專利名稱：：光刻設(shè)備和定位設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光刻設(shè)備。本發(fā)明還涉及定位設(shè)備。
背景技術(shù)：
：光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也能夠以通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。通常，光刻設(shè)備包括可移動(dòng)的物體。這樣的物體可以相對(duì)于另一物體(例如框架(例如基礎(chǔ)框架或量測(cè)框架))移動(dòng)?？梢苿?dòng)物體的一個(gè)例子是例如襯底或圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，其可以移動(dòng)以在圖案轉(zhuǎn)移過程中相對(duì)于輻射束定位襯底和/或圖案形成裝置，其中，將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底。尤其在掃描器中，兩個(gè)支撐結(jié)構(gòu)都是可移動(dòng)的。在一個(gè)物體相對(duì)另一物體可移動(dòng)時(shí)，電纜和/或軟管可以設(shè)置在它們之間，以將電力、數(shù)據(jù)、流體等從一個(gè)物體轉(zhuǎn)送至另一物體，反之亦然?？梢苿?dòng)物體可以包括致動(dòng)器形式的熱源，其可以相對(duì)于另一物體或另一熱源定位可移動(dòng)的物體。這些熱源可能影響可移動(dòng)物體的溫度和/或溫度分布。在將可移動(dòng)物體用于光刻設(shè)備的圖案轉(zhuǎn)移過程中時(shí)，優(yōu)選地控制溫度(可能的話使其處于千分之一開爾文(millikelvin)范圍內(nèi))，以便最小化成像問題和/或重疊誤差。在這種情形中，可以通過使預(yù)定溫度的流體通過可移動(dòng)的物體，來控制可移動(dòng)物體的溫度，其中流體通過軟管傳送至可移動(dòng)物體和從可移動(dòng)物體通過軟管傳送罔開。然而，在兩個(gè)相對(duì)移動(dòng)的物體之間定位電纜和/或軟管可能限制了可移動(dòng)物體的可獲得的位置精度，這是因?yàn)殡娎|和/或軟管引入了力擾動(dòng)。在承載流體的軟管的情形中，這些力擾動(dòng)可能是流動(dòng)流體本身的慣性力的結(jié)果和/或流體和可移動(dòng)物體的加速度或減速度之間的相互作用。結(jié)合降低可移動(dòng)物體的質(zhì)量的趨勢(shì)和對(duì)精度和加速度(>15G)的增加的需求，這些擾動(dòng)變得不可接受并可能導(dǎo)致光刻設(shè)備的成像問題和/或重疊誤差。
發(fā)明內(nèi)容期望提供一種減少的成像問題和/或重疊誤差的光刻設(shè)備。還期望改善溫度受控制的可移動(dòng)的物體的可獲得的位置精度。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種光刻設(shè)備，其包括可移動(dòng)的第一物體和包括熱交換體的熱交換器，該熱交換體包括具有電熱或磁熱性質(zhì)的材料，和被配置以通過與可移動(dòng)的第一物體交換熱量來影響第一物體的溫度；和發(fā)生器，其被配置以將電磁場(chǎng)供給至熱交換體以適應(yīng)熱交換體的溫度，以便冷卻或加熱第一物體。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了定位設(shè)備，以相對(duì)于第二物體定位第一物體，所述定位設(shè)備包括熱交換器，該熱交換器包括熱交換體，該熱交換體包括具有電熱或磁熱性質(zhì)的材料，該熱交換體被配置以與第一物體和第二物體進(jìn)行熱量交換；和發(fā)生器，其被配置以將電磁場(chǎng)供給至熱交換體以適應(yīng)熱交換體的溫度，以便冷卻或加熱第一物體，其中，熱交換體被配置以在第一位置與第一物體交換熱量，和在第二位置與第二物體交換熱量，所述熱交換器還包括定位系統(tǒng)，該定位系統(tǒng)被配置以在第一和第二位置之間至少移動(dòng)熱交換體的一部分。下面僅通過示例的方式，參考示意性附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，其中示意性附圖中相應(yīng)的參考標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備；圖2示出可以通過根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的熱交換組件來控制溫度的物體的示意圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的熱交換組件的示意圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的熱交換組件的示意圖；圖5示出根據(jù)本發(fā)明的還一實(shí)施例的熱交換組件的示意圖；以及圖6示出根據(jù)本發(fā)明的包括熱交換組件的定位設(shè)備的示意圖。具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或任何其它的適合的輻射)；圖案形成裝置支撐件或掩模支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連。