藍(lán)寶石無邊框觸屏面板的生產(chǎn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種藍(lán)寶石片的生產(chǎn)方法，尤其涉及一種藍(lán)寶石無邊框觸屏面板的生產(chǎn)方法，屬于藍(lán)寶石加工技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代生活中，手機(jī)、平板電腦等電子產(chǎn)品已經(jīng)成為人們必不可少的電子產(chǎn)品，而大屏幕已成為手機(jī)等電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)，這就對(duì)觸摸屏面板的強(qiáng)度及透光性要求越來越尚O
[0003]隨著科技的進(jìn)步，藍(lán)寶石材質(zhì)的觸屏面板應(yīng)用越來越廣泛。藍(lán)寶石具有很好的熱特性，極好的電氣特性和介電特性，可以在高溫下保持高強(qiáng)度、優(yōu)良的熱屬性和透過率，并且防化學(xué)腐蝕。用藍(lán)寶石為原料制成的觸屏面板，清晰度高、立體感好、表面耐劃傷，消費(fèi)者滿意度高。
[0004]中國(guó)專利文獻(xiàn)ZL201420600055.1公開了一種高強(qiáng)度手機(jī)觸摸屏，包括觸摸屏和殼體，觸摸屏的下表面內(nèi)嵌有彩帶，殼體采用包裹的方式與觸摸屏連接，殼體的上表面外側(cè)設(shè)有凸起，觸摸屏包括蓋板玻璃、藍(lán)寶石層、偏光片、觸摸傳感器和絕緣保護(hù)層，蓋板玻璃上表面覆蓋有類金剛石薄膜，藍(lán)寶石層設(shè)在蓋板玻璃下方，偏光片設(shè)在藍(lán)寶石層下方，觸摸傳感器設(shè)在偏光片下方的觸屏區(qū)內(nèi)，偏光片下方的非觸屏區(qū)內(nèi)設(shè)有遮光材料層，遮光材料層下方設(shè)有觸摸傳感器與FPC之間的連接線路，絕緣保護(hù)層從下面覆蓋觸摸傳感器及連接電路。本實(shí)用新型不易破損、功能性強(qiáng)，強(qiáng)度高，透光性好，防輻射，防反光，功能十分多樣，滿足人們的使用需求。但該發(fā)明的觸摸屏仍存在質(zhì)量差，成品率低的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的技術(shù)問題是:提出一種成片質(zhì)量高，廢品率低，生產(chǎn)效率高的藍(lán)寶石無邊框觸屏面板的生產(chǎn)方法。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的技術(shù)方案是:一種藍(lán)寶石攝觸屏面板的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括以下具體步驟:
步驟一、晶體掏棒；取C向藍(lán)寶石晶體，然后使用掏棒機(jī)進(jìn)行掏棒，從而得到C向晶棒； 步驟二、晶體切割；采用金剛砂線切割設(shè)備對(duì)晶棒進(jìn)行切割，從而得到晶片；
步驟三、激光取片；將拋光后的晶片放入激光切割機(jī)中并通入保護(hù)氣體，將晶片按需求切割成相應(yīng)大??；
步驟四、研磨；采用研磨機(jī)對(duì)晶片進(jìn)行研磨；研磨時(shí)，加入研磨液，研磨盤對(duì)晶片加壓至0.02?0.022Mpa，研磨盤的轉(zhuǎn)速為1000?1200rpm/min ;研磨完成后用無水乙醇清洗；所述研磨液組分包括:0.5?2%的顆粒大小為10?20 μ m的立方氮化硼粉末，14?16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4?6%的甘油，9?11%的聚丙二醇400，其余為去離子水；
步驟五、倒邊；采用數(shù)控機(jī)床的金剛石砂輪對(duì)晶片的四周和邊角進(jìn)行倒邊處理；
