專利名稱：對晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種提純加熱系統(tǒng)，尤其涉及到應(yīng)用于回收廢砂漿提純系統(tǒng)中的對晶娃切割廢砂楽■提純加熱系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
高純度的晶體硅是制備電子元件和太陽能電池的主要原料，是重要的電子信息材料，在現(xiàn)有技術(shù)的提純的方法，多為直拉法和區(qū)熔法。直拉法是將經(jīng)過清洗處理后的多晶硅料裝入單晶爐的石英坩堝內(nèi)，在合理的熱場中，加熱得到熔融體，然后再依次經(jīng)過熔接、旋轉(zhuǎn)，控制警惕生長條件和摻雜工藝，在經(jīng)過引晶、細(xì)頸、放肩、等徑、收尾等步驟得到完整的晶體硅。區(qū)熔法是將預(yù)先處理好的多晶硅和籽硅，垂直固定在區(qū)熔爐上下軸間，用電器感應(yīng)線圈加熱，并控制感應(yīng)加熱工藝和摻雜工藝，使硅棒定向移動(dòng)，最后提純晶體硅。上述兩種方法，需要使用純度較高的多晶硅原料，才能制備符合產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的高純度晶體硅，另外隨著硅價(jià)格的不斷攀升，多晶硅原料的供應(yīng)日趨緊張，考慮從太陽能行業(yè)、微電子行業(yè)中回收使用過的加工廢料或?qū)σ苯鸸柽M(jìn)行提純加工處理，則會(huì)緩解目前供應(yīng)緊張的晶體硅。此外，現(xiàn)有技術(shù)中，用于晶硅切割生產(chǎn)用的砂漿循環(huán)使用中被分離不清，而不能有效分離切削下的晶硅粉、碳化硅細(xì)粉及渣滓，研究其再生砂漿對氣候溫度很敏感，故一般在低溫離心機(jī)上粘度太高離心達(dá)不到回收要求。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種對晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)，可以提高回收廢砂漿分離效果。對晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)，其結(jié)構(gòu)主要由進(jìn)口、端蓋、圓柱金屬實(shí)體、電磁加熱導(dǎo)線、電磁加熱控制器、出口構(gòu)成，其中進(jìn)口和出口分別設(shè)置于圓柱金屬實(shí)體的兩端，電磁加熱導(dǎo)線纏繞于圓柱金屬實(shí)體上，電器加熱控制器串聯(lián)于電磁加熱導(dǎo)線的兩端接頭處。所述的圓柱金屬實(shí)體，內(nèi)部為空心，其一定的長度的外表面上均勻纏繞電磁加熱導(dǎo)線，電磁加熱導(dǎo)線設(shè)置有兩端接頭，通過電磁控制器控制，可以控制每一個(gè)節(jié)點(diǎn)上的溫度。所述的加熱體，其設(shè)置于圓柱金屬實(shí)體的內(nèi)部，呈圓柱狀，且為空心，其采用201#不銹鋼材料。所述的端蓋，其分別通過螺絲螺擰固定于進(jìn)口、出口的兩端，其型號(hào)采用不銹鋼304。本實(shí)用新型的工作流程為將從收集桶內(nèi)的廢砂漿吸入至砂漿泵，再通過電子控制器均勻的將廢砂漿導(dǎo)入本提純加熱系統(tǒng)中，進(jìn)口溫度為常溫25°C左右，廢砂漿在均勻的流動(dòng)過程中，再通過晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)中得以均衡加熱，經(jīng)快速升溫，出口時(shí)，晶硅切割廢砂漿的溫度為60 70°C，然后將升溫后的物質(zhì)再進(jìn)入離心機(jī)分離后，粘度降低得以完全分離，提高回收廢砂漿碳化硅微粉及切割液純度，大大的降低了晶硅切割砂漿的切割成本。由于采用了以上技術(shù)方案和原理，本實(shí)用新型具有的有益效果為I、系統(tǒng)內(nèi)的物質(zhì)流速可調(diào)，其一般為12. 5升/分鐘。2、加熱升溫快速，一般情況3 5秒；3、性能穩(wěn)定，出口的物質(zhì)始終保持在可控制的溫度60 70°C ;4、經(jīng)本系統(tǒng)加熱后的物質(zhì)，再經(jīng)離心機(jī)分離，實(shí)現(xiàn)切割液與砂(碳化硅微粉7 20um)的分離，從而實(shí)現(xiàn)切割液與砂的再利用，節(jié)約了原材料和能源，從而杜絕了亂排放廢液，污染環(huán)境。