該光刻設(shè)備還包括襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT或“襯底支撐件”，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連。該光刻設(shè)備還包括投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形或控制輻射。圖案形成裝置支撐件MT以依賴于圖案形成裝置MA的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環(huán)境中等其它條件的方式保持圖案形成裝置MA。圖案形成裝置支撐件MT可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置MA。圖案形成裝置支撐件MT可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。圖案形成裝置支撐件MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置MA的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其它因素所適合的。這里使用的術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)或“襯底支撐件”(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái)或“掩模支撐件”)的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)或支撐件，或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)或支撐件上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)或支撐件用于曝光。光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中襯底的至少一部分可以被相對(duì)高折射率的液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒液體還可應(yīng)用至光刻設(shè)備中的其它空間，例如在掩模和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)可以用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。在此處所使用的術(shù)語“浸沒”并不是指結(jié)構(gòu)(例如襯底)必須浸沒在液體中，而是僅指液體在曝光期間位于投影系統(tǒng)和襯底之間。參照?qǐng)D1，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)將該源SO考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))。可以將所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD—起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO?？梢詫⑺稣丈淦鱅L用于調(diào)節(jié)所述輻射束B，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在圖案形成裝置支撐件(例如，掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成裝置MA來形成圖案。已經(jīng)穿過圖案形成裝置(例如掩模)MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)PS將輻射束B聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對(duì)于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成裝置(例如掩模)MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)圖案形成裝置支撐件(掩模臺(tái))MT的移動(dòng)。類似地，可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT或“襯底支撐件”的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，圖案形成裝置支撐件(例如掩模臺(tái))MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或者可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置(例如掩模)MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類似地，在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下，所述圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。