步驟六、退火；將晶片放入退火爐內(nèi)，以180?220°C /h的速度進(jìn)行升溫將溫度升至1600°C，升溫時(shí)在300°C、800°C、1600°C分別保溫2?6h，然后以200°C的溫度進(jìn)行降溫，降溫時(shí)在1000°C、500°C分別保溫2?3h冷卻至室溫取出；
步驟七、雙面化學(xué)拋光；先用無水乙醇對(duì)晶片進(jìn)行清洗，然后將清洗后的晶片放入雙面拋光機(jī)中固定；拋光時(shí)，加入拋光液，拋光盤對(duì)晶片加壓至0.12?0.15 Mpa，拋光盤的轉(zhuǎn)速為1000?1500rpm/min、將拋光好的晶片用無水乙醇清洗后，在室溫下進(jìn)行自然冷卻；所述拋光液組分包括:0.5?2%的顆粒大小為I?6 μ m的立方氮化硼粉末，14?16%的烷基酚聚氧乙烯醚，4?6%的甘油，9?11%的聚丙二醇400，0.5?2%的納米二氧化硅，使得拋光液PH值為11.0?13.0的堿性溶液，其余為去離子水；拋光過程中不斷補(bǔ)充堿性溶液以保持拋光液的PH值；
步驟八、涂油墨；將鍍膜后的晶片蓋上鏤空板，在晶片的邊緣處刷涂油墨且重復(fù)刷涂三層；
步驟九、熱烘；將涂完油墨的晶片放入熱烘機(jī)中熱烘2?3h后，空冷至室溫。
[0007]對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)為:所述步驟二中，金剛砂線的直徑為0.14?0.16mm，金剛砂線上金剛石的粒徑為30?40 μ m，金剛砂線在切割時(shí)以12?15m/s的速度運(yùn)動(dòng)，晶體相對(duì)于金剛砂線的移動(dòng)速度為0.2?0.3mm/min，切割時(shí)不斷向金剛砂線噴灑切割液，所述切割液中含有粒徑為20?30 μ m的金剛石顆粒和粒徑為50?60 μ m的剛玉顆粒。
[0008]對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)為:所述步驟三中，激光束的直徑為0.015?0.02mm，切割速度為3?5mm/s。
[0009]對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)為:所述步驟三中，所述保護(hù)氣體為氮?dú)狻?br>[0010]對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)為:所述步驟四中，所述研磨液中含有粒徑為3?6 μπι的氧化鋁顆粒。
[0011]對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)為:所述步驟六中，升溫時(shí)，在3000C保溫2h，在800°C保溫3h，在 1600°(:保溫411。
[0012]對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)為:所述步驟七中，所述堿性溶液為Κ0Η。
[0013]對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)為:所述步驟七中，所述拋光液PH值為12.0。
[0014]對(duì)上述技術(shù)方案的改進(jìn)為:所述步驟七中，拋光盤對(duì)晶片加壓至0.135Mpa。本發(fā)明具有積極的效果:
(I)本發(fā)明的觸屏面板生產(chǎn)方法，先激光取片再研磨、拋光，可以提高研磨、拋光的生產(chǎn)效率，由于藍(lán)寶石硬度大，拋光時(shí)必須施加較大的壓力，在拋光之前退火有利于消除線切害J、研磨等機(jī)械加工工序所產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力，使得晶片在拋光時(shí)不宜碎裂，有效提高成品率。