圖I、為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2、為本實(shí)用新型左視結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3、為本實(shí)用新型的工作流程流程圖。圖中1-進(jìn)口、2-圓柱金屬實(shí)體、3-電磁加熱導(dǎo)線、4-加熱體、5-端蓋、6-出口、7-電磁加熱控制器、8-螺絲。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步進(jìn)行說明；參見圖1、2，對晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)，其結(jié)構(gòu)主要由進(jìn)口 I、端蓋5、圓柱金屬實(shí)體2、電磁加熱導(dǎo)線3、電磁加熱控制器7、出口 6構(gòu)成，其中進(jìn)口 I和出口 6分別設(shè)置于圓柱金屬實(shí)體2的兩端，電磁加熱導(dǎo)線3纏繞于圓柱金屬實(shí)體2上，電器加熱控制器7串聯(lián)于電磁加熱導(dǎo)線3的兩端接頭處。所述的圓柱金屬實(shí)體2，內(nèi)部為空心，其一定的長度的外表面上均勻纏繞電磁加熱導(dǎo)線3，電磁加熱導(dǎo)線3設(shè)置有兩端接頭，通過電磁控制器控制7，可以控制每一個(gè)節(jié)點(diǎn)上的溫度。所述的加熱體4，其設(shè)置于圓柱金屬實(shí)體2的內(nèi)部，呈圓柱狀，且為空心，其采用201#不銹鋼材料。所述的端蓋5，其分別通過螺絲8螺擰固定于進(jìn)口 I、出口 6的兩端，其型號(hào)采用不銹鋼304。參見圖3，本實(shí)用新型的工作流程為將從收集桶內(nèi)的廢砂漿吸入至砂漿泵，再通過電子控制器均勻的將廢砂漿導(dǎo)入本提純加熱系統(tǒng)中，進(jìn)口溫度為常溫25°C左右，廢砂漿在均勻的流動(dòng)過程中，再通過晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)中得以均衡加熱，經(jīng)快速升溫，出口時(shí)，晶硅切割廢砂漿的溫度為60 70°C，然后將升溫后的物質(zhì)再進(jìn)入離心機(jī)分離后，粘度降低得以完全分離，提高回收廢砂漿碳化硅微粉及切割液純度，大大的降低了晶硅切割砂漿的切割成本。
權(quán)利要求1.對晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)，其結(jié)構(gòu)主要由進(jìn)口[I]、端蓋[5]、圓柱金屬實(shí)體[2]、電磁加熱導(dǎo)線[3]、電磁加熱控制器[7]、出口 [6]構(gòu)成，其特征在于其中進(jìn)口 [I]和出口 [6]分別設(shè)置于圓柱金屬實(shí)體[2]的兩端，電磁加熱導(dǎo)線[3]纏繞于圓柱金屬實(shí)體[2]上，電器加熱控制器[7]串聯(lián)于電磁加熱導(dǎo)線[3]的兩端接頭處。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)，其特征在于所述的圓柱金屬實(shí)體[2]，內(nèi)部為空心，其一定的長度的外表面上均勻纏繞電磁加熱導(dǎo)線[3]。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)，其特征在于所述的加熱體[4]，其設(shè)置于圓柱金屬實(shí)體[2]的內(nèi)部，呈圓柱狀，且為空心，其采用201#不銹鋼材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的對晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)，其特征在于所述的端蓋 [5]，其分別通過螺絲[8]螺擰固定于進(jìn)口 [I]、出口 [6]的兩端，其型號(hào)采用不銹鋼304。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種對晶硅切割廢砂漿提純加熱系統(tǒng)，屬于晶硅切割廢砂漿提純加熱技術(shù)領(lǐng)域，其結(jié)構(gòu)主要由進(jìn)口、端蓋、圓柱金屬實(shí)體、電磁加熱導(dǎo)線、電磁加熱控制器、出口構(gòu)成，其中進(jìn)口和出口分別設(shè)置于圓柱金屬實(shí)體的兩端，電磁加熱導(dǎo)線纏繞于圓柱金屬實(shí)體上，電器加熱控制器串聯(lián)于電磁加熱導(dǎo)線的兩端接頭處，本實(shí)用新型具有，物質(zhì)流速可調(diào)，加熱升溫快速，性能穩(wěn)定，出口的物質(zhì)始終保持在可控制的溫度60～70℃，從而實(shí)現(xiàn)切割液與砂的再利用，節(jié)約了原材料和能源，從而杜絕了亂排放廢液，污染環(huán)境。
文檔編號(hào)C10M175/00GK202465628SQ201220040499
公開日2012年10月3日 申請日期2012年2月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月8日
發(fā)明者蔡建躍 申請人:上海曄宗光伏科技有限公司