所示的設(shè)備可以用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將圖案形成裝置(例如掩模臺(tái))MT或“掩模支撐件”和襯底臺(tái)WT或“襯底支撐件”保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束B的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后，將所述襯底臺(tái)WT或“襯底支撐件”沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對(duì)圖案形成裝置支撐件(例如掩模臺(tái))MT或“掩模支撐件”和襯底臺(tái)WT或“襯底支撐件”同步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT或“襯底支撐件”相對(duì)于圖案形成裝置支撐件(例如掩模臺(tái))MT或“掩模支撐件”的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分C的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中，將保持可編程圖案形成裝置的圖案形成裝置支撐件(例如掩模臺(tái))MT或“掩模支撐件”保持為基本靜止，并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT或“襯底支撐件”進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT或“襯底支撐件”的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。圖2示出可以通過根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的熱交換組件(其可以廣義地被稱為熱交換器)進(jìn)行加熱或冷卻的可移動(dòng)的第一物體OB1的示意圖。第一物體OB1可以是光刻設(shè)備中的任何可移動(dòng)的物體，例如襯底臺(tái)或保持件、被構(gòu)造用以支撐圖案形成裝置的支撐件、長(zhǎng)行程模塊、短行程模塊、機(jī)械部件、電學(xué)部件或光學(xué)部件。第一物體OBl可以是單個(gè)部件，但還可以是一個(gè)組件、元件、構(gòu)件、系統(tǒng)、部件或它們的一部分。熱交換組件包括熱交換體BO和發(fā)生器GEN。熱交換體BO包括具有電熱(electro-caloric)或磁熱(magneto-caloric)的性質(zhì)的材料。具有電熱性質(zhì)的材料在施加的電場(chǎng)中顯示出大致可逆的溫度變化。這樣的材料的一個(gè)例子是作為鉛、鈦、氧和鋯的混合物的陶瓷材料。具有磁熱性質(zhì)的材料在施加的磁場(chǎng)中顯示出大致可逆的溫度變化。這樣的材料的一個(gè)例子是釓。溫度變化依賴于所述材料可以是正的或負(fù)的。還可以結(jié)合這些材料中的兩種材料，例如結(jié)合具有電熱性質(zhì)的一種材料與具有磁熱性質(zhì)的一種材料，其中由于電熱材料的電場(chǎng)發(fā)生的溫度變化與由于磁熱材料的磁場(chǎng)發(fā)生的溫度變化相反。這允許熱交換體相對(duì)于初始溫度升高或降低其溫度，從而導(dǎo)致熱交換體可以操作的更大的溫度范圍。發(fā)生器GEN能夠?qū)㈦姶艌?chǎng)EM供給至熱交換體B0，以便適應(yīng)熱交換體BO的溫度。在發(fā)生器GEN將電磁場(chǎng)EM施加到熱交換體BO上時(shí)，熱交換體BO的溫度將變化一值ΔΤ。在之后的階段中移除電磁場(chǎng)EM將改變熱交換體BO的溫度一值-ΔΤ。假定最初熱交換體BO和第一物體OBl具有相同的溫度，由于電磁場(chǎng)EM導(dǎo)致的熱交換體BO的溫度變化產(chǎn)生了熱交換體BO和第一物體OBl之間的溫度差。注意到，當(dāng)熱交換體BO和第一物體OBl最初不具有相同溫度時(shí)也可產(chǎn)生溫度差。由于該溫度差，凈熱量將被從第一物體OBl傳送走或傳送至第一物體OBl，從而分別地冷卻或加熱第一物體OBl。圖2中的熱交換器的優(yōu)點(diǎn)在于不需要與例如框架的另一物體的流體連接，從而與使用可運(yùn)輸?shù)牧黧w的熱交換器相比減少了需要被提供至第一物體OBl的軟管的數(shù)量。軟管數(shù)量的減少導(dǎo)致了力擾動(dòng)的降低，和與使用可運(yùn)輸?shù)牧黧w的熱交換組件相比將導(dǎo)致位置精度升高。如果在例如根據(jù)圖1的設(shè)備的光刻設(shè)備中使用可移動(dòng)的物體，位置精度的提高導(dǎo)致圖像品質(zhì)和重疊性能的提高。優(yōu)選地，使用如上所述的熱交換器組件導(dǎo)致了第一物體OBl和另一物體之間沒有軟管，從而消除了力擾動(dòng)源，這導(dǎo)致甚至更進(jìn)一步地改善性質(zhì)。應(yīng)當(dāng)理解，圖2的示意圖不限于顯示的例子。發(fā)生器GEN與第一物體OBl相連，但它還可以與第一物體OBl是一體的，或根本不是第一物體OBl的一部分，和放置在第一物體OBl的外面。