)至所述感應(yīng)加熱線圈(22)的電流源，其中所述控制模塊(26)與所述電流源信號通訊。8.前述權(quán)利要求任一項所述的系統(tǒng)，其中所述交流電被供應(yīng)至所述感應(yīng)加熱線圈(22)持續(xù)預(yù)定時間間隔以將所述SMA致動器(20)加熱至所述轉(zhuǎn)變溫度。9.權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述預(yù)定時間間隔取決于以下至少一個:所述SMA致動器(20)的使用要求、構(gòu)成所述智能基座(40)的合金的類型、供應(yīng)至所述感應(yīng)加熱線圈(22)的電流的量、所述交流電的頻率、所述SMA致動器的幾何結(jié)構(gòu)、變形前所述SMA致動器克服的力、和所述SMA致動器的變形的量。10.制造形狀記憶合金感應(yīng)加熱系統(tǒng)的方法，所述方法包括: 提供形狀記憶合金(SMA)致動器(20)，所述SMA致動器具有至少一個敷層(32、34); 放置智能基座(40)與所述SMA致動器的所述至少一個敷層熱接觸； 提供多個感應(yīng)加熱線圈(22)，其配置為接收交流電并基于所述交流電生成磁場(B)，所述磁場在所述SMA致動器和所述智能基座的至少一個中產(chǎn)生渦流(E)以將所述SMA致動器加熱至所述轉(zhuǎn)變溫度;和 提供控制模塊(26)，其配置為驅(qū)動所述交流電供應(yīng)至所述感應(yīng)加熱線圈。11.權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括提供用于將所述交流電供應(yīng)至所述感應(yīng)加熱線圈(22)的電流源，其中所述控制模塊(26)與所述電流源信號通訊。12.權(quán)利要求10至11中任一項所述的方法，其中所述SMA致動器(20)包括具有內(nèi)敷層(34)和外敷層(32)的大體上管狀的主體，并且其中所述智能基座(40)與所述SMA致動器的所述內(nèi)敷層熱接觸。
【專利摘要】用于加熱形狀記憶合金(SMA)致動器的系統(tǒng)可包括SMA致動器、智能基座、多個感應(yīng)線圈和控制模塊。SMA致動器可具有至少一個敷層。SMA致動器可被選擇性地加熱至轉(zhuǎn)變溫度。智能基座可與SMA致動器的至少一個敷層熱接觸。感應(yīng)加熱線圈可配置為接收交流電并基于交流電生成磁場。磁場可在SMA致動器和智能基座的至少一個中產(chǎn)生渦流以將SMA致動器加熱至轉(zhuǎn)變溫度?？刂颇K可配置為驅(qū)動交流電供應(yīng)至感應(yīng)加熱線圈。
【IPC分類】F03G7/06
【公開號】CN105518296
【申請?zhí)枴緾N201480047750
【發(fā)明人】M·索爾, F·T·卡爾金斯, S·R·阿莫羅西, F·M·賈米森, S·阿普達(dá)爾哈利姆, R·J·米勒
【申請人】波音公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2014年6月23日
【公告號】CA2914951A1, US20150096293, WO2015050599A1