[0015](2)本發(fā)明的觸屏面板生產(chǎn)方法，嚴(yán)格控制研磨和拋光的參數(shù)以及研磨液和拋光液的成分，有利于提尚研磨和拋光的效率，提尚研磨和拋光的成品率，制備出的晶片結(jié)構(gòu)完整，無物理損傷，表面細(xì)膩，光滑，形變小。研磨液和拋光液中，適量的立方氮化硼粉末充當(dāng)磨料，硬度高，耐磨性好；烷基酚聚氧乙烯醚、甘油、聚丙二醇400和去離子水形成的懸浮液黏度和界面膜性質(zhì)穩(wěn)定，使得磨料懸浮穩(wěn)定，均勻度好，不會(huì)粘并，有利于提高研磨和拋光的質(zhì)量和效率。適量的烷基酚聚氧乙烯醚是一種非離子表面活性劑，其性質(zhì)穩(wěn)定，具有分散、乳化、潤(rùn)濕等多種性能，是懸浮液獲得優(yōu)異性能最主要的成分；甘油比重合適，與水和有機(jī)溶液都有很好的溶解性，作為輔助分散劑非常適合；聚丙二醇400具有乳化、潤(rùn)濕的作用，并且可以有效增稠，有效提升懸浮液的黏度和界面膜性質(zhì)。另外，拋光液中含有適量的納米S12,粒度均勻、分散性好、平坦化效率高。堿性溶液KOH使得拋光液為堿性，通過化學(xué)腐蝕輔助拋光，從而拋光效果更好，拋光效率更好。為了保持拋光液的穩(wěn)定性，從而保證拋光的效率和質(zhì)量，必須不斷地補(bǔ)充堿性溶液，維持拋光液PH值基本不變。
[0016](3)本發(fā)明的觸屏面板生產(chǎn)方法，通過涂刷三層油墨然后烘干，使得晶片的邊緣不透光，可以有效地防止光線從晶片的側(cè)面進(jìn)入，對(duì)成像造成影響。
[0017](4)本發(fā)明的觸屏面板采用藍(lán)寶石為基材制成，由于藍(lán)寶石硬度高，耐磨性好，使得觸屏面板不易磨損和劃傷，藍(lán)寶石C向介電常數(shù)為11.4，而A向和M向均為9.4，本發(fā)明采用C向晶體，保證了觸屏面板對(duì)介電常數(shù)的要求。通過本發(fā)明的藍(lán)寶石無邊框觸屏面板生產(chǎn)方法制成的指紋識(shí)別面板，光潔度高，透光性好，光學(xué)性能達(dá)標(biāo)，且成片質(zhì)量高，廢品率低，生產(chǎn)效率高，應(yīng)用前景廣闊。
【具體實(shí)施方式】
[0018]實(shí)施例1
本實(shí)施例的藍(lán)寶石無邊框觸屏面板生產(chǎn)方法具體包括如下步驟:
步驟一、晶體掏棒；取C向藍(lán)寶石晶體，然后使用掏棒機(jī)進(jìn)行掏棒，從而得到晶棒； 步驟二、晶體切割；采用金剛砂線切割設(shè)備對(duì)晶棒進(jìn)行切割，從而得到晶片；
步驟三、激光取片；將拋光后的晶片放入激光切割機(jī)中并通入保護(hù)氣體，將晶片按需求切割成相應(yīng)大??；
步驟四、研磨；采用研磨機(jī)對(duì)晶片進(jìn)行研磨；研磨時(shí)，加入研磨液，研磨盤對(duì)晶片加壓至0.022Mpa，研磨盤的轉(zhuǎn)速為1200rpm/min ;研磨完成后用無水乙醇清洗；所述研磨液組分包括:2%的顆粒大小為20 μm的立方氮化硼粉末，16%的烷基酚聚氧乙烯醚，6%的甘油，11%的聚丙二醇400，其余為去離子水；
步驟五、倒邊；采用數(shù)控機(jī)床的金剛石砂輪對(duì)晶片的四周和邊角進(jìn)行倒邊處理；
步驟六、退火；將晶片放入退火爐內(nèi)，以220°C /h的速度進(jìn)行升溫將溫度升至1600°C，升溫時(shí)在300 °C、800 °C、1600 °C分別保溫6h，然后以200 °C的溫度進(jìn)行降溫，降溫時(shí)在1000°C、500°C分別保溫3h冷卻至室溫取出；
步驟七、雙面化學(xué)拋光；先用無水乙醇對(duì)晶片進(jìn)行清洗，然后將清洗后的晶片放入雙面拋光機(jī)中固定；拋光時(shí)，加入拋光液，拋光盤對(duì)晶片加壓至0.15 Mpa，拋光盤的轉(zhuǎn)速為1500rpm/min、將拋光好的晶片用無水乙醇清洗后，在室溫下進(jìn)行自然冷卻；所述拋光液組分包括:2%的顆粒大小為6 μπι的立方氮