發(fā)生器能夠?qū)㈦姶艌?chǎng)EM提供至熱交換體Β0。另外，熱交換體BO可以是第一物體OBl的一部分，但它還可以是分離的實(shí)體(identity)。也可以熱交換體BO不能相對(duì)于第一物體OBl移動(dòng)，因此一起與第一物體OBl行進(jìn)，但它還可以是相對(duì)于框架是靜止的，因此相對(duì)于第一物體OBl是可移動(dòng)的。在這種情況中，熱交換體BO可以在特定位置冷卻或加熱第一物體OBl，之后從熱交換體BO移開第一物體OBl以進(jìn)行一些任務(wù)，和如果需要冷卻或加熱時(shí)返回至所述特定位置。在另一變形中，可以由第一物體OBl來完全地包圍熱交換體B0，使得熱交換體BO可以僅與第一物體交換熱量。發(fā)生器GEN可以被無線地操作和供給電力，這在發(fā)生器GEN是第一物體OBl的一部分或被連接至第一物體OBl的情形中可能是有利的，因?yàn)樗M(jìn)一步減小了第一物體OBl和另一物體之間的電纜的數(shù)量。在熱交換體BO相對(duì)于第一物體OBl不能移動(dòng)的變形中，熱交換組件特別適合于在有限的時(shí)間周期內(nèi)控制第一物體OBl的溫度。在光刻設(shè)備中，這種有限的時(shí)間周期可以是這樣的時(shí)間周期，其中圖案被從圖案形成裝置傳送至襯底，即在圖案轉(zhuǎn)移期間。襯底和圖案形成裝置的溫度，尤其是溫度分布是獲得最大精度的一個(gè)重要參數(shù)。因此希望在所述時(shí)間周期將第一物體OBl的溫度控制在小的溫度范圍(優(yōu)選地是千分之一開爾文(millikelvin)溫度范圍)內(nèi)?？梢酝ㄟ^控制熱交換體BO的溫度來建立對(duì)第一物體OBl的溫度控制，其反過來又依賴于電磁場(chǎng)EM的強(qiáng)度。在下文將對(duì)可以如何通過熱交換組件或熱交換器來控制第一物體OBl的示例進(jìn)行說明。假定熱交換體BO由電熱材料制成，其中在電場(chǎng)EM施加到熱交換體BO上時(shí)溫度降低ΔT，則可以通過將電場(chǎng)施加到熱交換體BO上來冷卻第一物體0B1，從而降低熱交換體BO的溫度。凈熱量將從第一物體OBl轉(zhuǎn)移至熱交換體Β0，從而降低了第一物體OBl的溫度和升高了熱交換體BO的溫度。如果沒有熱源，這種情形將最終導(dǎo)致第一物體OB1和熱交換體BO之間的溫度平衡。然而，改變電場(chǎng)EM的強(qiáng)度，將沿正或負(fù)的方向改變熱交換體BO的溫度，從而允許例如在關(guān)鍵(critical)的時(shí)間周期內(nèi)保持第一物體OBl的溫度恒定。熱交換組件可能因此包括測(cè)量第一物體OBl的溫度的傳感器SE和依賴于傳感器SE提供的信號(hào)來驅(qū)動(dòng)發(fā)生器GEN的控制單元或控制器CU。在關(guān)鍵的時(shí)間周期是周期性的時(shí)，可以在連續(xù)的關(guān)鍵時(shí)間周期之間從熱交換體BO移除電場(chǎng)，從而在這個(gè)例子中將熱交換體BO的溫度提高ΔΤ。之后，熱交換體BO和第一物體OBl能夠彼此交換熱量和可以與它們的周圍環(huán)境交換熱量，從而產(chǎn)生了新的溫度平衡，所述溫度平衡可以用作為下一關(guān)鍵時(shí)間周期的開始點(diǎn)。在實(shí)際溫度不是很重要但溫度隨時(shí)間的變化或僅溫度分布是重要的時(shí)，這種溫度控制是尤其適用的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，存在對(duì)這個(gè)例子的許多變形，例如以類似的方式，還可以通過熱交換體BO來加熱第一物體OBl。在這個(gè)實(shí)施例中，第一物體OBl還包括加熱器HE，其能夠局部地加熱第一物體OBl0例如之后，熱交換體BO可以用于全局地冷卻第一物體0B1，和可以操作加熱器HE(通過控制單元⑶)來局部地第一物體0B1，從而改善局部地控制溫度的能力，在溫度分布是重要參數(shù)時(shí)這是有利的。圖3示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的熱交換組件或熱交換器的示意圖，以與可移動(dòng)的第一物體0ΒΓ和第二物體0B2，交換熱量，以便冷卻第一物體0ΒΓ。第一物體0Β?？梢允窃诠饪淘O(shè)備中的任何可移動(dòng)的物體，例如襯底臺(tái)或保持件、被構(gòu)造以支撐圖案形成裝置的支撐件、長(zhǎng)行程模塊、短行程模塊、機(jī)械部件、電學(xué)部件或光學(xué)部件。第一物體可以是單個(gè)部件，但還可以是一個(gè)組件、元件、構(gòu)件、系統(tǒng)、部件或它們的一部分。第二物體0B2’可以是光刻設(shè)備中的任何物體，例如襯底臺(tái)或保持件、被構(gòu)造以支撐圖案形成裝置的支撐件、長(zhǎng)行程模塊、短行程模塊、框架、基礎(chǔ)框架、量測(cè)框架、機(jī)械部件、電學(xué)部件或光學(xué)部件。第二物體可以是單個(gè)部件，還可以是一個(gè)組件、元件、構(gòu)件、系統(tǒng)、部件或它們的一部分。熱交換組件包括熱交換體B02，其在這個(gè)實(shí)施例中包括磁熱性質(zhì)的材料。熱交換組件還包括發(fā)生器GEN2，其被配置以將磁場(chǎng)EM2供給至熱交換體B02。