亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置制造方法

文檔序號(hào):5140065閱讀:296來源:國(guó)知局
生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置及氣化方法,包括爐殼、爐殼內(nèi)設(shè)有氣化室和合成氣冷卻室,氣化室分為上、下段氣化室,上段氣化室頂部設(shè)有頂置合成氣出口,上、下段氣化室的軸線垂直相交,爐殼底部設(shè)置有渣池,渣池底部設(shè)有渣池排渣口,上段端氣化室四周設(shè)有至少一層側(cè)面工藝燒嘴室,至少兩個(gè)側(cè)面工藝燒嘴對(duì)稱設(shè)置在側(cè)面工藝燒嘴室內(nèi),所述下段氣化室兩側(cè)同軸設(shè)有對(duì)置式工藝燒嘴室,兩個(gè)對(duì)置式工藝燒嘴同軸設(shè)于對(duì)置式工藝燒嘴室,側(cè)面工藝燒嘴室與下段氣化室之間設(shè)有至少兩個(gè)二次給氧噴槍室,二次給氧噴槍室內(nèi)安裝有二次給氧噴槍。本實(shí)用新型可連續(xù)對(duì)純氧燃?xì)膺M(jìn)行氣化,與間歇式氣化工藝相比產(chǎn)氣量增加1倍。
【專利說明】生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨通常的燃料燃燒都以空氣作為助燃劑,空氣中含有21 %的氧氣,79%的氮?dú)猓谌紵凑兄挥醒鯕馄鸬阶饔?,氮?dú)獬隽咸厥庥猛就?,僅僅作為稀釋劑。大量的氮?dú)獍装孜杖紵磻?yīng)熱,如果不加以回收,不僅加大了溫室效應(yīng),而且在然手反應(yīng)過程易產(chǎn)生NOx氣體,進(jìn)一步造成環(huán)境污染。從20世紀(jì)60年代,人們酒吧純氧作為助燃劑的燃燒器推薦到工業(yè)上,而近10多年來,從節(jié)能和減少污染排放的迫切需要出發(fā),更加需要一種生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置及氣化方法。
[0004]本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置,包括爐殼、爐殼內(nèi)設(shè)有氣化室和合成氣冷卻室,所述氣化室分為上段氣化室和下段氣化室,所述上段氣化室頂部設(shè)有頂置合成氣出口,所述下端氣化室通過中部喉口段與所述上段氣化室連接,所述上、下段氣化室的軸線垂直相交,所述合成氣冷卻室設(shè)置在下段氣化室下方,氣化室錐形渣口設(shè)置在下段氣化室底部,所述爐殼底部設(shè)置有渣池,渣池底部設(shè)有渣池排渣口,所述上段端氣化室四周設(shè)有至少一層側(cè)面工藝燒嘴室,至少兩個(gè)側(cè)面工藝燒嘴對(duì)稱設(shè)置在側(cè)面工藝燒嘴室內(nèi),所述下段氣化室兩側(cè)同軸設(shè)有對(duì)置式工藝燒嘴室,兩個(gè)對(duì)置式工藝燒嘴同軸設(shè)于對(duì)置式工藝燒嘴室,所述側(cè)面工藝燒嘴室與下段氣化室之間的上段氣化室上設(shè)有至少兩個(gè)二次給氧噴槍室,所述二次給氧噴槍室內(nèi)安裝有二次給氧噴槍。
[0005]所述的合成氣冷卻室包括激冷環(huán)、下降管、折流管和下部合成氣出口,所述激冷環(huán)設(shè)置在合成冷卻室上部,所述激冷環(huán)上設(shè)有激冷水入口。
[0006]所述爐殼與上、下氣化室外壁直徑填充有耐火保溫材料。
[0007]所述的側(cè)面工藝燒嘴軸線與所述上段氣化室的徑向的夾角α為1.5°?7.5°,所述側(cè)面工藝燒嘴與所述上段氣化室軸線的夾角@為1.5°?9.5°。
[0008]所述的爐殼為承壓殼體。
[0009]本實(shí)用新型的有益效是果:
[0010]本實(shí)用新型生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置分連段式通入燃料,下段氣化室主要為燃燒和氣化反應(yīng)去,上段氣化室為氣化反應(yīng)區(qū),實(shí)現(xiàn)燃料氣化分區(qū),是氣化室內(nèi)溫度場(chǎng)分布更加合理,大大提高了保溫材料的使用壽命;且采用多級(jí)多燒嘴設(shè)計(jì),在氣化室大規(guī)模放大具有明顯優(yōu)勢(shì),上段氣化室側(cè)面工藝燒嘴層數(shù)和燒嘴數(shù)量可以根據(jù)實(shí)際需要確定,氣化室的整體氣化符合的可控性較強(qiáng);本實(shí)用新型氣化裝置采用分解給氧的方式通入氣化所需的氣化劑,將部分氧氣分流至側(cè)面工藝燒嘴室和二次給氧噴槍進(jìn)入氣化裝置,改善了氣化爐的溫度分布,由于二次給氧室設(shè)在上段氣化室的中下部,因此提高了其化裝置的中下部溫度,促進(jìn)了氣化室中下部的燃燒,并確保了排渣的順利實(shí)現(xiàn),避免了渣池排渣口堵渣;本實(shí)用新型氣化裝置和工藝可連續(xù)對(duì)純氧燃?xì)膺M(jìn)行氣化,與傳統(tǒng)間歇式氣化工藝相比,單爐產(chǎn)氣量增加I倍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0012]圖2為圖1中A-A的剖視結(jié)構(gòu)圖。
[0013]圖中標(biāo)號(hào),1、爐殼,2、對(duì)置式工藝燒嘴室,3、對(duì)置式工藝燒嘴,4、下段氣化室,5、側(cè)面工藝燒嘴室,6、側(cè)面工藝燒嘴,7、上段氣化室,8、頂置合成氣出口,9、急冷水入口,10、激冷環(huán),11、下部合成其出口,12、下降管,13、折流管,14,渣池、15、渣池排渣口,16、喉口段,17、耐火保溫層,18、二次給氧噴槍室,19、二次給氧噴槍。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖及【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明:
