酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于化工技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，本發(fā)明涉及酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]T12因其較高的光催化活性、良好的物理化學(xué)特性，已成為當(dāng)前最具有開發(fā)前景的綠色環(huán)保催化材料.其中，薄膜型T12催化材料由于能解決粉體易聚集，難回收，光利用效率低等問題，受到了人們的關(guān)注.然而，由于T12的禁帶較寬，只有能量較高的紫外線才能激發(fā)其光催化活性，因此在應(yīng)用過程中往往需要使用紫外光源.額外配置的紫外燈以及紫外線對人體潛在的危害限制了 T12光催化材料更為廣泛的應(yīng)用.雖可考慮利用太陽光線，但紫外線只占其中的4%左右，光利用效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明就是針對上述技術(shù)問題，提供了一種酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法。
[0004]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:本發(fā)明的酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法，其特征在于:在T12溶膠30-50g中加入0.4-1.5g的CuPcTs，并在90-100°C，壓強(qiáng)為6-8MPa的水浴中攪拌4_6h，即制得CuPcTs-T12溶膠；以普通載玻片為涂膜基底，預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液1000-1500mL中，加壓至10_12MPa，50-70°C條件下，超聲波振蕩清洗20-25min，再用去離子水清洗，烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
[0005]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明反應(yīng)條件溫和，易于實(shí)現(xiàn)，并且產(chǎn)率高，產(chǎn)品光催化效果好，具有廣泛的應(yīng)用前景。
【具體實(shí)施方式】
[0006]本發(fā)明的酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法，其特征在于:在T12溶膠30_50g中加入0.4-1.5g的CuPcTs,并在90-100°C，壓強(qiáng)為6_8MPa的水浴中攪拌4_6h，即制得CuPcTs-T12溶膠；以普通載玻片為涂膜基底，預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液1000-1500mL中，加壓至10-12MPa，50-70°C條件下，超聲波振蕩清洗20-25min，再用去離子水清洗，烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
[0007]實(shí)施例1:在T12溶膠30g中加入0.4g的CuPcTs,并在90°C，壓強(qiáng)為6MPa的水浴中攪拌4h，即制得CuPcTs-T12溶膠；以普通載玻片為涂膜基底，預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液100mL中，加壓至lOMPa，50°C條件下，超聲波振蕩清洗20min，再用去離子水清洗，烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
[0008]實(shí)施例2:在T12溶膠50g中加入1.5g的CuPcTs,并在100°C，壓強(qiáng)為8MPa的水浴中攪拌6h，即制得CuPcTs-T12溶膠；以普通載玻片為涂膜基底，預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液1500mL中，加壓至12MPa，70°C條件下，超聲波振蕩清洗25min，再用去離子水清洗，烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
[0009]實(shí)施例3:在T12溶膠30_50g中加入L 2g的CuPcTs,并在95°C，壓強(qiáng)為7MPa的水浴中攪拌5h，即制得CuPcTs-T12溶膠；以普通載玻片為涂膜基底，預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液1200mL中，加壓至llMPa，60°C條件下，超聲波振蕩清洗22min，再用去離子水清洗，烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法，其特征在于:在T12溶膠30-50g中加入0.4-1.5g的CuPcTs,并在90-100 °C，壓強(qiáng)為6_8MPa的水浴中攪拌4_6h，即制得CuPcTs-T12溶膠；以普通載玻片為涂膜基底，預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液1000-1500mL中，加壓至10-12MPa，50-70°C條件下，超聲波振蕩清洗20-25min，再用去離子水清洗，烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法，其特征在于:在T12溶膠30g中加入0.4g的CuPcTs，并在90°C，壓強(qiáng)為6MPa的水浴中攪拌4h，即制得CuPcTs-T12溶膠；以普通載玻片為涂膜基底，預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液100mL中，加壓至1MPa, 50°C條件下,超聲波振蕩清洗20min,再用去離子水清洗，烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法，其特征在于:在T12溶膠50g中加入1.5g的CuPcTs，并在100°C，壓強(qiáng)為8MPa的水浴中攪拌6h，即制得CuPcTs-T12溶膠；以普通載玻片為涂膜基底，預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液1500mL中，加壓至12MPa, 70°C條件下,超聲波振蕩清洗25min,再用去離子水清洗，烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法，其特征在于:在T12溶膠30-50g中加入1.2g的CuPcTs，并在95°C，壓強(qiáng)為7MPa的水浴中攪拌5h，即制得CuPcTs-T12溶膠；以普通載玻片為涂膜基底，預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液1200mL中，加壓至llMPa，60°C條件下，超聲波振蕩清洗22min，再用去離子水清洗，烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
【專利摘要】酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法屬于化工技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，本發(fā)明涉及酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法。本發(fā)明提供一種酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法。本發(fā)明的酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜制備方法，其特征在于：在TiO2溶膠30-50g中加入0.4-1.5g的CuPcTs,并在90-100℃，壓強(qiáng)為6-8MPa的水浴中攪拌4-6h,即制得CuPcTs-TiO2溶膠;以普通載玻片為涂膜基底,預(yù)先在濃硫酸與高錳酸鉀的混合水溶液1000-1500mL中，加壓至10-12MPa，50-70℃條件下，超聲波振蕩清洗20-25min,再用去離子水清洗,烘干即得酞菁敏化混晶二氧化鈦薄膜。
【IPC分類】B01J31-38
【公開號】CN104646064
【申請?zhí)枴緾N201310584755
【發(fā)明人】李志剛
【申請人】李志剛
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月20日