在這個(gè)實(shí)施例中，在磁場(chǎng)EM2施加到熱交換體B02上時(shí)，提高了熱交換體B02的溫度。圖3示出在第一位置FP2中將磁場(chǎng)EM2施加至熱交換體B02上的情形。由于提高了熱交換體B02的溫度，將凈熱量如由箭頭Q2所顯示地從熱交換體B02傳送至第二物體0B2’。這降低了熱交換體B02的溫度，和增加了第二物體0B2’的溫度。熱交換組件還包括定位系統(tǒng)，其被配置以在第一位置FP2和第二位置SP2之間移動(dòng)熱交換體B02。以虛線顯示出熱交換體B02處于第二位置SP2中。由箭頭P0S2示意性地顯示出由定位系統(tǒng)所引起的熱交換體B02的可能的運(yùn)動(dòng)。在由于移除磁場(chǎng)EM2或?qū)峤粨Q體B02移出磁場(chǎng)EM2(或它們的組合)而使熱交換體B02不再經(jīng)受磁場(chǎng)EM2時(shí)，熱交換體B02的溫度將降低至第一物體0B1，的溫度以下。在通過定位系統(tǒng)將熱交換體B02移動(dòng)至第二位置SP2時(shí)，熱交換體B02能夠與第一物體0ΒΓ交換熱量。由于熱交換體B02的溫度較低，凈熱量將從第一物體0ΒΓ傳送至熱交換體B02(由箭頭Ql所顯示的)，從而降低了第一物體0ΒΓ的溫度和升高了熱交換體B02的溫度。因此在這個(gè)實(shí)施例中第一物體0ΒΓ被熱交換體B02冷卻。同時(shí)，第二物體0B2’能夠與其周圍環(huán)境進(jìn)行熱交換，從而將其溫度降低至其初始值。還可以第二物體0B2’的熱容非常大，使得其溫度在整個(gè)過程中保持基本恒定。在熱交換體B02和第一物體0ΒΓ之間進(jìn)行熱交換之后，定位系統(tǒng)將熱交換體B02從第二位置SP2移回至第一位置FP2，從而允許再次完全開始上述循環(huán)。在這個(gè)實(shí)施例中，在熱交換體B02和第一物體0ΒΓ之間以及熱交換體B02和第二物體0B2’之間交替地進(jìn)行熱交換，從而使得所述實(shí)施例尤其適合于在特定時(shí)間周期中(例如當(dāng)通過輻射束來測(cè)量或輻射襯底時(shí))冷卻第一物體0B1’。在一個(gè)或兩個(gè)操作過程中的溫度控制對(duì)于提高圖像品質(zhì)和重疊性質(zhì)可能是重要的。在一種變形中，發(fā)生器GEN2可以在第二位置SP2處提供磁場(chǎng)EM2，而不是在圖3的情形中，或除了圖3的情形之外附加地進(jìn)行。發(fā)生器GEN2的位置依賴于是否期望冷卻或加熱第一物體0ΒΓ以及熱交換體B02的材料性質(zhì)。在這個(gè)實(shí)施例中，第一物體0ΒΓ相對(duì)于第二物體0B2，是可移動(dòng)的。第二位置SP2相對(duì)于第二物體0B2’可以是靜止的，但它還可以相對(duì)于第一物體0ΒΓ是靜止的。在后者的情形中，優(yōu)選地，在從第二位置SP2移開熱交換體B02或?qū)峤粨Q體B02移動(dòng)至第二位置SP2時(shí)，第一物體0Β?？偸窍鄬?duì)于第二物體0B2’處于相同的位置上。這簡(jiǎn)化了定位系統(tǒng)和對(duì)其的控制。在第一物體0ΒΓ是襯底或圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)時(shí)，熱交換體B02的移動(dòng)可以與襯底或圖案形成裝置至各自的支撐結(jié)構(gòu)的傳送和從各自的支撐結(jié)構(gòu)的傳送同步進(jìn)行，使得熱交換體B02的移動(dòng)在將其放置的整個(gè)過程中不需要額外的時(shí)間。在又一變形中，第一物體0Β?？梢园訜崞?，可以提供控制系統(tǒng)以類似于圖2的實(shí)施例的方式來控制第一物體0ΒΓ的溫度。之后，熱交換體B02提供了全局的冷卻，力口熱器提供了局部的加熱，從而允許控制第一物體0ΒΓ的溫度或溫度分布。根據(jù)圖3的實(shí)施例的熱交換組件的優(yōu)點(diǎn)在于在第一物體0ΒΓ和第二物體0B2’(或另一物體)之間不需要用于冷卻和/或加熱第一物體0ΒΓ的軟管。如果圖3中的系統(tǒng)用于這樣的設(shè)備中，這將消除了由于這些軟管造成的力擾動(dòng)，并改善了光刻設(shè)備的成像品質(zhì)和/或重疊性質(zhì)。圖4示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的熱交換組件的示意圖。熱交換組件被用于通過將熱量從第二物體0B2”傳送至第一物體0B1”來冷卻或加熱可移動(dòng)的第一物體0B1”。熱交換組件包括熱交換體B03，其通過定位系統(tǒng)P0S3圍繞軸線AX旋轉(zhuǎn)。定位系統(tǒng)P0S3通過軸SH3連接至熱交換體B03，該軸SH3大致與軸線AX方向一致。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，圍繞軸線AX旋轉(zhuǎn)熱交換體B03存在許多其它的可能性。熱交換體B03能夠同時(shí)與第一物體0B1”和第二物體0B2”進(jìn)行熱交換。熱交換體B03和第一物體OBl”之間的熱交換在第一位置FP3處進(jìn)行，熱交換體B03和第二物體0B2”之間的熱交換在第二位置SP3處進(jìn)行。在這個(gè)實(shí)施例中，部分B03A設(shè)置在第一位置FP3，同時(shí)部分B03B設(shè)置在第二位置SP3，使得可以同時(shí)與第一物體0B1”和第二物體0B2”進(jìn)行熱交換。