[0015]實(shí)施例一:參見圖1和圖2, —種生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置,包括爐殼、爐殼內(nèi)設(shè)有氣化室和合成氣冷卻室,所述氣化室分為上段氣化室和下段氣化室,所述上段氣化室頂部設(shè)有頂置合成氣出口,所述下端氣化室通過中部喉口段與所述上段氣化室連接,所述上、下段氣化室的軸線垂直相交,所述合成氣冷卻室設(shè)置在下段氣化室下方,氣化室錐形渣口設(shè)置在下段氣化室底部,所述爐殼底部設(shè)置有渣池,渣池底部設(shè)有渣池排渣口,所述上段端氣化室四周設(shè)有至少一層側(cè)面工藝燒嘴室,至少兩個(gè)側(cè)面工藝燒嘴對(duì)稱設(shè)置在側(cè)面工藝燒嘴室內(nèi),所述下段氣化室兩側(cè)同軸設(shè)有對(duì)置式工藝燒嘴室,兩個(gè)對(duì)置式工藝燒嘴同軸設(shè)于對(duì)置式工藝燒嘴室,所述側(cè)面工藝燒嘴室與下段氣化室之間的上段氣化室上設(shè)有至少兩個(gè)二次給氧噴槍室,所述二次給氧噴槍室內(nèi)安裝有二次給氧噴槍。
[0016]所述的合成氣冷卻室包括激冷環(huán)、下降管、折流管和下部合成氣出口,所述激冷環(huán)設(shè)置在合成冷卻室上部,所述激冷環(huán)上設(shè)有激冷水入口。
[0017]所述爐殼與上、下氣化室外壁直徑填充有耐火保溫材料。
[0018]所述的側(cè)面工藝燒嘴軸線與所述上段氣化室的徑向的夾角α為L(zhǎng)5。,所述側(cè)面工藝燒嘴與所述上段氣化室軸線的夾角@為1.5°。
[0019]所述的爐殼為承壓殼體。
[0020]實(shí)施例二:圖未畫出,實(shí)施例二與實(shí)施例一結(jié)構(gòu)基本相同,相同之處不重述,不同之處在于:所述的側(cè)面工藝燒嘴軸線與所述上段氣化室的徑向的夾角α為5。,所述側(cè)面工藝燒嘴與所述上段氣化室軸線的夾角@為5.5°。
[0021]實(shí)施例三:圖未畫出,實(shí)施例三與實(shí)施例一結(jié)構(gòu)基本相同,相同之處不重述,不同之處在于:所述的側(cè)面工藝燒嘴軸線與所述上段氣化室的徑向的夾角α*7.5°,所述側(cè)面工藝燒嘴與所述上段氣化室軸線的夾角@為9.5°。
[0022]實(shí)施例四:所述的側(cè)面工藝燒嘴軸線與所述上段氣化室的徑向的夾角α為3°,所述側(cè)面工藝燒嘴與所述上段氣化室軸線的夾角β為6°。
[0023]以上【具體實(shí)施方式】?jī)H為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn),均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置,包括爐殼、爐殼內(nèi)設(shè)有氣化室和合成氣冷卻室,其特征是:所述氣化室分為上段氣化室和下段氣化室,所述上段氣化室頂部設(shè)有頂置合成氣出口,所述下段氣化室通過中部喉口段與所述上段氣化室連接,所述上、下段氣化室的軸線垂直相交,所述合成氣冷卻室設(shè)置在下段氣化室下方,氣化室錐形渣口設(shè)置在下段氣化室底部,所述爐殼底部設(shè)置有渣池,渣池底部設(shè)有渣池排渣口,所述上段端氣化室四周設(shè)有至少一層側(cè)面工藝燒嘴室,至少兩個(gè)側(cè)面工藝燒嘴對(duì)稱設(shè)置在側(cè)面工藝燒嘴室內(nèi),所述下段氣化室兩側(cè)同軸設(shè)有對(duì)置式工藝燒嘴室,兩個(gè)對(duì)置式工藝燒嘴同軸設(shè)于對(duì)置式工藝燒嘴室,所述側(cè)面工藝燒嘴室與下段氣化室之間的上段氣化室上設(shè)有至少兩個(gè)二次給氧噴槍室,所述二次給氧噴槍室內(nèi)安裝有二次給氧噴槍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置,其特征是:所述的合成氣冷卻室包括激冷環(huán)、下降管、折流管和下部合成氣出口,所述激冷環(huán)設(shè)置在合成冷卻室上部,所述激冷環(huán)上設(shè)有激冷水入口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置,其特征是:所述爐殼與上、下氣化室外壁直徑填充有耐火保溫材料形成耐火保溫層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置,其特征是:所述的側(cè)面工藝燒嘴軸線與所述上段氣化室的徑向的夾角α為1.5°?7.5°,所述側(cè)面工藝燒嘴與所述上段氣化室軸線的夾角3為1.5°?9.5°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生物質(zhì)兩段式氣流床氣化裝置,其特征是:所述的爐殼為承壓殼體。
【文檔編號(hào)】C10J3/48GK203668324SQ201320862617
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】吳得治, 武華, 武偉, 吳其澤, 許兵兵, 張飛, 李強(qiáng), 唐劍鋒 申請(qǐng)人:河南金土地煤氣工程有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1