在這個(gè)實(shí)施例中，熱交換體B03包括在經(jīng)受磁場(chǎng)時(shí)顯示出溫度降低的磁熱材料。磁場(chǎng)EM3可由發(fā)生器GEN3來提供。處于第二位置SP3的熱交換體B03的部分B03B經(jīng)受這種磁場(chǎng)EM3，從而導(dǎo)致這個(gè)部分B03B的溫度降低，并導(dǎo)致了第二物體0B2”和部分B03B之間的溫度差。由于這個(gè)溫度差，將凈熱量(Q4)從第二物體0B2”傳送至部分B03B。在這個(gè)例子中，由于通過定位系統(tǒng)P0S3旋轉(zhuǎn)熱交換體B03，剛剛將部分B03A從第二位置SP3移動(dòng)至第一位置FP3。由于這種運(yùn)動(dòng)，部分B03A不再經(jīng)受磁場(chǎng)EM3，并且因此導(dǎo)致了溫度升高，從而導(dǎo)致部分B03A和第一物體0B1”之間的溫度差，使得可以將凈熱量(Q3)從部分B03A傳送至第一物體OBl”。圖4僅顯示出兩個(gè)部分，但可以有更多的部分，優(yōu)選地均勻地沿切向方向分布，使得熱交換體B03的連續(xù)旋轉(zhuǎn)將導(dǎo)致經(jīng)由熱交換體B03從第二物體0B2”至第一物體0B1”的連續(xù)熱量傳送。優(yōu)選的，在熱交換體B03內(nèi)的從一部分至另一部分的熱量傳送通過將所述部分彼此隔離或通過足夠快速地旋轉(zhuǎn)熱交換體B03，而被保持至最小值。在后者的情形中，之后優(yōu)選的，由箭頭Q3和Q4表示的熱量傳送比熱交換體B03內(nèi)的熱量傳送更快。圖4的實(shí)施例用于加熱第一物體0B1”。在多個(gè)變形中，可以改變熱交換體B03的材料性質(zhì)和/或發(fā)生器GEN3的位置，以便冷卻第一物體0B1”或用于設(shè)計(jì)優(yōu)化。第一物體0B1”相對(duì)于第二物體0B2”是可移動(dòng)的，但第一物體0B1”移動(dòng)所遵循的軌道可以使得熱交換體B03可以與第一物體0B1”交換熱量，例如因?yàn)樗鲕壍雷裱瓱峤粨Q體B03的曲率或使得移動(dòng)的范圍比熱交換體B03的尺寸小。圖4的實(shí)施例還適合于不連續(xù)地冷卻或加熱第一物體0B1”，例如如圖2和3的實(shí)施例所描述的通過熱交換體B03的不連續(xù)的旋轉(zhuǎn)。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的熱交換組件的示意圖，其被配置以通過將熱量從第一物體0B1”，傳送至第二物體0B2”，來冷卻第一物體0B1”，。熱交換組件因此包括熱交換體B04，其包括第一次主體SBl和第二次主體SB2。次主體SBl包括具有磁熱性質(zhì)的材料，其中，在次主體SBl經(jīng)受磁場(chǎng)時(shí)溫度降低。次主體SB2包括具有電熱性質(zhì)的材料，其中在次主體SB2經(jīng)受電場(chǎng)時(shí)溫度升高。類似于圖4中的熱交換體B03，通過對(duì)應(yīng)的定位系統(tǒng)P0S4A和P0S4B，兩個(gè)次主體SBUSB2分別圍繞各自的軸線AXl和AX2旋轉(zhuǎn)。在這個(gè)實(shí)施例中，熱交換組件的工作原理也類似于根據(jù)圖4的實(shí)施例的工作原理。熱量經(jīng)由熱交換體B04從第一物體0B1”’傳送至第二物體0B2”，。在圖5的實(shí)施例中，熱量從第一物體0B1”，傳送至第一次主體SBl(由箭頭Q5表示)，從第一次主體SBl傳送至第二次主體SB2(由箭頭Q6表示)，從第二次主體SB2傳送至第二物體0B2”’(由箭頭Q7表示)。因此，根據(jù)熱交換的觀點(diǎn)，第一物體0B1”’、次主體SB1、SB2和第二物體0B2”，被串聯(lián)布置。發(fā)生器GEN4A和GEN4B被配置以施加各自的電磁場(chǎng)EM4A和EM4B，以便改變各自的次主體SBl和SB2的一部分的溫度。在這個(gè)實(shí)施例中，使用兩個(gè)所謂的相(phase)來傳送熱量，其中每個(gè)次主體表示一個(gè)相。使用多個(gè)相來代替一個(gè)相的益處在于可以在第一物體0B1”’和第二物體0B2”’之間獲得更大的溫度差。這個(gè)特殊的實(shí)施例的另外的優(yōu)點(diǎn)是，由于材料的選擇，在兩個(gè)次主體之間的邊界處(也就是在熱傳送Q6位置處)不需要電磁場(chǎng)，從而減小了一個(gè)發(fā)生器影響與另一發(fā)生器相關(guān)聯(lián)的次主體的溫度的機(jī)會(huì)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在次主體的數(shù)量、次主體的串聯(lián)和/或并聯(lián)布置、材料性質(zhì)的選擇和發(fā)生器的位置上存在有許多變形。圖6示意性地表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的包括熱交換組件的定位設(shè)備。定位設(shè)備是光刻設(shè)備的一部分，并包括三個(gè)物體A、B、C，其中物體C被認(rèn)為是如量測(cè)框架或基礎(chǔ)框架的框架，物體A被認(rèn)為是被構(gòu)造以保持襯底(未顯示)的襯底臺(tái)或襯底保持件。被物體A支撐的襯底的一部分因此由物體A的位置來確定。物體B相對(duì)于物體C沿軌道Tl是可移動(dòng)的。物體A相對(duì)于物體B沿著軌道T2是可移動(dòng)的，其在這個(gè)例子中比軌道Tl短?？梢酝ㄟ^長(zhǎng)行程模塊LSM相對(duì)于物體C來定位物體B。可以通過短行程模塊SSM相對(duì)于物體B來定位物體A。通常，長(zhǎng)行程模塊LSM通過定位物體B提供對(duì)物體A的粗定位，短行程模塊SSM提供對(duì)物體A的細(xì)定位。模塊LSM和SSM都包括致動(dòng)器，其可以是熱源。例如模塊LSM和SSM的致動(dòng)器的熱源可能不利地影響成像品質(zhì)、重疊性質(zhì)和/或定位精度。因此可以期望對(duì)一個(gè)或更多個(gè)物體進(jìn)行溫度控制。根據(jù)圖2-5的熱交換組件或它們的變形可以用于控制物體中的一個(gè)的溫度。物體A和B可以對(duì)應(yīng)于熱交換組件的第一物體，物體B和C可以對(duì)應(yīng)于熱交換組件中的第二物體(如果需要)。下面顯示出一些變形。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>熱交換組件的熱交換主體可以是與第一和第二物體相互作用的分立的實(shí)體，但它還可以是物體A、B或C中的一個(gè)的一部分。在熱交換主體能夠與第一和第二主體進(jìn)行熱交換時(shí)，優(yōu)選地由第二物體來支撐熱交換主體。在定位設(shè)備中使用熱交換組件的益處在于不需要用于冷卻或加熱物體A、B、C中的一個(gè)的軟管。從而，由這些軟管引起的力擾動(dòng)被減小和優(yōu)選地被防止，導(dǎo)致改善了位置精度、圖像品質(zhì)和/或重疊性能。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造IC(集成電路)，但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其它的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將此處使用的任意術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其它襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。雖然以上已經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻術(shù)的情況中使用本發(fā)明的實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明可以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻術(shù)，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻術(shù)中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有約365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極紫外(EUV)輻射(例如，具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng))以及粒子束(例如離子束或電子束)。在允許的情況下，術(shù)語“透鏡”可以指的是各種類型的光學(xué)部件中的任何一個(gè)或組合，包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式的光學(xué)部件。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明可以以與上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采取包含用于描述上述公開的方法的一個(gè)或更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或者采取具有在其中存儲(chǔ)的這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的形式(例如，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)。以上描述旨在進(jìn)行解釋，而不是限制性的。因而，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，在不偏離所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍的前提下可以對(duì)所描述的發(fā)明進(jìn)行修改。權(quán)利要求一種光刻設(shè)備，包括可移動(dòng)的第一物體；和熱交換器，其包括熱交換體，該熱交換體包括具有電熱或磁熱性質(zhì)的材料，并被配置以通過與所述可移動(dòng)的第一物體交換熱量來影響所述可移動(dòng)的第一物體的溫度，和發(fā)生器，其被配置以將電磁場(chǎng)供給至所述熱交換體，以改變所述熱交換體的溫度，以便冷卻或加熱所述第一物體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其包括第二物體，其中，所述熱交換體被配置以與所述第二物體交換熱量。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻設(shè)備，其中，所述熱交換器被配置以交替地在所述熱交換體和所述第一物體之間交換熱量和在所述熱交換體和所述第二物體之間交換熱量。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中，所述第一物體包括被配置以局部加熱所述第一物體的加熱器，且其中所述設(shè)備還包括控制器，所述控制器被配置以用所述第一物體的加熱器和所述熱交換器來控制所述第一物體的溫度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中，所述第一物體是下述部件中的一個(gè)或多個(gè)或所述下述部件中的一個(gè)或多個(gè)的一部分構(gòu)造以保持襯底的襯底臺(tái)，構(gòu)造以支撐圖案形成裝置的支撐件，長(zhǎng)行程模塊，和短行程模塊。6.一種被配置以相對(duì)于第二物體定位第一物體的定位設(shè)備，所述設(shè)備包括熱交換器，所述熱交換器包括熱交換體，其包括具有電熱或磁熱性質(zhì)的材料，并被配置以與所述第一物體和所述第二物體交換熱量，和發(fā)生器，其被配置以將電磁場(chǎng)供給至所述熱交換體，以改變所述熱交換體的溫度，以便冷卻或加熱所述第一物體，其中所述熱交換體被配置以在第一位置與所述第一物體交換熱量，和在第二位置與所述第二物體交換熱量；和定位系統(tǒng)，其被配置以在所述第一和第二位置之間移動(dòng)所述熱交換體的至少一部分。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位設(shè)備，其中所述熱交換器被配置以交替地在所述熱交換體和所述第一物體之間交換熱量和在所述熱交換體和所述第二物體之間交換熱量。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位設(shè)備，其中，所述熱交換器被配置以通過經(jīng)由所述熱交換體從所述第一物體將凈熱量轉(zhuǎn)移至所述第二物體來冷卻所述第一物體。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位設(shè)備，其中，所述熱交換器被配置以通過經(jīng)由所述熱交換體從所述第二物體將凈熱量轉(zhuǎn)移至所述第一物體來加熱所述第一物體。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位設(shè)備，其中，所述發(fā)生器被配置以在所述第一位置供給電磁場(chǎng)，或在所述第二位置供給電磁場(chǎng)，或在所述第一和所述第二位置都供給電磁場(chǎng)。11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位設(shè)備，其中，所述定位系統(tǒng)被配置以旋轉(zhuǎn)所述熱交換體，使得所述熱交換體的一部分能夠與所述第一物體交換熱量，同時(shí)所述熱交換體的另一部分能夠與所述第二物體交換熱量。12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位設(shè)備，其中所述熱交換體包括多個(gè)次主體，其中每個(gè)次主體具有對(duì)應(yīng)的發(fā)生器并被配置以與至少一個(gè)其它的次主體交換熱量。13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位設(shè)備，其中，所述第一物體包括加熱器，所述加熱器被配置以局部加熱所述第一物體，且其中所述設(shè)備還包括控制器，所述控制器被配置以用所述熱交換體和所述第一物體的加熱器來控制所述第一物體的溫度。14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位設(shè)備，其中，所述第一物體是下述部件中的一個(gè)或多個(gè)或所述下述部件中的一個(gè)或多個(gè)的一部分構(gòu)造以保持襯底的襯底臺(tái)，構(gòu)造以支撐圖案形成裝置的支撐件，長(zhǎng)行程模塊，和短行程模塊。15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的定位設(shè)備，其中，所述第二物體是下述部件中的一個(gè)或多個(gè)或所述下述部件中的一個(gè)或多個(gè)的一部分構(gòu)造以保持襯底的襯底臺(tái)，構(gòu)造以支撐圖案形成裝置的支撐件，長(zhǎng)行程模塊，短行程模塊，和框架。全文摘要一種光刻設(shè)備包括可移動(dòng)的第一物體和包括熱交換體的熱交換器，該熱交換體包括具有電熱或磁熱性質(zhì)的材料并被配置以通過與可移動(dòng)的第一物體進(jìn)行熱量交換來影響第一物體的溫度；和發(fā)生器，其被配置以將電磁場(chǎng)供給至熱交換體，以改變熱交換體的溫度，以便冷卻或加熱第一物體。文檔編號(hào)G03F7/20GK101819383SQ200910253829公開日2010年9月1日申請(qǐng)日期2009年12月8日優(yōu)先權(quán)日2008年12月10日發(fā)明者N·J·吉利森,T·P·M·卡迪申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司